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Power Issues in SoCs : Power Aware DFT Architecture and Power Estimation

Tudu, Jaynarayan Thakurdas January 2016 (has links) (PDF)
Test power, data volume, and test time have been long-standing problems for sequential scan based testing of system-on-chip (SoC) design. The modern SoCs fabricated at lower technology nodes are complex in nature, the transistor count is as large as billions of gate for some of the microprocessors. The design complexity is further projected to increase in the coming years in accordance with Moore's law. The larger gate count and integration of multiple functionalities are the causes for higher test power dissipation, test time and data volume. The dynamic power dissipation during scan testing, i.e. during scan shift, launch and response capture, are major concerns for reliable as well as cost effective testing. Excessive average power dissipation leads to a thermal problem which causes burn-out of the chip during testing. Peak power on other hand causes test failure due to power induced additional delay. The test failure has direct impact on yield. The test power problem in modern 3D stacked based IC is even a more serious issue. Estimating the worst case functional power dissipation is yet another great challenge. The worst case functional power estimation is necessary because it gives an upper bound on the functional power dissipation which can further be used to determine the safe power zone for the test. Several solutions in the past have been proposed to address these issues. In this thesis we have three major contributions: 1) Sequential scan chain reordering, and 2) JScan-an alternative Joint-scan DFT architecture to address primarily the test power issues along with test time and data volume, and 3) an integer linear programming methodology to address the power estimation problem. In order to reduce test power during shift, we have proposed a graph theoretic formulation for scan chain reordering and for optimum scan shift operation. For each formulation a set of algorithms is proposed. The experimental results on ISCAS-89 benchmark circuit show a reduction of around 25% and 15% in peak power and scan shift time respectively. In order to have a holistic DFT architecture which could solve test power, test time, and data volume problems, a new DFT architecture called Joint-scan (JScan) have been developed. In JScan we have integrated the serial and random access scan architectures in a systematic way by which the JScan could harness the respective advantages from each of the architectures. The serial scan architecture from test power, test time, and data volume problems. However, the serial scan is simple in terms of its functionality and is cost effective in terms of DFT circuitry. Whereas, the random ac-cess scan architecture is opposite to this; it is power efficient and it takes lesser time and data volume compared to serial scan. However, the random access scan occupies larger DFT area and introduces routing congestion. Therefore, we have proposed a methodology to realize the JScan architecture as an efficient alternative for standard serial and random access scan. Further, the JScan architecture is optimized and it resulted into a 2-Mode 2M-Jscan Joint-scan architecture. The proposed architectures are experimentally verified on larger benchmark circuits and compared with existing state of the art DFT architectures. The results show a reduction of 50% to 80% in test power and 30% to 50% in test time and data volume. The proposed architectures are also evaluated for routing area minimization and we obtained a saving of around 7% to 15% of chip area. Estimating the worst case functional power being a challenging problem, we have proposed a binary integer linear programming (BILP) based methodology. Two different formulations have been proposed considering the different delay models namely zero-delay and unit-delay. The proposed methodology generates a pair or input vectors which could toggle the circuit to dissipate worst power. The BILP problems are solved using CPLEX solver for ISCAS-85 combinational benchmark circuits. For some of the circuits, the proposed methodology provided the worst possible power dissipation i.e. 80 to 100% toggling in nets.
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Simulating and modeling the effects of laser fault injection on integrated circuits / Simulation et modélisation des effets de l'injection de fautes laser sur les circuits intégrés

Camponogara Viera, Raphael 02 October 2018 (has links)
Les injections de fautes laser induisent des fautes transitoires dans les circuits intégrés en générant localement des courants transitoires qui inversent temporairement les sorties des portes illuminées. L'injection de fautes laser peut être anticipée ou étudiée en utilisant des outils de simulation à différents niveaux d'abstraction: physique, électrique ou logique. Au niveau électrique, le modèle classique d'injection de fautes laser repose sur l'ajout de sources de courant aux différents nœuds sensibles des transistors MOS. Cependant, ce modèle ne prend pas en compte les grands composants de courant transitoire également induits entre le VDD et le GND des circuits intégrés conçus avec des technologies CMOS avancées. Ces courants de court-circuit provoquent un significatif IR drop qui contribue au processus d'injection de faute. Cette thèse décrit notre recherche sur l'évaluation de cette contribution. Il montre par des simulations et des expériences que lors de campagnes d'injection de fautes laser, le IR drop induite par laser est toujours présente lorsque l'on considère des circuits conçus dans des technologies submicroniques profondes. Il introduit un modèle de faute électrique amélioré prenant en compte le IR drop induite par laser. Il propose également une méthodologie qui utilise des outils CAD standard pour permettre l'utilisation du modèle électrique amélioré pour simuler des fautes induits par laser au niveau électrique dans des circuits à grande échelle. Sur la base de simulations et de résultats expérimentaux supplémentaires, nous avons constaté que, selon les caractéristiques de l'impulsion laser, le nombre de fautes injectées peut être sous-estimé par un facteur aussi grand que 3 si le IR drop induite par laser est ignorée. Cela pourrait conduire à des estimations incorrectes du seuil d'injection des fautes, ce qui est particulièrement pertinent pour la conception de techniques de contre-mesures pour les systèmes intégrés sécurisés. De plus, les résultats expérimentaux et de simulation montrent que même si l'injection de fautes laser est une technique d'injection de fautes très locale et précise, les IR drops induites ont un effet global se propageant à travers le réseau d'alimentation. Cela donne des preuves expérimentales que l'effet de l'illumination laser n'est pas aussi local que d'habitude. / Laser fault injections induce transient faults into ICs by locally generating transient currents that temporarily flip the outputs of the illuminated gates. Laser fault injection can be anticipated or studied by using simulation tools at different abstraction levels: physical, electrical or logical. At the electrical level, the classical laser-fault injection model is based on the addition of current sources to the various sensitive nodes of MOS transistors. However, this model does not take into account the large transient current components also induced between the VDD and GND of ICs designed with advanced CMOS technologies. These short-circuit currents provoke a significant IR drop that contribute to the fault injection process. This thesis describes our research on the assessment of this contribution. It shows by simulation and experiments that during laser fault injection campaigns, laser-induced IR drop is always present when considering circuits designed in deep submicron technologies. It introduces an enhanced electrical fault model taking the laser-induced IR-drop into account. It also proposes a methodology that uses standard CAD tools to allow the use of the enhanced electrical model to simulate laser-induced faults at the electrical level in large-scale circuits. On the basis of further simulations and experimental results, we found that, depending on the laser pulse characteristics, the number of injected faults may be underestimated by a factor as large as 3 if the laser-induced IR-drop is ignored. This could lead to incorrect estimations of the fault injection threshold, which is especially relevant to the design of countermeasure techniques for secure integrated systems. Furthermore, experimental and simulation results show that even though laser fault injection is a very local and accurate fault injection technique, the induced IR drops have a global effect spreading through the supply network. This gives experimental evidence that the effect of laser illumination is not as local as usually considered.
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Méthodologie d'estimation des métriques de test appliquée à une nouvelle technique de BIST de convertisseur SIGMA / DELTA / Methodology for test metrics estimation built-in design flow of hard-to-simulate analog/mixed-signal circuits

Dubois, Matthieu 23 June 2011 (has links)
L'expansion du marché des semi-conducteurs dans tous les secteurs d'activité résulte de la capacité de créer de nouvelles applications grâce à l'intégration de plus en plus de fonctionnalités sur une surface de plus en plus faible. Pour chaque entreprise, la compétitivité dépend du coût de fabrication mais aussi de la fiabilité du produit. Ainsi, la phase de test d'un circuit intégré, et plus particulièrement des circuits analogiques et mixtes, est le facteur prédominant dans les choix d'un compromis entre ces deux critères antagonistes, car son coût est désormais proche du coût de production. Cette tendance contraint les acteurs du marché à mettre en place de nouvelles solutions moins onéreuses. Parmi les recherches dans ce domaine, la conception en vue du test (DfT) consiste à intégrer pendant le développement de la puce, une circuiterie additionnelle susceptible d'en faciliter le test, voire d'effectuer un auto-test (BIST). Mais la sélection d'une de ces techniques nécessite une évaluation de leur capacité de différencier les circuits fonctionnels des circuits défaillants. Ces travaux de recherche introduisent une méthodologie d'estimation de la qualité d'une DfT ou d'un BIST dans le flot de conception de circuits analogiques et mixtes. Basée sur la génération d'un large échantillon prenant en compte l'impact des variations d'un procédé technologique sur les performances et les mesures de test du circuit, cette méthodologie calcule les métriques de test exprimant la capacité de chaque technique de détecter les circuits défaillants sans rejeter des circuits fonctionnels et d'accepter les circuits fonctionnels en rejetant les circuits défaillant. Ensuite, le fonctionnement d'un auto-test numérique adapté aux convertisseurs sigma-delta est présenté ainsi qu'une nouvelle méthode de génération et d'injection du stimulus de test. La qualité de ces techniques d'auto-test est démontrée en utilisant la méthodologie d'estimation des métriques de test. Enfin, un démonstrateur développé sur un circuit programmable démontre la possibilité d'employer une technique d'auto-test dans un système de calibrage intégré. / The pervasiveness of the semiconductor industry in an increasing range of applications that span human activity stems from our ability to integrate more and more functionalities onto a small silicon area. The competitiveness in this industry, apart from product originality, is mainly defined by the manufacturing cost, as well as the product reliability. Therefore, finding a trade-off between these two often contradictory objectives is a major concern and calls for efficient test solutions. The focus nowadays is mainly on Analog and Mixed-Signal (AMS) circuits since the associated testing cost can amount up to 70% of the overall manufacturing cost despite that AMS circuits typically occupy no more than 20% of the die area. To this end, there are intensified efforts by the industry to develop more economical test solutions without sacrificing product quality. Design-for-Test (DfT) is a promising alternative to the standard test techniques. It consists of integrating during the development phase of the chip extra on-chip circuitry aiming to facilitate testing or even enable a built-in self-test (BIST). However, the adoption of a DFT technique requires a prior evaluation of its capability to distinguish the functional circuits from the defective ones. In this thesis, we present a novel methodology for estimating the quality of a DfT technique that is readily incorporated in the design flow of AMS circuits. Based on the generation of a large synthetic sample of circuits that takes into account the impact of the process ariations on the performances and test measurements, this methodology computes test metrics that determine whether the DFT technique is capable of rejecting defective devices while passing functional devices. In addition, the thesis proposes a novel, purely digital BIST technique for Sigma-Delta analog-to-digital converters. The efficiency of the test metrics evaluation methodology is demonstrated on this novel BIST technique. Finally, a hardware prototype developed on an FPGA shows the possibility of adapting the BIST technique within a calibration system.
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Conception en vue de test de convertisseurs de signal analogique-numérique de type pipeline. / Design for test of pipelined analog to digital converters.

Laraba, Asma 20 September 2013 (has links)
La Non-Linéarité-Différentielle (NLD) et la Non-Linéarité-Intégrale (NLI) sont les performances statiques les plus importantes des Convertisseurs Analogique-Numérique (CAN) qui sont mesurées lors d’un test de production. Ces deux performances indiquent la déviation de la fonction de transfert du CAN par rapport au cas idéal. Elles sont obtenues en appliquant une rampe ou une sinusoïde lente au CAN et en calculant le nombre d’occurrences de chacun des codes du CAN.Ceci permet la construction de l’histogramme qui permet l’extraction de la NLD et la NLI. Cette approche requiert lacollection d’une quantité importante de données puisque chacun des codes doit être traversé plusieurs fois afin de moyenner le bruit et la quantité de données nécessaire augmente exponentiellement avec la résolution du CAN sous test. En effet,malgré que les circuits analogiques et mixtes occupent une surface qui n’excède pas généralement 5% de la surface globald’un System-on-Chip (SoC), leur temps de test représente souvent plus que 30% du temps de test global. Pour cette raison, la réduction du temps de test des CANs est un domaine de recherche qui attire de plus en plus d’attention et qui est en train deprendre de l’ampleur. Les CAN de type pipeline offrent un bon compromis entre la vitesse, la résolution et la consommation.Ils sont convenables pour une variété d’applications et sont typiquement utilisés dans les SoCs destinés à des applicationsvidéo. En raison de leur façon particulière du traitement du signal d’entrée, les CAN de type pipeline ont des codes de sortiequi ont la même largeur. Par conséquent, au lieu de considérer tous les codes lors du test, il est possible de se limiter à un sous-ensemble, ce qui permet de réduire considérablement le temps de test. Dans ce travail, une technique pour l’applicationdu test à code réduit pour les CANs de type pipeline est proposée. Elle exploite principalement deux propriétés de ce type deCAN et permet d’obtenir une très bonne estimation des performances statiques. La technique est validée expérimentalementsur un CAN 11-bit, 55nm de STMicroelectronics, obtenant une estimation de la NLD et de la NLI pratiquement identiques àla NLD et la NLI obtenues par la méthode classique d’histogramme, en utilisant la mesure de seulement 6% des codes. / Differential Non Linearity (DNL) and Integral Non Linearity (INL) are the two main static performances ofAnalog to-Digital Converters (ADCs) typically measured during production testing. These two performances reflect thedeviation of the transfer curve of the ADC from its ideal form. In a classic testing scheme, a saturated sine-wave or ramp isapplied to the ADC and the number of occurrences of each code is obtained to construct the histogram from which DNL andINL can be readily calculated. This standard approach requires the collection of a large volume of data because each codeneeds to be traversed many times to average noise. Furthermore, the volume of data increases exponentially with theresolution of the ADC under test. According to recently published data, testing the mixed-signal functions (e.g. dataconverters and phase locked loops) of a System-on-Chip (SoC) contributes to more than 30% of the total test time, althoughmixed-signal circuits occupy a small fraction of the SoC area that typically does not exceed 5%. Thus, reducing test time forADCs is an area of industry focus and innovation. Pipeline ADCs offer a good compromise between speed, resolution, andpower consumption. They are well-suited for a variety of applications and are typically present in SoCs intended for videoapplications. By virtue of their operation, pipeline ADCs have groups of output codes which have the same width. Thus,instead of considering all the codes in the testing procedure, we can consider measuring only one code out of each group,thus reducing significantly the static test time. In this work, a technique for efficiently applying reduced code testing onpipeline ADCs is proposed. It exploits two main properties of the pipeline ADC architecture and allows obtaining an accurateestimation of the static performances. The technique is validated on an experimental 11-bit, 55nm pipeline ADC fromSTMicroelectronics, resulting in estimated DNL and INL that are practically indistinguishable from DNL and INL that areobtained with the standard histogram technique, while measuring only 6% of the codes.

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