Orientador : Ioshiaki Doi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-28T11:13:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Teixeira_RicardoCotrin_M.pdf: 1275626 bytes, checksum: 2394ace3a137b8589a2a20b2df254d67 (MD5) Previous issue date: 2001 / Mestrado

Orientador: Maria Clara Filippini Ierardi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-08-08T16:06:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 SivieroFilho_CarlosAlberto_D.pdf: 9375257 bytes, checksum: 85cfd6030cc83efce804528381861da2 (MD5) Previous issue date: 2007 / Resumo: Os processos de tratamento superficial, incluindo a eletrodeposição e a deposição química, podem ser aplicados em peças estruturais de ferro produzidas através da técnica de metalurgia do pó para melhorar as propriedades superficiais de aparência e resistência à corrosão. Estes processos, classificados como operações secundárias, são essenciais para a qualidade e desempenho do produto. A eletrodeposição e a deposição química são usualmente realizadas sobre os materiais sinterizados da mesma forma com que são aplicadas aos materiais convencionais. Diferenças ocorrem porque os componentes sinterizados são porosos. Desenvolveram-se rotas para a aplicação dos revestimentos eletrolíticos de zinco e zinco-níquel, assim como para os revestimentos de níquel químico, sobre amostras sinterizadas com densidade entre 5,4 e 6,6 g/cm³ (índice de porosidade total entre 31,39 e 16,14%). Para tanto, foram utilizadas, como ponto de partida, seqüências ¿clássicas¿ aplicadas aos materiais convencionais. Buscou-se, desta forma, a selagem eletrolítica da porosidade com o intuito de evitar a exudação de eletrólitos responsáveis pela formação de manchas e ataques corrosivos. Os resultados mostraram que, dentre os processos estudados, os depósitos de níquel químico apresentaram maior uniformidade de camada e capacidade de recobrir poros com grandes diâmetros promovendo, portanto, a melhor condição de resistência à corrosão em atmosfera salina / Abstract: Surface treatment processes, including electroless plating and electroplating, can be applied to structural ferrous P/M parts to obtain better surface properties such as appearance and corrosion resistance. These finishing processes carried out as a secondary operation are essential for the quality and performance of the product. Electroplating and electroless plating are usually realized on P/M parts as well as on conventional materials. Differences arise because the metal component is porous. New routs were designed for zinc and zinc-nickel electroplating, and also for electroless nickel plating, on sintered samples with density between 5,4 and 6,6 g/cm³ (total porosity level between 31,39 and 16,14%). In order to achieve such results, there were used ¿classical¿ sequences applied for conventional materials. The electrolytical sealing was investigated in order to avoid plating solutions responsible for spots and corrosive attacks of P/M compacts to exude. Results showed that, among all the studied processes, electroless nickel deposits appeared to have a greater uniformity layer and a greater capacity to recover longer pores, allowing a higher resistance to corrosion in salt atmosphere / Doutorado / Materiais e Processos de Fabricação / Doutor em Engenharia Mecânica

Orientador: Vitor Baranauskas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-25T18:33:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 AlvaradoAlcocer_JuanCarlos_D.pdf: 6120849 bytes, checksum: 3095654638bfd5f26fceb6133d675056 (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: Devido à complexidade envolvida nos processos de deposição quimica a partir da fase vapor (CVD) do diamante o desenvolvimento de reatores de CVD requer a utilização de modelamentos computacionais adequados. Estes modelos são de difícil implementação pois necessitam incluir os fenômenos de transporte de massa e as reações químicas envolvidas, o que requer a solução de um enorme conjunto de equações diferenciais parciais. Nesta tese é apresentado um protótipo de simulador de CVD e sua aplicação na simulação do processo de crescimento de diamante em um reator de filamento quente. O software inclui um bloco onde se efetuam por meio da técnica de fluxo e vorticidade a solução bi-dimensional das equações diferenciais por diferenças finitas. A interface com o usuário foi implementada utilizando o ambiente de programação DELPHI (Microsoft), de modo a permitir ao usuário, interativamente, estabelecer os perfis de temperatura, concentração dos reagentes e taxa de crescimento / Abstract: Owing to the complexity involved in the processes of chemical vapor deposition (CVD) the development of CVD reactors for diamond growth requires the use of appropriate computer modelling. Such models need to treat mass transport and the chemical reactions, which occur in the reactor, the solution of an enormous number of partial differential equations. In this thesis a prototype of a CVD computer simulator is presented and applied to the calculation of the process of diamond growth in a hot-filament CVD reactor. The software includes a kernel where the equations are solved by the flow and vorticity technique using finite differences. The interface with the user was implemented using the DELPHI Programming environment (Microsoft) to allow to the user to evaluate the temperature profiles, reactant concentrations and growth rate / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Maria Domingues Vargas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-03T15:58:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Leite_MarcoAntonioBarreto_D.pdf: 11970768 bytes, checksum: 9c194c8ba5df596b61b7d39e5d121042 (MD5) Previous issue date: 2003 / Resumo: Este trabalho teve como objetivo estudar precursores únicos para a deposição de filmes finos dos óxidos metálicos de nióbio, zircônio e cobre. Foram sintetizados e caracterizados os compostos [Nb(OPr)5]2 (2.1), [Nb(OPr)5(HOPr)] (2.2), [{Zr(HOBu)2(HFTB)2}(HOBu)] (3.1), [Cu(hfacac)2L] onde L=THF (4.1), O(Et)2 (4.2), O(Pr)2 (4.3), cis-trans DMOTHF (4.4) e cis-trans DMTHF (4.5) (HFTB = hexafluorotercbutóxido, hfacac = 1,1,1,5,5,5,-hexafluoro-2,4-pentanodiona, DMOTHF = 1,4-dimetoxotetrahdrofurano e DMTHF = 1,4-dimetiltetrahidrofurano). Os compostos foram analisados e caracterizados por espectroscopia no infravermelho, Raman, RMN ou RPE e difratometria de raios-X de monocristal (composto 3.1). Os dados cristalográficos do composto (2.1) são a= 9,632(2) Å, b= 9,799(4) Å, c= 22,108(6) Å, a = 84,30(5)°, b = 82,07(7)°, g = 76,05(9)°, Z= 2 grupo espacial P(-1). O alcóxido heteroléptico de zircônio 3.1 foi exaustivamente analisado por RMN de H a -90°C e foi proposta uma estrutura em solução para este composto. O composto 4.3 foi analisado por RPE-ESEEM e as distâncias entre os átomos de hidrogênio e o átomo de cobre foram medidas. Foram feitos estudos térmicos de DQV dos compostos 2.1, 2.2, 3.1 e 4.1. Os filmes dos óxidos metálicos obtidos por DQV foram caracterizados por XPS, UV-Vis de reflectância e EDX que indicavam ser filmes de Nb2O5 e Cu2O. Os produtos voláteis eliminados na DQV foram identificados por RMN em solução e, a partir da identificação dos produtos voláteis, foram propostos mecanismos das reações de decomposição do precursor 2.1 e 3.1. / Abstract: The aims of this work were to propose and study precursors for low pressure chemical vapor deposition of metal oxides thin films of niobium, zirconium and copper to be used in the electronic industry. This work describes the synthesis and characterization of four new precursors for MOCVD: [Nb(OPr)5]2 (2.1), [Nb(OPr)5(HOPr)] (2.2), [{Zr(HOBu)2(HFTB)2}(HOBu)] (3.1), [Cu(hfacac)2L] where L=THF (4.1), O(Et)2 (4.2), O(Pr)2 (4.3), cis-trans DMOTHF (4.4) and cis-trans DMTHF (4.5). The compounds were analyzed and characterized by FTIR, Raman, RMN and EPR spectroscopy and in one case (compound 2.1) by a X-ray diffraction study. Crystallographic data for compound (2.1) are a= 9,632(2) Å, b= 9,799(4) Å, c= 22,108(6) Å, a = 84,30(5)°, b = 82,07(7)°, g = 76,05(9)°, Z= 2 and it is in space group P(-1). The heteroleptic zirconium alkoxide, compound 3.1 was exhaustively characterized by H-RMN at -90°C and a structure in solution was proposed. In order to obtain the internuclear distance between hydrogen and copper atoms, the copper compound 4.3 was studied by EPR-ESEEM. CVD experiments were carried out for all proposed precursors but only compounds 2.1, 2.2, 3.1 and 4.1 resulted in successful thin film deposits. These thin films were characterized by XPS, UV-Vis reflectance and also EDS as thin films of Nb2O5 and Cu2O, respectively. The volatile part produced in the CVD reactor was characterized by H and F-RMN spectroscopies. These results led to the proposition of a mechanism for the deposition reactions of the precursors 2.1 and 3.1. / Doutorado

Orientador: Steven Frederick Durrant / Banca: José Humberto Dias da Silva / Banca: Johnny Vilcarromero Lopez / Resumo: Este trabalho investiga os efeitos de tratamento a plasma frio em polímeros convencionais, polipropileno e poliestireno, e em filme amorfo do tipo a-C-H, produzido através de Deposição Química de Vapor Assistida por Plasma (PECVD). Após etapas preliminares de escolha de gás e tempo a serem utilizados, as amostras foram tratadas em plasma de hexafluoreto de enxofre (SF6) em cinco diferentes potências e cinco diferentes pressões, totalizando 25 condições para cada substrato. As superfícies foram caracterizadas por goniometria, perfilometria, Espectroscopia de Infravermelho com Transformada de Fourier (FTIR), Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Espectroscopia de Raios-X por Energia Dispersiva (EDS) e Espectroscopia de Fotoelétrons Excitados por Raios-X (XPS). Assim, foram examinados ângulo de contato, rugosidade, estrutura química, morfologia, composição química e composição química da superfície, respectivamente. O tratamento com SF6 aumenta a característica hidrofóbica dos três materiais, possivelmente devido à incorporação de flúor nas superfícies. A combinação de potência e pressão que promoveu aumento mais significativo em ϴ variou para cada material: 80 W e 80 mTorr para o filme amorfo, aumentando de 60,6° para 111,1° nestas condições, 20 W e 40 mTorr para o polipropileno, aumentando de 81,8° para 119° e 100 W e 60 mTorr para o poliestireno, aumentando de 74° para 95°. As análises por XPS indicaram a presença de flúor após os tratamentos com plasmas de SF6, mostrand... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: The present work investigates the effects of plasma treatment on conventional polymers, polypropylene and polystyrene, and on amorphous hydrogenated carbon, a-C-H, obtained by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition, (PECVD). After preliminary studies to establish the plasma gas and treatment times, samples were treated in sulphur hexafluoride (SF6) plasmas at five different powers and five different pressures. Surfaces were characterized by goniometry, profilometry, Fourier Transform Infrared Spectrometry, Scanning Electron Microscopy (SEM), EnergyDispersive X-ray Spectroscopy (EDS) and X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). Thus, contact angle, roughness, chemical structure, morphology, chemical composition and surface chemical composition were examined. Results show that SF6 treatments increase the hydrophobicity of the three substrates, possibly due to the surface incorporation of fluorine. The power and pressure combinations that caused the greatest improvements in ϴ were as follows: 80 W and 80 mTorr for the amorphous film, resulting in an increase from 60.6° to 111.11°; 20 W and 40 mTorr for polypropylene, resulting in an increase from 81,8° to 119°; 100 W and 60 mTorr for polystyrene, resulting in an increase from 74° to 95°. The presence of fluorine following the SF6 plasma treatments was confirmed by the XPS analyses, which showed that F/C increased from 0 for all the untreated samples to 0,03 on treated amorphous films, to 0,14 on treated polypropylene, and to ... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:30:19Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2011-12-16Bitstream added on 2014-06-13T18:40:21Z : No. of bitstreams: 1 turri_rg_me_bauru.pdf: 1649404 bytes, checksum: 21026ab093d2d9c0e319f8f041ce6ea6 (MD5) / Foram produzidos filmes finos amorfos hidrogenado com incorporação de cloro por duas técnicas: (i) Deposição à Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e (ii) Implantação Iônica e Deposição por Imersão em Plasma (PIIID). Os filmes foram produzidos a partir de misturas de C2H2, CHCI3 e Argônio. Foram investigados os efeitos da implantação iônica na estrutura química e nas propriedades ópticas dos filmes. As alterações na estrutura dos filmes foram analisadas por Espectroscopia de infravermelho por transformada de Fourier (FTIR) e Espectroscopia de fotoelétrons de raio-X (XPS). Os efeitos provocados nas propriedades ópticas foram estudados pela comparação de constantes ópticas calculadas a partir de espectros de transmitância Ultravioleta - Visível - Infravermelho próximo. Foram calculados o índice de refração, o coeficiente de absorção dos filmes o e gap óptico por modelos distintos. As espessuras dos filmes foram medicas diretamente por perfilometria e os resultados foram comparados com valores obtidos por cálculo indireto utilizando os dados espectrais. Alerações de molhabilidade que foram estudadas a partir de medidas de ângulo de contato. Os resultados das caracterizações de FTRI e XPS revelaram a presença de cloro nos filmes. O índice de refração dos filmes produzidos por PIIID apresentou a tendência de ser maior do que dos filmes produzidos por PECVD sob as mesmas condições. O aumento do teor de CHCI3 na mistura utilizada na produção dos filmes resultou no aumento do gap óptico e no aumento na taxa de deposição dos filmes para os dois processos. Os filmes clorados produzidos pelos dois processos apresentaram ângulo de contato relativamente próximo ao ângulo de contato de PVC comercial / Amorphous hydrogenated carbon thin films also containing chlorine were produced by two techniques: (i) Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), and (ii) Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition (PIIID). The films were produced from mixtures of C2H2 and Ar. The effects of ion implantation on the film structural and optical properties were investigated. Differences in the chemical structure of the films were revealed by Fourier transform infrared spectroscopy (XPS). Changes produced in the optical proerties were studied by comparison of the optical constants calculated from Ultraviolet - Visible - Near Infrared transmittance spectra. The refractive index, absorption coefficient and optical gap were calculated using distinct models. The thicknesses of the films were measured directly by perfilometry and the results compared with values obtained by indirect calculations based on the spectral data. Alterations in wettability were examined via contact angle measurements. Evidence for the presence of chlorine in the films was obtained from the FTIR and XPS spectra. The refractive indices of the films produced by PIIID tended to be higher than those of the films produced by PECVD under the same conditions. Increases in the optical gaps and the deposition retes of films produced by the two processes were observed as the proportion of CHCI3 in the plasma feed increased. The chlorinated films produced by the two process exhibited contact angles relatively close to that of commercial PVC

Orientador: Vitor Baranauskas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-26T04:50:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Li_BinBin_D.pdf: 6306226 bytes, checksum: 8e2a78c4bcce8d590858383cc9cb16c5 (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: Foram realizados estudos de dopagem do diamante, e estudos da interface entre o diamante e o silício poroso. Os filmes foram crescidos pelo método de deposição química a partir da fase vapor assistido por :fi1amento quente. A fonte precursora de carbono foi álcool etílico e acetona, diluídos em hidrogênio. O boro foi introduzido através da diluição de B2O3 e o nitrogênio através do nitrogênio molecular. Apresentamos os resultados do recozimento na dopagem com boro e calcula-se as energias de ativação em altas concentrações de dopantes. Apresentamos os resultados da dopagem com nitrogênio, correlacionando as energias de ativação com as suas propriedades de fotoluminescência. Estudamos também as propriedades estruturais e de fotoluminescência das junções de diamante e de silício poroso. Verificou-se que estas junções são realizáveis, inclusive na forma de junções sanduíches / Abstract: Studies of diamond doping and of the diamond-porous silicon interface were made. The diamond films were grown by hot :fi1ament chemical vapor deposition (HFCVD). The carbon source was a mixture of ethyl alcohol and acetone, diluted in hydrogen. Boron was introduced as B2O3 diluted in acetone. Nitrogen was introduced in gaseous (molecular) form. We present results of annealing following doping with boron. Activation energies were measured for high doped films. We present results of nitrogen doping, correlating the materials activation energy with its photoluminescence properties. We also studied the structural and photoluminescence properties of the diamond-porous silicon interfaces. The production of such junctions, even in the form of sandwiches, was demonstrated. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Ulf F. Schuchardt / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-28T10:01:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Souza_JoseLuisde_D.pdf: 2915243 bytes, checksum: e971f7d0b7969cef9d410e81441c2c1f (MD5) Previous issue date: 2001 / Doutorado

Orientador: Vitor Baranauskas / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-03T20:58:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Santos_PedroMiguelRaggio_M.pdf: 1573182 bytes, checksum: c9e96a351790afde84d150516a511aed (MD5) Previous issue date: 2003 / Mestrado

Orientador : Edmundo da Silva Braga / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-03T22:24:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Miyao_Yamato_D.pdf: 1207236 bytes, checksum: 63c1986a1965095101c1a529664cefd9 (MD5) Previous issue date: 2004 / Doutorado