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Sistema de medição câmara de ionização-eletrômetro para ensaios de proteção radiológica em equipamentos de raios X para procedimentos intervencionistas / Ion chamber-electrometer measurement system for radiation protection tests in X-ray equipments for international proceduresBOTTARO, MARCIO 09 October 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2014-10-09T12:34:37Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:01:02Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Tese (Doutoramento) / IPEN/T / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
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Sistema de medição câmara de ionização-eletrômetro para ensaios de proteção radiológica em equipamentos de raios X para procedimentos intervencionistas / Ion chamber-electrometer measurement system for radiation protection tests in X-ray equipments for international proceduresBOTTARO, MARCIO 09 October 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2014-10-09T12:34:37Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:01:02Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Tese (Doutoramento) / IPEN/T / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
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Medidas do primeiro coeficiente townsend de ionização em gases inibidores de descargas / Measurements of the first townsend ionization coefficient in guenching gasesLIMA, IARA B. de 09 October 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2014-10-09T12:42:33Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:02:06Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Tese (Doutoramento) / IPEN/T / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
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Dosimetria de processos de irradiacao gama com diodos comerciais de silicio / Gamma radiation processing dosimetry with commercial silicon diodesFERREIRA, DANILO C. 09 October 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2014-10-09T12:26:55Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:06:20Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Dissertacao (Mestrado) / IPEN/D / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
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Medidas do primeiro coeficiente townsend de ionização em gases inibidores de descargas / Measurements of the first townsend ionization coefficient in guenching gasesLIMA, IARA B. de 09 October 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2014-10-09T12:42:33Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:02:06Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / No presente trabalho são apresentados resultados referentes ao primeiro coeficiente Townsend de ionização (α) no isobutano puro, para a faixa de campo elétrico reduzido (E/N) de 145 até194 Td. A configuração do aparato experimental consiste de uma configuração semelhante a uma RPC, com o anodo constituído por um vidro de elevada resistividade (2 x 1012 Ωcm) e um catodo metálico, ligado diretamente a um eletrômetro, onde fotoelétrons são produzidos pela incidência de um feixe de laser pulsado. O coeficiente α é determinado por meio da medição da corrente elétrica em regime de ionização primária e em regime de avalanche. Uma vez que, para o isobutano puro não há valores experimentais disponíveis na literatura, para a faixa de E/N analisada por este trabalho, os valores obtidos foram comparados com os resultados da simulação Magboltz 2. Os estudos incluíram a determinação do coeficiente α para diferentes taxas de repetição e intensidades do feixe de laser. Como a relação entre a carga rápida e a total relaciona-se com o primeiro coeficiente de Townsend, estudos relativos à contribuição iônica e eletrônica para a corrente média também foram realizados. Como existem poucos resultados disponíveis na literatura referentes às secções de choque de colisão e parâmetros de transporte para o isobutano é comum considerar os resultados de seu isômero estrutural: o n-butano. Assim, a fim de realizar uma análise comparativa, o coeficiente α foi determinado também para o n-butano. / Tese (Doutoramento) / IPEN/T / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
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Dosimetria de processos de irradiacao gama com diodos comerciais de silicio / Gamma radiation processing dosimetry with commercial silicon diodesFERREIRA, DANILO C. 09 October 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2014-10-09T12:26:55Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:06:20Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Este trabalho contempla o desenvolvimento de dosímetros baseados em diodos de Si para a dosimetria de radiação gama para doses desde 1 Gy até 100 Gy. Este intervalo de dose é freqüentemente utilizada em processos de irradiação de cristais, polímeros conjugados e também em vários estudos biológicos conduzidos no Centro de Tecnologia das Radiações (CTR) do IPEN-CNEN/SP. O dosímetro proposto foi construído a partir do diodo cormecial de Si SFH00206 (Siemens), operando em regime fotovoltaico, cujas características elétricas são adequadas para esta aplicação. As correntes geradas no dispositivo pela radiação gama do 60Co dos irradiadores tipo I e II foram registrada por um eletrômetro digital e armazenadas durante todo o tempo de exposição. Em todas as medidas realizadas verificou-se que os sinais de corrente registrados em função do tempo de exposição eram estáveis. Além disso, a fotocorrente do dispositivo mostrou-se linearmente dependente com a taxa de dose desde 6.1x10-2 Gy/min até 1.9x102 Gy/min. As curvas de calibração dos dosímetros, em termos da carga média registrada em função da dose absorvida, foram obtidas pela integração dos sinais de corrente em função do tempo de exposição. Os resultados evidenciaram uma resposta linear do dosímetro, com um coeficiente de correlação melhor que 0,998 para uma dose total absorvida de até 120 Gy. Finalmente, devido aos pequenos erros experimentais, 5% foi possível medir a dose de trânsito devida ao movimento das fontes radioativas de Cobalto-60 nos irradiadores utilizados neste trabalho. / Dissertacao (Mestrado) / IPEN/D / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
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Projeto, montagem e caracterizacao de um sensor de fluor com eletrolito solido ceramico de PbFsub2PORTELLA, KLEBER F. 09 October 2014 (has links)
Made available in DSpace on 2014-10-09T12:42:42Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2014-10-09T14:02:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1
05232.pdf: 6473842 bytes, checksum: 88d593005dc2c79ae422916e7fcaf0d9 (MD5) / Tese (Doutoramento) / IPEN/T / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP
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Projeto, montagem e caracterizacao de um sensor de fluor com eletrolito solido ceramico de PbFsub2PORTELLA, KLEBER F. 09 October 2014 (has links)
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05232.pdf: 6473842 bytes, checksum: 88d593005dc2c79ae422916e7fcaf0d9 (MD5) / Tese (Doutoramento) / IPEN/T / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP
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Návrh a optimalizace speciálního nízkoúrovňového zesilovače pro měření vzdušných iontů / Design and optimization of special low-level amplifier for measurement of air ionsZdražil, Lukáš January 2020 (has links)
This Master thesis deals with low-current measurement in order of picoamps up to a few tens of femtoamps. Such low currents measuring is necessary for determination of air ions concentration. Disturbances, which are otherwise negligible for ordinary measurements must be considered. For example, leakage currents and noise generated in measuring device circuit. The choice of a precise operation amplifier with low input bias current is as important as the selection of low noise passive components. The aim of the thesis is to design and implement a precise low-level amplifier for the purposes of air ions concentration measurements.
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