Dissertação (Mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. / Made available in DSpace on 2012-10-18T15:10:27Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-09T03:09:32Z : No. of bitstreams: 1 139274.pdf: 14840448 bytes, checksum: e20ec12d5e0a1d806c3fb35b1069db0c (MD5)

Orientador: Attilio Jose Giarola / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-16T11:14:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Souza_ReginaMariadeFelice_M.pdf: 1573870 bytes, checksum: 0a2ddcf90de5f17b4c7e57cfce1eb67b (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: Este trabalho descreve prototipos de defasador utilizando diodos PIN visando a sua utilização no controle do feixe principal de um arranjo de antenas ("phased-array"). A mais significativa aplicação destes defasadores e em radaEste tipo de radar pode ter milhares de elementos, com um defasaredor para cada elemento, portanto, o desempenho e o custo do radar são grandemente afetados pelo desempenho e custo dos defasadores. Ate o advento dos defasadores eletrônicos era utilizado o defasamento mecânico com limitações. A evolução dos radares com arranjo faseado e baseada em dois fatores: o desenvolvimento de defasadores controlados e1etronicamente que podem redirecionar o feixe em poucos micro segundos e a rapida assimilação das informações e decisões programadas por computador. A principal vantagem e que se gasta um tempo mínimo para movimentar o feixe de um alvo a outro e para tomar decisões a respeito deteção e rastreamento. Foram construidos dois protótipos, um defasador de 900 e um de 1800, que, juntos, formam a rede defasadora de 00,900,1800 e 2700, na frequência de 2 GHz. Cada defasador utiliza um acop1ador híbrido, dois diodos PIN, dois capacitores giga-trim e duas linhas simulando indutores (1800). As características destes defasadores foram obtidas e verificou-se que os protótipos comportaram-se como previsto teoricamente, desde que os diodos sejam adequadamente polarizados de sintonia ajustados para a operação em 2 GHz e os capacitores / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Made available in DSpace on 2015-06-17T19:33:50Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2014-08-06. Added 1 bitstream(s) on 2015-06-18T12:47:58Z : No. of bitstreams: 1 000829903.pdf: 1604067 bytes, checksum: 1d12932af363d07d40c1f0ac8d5e5026 (MD5) / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) / Normalmente díodos orgânicos são feitos com uma camada polimérica semicondutora colocada entre dois eletrodos numa arquitetura tipo sanduíche. O processo de fabricação envolve principalmente dois passos: a) formação do filme polimérico semicondutor sobre um substrato metálico (eletrodo inferior) e b) deposição de um eletrodo metálico por evaporação térmica sobre a superfície superior do filme polimérico semicondutor. O principal problema com este procedimento é que a superfície superior do filme semicondutor torna-se rugosa se comparada com a superfície inferior, que permanece em contato com o substrato. Além disso, a evaporação térmica promove a difusão dos átomos de metal para dentro da camada semicondutora, tornando esta interface não bem definida. Para evitar a rugosidade da superfície e a difusão de metal no filme semicondutor foi desenvolvido, neste trabalho, uma estrutura planar interdigitada bimetal (Au, Al) sobre a qual o material semicondutor foi depositado. Poli-o-metoxianilina não dopada foi depositada sobre a estrutura interdigitada por drop casting e a dopagem foi promovida através da exposição da superfície livre de eletrodos em ácido HCl (0,1 M). A característica corrente-tensão dos dispositivos foi monitorada em função de diferentes tempos de exposição a solução ácida usando uma fonte de corrente/tensão Keithley 2410. Foi verificado que a forma da curva característica do diodo é altamente dependente do tempo de dopagem, apresentando inicialmente um comportamento linear (Ôhmico) até ao de um díodo de alta qualidade. Para tempos de exposição de ácido superior a 250 s a curva característica do diodo passa a decair, apontando que a difusão do ácido alcança os eletrodos interdigitados, na face inferior do filme semicondutor, causando a degradação dos eletrodos. O menor valor obtido para o fator de idealidade do diodo e para a tensão de operação foi de... / Usually organic diodes are made with a semiconducting polymeric layer placed between two electrodes in a sandwich-like architecture. The fabrication process involves mainly two steps: a) film formation over a metallic substrate (bottom electrode) and b), metallic electrode deposition by thermal evaporation over the top surface. The main problem with this procedure is that the semiconductor film top surface becomes rough if compared with the bottom surface, which remains in contact with the substrate. Additionally the thermal evaporation of electrodes promotes diffusion of metal atoms into the semiconducting layer, making this interface not well defined. To avoid surface roughness and metal diffusion was developed, in this work, a bimetal (Au and Al) finger structure over which the semiconductor material was deposited. Undoped poly-o-methoxyaniline was deposited over the finger structure by drop casting and the doping was promoted by exposing the electrode-free surface to HCl acid (0.1 M). The devices current-voltage characteristic was monitored for different acid exposure time using a Keithley 2410 source/meter unity. Was verified that the diode characteristic curve shape is highly depend on the doping time, starting form a linear behavior up to a high quality diode curve. For acid exposure times higher than 250 s the diode characteristic curve starts to decay, pointing that acid diffusion was reached the finger electrode, causing electrode damaged. The lower diode ideality factor and turn-on voltage was  = 8 and VOP = 0.900  0.004 V, respectively. These values indicate that the minimum devices volume resistance was reached. Employing optimized exposure times was possible to design diodes with rectification ratio at about 25. Diode characterization in different temperatures indicates that the operation occurs typically by Schottky process / FAPESP: 2012/01624-5

Orientador: Dante Luis Chinaglia / Banca: Giovani Gozzi / Banca: Lucas Fugikawa Santos / Resumo: Normalmente díodos orgânicos são feitos com uma camada polimérica semicondutora colocada entre dois eletrodos numa arquitetura tipo sanduíche. O processo de fabricação envolve principalmente dois passos: a) formação do filme polimérico semicondutor sobre um substrato metálico (eletrodo inferior) e b) deposição de um eletrodo metálico por evaporação térmica sobre a superfície superior do filme polimérico semicondutor. O principal problema com este procedimento é que a superfície superior do filme semicondutor torna-se rugosa se comparada com a superfície inferior, que permanece em contato com o substrato. Além disso, a evaporação térmica promove a difusão dos átomos de metal para dentro da camada semicondutora, tornando esta interface não bem definida. Para evitar a rugosidade da superfície e a difusão de metal no filme semicondutor foi desenvolvido, neste trabalho, uma estrutura planar interdigitada bimetal (Au, Al) sobre a qual o material semicondutor foi depositado. Poli-o-metoxianilina não dopada foi depositada sobre a estrutura interdigitada por "drop casting" e a dopagem foi promovida através da exposição da superfície livre de eletrodos em ácido HCl (0,1 M). A característica corrente-tensão dos dispositivos foi monitorada em função de diferentes tempos de exposição a solução ácida usando uma fonte de corrente/tensão Keithley 2410. Foi verificado que a forma da curva característica do diodo é altamente dependente do tempo de dopagem, apresentando inicialmente um comportamento linear (Ôhmico) até ao de um díodo de alta qualidade. Para tempos de exposição de ácido superior a 250 s a curva característica do diodo passa a decair, apontando que a difusão do ácido alcança os eletrodos interdigitados, na face inferior do filme semicondutor, causando a degradação dos eletrodos. O menor valor obtido para o fator de idealidade do diodo e para a tensão de operação foi de... / Abstract: Usually organic diodes are made with a semiconducting polymeric layer placed between two electrodes in a sandwich-like architecture. The fabrication process involves mainly two steps: a) film formation over a metallic substrate (bottom electrode) and b), metallic electrode deposition by thermal evaporation over the top surface. The main problem with this procedure is that the semiconductor film top surface becomes rough if compared with the bottom surface, which remains in contact with the substrate. Additionally the thermal evaporation of electrodes promotes diffusion of metal atoms into the semiconducting layer, making this interface not well defined. To avoid surface roughness and metal diffusion was developed, in this work, a bimetal (Au and Al) finger structure over which the semiconductor material was deposited. Undoped poly-o-methoxyaniline was deposited over the finger structure by drop casting and the doping was promoted by exposing the electrode-free surface to HCl acid (0.1 M). The devices current-voltage characteristic was monitored for different acid exposure time using a Keithley 2410 source/meter unity. Was verified that the diode characteristic curve shape is highly depend on the doping time, starting form a linear behavior up to a high quality diode curve. For acid exposure times higher than 250 s the diode characteristic curve starts to decay, pointing that acid diffusion was reached the finger electrode, causing electrode damaged. The lower diode ideality factor and turn-on voltage was  = 8 and VOP = 0.900  0.004 V, respectively. These values indicate that the minimum devices volume resistance was reached. Employing optimized exposure times was possible to design diodes with rectification ratio at about 25. Diode characterization in different temperatures indicates that the operation occurs typically by Schottky process / Mestre

Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas. / Made available in DSpace on 2012-10-17T14:15:03Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2014-09-25T16:34:37Z : No. of bitstreams: 1 175168.pdf: 5293739 bytes, checksum: 561d46942f72643b0e91b145deed3b2b (MD5) / Neste trabalho são propostos modelos para se descrever o comportamento elétrico de dispositivos do tipo metal/polímero eletroluminescente/metal, os quais formam a estrutura básica para a confecção de diodos emissores de luz com camada ativa orgânica. Assume-se que o processo de injeção de carga nesses dispositivos se faz por tunelamento quântico através da barreira de energia potencial triangular formada na interface metal/polímero. Partindo dessa premissa, demonstra-se como a expressão para a densidade de corrente de tunelamento dependente da temperatura explica os desvios da teoria de Fowler-Nordheim na região de baixos campos elétricos aplicados. Estes desvios foram observados em medidas de corrente elétrica como função da tensão realizadas em dispositivos com condutividade dominada pela injeção de um único tipo de portador de carga (unipolares). Do ajuste dessa teoria aos dados experimentais resulta um método de determinação da altura de barreira presente na interface metal/polímero, que independe do conhecimento prévio da massa específica do portador de carga ou da espessura do filme polimérico para sua aplicação. Os valores de altura de barreira fornecidas por este método estão em razoável acordo com os valores reportados na literatura para diferentes interfaces metal/polímero. As magnitudes de densidade de corrente medidas em dispositivos poliméricos unipolares são menores que as calculadas utilizando os modelos de injeção por tunelamento. Esta discrepância foi atribuída a existência de uma camada de óxido entre o eletrodo injetor e o polímero. Da análise realizada neste trabalho vê-se que, apesar das correntes de tunelamento através da dupla barreira presente nas interfaces metal/óxido/polímero serem em alguns casos passíveis de observação experimental, a hipótese da existência da camada de óxido não é capaz de explicar a discordância entre teoria e experiência. Por intermédio da aproximação regional, o efeito da carga espacial sobre a densidade de corrente de portadores que tunelam do eletrodo metálico em direção ao polímero é calculado. Considera-se que a densidade de carga espacial no filme polimérico decresce com o aumento da distância do eletrodo injetor. A teoria do tunelamento limitado por carga espacial (SCTC) assim derivada é capaz de explicar a divergência entre as magnitudes da densidade de corrente prevista pelos modelos de tunelamento e as densidades medidas em dispositivos poliméricos unipolares. Da mesma forma, a partir dessa teoria pode-se entender porque, em certas circunstâncias experimentais, observa-se que a condutividade elétrica de dispositivos poliméricos unipolares é determinada pelo processo de injeção na interface metal/polímero e, em outras circunstâncias, que ela é dominada pelo transporte dos portadores de carga ao longo do filme polimérico. Demostra-se ainda que a teoria SCTC fornece os mesmos resultados que a teoria da condutividade elétrica limitada por carga espacial (SCLC) quando a altura de barreira para a injeção de portadores de carga é pequena ou quando o filme polimérico é muito espesso. A teoria do tunelamento limitada por carga espacial é aplicada aos dados experimentais, resultando em valores para a mobilidade de arraste de buracos bastante próximos daqueles reportados na literatura e em valores para a altura de barreira para a injeção de buracos em concordância com os estimados pela regra de Schottky-Mott. Finalmente, é proposto um modelo analítico para explicar as características elétricas de dispositivos de camada única nos quais ocorre a injeção, o transporte e a recombinação de elétrons e buracos (dispositivos bipolares). Novamente por intermédio da aproximação regional, a distribuição espacial da intensidade do campo elétrico, da concentração de portadores de carga e da taxa de recombinação ao longo do dispositivo é calculada. As características elétricas de dispositivos com diferentes alturas de barreira para a injeção dos portadores de carga e diferentes valores de mobilidade de elétrons e buracos são analisadas. Constata-se que a pequena mobilidade dos elétrons em relação aos buracos concentra a distribuição de emissão nas regiões próximas ao cátodo. Um método simples para se avaliar a eficiência de um dispositivo, para cada tensão aplicada, é proposto. Através de sua utilização verifica-se que dispositivos com injeção balanceada de elétrons e buracos são mais eficientes do que os dispositivos com injeção não balanceada, antes que eles atinjam a condição de operação de máxima eficiência (definido como o conjunto de valores de tensão em que todo o buraco injetado no ânodo recombina-se com todo elétron injetado pelo cátodo). O aumento da mobilidade dos elétrons diminui levemente a eficiência do dispositivo nas vizinhanças da condição de operação de máxima eficiência, para dispositivos que apresentam, entre si, as mesmas alturas de barreira no cátodo e no ânodo e a mesma mobilidade de buracos.

Ingeniero Civil Electricista / La generación de señales sinusoidales en el orden de las decenas y centenas de gigahertz van comúnmente asociadas con el uso de multiplicadores de frecuencia. En este contexto, el Laboratorio de Onda Milimétricas de la Universidad de Chile está interesado en adquirir el conocimiento necesario para construir estos dispositivos. El objetivo de esta memoria consiste en el diseño de un triplicador de frecuencia basado en diodos Schottky, cuya señal de entrada esté en el rango de frecuencia entre 30 a 40 GHz y su salida entre los 90 a 120 GHz. Se escogió para el diseño un triplicador basado en diodos Schottky del tipo resistivo, que entre sus características posee un gran ancho de banda operacional y buena estabilidad, pero una baja eficiencia. El diseño consiste en una conexión antiparalela de diodos, que entre otras ventajas, permite que no sea necesario polarizar el triplicador para que funcione, lo cual simplifica tanto el diseño de sus elementos como su implementación. Para validar el diseño obtenido, se hizo uso de dos programas de simulación. El primero corresponde a AWR Microwave Office, que permite hacer simulaciones no lineales mediante el método de balance de armónicas. El segundo es el programa Ansoft HFSS, que permite hacer simulaciones electromagnéticas a partir de la geometría del diseño. Solo mediante el uso de ambos programas se pudo obtener un diseño lo suficientemente robusto para justificar su construcción. Se logró diseñar un triplicador con una banda de multiplicación estable de 30 a 39,7 GHz, una eficiencia superior al 2% y una potencia de funcionamiento óptima de 17 dBm. Dada la baja eficiencia del triplicador (propio de este tipo de diseños), se sugiere la incorporación de un amplificador de potencia en su salida. Con los resultados obtenidos se valida la eficacia del método de diseño, por lo que puede ser utilizado como pauta para elementos de este tipo. Como trabajo futuro se propone estudiar el comportamiento térmico del triplicador e incorporar al diseño un disipador apropiado a sus requerimientos de temperatura, y una vez realizado esto, se propone la construcción del primer prototipo de diseño.

Orientador: Navin Bhailalbhai Patel / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T07:53:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Senna_JoseAntonioSbragia_M.pdf: 2266010 bytes, checksum: 0c7d5e326558861a8a8c89cd9a8ac6a8 (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Na presente tese são estudados diodos emissores de luz de alta radiância, de GaAs. São apresentados resultados de medidas do espectro, potência luminosa versus corrente, campo próximo e campo distante e se faz uma correlação destes resultados com a teoria atualmente aceita, da qual se inclui um resumo / Abstract: This work studies high radiance GaAs light emitting diodes. The results of measurements of spectrum, power output versus current, near and far fields are presented and correlated with the present accepted theory, a brief account of which is included. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Peter A. B. Schulz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-20T01:32:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 RiveraRiofano_PabloHector_M.pdf: 2807565 bytes, checksum: 8013df28fe538579db6f5600efe7a4a9 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Neste trabalho discutimos a influência da formação de um gás bidimensional na interface emissor-barreira sobre a densidade de corrente de um diodo de tunelamento ressonante de dupla barreira de GaAs-A1GaAs. A formação desse gás bidimensional em função da voltagem aplicada ocorre em dispositivos onde camadas de GaAs não dopadas são crescidas entre os contatos fortemente dopados e a estrutura de barreira dupla propriamente dita. Esse procedimento diminui o espalhamento devido a impurezas ionizadas, melhorando as características corrente-voltagem desses diodos de tunelamento. A formação desse emissor 2D é estudada como função da largura dessas camadas espaçadoras, da temperatura e da voltagem aplicada ao dispositivo. Para isso resolvemos autoconsistentemente a equação de Poisson e a equação de Schrodinger nessas regiões. Essa análise permite-nos inferir diferentes caminhos de tunelamento, relacionados com a formação de estados confinados no emissor, e suas assinaturas em características corrente-voltagem de diodos de tunelamento ressonante / Abstract: We discuss the influence of formation of a 2DG at the emitter-barrier interface on the evaluation of the characteristics of a GaAs-AIGaAs double-barrier quantum well resonant tunneling diode. The formation of a 2DG in function of applied voltage happens in diodes with GaAs undoped spacer layer grown between contacts and barriers. This procedure diminishes the scattering mechanisms and improves the resonant tunneling features. The formation of this 2D emitter is studied in function of spacer layer width, temperature and applied voltage by solving Poisson and Schrodinger equations self-consistently. This analysis permits us to infer different tunneling channels, related to the formation of confined states in the emitter region, and their features in current-voltage characteristics of resonant tunneling diodes / Mestrado / Física / Mestre em Física

La presente tesis tiene como finalidad desarrollar una tecnología de medición de distancias de forma no contactante, rápida y precisa, la cual puede ser utilizada en distintos campos profesionales como: medicina, ingeniería, arquitectura, geología, entre otros. El método elegido para realizar este proyecto es el de la triangulación, basándose en un arreglo entre el emisor, blanco y receptor. Este consiste en tener en una línea recta al emisor y receptor, y en cuadratura con ella al emisor con el blanco, teniendo así un ángulo recto en donde se coloca el emisor de tal manera que entre el blanco y el receptor se forma un ángulo, el cual es proporcional a la distancia que se desea medir. Es por ello que se plantea como objetivo principal el diseño y la implementación de un dispositivo capaz de medir distancias basado en el uso de un diodo láser. El presente documento se estructura en cuatro capítulos. En el primer capítulo, se tratará la problemática y motivo de la investigación, mencionando la utilidad y características del dispositivo. Por su parte, el desarrollo del marco teórico que permitirá el cumplimiento de los objetivos de esta tesis, será tratado en el segundo capítulo. El tercer capítulo girará en torno al desarrollo del diseño del dispositivo, tanto en hardware como en software. Y finalmente, en el cuarto capítulo, se mostrarán las pruebas a las cuales se sometió el dispositivo y sus posteriores resultados, correspondientes a cada una de las etapas del desarrollo del presente proyecto. Para concluir, y como resultado de la investigación, desarrollo y pruebas realizadas, se logró comprobar que el método elegido fue el correcto, ya que se logró realizar la medición de distancias con un porcentaje de error del ± 5% en promedio. / Tesis

En el presente trabajo se realizó el diseño de efectos con colores mediante degradés en una matriz de LEDs de potencia RGB orientado a paneles publicitarios, con el objetivo de implementar este sistema de iluminación como una opción frente a los métodos tradicionales, pues estos últimos ofrecen muchas desventajas, tanto en la parte visual como en la parte económica. Además de incluir en el diseño, una interfaz para ser operada por un usuario, de manera fácil e intuitiva, la cual actualmente no es brindada por los equipos comerciales que ofrecen este tipo de iluminación, pues estos ya vienen predeterminados desde su fabricación. El diseño realizado consta de 2 partes. La primera parte es el desarrollo del software, es decir, el programa cuyo fin es lograr el degradés de los colores, así como los efectos realizados con estos; mientras que la segunda parte es el hardware, lo que incluye tanto los controladores de potencia para los LEDs, como los LEDs mismos y la tarjeta de control de todo el sistema. Ambas partes, así como la investigación previa, están documentadas en 4 capítulos. En el primer capítulo, se definen los métodos de publicidad visual, dentro de los cuales se encuentra la publicidad exterior (paneles), así como la visión humana y sus características en función a los colores. Luego, en el segundo capítulo, se muestra el estado actual de la iluminación con LEDs de potencia RGB, su funcionamiento y aplicaciones actuales en la industria. En el tercer capítulo, se desarrolla el diseño planteado para cubrir los objetivos, tanto en la parte de hardware (controladores, LEDs de potencia, etc.) como en software (desarrollo de programa). Finalmente, en el cuarto capítulo, se presentan las simulaciones y fotografías, las cuales prueban en correcto funcionamiento de los subsistemas que conforman la iluminación con LEDs, así como el sistema integral conjunto. Además, en la última parte se presentan las conclusiones y recomendaciones en el desarrollo del prototipo presentado, para que puedan ser tomadas en cuenta para futuras mejoras de este. / Tesis