Spelling suggestions: "subject:"cristalina"" "subject:"cristalinas""
61 |
Exposição ocupacional à sílica e silicose entre trabalhadores de marmorarias, no município de São Paulo / Occupational exposure to silica and silicosis among sheds workers in Sao PauloBon, Ana Maria Tibiriçá 26 May 2006 (has links)
Objetivo. No Brasil encontram-se em crescimento os índices de prevalência das doenças crônicas causadas pela exposição dos trabalhadores a poeiras minerais. Realizou-se estudo com objetivo de avaliar as condições de trabalho e de saúde dos trabalhadores em marmorarias e propor ações preventivas. Métodos. Realizou-se estudo transversal em 27 marmorarias, no Município de São Paulo que executavam o beneficiamento final de rochas ornamentais, incluindo: a) avaliação da exposição a poeiras e à sílica cristalina respirável por meio de coleta de amostras de ar (n=762), análise por gravimetria e Difração de Raios X e acumulação das exposições estimadas por função conforme história ocupacional; b) aplicação de questionário de sintomas respiratórios (n=267) e avaliação médica, por espirometria e radiogradia de tórax; d) correlação dos resultados de exposição acumulada com achados clínicos e radiológicos por meio de análises estatísticas; e) levantamento de informações sobre os processos de trabalho e alternativas de controle. Resultados. Para os acabadores encontrou-se a maior exposição: concentração de 0,36 mg/m³ (IC95% 0,29 e 0,42) para os granitos e de 0,19 mg/m3 (IC95% 0,16-0,22) para a mistura de matérias-primas. Para estimativa de exposição acumulada à sílica cristalina respirável com mediana de 0,56 mg/m3-anos existiu risco de Odds Ratio igual a 1,2 (IC95% 1,02-1,40) de o trabalhador exposto apresentar classificação radiológica com alterações, presença de pequenas opacidades - profusão ³ 0/1, em relação a um trabalhador não-exposto. A população possuía baixo nível de escolaridade e de renda familiar, com média de idade 35,8 (±11,6) anos. Conclusões. Há exposição excessiva à sílica cristalina respirável nas marmorarias, com valores de concentração ultrapassando até 54 vezes o valor de referência recomendado pela NIOSH 0,05 mg/m3. As matérias-primas mais perigosas foram rochas silicáticas (silestoneÒ, granitos, arenitos e quartzitos). Entre as medidas de controle para as poeiras, caracterizaram-se como mais eficientes as aplicadas a úmido em máquinas e ferramentas. / Objective. In Brazil it can be seen growing prevalence rates of chronic diseases due to occupational exposure to mineral dusts, being silicosis the greater prevalence of pneumoconiosis. A study was carried out with the aim to evaluate the work conditions and of the workers health in granite and marble sheds and to propose preventive actions. Methods: A cross sectional study was performed among 27 sheds in Sao Paulo county that perform the finishing work of ornamental rocks. The study included: a) evaluation of dust exposure and respirable crystalline silica, by means of air sampling (n=762), analysis by gravimetry and X-Ray diffraction, and cumulative silica exposure estimates in each job according to the occupational history; b) applying a questionnaire of respiratory symptoms (n=267) and medical evaluation, espirometry and chest X-Ray; d) results correlation of cumulative exposure with the clinical and radiological data by statistical means; e) search of working process information and control alternatives. Results: Finishing workers had the greater exposition: concentration of 0.36 mg/m3 (CI95% 0.29-0.42) for granites and of 0.19 mg/m3 (CI95% 0.16-0.22) for the mixture of raw materials. To the estimated cumulative exposure to respirable crystalline silica with median equal to 0.56 mg/m3-years there was a risk Odds Ratio =OR=1.20 (CI95%1.02 1.40) of the exposed worked to present an altered radiological classification with alterations, presence of small opacities - perfusion ≥0/1, in relation to a non exposed worker. The population studied had low scholar education and low familiar income, with average age 35.8 (±11,6) years. Conclusions: There is excessive exposure to respirable crystalline silica in sheds with concentrations 54 times over the recommended exposure limit by NIOSH of 0.05 mg/m3. The most dangerous raw materials were silicatious rocks (silestoneÒ, granites, sandstones and quartzites). Among the control measures for dusts, were characterized as more efficient the applied ones the humid in machines and tools.
|
62 |
Membrana de alumina an?dica: comportamento da microestrutura e estudo das propriedades ?pticas ap?s tratamento t?rmicoTimoteo J?nior, Jos? Fl?vio 04 July 2012 (has links)
Made available in DSpace on 2014-12-17T14:07:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1
JoseFTJ_TESE.pdf: 4834280 bytes, checksum: 1a618560296186081bd6c34117d226be (MD5)
Previous issue date: 2012-07-04 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior / Thin commercial aluminum electrolytic and passed through reactions was obtained with anodic alumina membranes nanopores. These materials have applications in areas recognized electronic, biomedical, chemical and biological weapons, especially in obtaining nanostructures using these membranes as a substrate or template for processing nanowires, nanodots and nanofibers for applications noble. Previous studies showed that the membranes that have undergone heat treatment temperature to 1300? C underwent changes in morphology, crystal structure and optical properties. This aim, this thesis, a study of the heat treatment of porous anodic alumina membranes, in order to obtain and to characterize the behavior changes structures during the crystallization process of the membranes, at temperatures ranging between 300 and 1700? C. It was therefore necessary to mount a system formed by a tubular furnace resistive alumina tube and controlled environment, applying flux with special blend of Ag-87% and 13% N2, in which argon had the role of carrying out the oxygen nitrogen system and induce the closing of the pores during the densification of the membrane. The duration of heat treatment ranged from 60 to 15 minutes, at temperatures from 300 to 1700? C respectively. With the heat treatment occurred: a drastic reduction of porosity, grain growth and increased translucency of the membrane. For the characterization of the membranes were analyzed properties: Physical - thermogravimetric, X-ray diffraction, BET surface area; morphological - SEM, EDS through compositional and, optical absorbance, and transmittance in the UV-VIS, and FTIR. The results using the SEM showed that crystallization has occurred, densification and significant changes in membrane structure, as well as obtaining microtube, the BET analysis showed a decrease in specific surface area of the membranes has to 44.381 m2.g-1 to less than 1.8 m2.g-1 and in the analysis of transmittance and absorbance was found a value of 16.5% in the range of 800 nm, characteristic of the near infrared and FTIR have confirmed the molecular groups of the material. Thus, one can say that the membranes were mixed characteristics and properties which qualify for use in gas filtration system, as well as applications in the range of optical wavelength of the infra-red, and as a substrate of nanomaterials. This requires the continuation and deepening of additional study / L?minas delgadas de alum?nio comercial passaram por rea??es eletrol?ticas e obtiveram-se membranas de alumina an?dica com nanoporos. Estes materiais t?m reconhecidas aplica??es nas ?reas eletr?nicas, biom?dicas, qu?micas e biol?gicas, principalmente, na obten??o de nanoestruturas utilizando estas membranas como substrato ou molde para processamento de nanofios, nanopontos e nanofibras para aplica??es nobres. Estudos anteriores apontaram que as membranas que passaram por tratamentos t?rmicos at? a temperatura de 1300? C, sofreram altera??es na morfologia, na estrutura cristalina e nas propriedades ?pticas. O objetivo deste trabalho foi o estudo do tratamento t?rmico de membranas de alumina an?dica porosas, com o intuito de obter e caracterizar as altera??es de comportamento das estruturas, durante o processo de cristaliza??o das membranas, em temperaturas que variaram entre 300 e 1700? C. Assim, foi necess?rio montar um sistema formado por um forno resistivo tubular e tubo de alumina com ambiente controlado, aplicando fluxo com mistura especial de Ar-87% e N2-13%, no qual o arg?nio teve o papel de carrear o oxig?nio para fora do sistema e o nitrog?nio de induzir o fechamento dos poros, durante a densifica??o das membranas. A dura??o dos tratamentos t?rmicos variou de 60 a 15 minutos, para as temperaturas de 300 at? 1700? C respectivamente. Com o tratamento t?rmico ocorreu redu??o dr?stica da porosidade, crescimento do gr?o e aumento da translucidez da membrana. Para a caracteriza??o das membranas, foram feitas an?lises das propriedades: f?sica - termogravim?trica; difra??o de raios-X, ?rea superficial BET; morfol?gica - MEV, composicional atrav?s do EDS; e, ?ptica - transmit?ncia e absorb?ncia no UV-VIS e FTIR. Os resultados por meio do MEV mostraram que ocorreu cristaliza??o, densifica??o e mudan?as significativas na estrutura das membranas, bem como, a obten??o de microtubo; a an?lise de BET constatou uma diminui??o na ?rea superficial espec?fica das membranas que passou de 44,381m2.g-1, para menos de 1,8m2.g-1; na an?lise de transmit?ncia e absorb?ncia foi encontrado um valor de 16,5 % na faixa de 800nm, caracter?stico do infravermelho pr?ximo e no FTIR foram confirmadas os grupos moleculares do material. Assim, pode-se afirmar que as membranas apresentaram caracter?sticas mistas e propriedades que as qualificam para o uso em sistema de filtra??o de gases, bem como, de aplica??es ?ticas na faixa do comprimento de onda do Infravermelho, e como substrato de nanomateriais. Isto requer a continuidade e aprofundamento em estudos complementares
|
63 |
Perfil epidemiológico de sífilis congênita no Hospital Universitário de Santa Maria de 2010 a 2014Argemi, Carla Tourem 30 August 2016 (has links)
The objective of this study is to identify and describe the cases reported / investigated of Congenital Syphilis in the Santa Maria’s University Hospital (HUSM), Rio Grande do Sul, Brazil, in the period of 2010 to 2014. Is a retrospective, cross-sectional, study in which secondary data found in records of notification/investigation of Congenital Syphilis Information System notification where evaluated. 128 records notification/investigation Congenital Syphilis where evaluated. The survey instrument was developed based on research of Congenital Syphilis records and pregnant women, where with the data collected has built up a database, which was submitted to descriptive statistical analysis. The analyzed variables consisted on the genitor: sociodemographic; realization or not of the prenatal care; period of maternal diagnosis of the Syphilis, nontreponemal test achievement in prenatal and childbirth; Prenatal treponemic test and delivery; treatment performed in pregnancy, partner treatment. The variables relating to infant were: not treponemal test, cerebrospinal fluid change, not treponemic test cerebrospinal fluid; radiological diagnosis; clinical diagnosis; in child treatment regimen; developments. Results: 128 cases of congenital syphilis were reported during the study. Pregnant women analyzed were the age from 20 to 35 years old, all of them of white color, educational level of 5th to 8th grade incomplete, underwent the prenatal care, had the diagnosis carried out in the third-trimestrer or childbirth, with inadequate treatment and with partners who were not treated. Newborns were male, white, have been notified within seven days after the birth date, treponemal test in peripheral blood reagent and asymptomatic in most cases. Three cases with non treponemal test in the reagent liquor six cerebrospinal change and a case with abnormal X-ray of the long bones, and more than half of the cases received treatment with Penicillin Cristalina for 10 days. Conclusion: Persisting vertical transmission, there is failure in the health care network focused on prenatal quality. / O objetivo deste estudo é identificar e descrever os casos notificados/investigados de sífilis congênita no Hospital Universitário de Santa Maria (HUSM) no Estado do Rio Grande do Sul-Brasil, no período de 2010 a 2014. Constitui um estudo retrospectivo, transversal, no qual avaliou dados secundários encontrados nas fichas notificação/investigação do Sistema Informação de Agravos de Notificação (SINAN) de sífilis congênita. Foram avaliadas 128 fichas de notificação/investigação de Sífilis Congênita. O instrumento de pesquisa foi elaborado com base nas fichas de investigação de sífilis congênita e em gestantes, os dados coletados construiu-se um banco de dados o qual foi submetido à análise estatística descritiva. As variáveis analisadas consistiram relativas a genitora: sociodemografica; realização do pré-natal; período do diagnóstico materno, realização de teste não treponêmico no pré-natal e no parto; teste treponêmico pré-natal e parto; tratamento realizado na gestante, tratamento do parceiro. As variáveis referentes à criança são idade, cor, sexo teste não treponêmico, alteração liquórica, teste não treponêmico no liquor; diagnóstico radiológico da criança; diagnóstico clínico; esquema de tratamento na criança; evolução do caso. Como resultados: foram notificados 128 casos de sífilis congênita no período de estudo. As gestantes analisadas tinham faixa etária de 20 a 35 anos, da cor branca, nível de escolaridade de 5º a 8º serie incompleta, realizaram o pré-natal, diagnóstico realizado no 3º trimestre ou no parto, com tratamento inadequado e com parceiros que não foram tratados. Os recém-nascidos eram do sexo masculino, brancos, foram notificados em até sete dias da data de nascimento, teste treponêmico no sangue periférico reagente e assintomáticos na maior parte dos casos. Três casos com exame não treponêmico no liquor reagente, seis com alteração liquórica e um caso com alteração no Raio X dos ossos longos, sendo que mais da metade dos casos recebeu tratamento com penicilina cristalina por 10 dias. Com isso, conclui-se que persistindo a transmissão vertical, verificou-se falhas na rede de atenção à saúde voltada para um pré-natal de qualidade.
|
64 |
Correlação entre propriedades elétricas e estruturais em filmes finos de sulfeto de cádmio produzidos por ablação a laserNascimento, Chiara das Dores do January 2014 (has links)
O sulfeto de cádmio (CdS) é um semicondutor calcogeneto do tipo II-VI com band gap direto de 2,4 eV. Desperta interesse acadêmico e tecnológico na confecção de dispositivos optoeletrônicos e células solares e vem sendo considerado para a fabricação de transistores de filme fino sobre substratos flexíveis. Para que haja avanços nessa área em especial, a construção de transistores a efeito de campo dos tipos P e N em CdS é preciso compreender e controlar a resistividade desse material. Neste trabalho produzimos filmes finos de CdS com cerca de 100 a 500 nm de espessura utilizando a técnica de ablação a laser pulsado (PLD) em 20 a 90 mTorr de argônio. Os filmes foram depositados sobre carbono vítreo, folha de cobre, SiO 2 e poli(tereftalato de etila) (PET). Foram caracterizados por espectrometria de retroespalhamento Rutherford (composição química), difração de raios X (microestrutura), espectroscopia de absorção de raios X (ordem local), fotoluminescência (estados eletrônicos) e medições Van der Pauw e Hall (resistividade, concentração de portadores de carga e mobilidade). Verificamos que há deficiência de enxofre nos filmes depositados nas pressões mais baixas, o que é explicado pelo efeito de self-sputtering durante a PLD. Há incorporação de oxigênio; ao que tudo indica, ele é proveniente do alvo utilizado na deposição dos filmes. Identificamos a estrutura cristalina hexagonal e estimamos tamanho de cristalito em torno de 30 nm. Nas medidas elétricas foi observado comportamento tipo N e diminuição da resistividade (aumento na concentração de portadores de carga) proporcional à carência de enxofre. O band gap verificado é 2,9 eV (devido ao oxigênio). Resistividade, concentração de portadores de carga e mobilidade situaram-se nos intervalos 10-1-104 Ω cm, 1019-1013 cm-3 e 2-12 cm2 V-1 s-1, respectivamente. O conjunto desses resultados confirma a relevância de defeitos pontuais e oxigênio nas propriedades elétricas de CdS e mostra que é possível, pelo menos em parte, controlar o comportamento elétrico a partir da pressão de deposição empregada em PLD. / Cadmium sul de (CdS) is a II-VI, chalcogenide semicondutor that features a direct band gap of 2,4 eV. It is currently used in optoelectronic devices and solar cells and has been considered for the fabrication of thin lm transistors on exible substrates. Development in this area in particular, the availability of both N- and P-type eld e ect transistors on CdS requires understanding and control of electrical resistivity. In this work thin CdS lms (ca. 100 to 500 nm-thick) were deposited by pulsed laser deposition (PLD) in 20 to 90 mTorr of argon. The lms were deposited on glassy carbon, copper foil, SiO2, and polyethylene terephthalate (PET). They were characterized by Rutherford backscattering spectrometry (chemical composition), x-ray di raction (microstructure), x-ray absorption spectroscoy (local order), photoluminescence (electronic states), and Van der Pauw and Hall measurements (resistivity, carrier concentration, and mobility). We observed excess cadmium in the lms deposited at the lowest pressures, which is explained by the self-sputtering e ect during PLD. There is incorporation of oxygen, presumably from the CdS target. We identi ed only the hexagonal phase of CdS and estimated the crystallite size as ca. 30 nm. Electrical characterization showed N-type behavior and decreasing resistivity (increasing charge carrier concentration) proprtional to the excess of cadmium in the lms. The measured band gap was 2,9 eV (due to the presence of oxygen). Resistivity, charge carrier concentration, and mobility were in the range 10-1-104 cm, 1019-1013 Ω cm-3, and 2-12 cm2 V-1 s-1, respectively. These results con rm the relevance of point defects and oxygen in the electrical properties of CdS and show that it is possible to control electrical response through the deposition pressure in PLD.
|
65 |
Estudos cristaloquímicos e teóricos de derivados do decahidrofenantrenoMachado, André Tivagus Lousada 24 August 2012 (has links)
Submitted by Alison Vanceto (alison-vanceto@hotmail.com) on 2016-09-21T11:44:57Z
No. of bitstreams: 1
DissATLM.pdf: 2134527 bytes, checksum: 09a60cc0cd82cc3847658de04d5cac0f (MD5) / Approved for entry into archive by Marina Freitas (marinapf@ufscar.br) on 2016-09-21T18:19:49Z (GMT) No. of bitstreams: 1
DissATLM.pdf: 2134527 bytes, checksum: 09a60cc0cd82cc3847658de04d5cac0f (MD5) / Approved for entry into archive by Marina Freitas (marinapf@ufscar.br) on 2016-09-21T18:20:01Z (GMT) No. of bitstreams: 1
DissATLM.pdf: 2134527 bytes, checksum: 09a60cc0cd82cc3847658de04d5cac0f (MD5) / Made available in DSpace on 2016-09-21T18:20:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1
DissATLM.pdf: 2134527 bytes, checksum: 09a60cc0cd82cc3847658de04d5cac0f (MD5)
Previous issue date: 2012-08-24 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / This work is a contribution to the study of the crystal, molecular and supramolecular structures as well as the conformation in vacuum of
decahydrophenantrene derivatives.
(4aS,4bR,7R,10aS)-3,7-Dimethyl-10a- (propan-2-yl)-1,4,4a,4b,5,6,7,8,10,10a-decahydrophenanthrene-1,4-dione (Compound 1) In this compound, C19H26O2, the A ring adopts a chair conformation, whereas the B and C rings both adopt distorted half-chair conformations with the quaternary C atom common to both rings lying 0.577 (3) and 0.648 (3) Å out of the approximate plane defined by the remaining five C atoms (r.m.s.deviations = 0.1386 and 0.1156 Å for the B and C rings, respectively).
Molecules are assembled in the crystal through C—H…O interactions involving both carbonyl O atoms, which lead to supramolecular chains aligned along the b axis. (4R,4aS,4bS,7R,10aR )-4-Hydroxy-4a,7-dimethyl-2-(propan-2-
yl)-1,4,4a,4b,5,6,7,8,10,10a-decahydrophenanthren-1-one (Compound 2)
In this compound, C19H28O2, the A ring adopts a chair conformation, and each of the B and C rings adopts a distorted half-chair conformation with the methine C atom in the CH2C(H)C( O) residue, common to both rings, lying 0.6397 (19) and 0.6328 (18) Å out of the approximate plane defined by the remaining five C atoms (r.m.s. deviations = 0.0791 and 0.0901 Å for rings B and
C, respectively). Helical supramolecular chains along the a axis mediated by hydroxy– carbonyl O—H…O hydrogen bonds feature in the crystal packing. (4R,4aS,4bS,5R,10aR)-4-Hydroxy-4a,5-dimethyl-2-(propan-2-yl)- 1,4,4a,4b,5,6,7,8,10,10a-decahydrophenanthren-1-one (Compound 3) In this compound, C19H28O2, the A ring adopts a chair conformation. Both the B and C rings adopt envelope conformations with the C atoms common to both rings and adjacent to the carbonyl and hydroxyl groups, respectively, lying
0.604 (3) and 0.634 (3) Å out of the mean planes defined by the remaining five C atoms of rings B and C, respectively (r.m.s. deviations = 0.0100 and 0.0157 Å, respectively). The formation of linear supramolecular chains along the a axis
mediated by hydroxy-O—H…O(carbonyl) hydrogen bonds is the most prominent feature of the crystal packing. The calculated and crystallographic structures are shown to be similar so that, in this case, the intermolecular interactions and consequently the crystal
packing has almost no influence on the molecular conformation. / Este trabalho é uma contribuição ao estudo de estruturas cristalinas, moleculares e supramoleculares como também a conformação no vácuo de derivados de decahidrofenantrenos.
(4aS,4bR,7R,10aS)-3,7-Dimetil-10a- (propan-2-il)-1,4,4a,4b,5,6,7,8,10,10adecahidrofenantren-
1,4-diona (Composto 1) Neste composto, C19H26O2, o anel A está em conformação de
cadeira, enquanto ambos os anéis B e C estão em conformação de meia-cadeira distorcida com o átomo de carbono quaternário comum à ambos os anéis estando 0.577 (3) e 0.648 (3) Å fora do plano calculado definido pelos outros cinco átomos de carbono (desvios r.m.s. = 0.1386 e 0.1156 Å para os anéis B e C, respectivamente). O arranjo das moléculas no cristal é governado por interações C—H…O envolvendo ambos os átomos de oxigênio carbonílicos, formando cadeias supramoleculares alinhadas ao longo do eixo b. (4R,4aS,4bS,7R,10aR )-4-Hidroxi-4a,7-dimetil-2-(propan-2- il)-1,4,4a,4b,5,6,7,8,10,10a-decahidrofenantren-1-ona (Composto 2)
Neste composto, C19H28O2, o anel A está em conformação de cadeira e cada um dos anéis B e C estão em conformação de meia-cadeira
distorcida com o átomo de carbono metilênico do resíduo CH2C(H)C(O), comum à ambos os anéis, estando 0.6397 (19) and 0.6328 (18) Å fora do plano calculado definido pelos cinco átomos de carbono remanescentes (desvios r.m.s. = 0.0791 e 0.0901 Å para os anéis B e C, respectivamente). No empacotamento
cristalino encontram-se cadeias supramoleculares helicoidais paralelas ao eixo a,
mediadas por ligações de hidrogênio hidróxi-carbonil O—H…O. (4R,4aS,4bS,5R,10aR)-4-Hidroxi-4a,5-dimetil-2-(propan-2-il)-
1,4,4a,4b,5,6,7,8,10,10a-decahidrofenantren-1-ona (Composto 3) Neste composto, C19H28O2, o anel A está em conformação de cadeira.
Ambos os anéis B e C estão em conformação de envelope com os átomos de carbonos adjacentes aos grupos carboxila e hidroxila e comuns à ambos os anéis estando 0.604 (3) e 0.634 (3) Å fora do plano médio definido pelos cinco átomos de carbono restantes dos anéis B e C, respectivamente (desvios r.m.s. = 0.0100
para o anel B e 0.0157 Å para o anel C). A característica mais marcante do
empacotamento cristalino é a formação de cadeias supramoleculares lineares ao
longo do eixo a mediadas por ligações de hidrogênio hidróxi O—H…O (carbonil).
As estruturas cristalográficas e as calculadas são similares, portanto neste caso as interações intermoleculares e consequentemente o empacotamento cristalino influem muito pouco na conformação molecular.
|
66 |
Correlação entre propriedades elétricas e estruturais em filmes finos de sulfeto de cádmio produzidos por ablação a laserNascimento, Chiara das Dores do January 2014 (has links)
O sulfeto de cádmio (CdS) é um semicondutor calcogeneto do tipo II-VI com band gap direto de 2,4 eV. Desperta interesse acadêmico e tecnológico na confecção de dispositivos optoeletrônicos e células solares e vem sendo considerado para a fabricação de transistores de filme fino sobre substratos flexíveis. Para que haja avanços nessa área em especial, a construção de transistores a efeito de campo dos tipos P e N em CdS é preciso compreender e controlar a resistividade desse material. Neste trabalho produzimos filmes finos de CdS com cerca de 100 a 500 nm de espessura utilizando a técnica de ablação a laser pulsado (PLD) em 20 a 90 mTorr de argônio. Os filmes foram depositados sobre carbono vítreo, folha de cobre, SiO 2 e poli(tereftalato de etila) (PET). Foram caracterizados por espectrometria de retroespalhamento Rutherford (composição química), difração de raios X (microestrutura), espectroscopia de absorção de raios X (ordem local), fotoluminescência (estados eletrônicos) e medições Van der Pauw e Hall (resistividade, concentração de portadores de carga e mobilidade). Verificamos que há deficiência de enxofre nos filmes depositados nas pressões mais baixas, o que é explicado pelo efeito de self-sputtering durante a PLD. Há incorporação de oxigênio; ao que tudo indica, ele é proveniente do alvo utilizado na deposição dos filmes. Identificamos a estrutura cristalina hexagonal e estimamos tamanho de cristalito em torno de 30 nm. Nas medidas elétricas foi observado comportamento tipo N e diminuição da resistividade (aumento na concentração de portadores de carga) proporcional à carência de enxofre. O band gap verificado é 2,9 eV (devido ao oxigênio). Resistividade, concentração de portadores de carga e mobilidade situaram-se nos intervalos 10-1-104 Ω cm, 1019-1013 cm-3 e 2-12 cm2 V-1 s-1, respectivamente. O conjunto desses resultados confirma a relevância de defeitos pontuais e oxigênio nas propriedades elétricas de CdS e mostra que é possível, pelo menos em parte, controlar o comportamento elétrico a partir da pressão de deposição empregada em PLD. / Cadmium sul de (CdS) is a II-VI, chalcogenide semicondutor that features a direct band gap of 2,4 eV. It is currently used in optoelectronic devices and solar cells and has been considered for the fabrication of thin lm transistors on exible substrates. Development in this area in particular, the availability of both N- and P-type eld e ect transistors on CdS requires understanding and control of electrical resistivity. In this work thin CdS lms (ca. 100 to 500 nm-thick) were deposited by pulsed laser deposition (PLD) in 20 to 90 mTorr of argon. The lms were deposited on glassy carbon, copper foil, SiO2, and polyethylene terephthalate (PET). They were characterized by Rutherford backscattering spectrometry (chemical composition), x-ray di raction (microstructure), x-ray absorption spectroscoy (local order), photoluminescence (electronic states), and Van der Pauw and Hall measurements (resistivity, carrier concentration, and mobility). We observed excess cadmium in the lms deposited at the lowest pressures, which is explained by the self-sputtering e ect during PLD. There is incorporation of oxygen, presumably from the CdS target. We identi ed only the hexagonal phase of CdS and estimated the crystallite size as ca. 30 nm. Electrical characterization showed N-type behavior and decreasing resistivity (increasing charge carrier concentration) proprtional to the excess of cadmium in the lms. The measured band gap was 2,9 eV (due to the presence of oxygen). Resistivity, charge carrier concentration, and mobility were in the range 10-1-104 cm, 1019-1013 Ω cm-3, and 2-12 cm2 V-1 s-1, respectively. These results con rm the relevance of point defects and oxygen in the electrical properties of CdS and show that it is possible to control electrical response through the deposition pressure in PLD.
|
67 |
Aplicação da técnica de mínimos quadrados ao refinamento da estrutura cristalina do formato de zinco bi-hidratado puro e dopado com manganês / Use of least squares method for the refinement of the crystalline structure of Zn formate di-hydrated pure and doped with MnIseli Angelica Martins Bulhoes 06 March 1979 (has links)
Sem resumo / Sem abstract
|
68 |
Planejamento, obtenção e caracterização de novas formas sólidas do fármaco antirretroviral lamivudina (3TC) / Design, production and characterization of new solid forms of antiretroviral drug lamivudine (3TC)Juan Carlos Tenorio Clavijo 22 July 2013 (has links)
Este trabalho enquadra-se dentro dos objetivos da engenharia de cristais moleculares para a obtenção de novas formas sólidas que possam apresentar propriedades farmacêuticas aprimoradas, especificamente de um dos fármacos mais utilizados e comercializados na terapia antirretroviral, contra o HIV: lamivudina, β-L-2\',3\'-didesoxi-3\'-tiocitidina (3TC). As formas cristalinas apresentadas correspondem aos sais dos ácidos inorgânicos: bromidrato (3TCH+-Br-), difluoridrato de hidrogênio (3TCH+-F-HF) e nitrato de lamivudina (3TCH+-NO3-). Estes novos sais cristalizaram no grupo espacial não-centrossimétrico P21, com um par iônico por unidade assimétrica. Os sais halogenados (3TCH+-Br- e 3TCH+-F-HF) apresentaram arranjos supramoleculares isoestruturais inclusive com o sal anidro do cloridrato de lamivudina (3TCH+-Cl-), reportado em trabalhos anteriores no nosso grupo de pesquisa, e cuja solubilidade no equilíbrio apresentou um aumento em relação à forma farmacêutica da 3TC. A característica principal dos arranjos cristalinos destes sais está relacionada com o ordenamento supramolecular das unidades catiônicas 3TCH+, a qual é constante, observando-se a formação de vacâncias entre elas ao longo do eixo cristalino a, decorrente da simetria helicoidal característica do grupo espacial. Desta forma, os ânions se acomodam nos interstícios destas vacâncias estabilizando o arranjo cristalino. Entretanto, o sal 3TCH+NO3- apresentou um comportamento conformacional e supramolecular diferente do observado nos sais halogenados. Neste caso observaram-se a formação de fitas helicoidais ao longo do eixo b, as quais vão se acoplando por simetria translacional na direção horizontal no plano [10-1] por meio de ligações de hidrogênio clássicas do tipo N–H•••O entre os fragmentos citosinicos e O–H•••O dos grupos hidroxilas e os ânions nitrato correspondentemente. Portanto, há a formação de planos moleculares em ziguezague, que posteriormente vão se arquitetando paralelamente na direção [1 0 -1] através de interações de curto alcance. Tanto as características conformacionais e supramoleculares, quanto a pureza exibida pelos sais foram também corroboradas com a ajuda de outras técnicas de análise no estado sólido, como a difração de raios X por pó (DRXP), a análise vibracional no infravermelho (IV) e Raman, e a análise térmica: calorimetria exploratória diferencial (DSC), termogravimetria (TG) e microscopia termo-óptica (Hot-stage). Cálculos de single-point em nível da teoria do funcional da densidade (DFT) foram realizados com o intuito de auxiliar na compreensão de algumas interações intermoleculares. Comparações das propriedades estruturais dos sais sintetizados com algumas formas já reportadas da 3TC (por exemplo, a 3TCH-Cl) permitiram inferir possíveis propriedades farmacêuticas. / This work falls within the main goals of crystal engineering, the improvement of pharmaceutical properties, through the design of new solid forms of the lamivudine, β-L-2 ´, 3´-dideoxy-3´-tiocytidine (3TC), one of the most used and marketed drug in the antiretroviral therapy against HIV. The crystalline forms herein presented correspond to inorganic acid salts: Lamivudine hydrobromide (3TCH+-Br-), hydrogen difluoride (3TCH+-F-HF) and nitrate (3TCH+-NO3-). These new salts crystallized in non-centrossymetric space group P21, with an ionic pair per asymmetric unit. The halogenated salts (3TCH+-Br- and 3TCH+-F-HF) exhibited isostructural supramolecular assemblies, similar to the anhydrous salt of lamivudine hydrochloride (3TCH+-Cl-) reported in a previous studies performed in our research group, and whose equilibrium solubility showed an increase when compared with 3TC pharmaceutical form. The main feature of the salt crystalline assemblies is related to the supramolecular ordering of the 3TCH+ cationic units, which is constant, by observing the formation of vacancies between them along the a crystalline axis due to the helical symmetry, characteristic of their space group. In this way, the anions accommodate themselves into the interstices of these vacancies, stabilizing the crystalline assemblies. Meanwhile, the 3TCH+NO3- salt showed a conformational and supramolecular behavior different from that observed in the halogenated salts. In this case it was observed the formation of helical strands along the b axis, which will be engaging by translational symmetry in the horizontal direction in the [10-1] plane through N–H•••O e O–H•••O classical hydrogen bonds, between the cytosine and hydroxyl fragments and the nitrate anions. Therefore, they form molecular zigzag plans which will subsequently architect parallel with the [10-1] direction by short-contact interactions. Both conformational and supramolecular characteristics as well as the purity exhibited by these salts were also supported with the help of other solid state techniques such as X-ray powder diffraction (XRDP), vibrational analysis as Infrared (IR) and Raman spectroscopy and thermal analysis as differential scanning calorimetry (DSC), thermogravimetry (TG) and hot-stage microscopy. Single point theoretical calculations at the level of density functional theory (DFT) were performed in order to assist in the understanding of some intermolecular interactions. Comparison of the structural properties of the synthesized salts with some forms already reported (e.g. 3TCH+-Cl-) allowed to infer some possible pharmaceutical properties.
|
69 |
Química supramolecular de fármacos antirretrovirais inibidores nucleosídeos de transcriptase reversa: novas formas cristalinas e alteração de propriedades de estado sólido / Supramolecular chemistry of antiretroviral nucleoside reverse transcriptase inhibitor drugsFelipe Terra Martins 07 October 2010 (has links)
Propriedades de estado sólido estão diretamente relacionadas ao desempenho de um fármaco. Entre todas as propriedades físicas e químicas dependentes da fase cristalina de um fármaco, estabilidade e solubilidade são as que mais alteram sua biodisponibilidade. Neste sentido, a engenharia de cristais moleculares é uma estratégia para aperfeiçoar as propriedades de estado sólido relacionadas às eficácias dos fármacos. Neste trabalho, nove novas formas cristalinas de fármacos antirretrovirais inibidores nucleosídeos de transcriptase reversa, a saber, lamivudina, zalcitabina e didanosina, foram preparadas e suas estruturas cristalinas foram elucidadas por difração de raios X por monocristal. Parte das modificações cristalinas preparadas foi também caracterizada por microscopia eletrônica de varredura, difração de raios X por pó, espectroscopia vibracional no infravermelho e Raman, calorimetria exploratória diferencial e termogravimetria. As solubilidades aquosas e purezas das modificações cristalinas de lamivudina preparadas como amostras monofásicas foram determinadas por espectrofotometria de absorvância no ultravioleta e cromatografia líquida de alta eficiência, respectivamente. A solubilidade de lamivudina nas modificações cristalinas preparadas pode ser tanto aumentada quanto reduzida quando comparada com a solubilidade da fase cristalina do fármaco incorporada em formulações farmacêuticas. As solubilidades foram também correlacionadas às características estruturais e calorimétricas, o que permitiu o estabelecimento de relações entre estrutura/energia de rede cristalina e propriedade de estado sólido. Ainda, duas modificações cristalinas de lamivudina, em que moléculas do fármaco estão pareadas através de seus fragmentos de citosina, sendo estes pares helicoidalmente sobrepostos, mimetizando uma estrutura polimérica de ácido desoxirribonucléico, revelaram que nucleosídeos têm a informação estrutural necessária para arquitetar duplas hélices de ácidos nucléicos. / Solid state properties are directly related to drug performance. Among all physical and chemical properties dependent on the crystal phase of a drug, stability and solubility are the main ones that alter its bioavailability. In this way, molecular crystal engineering is a strategy to improve solid state properties of drugs related to their efficacies. In this work, nine new crystal forms of antiretroviral nucleoside reverse transcriptase inhibitor drugs, namely, lamivudine, zalcitabina and didanosine, were prepared and their crystal structures were elucidated by single crystal X-ray diffraction. Some of the prepared crystal modifications were also characterized by scanning electron microscopy, powder X-ray diffraction, infrared and Raman vibrational spectroscopy, differential scanning calorimetry and thermogravimetry. The water solubilities and purities of the lamivudine crystal modifications prepared as monophasic samples were determined by ultraviolet absorbance spectrophotometry and high performance liquid chromatography, respectively. The solubility of lamivudine in the prepared crystal modifications can be either increased or decreased when compared to the solubility of the drug crystal phase incorporated into pharmaceutical formulations. The solubilities were also correlated to calorimetric and structural features, which allowed the establishment of relationships between crystal lattice energy/structure and solid state property. In addition, two crystal modifications of lamivudine, in which drug molecules are paired through their cytosine fragments, being these pairs helically stacked, mimicking a polymeric structure of deoxyribonucleic acid, have revealed that nucleosides possess the structural information necessary to assemble double stranded helices of nucleic acids.
|
70 |
Correlação entre propriedades elétricas e estruturais em filmes finos de sulfeto de cádmio produzidos por ablação a laserNascimento, Chiara das Dores do January 2014 (has links)
O sulfeto de cádmio (CdS) é um semicondutor calcogeneto do tipo II-VI com band gap direto de 2,4 eV. Desperta interesse acadêmico e tecnológico na confecção de dispositivos optoeletrônicos e células solares e vem sendo considerado para a fabricação de transistores de filme fino sobre substratos flexíveis. Para que haja avanços nessa área em especial, a construção de transistores a efeito de campo dos tipos P e N em CdS é preciso compreender e controlar a resistividade desse material. Neste trabalho produzimos filmes finos de CdS com cerca de 100 a 500 nm de espessura utilizando a técnica de ablação a laser pulsado (PLD) em 20 a 90 mTorr de argônio. Os filmes foram depositados sobre carbono vítreo, folha de cobre, SiO 2 e poli(tereftalato de etila) (PET). Foram caracterizados por espectrometria de retroespalhamento Rutherford (composição química), difração de raios X (microestrutura), espectroscopia de absorção de raios X (ordem local), fotoluminescência (estados eletrônicos) e medições Van der Pauw e Hall (resistividade, concentração de portadores de carga e mobilidade). Verificamos que há deficiência de enxofre nos filmes depositados nas pressões mais baixas, o que é explicado pelo efeito de self-sputtering durante a PLD. Há incorporação de oxigênio; ao que tudo indica, ele é proveniente do alvo utilizado na deposição dos filmes. Identificamos a estrutura cristalina hexagonal e estimamos tamanho de cristalito em torno de 30 nm. Nas medidas elétricas foi observado comportamento tipo N e diminuição da resistividade (aumento na concentração de portadores de carga) proporcional à carência de enxofre. O band gap verificado é 2,9 eV (devido ao oxigênio). Resistividade, concentração de portadores de carga e mobilidade situaram-se nos intervalos 10-1-104 Ω cm, 1019-1013 cm-3 e 2-12 cm2 V-1 s-1, respectivamente. O conjunto desses resultados confirma a relevância de defeitos pontuais e oxigênio nas propriedades elétricas de CdS e mostra que é possível, pelo menos em parte, controlar o comportamento elétrico a partir da pressão de deposição empregada em PLD. / Cadmium sul de (CdS) is a II-VI, chalcogenide semicondutor that features a direct band gap of 2,4 eV. It is currently used in optoelectronic devices and solar cells and has been considered for the fabrication of thin lm transistors on exible substrates. Development in this area in particular, the availability of both N- and P-type eld e ect transistors on CdS requires understanding and control of electrical resistivity. In this work thin CdS lms (ca. 100 to 500 nm-thick) were deposited by pulsed laser deposition (PLD) in 20 to 90 mTorr of argon. The lms were deposited on glassy carbon, copper foil, SiO2, and polyethylene terephthalate (PET). They were characterized by Rutherford backscattering spectrometry (chemical composition), x-ray di raction (microstructure), x-ray absorption spectroscoy (local order), photoluminescence (electronic states), and Van der Pauw and Hall measurements (resistivity, carrier concentration, and mobility). We observed excess cadmium in the lms deposited at the lowest pressures, which is explained by the self-sputtering e ect during PLD. There is incorporation of oxygen, presumably from the CdS target. We identi ed only the hexagonal phase of CdS and estimated the crystallite size as ca. 30 nm. Electrical characterization showed N-type behavior and decreasing resistivity (increasing charge carrier concentration) proprtional to the excess of cadmium in the lms. The measured band gap was 2,9 eV (due to the presence of oxygen). Resistivity, charge carrier concentration, and mobility were in the range 10-1-104 cm, 1019-1013 Ω cm-3, and 2-12 cm2 V-1 s-1, respectively. These results con rm the relevance of point defects and oxygen in the electrical properties of CdS and show that it is possible to control electrical response through the deposition pressure in PLD.
|
Page generated in 0.0736 seconds