Filmes finos de óxido de estanho depositados por "sputtering" reativo foram caracterizados com bases em análises feitas por Espalhamento Nuclear Ressonante, Espectroscopia por Retroespalhamento Rutheford, Espectroscopia Mössbauer de Elétrons de Conversão e Difração de Raios-X e pelas medidas de Resistência de Folha. Numa primeira fase, as amostras foram submetidas a tratamentos térmicos em ar e expostas à gás de cozinha, afim de testar as propriedades sensoras do material. Os filmes finos como depositados foram modificados pelos tratamentos térmicos e exposições a gases, que aumentaram sua condutividade elétrica e alteraram a concentração de vacâncias de oxigênio. Numa segunda fase, os filmes foram submetidos a diferentes tratamentos térmicos, implantados com os íons Fe+, ZN+,Cu+,Ga+ e As+ e novamente tratados termicamente. Foram observados aumentos na condutividade elétrica induzidos pela dopagem dos filmes e algumas correlações entre o perfil de distribuição das espécies implantadas e as razões O/Sn em função da profundidade.

Orientador: Celso Ulysses Davanzo / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-03T05:25:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Trasferetti_BeneditoClaudio_D.pdf: 3863936 bytes, checksum: cbb01f47d582b1825f76f5b5e65e58f0 (MD5) Previous issue date: 2002 / Doutorado

Orientadores : Sergio Persio Ravagnani, Choyu Otani / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-04T00:00:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Libardi_Juliano_M.pdf: 2395456 bytes, checksum: 403b07e96e95d94fcf446a652139bc58 (MD5) Previous issue date: 2004 / Resumo: Neste trabalho foram produzidos filmes finos de carbono tipo diamante (DLC) por meIo da técnica de deposição que utiliza o processo denominado de "DC Magnetron Sputtering" utilizando um alvo sólido e um gás hidrocarboneto como fonte de íons de carbono. O alvo sólido utilizado neste processo é um disco de carbono com 99,99% de pureza e a fonte gasosa é uma mistura de acetileno e argônio. Durante a deposição todos os parâmetros do processo, como: fluxo total de gases, potência aplicada, tempo de deposição e pressão de trabalho foram mantidos constantes, somente a pressão parcial da mistura gasosa foi variada. Os efeitos do conteúdo do gás acetileno (C2H2), no gás de processo, sobre as propriedades dos filmes foram estudados. A dureza, das amostras dos filmes obtidos, foi determinada pela técnica de nanoindentação e os resultados mostraram que existe um valor ótimo para o teor de gás hidrocarboneto na descarga elétrica para o qual o valor da dureza é maximizada. A técnica de espectroscopia Raman permitiu avaliar as mudanças induzi das na estrutura química dos filmes obtidos. Os resultados mostraram que para maiores pressões parciais de acetileno em relação às pressões de argônio, na câmara de deposição, ocorre um expressivo aumento no teor de hidrogênio incorporado aos filmes, indicando a ocorrência de um processo denominado de grafitização. A técnica de Goniometria, por meio da determinação do ângulo de contato, foi a técnica utilizada para o cálculo indireto da energia de superficie dos filmes CTD. As superficies dos filmes também foram analisadas pela técnica de Microscopia de Força Atômica por meio da obtenção de suas imagens topográficas e índices de rugosidade. Os resultados revelaram a obtenção de filmes com maiores valores de rugosidade para maiores conteúdos de gás hidrocarboneto presentes na descarga elétrica. A taxa de deposição do processo foi determinada indiretamente através da determinação da espessura dos filmes. O comportamento destas taxas revelou que é possível alterar o intervalo de tempo do processo necessário pela alteração da concentração do gás de processo na câmara de deposição, para se obter uma detenninada espessura de cobertura. Os parâmetros de deposição utilizados neste experimento haviam sido determinados em um trabalho anterior, realizado no mesmo reator, porém, utilizando-se o gás de metano no lugar do gás acetileno. A aplicação dos mesmos parâmetros de deposição e a aplicação das mesmas técnicas de caracterização possibilitou a realização de um estudo comparativo das características dos filmes DLC produzidos com estes dois gases. Os resultados obtidos utilizando o acetileno como precursor foram comparados com os resultados utilizando-se metano e verificou-se que os filmes apresentaram propriedades semelhantes. Pode-se observar que existe uma correlação entre a variação das pressões parciais dos gases de processo e as propriedades fisicas e químicas dos filmes / Abstract: In this work, diamond-like carbon (DLC) thin films were produced by a deposition technique named "DC magnetron sputtering" which uses a solid target and a hydrocarbon gas as source of carbon ions. The solid target used in this process is a 99;99% pure carbon disk and the gas source used is a mixture of acetylene and argon. During the deposition, alI process parameters, as: total gas flow, power supply, deposition time and work pressure were kept constant, except the partial pressure of the gas mixture was varied. The effects of the acetylene gas content in the total gas of the process, on the film properties were studied. The hardness of the films samples were detennined by the nanoindentation technique and the results showed an optimized quantity of hydrocarbon gas on the discharge which maximize the hardness. The Raman spectroscopy allowed to evaluate the induced changes on the chemical structures of the films, known as DLC (Diamond-Like Carbon). The results showed that higher acetylene partial pressure in relation to argon partial pressure, on the deposition chamber, leads to an expressive raise on the hydrogen leveI incorporated to the films which indicates a graphitization process of the film. The Goniometer technique, through the detennination ofthe contact angle, was used for the indirect calculus ofthe free energy surface ofthe DLC films. The film surfaces were . also analyzed by Atomic Force Microscope technique, which provided the topographic images and roughness. The results revealed films with higher roughness for higher acetylene contents on the electric discharge. The deposition rate of the process was detennined indirect by the films thickness. The behavior of these rates revealed that is possible to change the deposition process time required for the change of the acetylene concentration on the deposition chamber to obtain a specific thickness. The results obtained in this work showed a correlation between the variation of the partial pressure of the precursor gas mixture used in the process and the physical and chemical properties of the DLC films. The deposition parameters used in this experiment were determined in a previous work, done in the same reactor, however using methane gas. The use of the same depositions parameters and characterization techniques make possible a comparative study ofthe DLC film properties produced with these two gases / Mestrado / Ciencia e Tecnologia de Materiais / Mestre em Engenharia Química

Made available in DSpace on 2014-06-12T18:05:51Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo7695_1.pdf: 2537717 bytes, checksum: 60ca15ac8000b97ca710ead44bed4782 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 1996 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Neste trabalho é estudado a deposição de filmes finos metálicos e refratários por magnetron sputtering utilizando-se tanto de uma fonte de como rf. Os pontos ótimos de trabalho foram determinados em função da pressão na câmara de deposição e da potência das fontes para os seguintes materiais: Nb, Ti, Mo, W e Si, obtendo assim um treinamento na utilização da máquina de deposição ao mesmo tempo que preparando-a para futuros usuários. Especial atenção é dada à deposição e caracterização de filmes finos de Nb com espessura entre 300 Å e 10000 Å. As características supercondutoras destes filmes são analisadas através de medidas de susceptibilidade ac, magnetização dc e da razão de resistência. O diagrama de fase campo magnético temperatura (H-T), obtido de seqüências de esfriamento a campo nulo (ZFC) e em campo (FC), revela uma forte dependência da linha de irreversibilidade com a espessura do filme. Em filmes mais finos a região de irreversibilidade diminui. Este efeito é atribuído a danos superficiais causados por tensões ou por defeitos

Orientador: Jose Claudio Galverani / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T19:27:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Oliveira_JoseBrasBarretode_M.pdf: 3806197 bytes, checksum: 81b61114f9bb3cddfdbf8026db8fd45b (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: Neste trabalho foram estudadas algumas propriedades de contatos ôhmicos obtidos pela deposição de filmes do tipo (AuGe), (AuGeNi+AuNi) sobre substratos n-GaAs e filmes do tipo (Au+Zn+Au) sobre substratos p-GaSb. Foi realizado um estudo comparativo entre três métodos de medida da resistência específica de contato rc (W cm2); encontrou-se que o método 4 pontas é o mais indicado ao estudo destes contatos, construídos sobre substratos com concentração de portadores entre aproximadamente 1016 cm-3 e 1019 cm-3. Medidas de rc foram usadas para caracterizar eletricamente os contatos. Para os contatos sobre p-GaSb foi verificado o comportamento de rc em função da temperatura de recozimento; um valor mínimo para rc foi encontrado para recozimento a 300 ºC/15 minutos. Interdifusões entre os elementos e uma forte presença de oxigênio foram observadas por Espectroscopia de Elétrons Auger e Espectroscopia de Retro-Espalhamento Rutherford, estes resultados são relacionados com as propriedades de rc. Espectroscopia de Elétrons Auger e Difratometria de Raio-X foram usadas para estudar o comportamento dos elementos (interdifusões e formação de compostos) na interface do contato n-GaAs / (AuGeNi+AuNi). O comportamento de rc em função da temperatura de recozimento foi testado; um recozimento a aproximadamente 470 ºC durante 3 minutos proporcionou o valor mínimo para rc. Foi verificado também o comportamento de rc em função da concentração de portadores original dos substratos e os resultados foram comparados com a teoria de Popovic[37]. Foram comparados os resultados obtidos para recozimentos rápidos e recozimentos convencionais: verificou-se que um recozimento rápido por 12 segundos proporciona resistências específicas de contato com valores próximos aos obtidos por recozimento convencional a 460 ºC / 3 minutos e com menor interdifusão entre os elementos. Foram feitas comparações entre as características dos diferentes contatos obtidos pela deposição dos três tipos de filmes sobre o substrato n-GaAs / Abstract: This work concerns to the study of ohmic contacts obtained by deposition of the (AuGe), (AuGeNi+AuNi) and (Ni+AuGe+Ni+Au) films on n-GaAs substrates and deposition of the (Au+Zn+Au) films on p-GaSb substrates. With relation to contacts on p-GaSb it was verified the specific contact resistance rc(W cm2) behavior, as a function of alloying temperature; the lowest rc value was achieved for 300 °C/15 minutes alloying. Interdiffusion of the elements and large oxygen presence was observed using Auger Electron Spectroscopy and Rutherford Backscattering Spectroscopy; this results was related with rc properties. Auger Electron Spectroscopy and X-Ray Diffraction were used to study the behavior of elements (interdiffusion and compounds formation) at interface of n-GaAs(AuGeNi+AuNi) contact. The rc behavior with alloying temperature was tested; an alloying around 470 °C during 3 minutes proportionated the lowest rc. A study of rc as a function of bulk carriers concentration was made and the results were compared with Popovic's[37] theory. Results obtained from rapid and conventional alloying were compared; the rc values for a rapid alloying of 12 seconds and conventional alloying at 470 °C during 3 minutes are compatibles and the first type showed negligible interdiffusion of the elements. Comparisons between the characteristics of different contacts obtained by deposition of the three types of films on n-GaAs were made / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Francisco das Chagas Marques / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T21:19:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 VilcarromeroLopez_Johnny_D.pdf: 3245095 bytes, checksum: 5a4ef401cb56fb9eee82ac6544aafc17 (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: Neste trabalho apresentamos o desenvolvimento e o estudo das propriedades optoeletrônicas, estruturais e termomecânicas das ligas amorfas de germânio-carbono e germânio-nitrogênio hidrogenadas preparadas pela técnica de rf-sputtering reativo. As ligas de germânio-carbono (a-Ge1-xCx:H) foram preparadas em todo a faixa de conteúdo de carbono, isto é de O < x < I. Para a obtenção destes filmes foram utilizadas as mesmas condições de deposição que são utilizadas para o depositar filmes de a-Ge:H com boas propriedades opto eletrônicas. Em relação aos filmes de germânio-nitrogênio conseguimos preparar filmes com até 35 at. % de nitrogênio. As ligações presentes e suas propriedades foram caracterizadas usando transmissão no infravermelho, micro-Raman e Espectroscopía de foto-elétrons (XPS). Os espectros de infravermelho evidenciam que o carbono está presente nas duas hibridizações Sp3 e Sp2. Medidas de XPS mostram um chemical shift da banda de caroço 3d do Oe para energias maiores enquanto o conteúdo de carbono aumenta. Por outro lado, a banda associada com ao nível de caroço 1 s do C apresenta um dubleto associado às ligações C-Ge e C-C. Os dados da Espectroscopía Raman foram analisados em uma ampla faixa de freqüências Stokes scattering para as diferentes concentrações destas ligas. A tendência observada no comportamento da banda proibida óptica, absorção no infravermelho, condutividade no escuro e o stress intrínseco como função do conteúdo de carbono, sugerem que as propriedades destes filmes tem três regiões de comportamento com o conteúdo de carbono. A primeira com conteúdos de carbono baixos (x < 0.2) são principalmente controlados pela incorporação de carbono em hibridização Sp3. Estes filmes tem boas propriedades opto eletrônicas e estruturais. Para conteúdo de carbono variando entre 0.2 < x < 0.6, as propriedades destes filmes começam a ser determinadas pela concentração de sítios de carbono com hibridização Sp2. A terceira região, x> 0.6, apresenta propriedades dominadas pela matriz de carbono, com altas concentrações de estados grafíticos. A banda proibida óptica foi variada de 1 até 3 e V no caso do germânio nitrogênio utilizando a voltagem de autopolarização como único parâmetro variado. Estudos com Espectroscopía de transmissão no infravermelho apresentam efeitos de indução em tomo da ligação Ge-H stretching. Também foi determinado que a constante de proporcionalidade para determinar o conteúdo de nitrogênio ligado ao hidrogênio usando a área integrada da banda Ge-N stretching é de K= 9.45 x 1018 cm-2 / Abstract: This work reports the development and the study of the optoelectronic, structural and termomechanical properties of hydrogenated amorphous germanium-carbon and germanium-nitrogen alloys prepared by the rf-reactive sputtering technique. The germanium-carbon (a-Ge1-xCx:H) alloys have been prepared with carbon content in the 0-100 at. % range under the same deposition conditions used to obtain a-Ge:H fi1ms with good optoelectronic properties. The germanium-nitrogen films were prepared with nitrogen content up to 35 at. %. The bonding properties were characterized by Fourier transform infrared (FTIR), micro-Raman and x-ray photoelectron (XPS) spectroscopies. The infrared spectra revealed that the carbon is bonded in both sp3 and sp2 configurations. XPS measurements show a chemical shift of the binding energy of the Ge 3d core electrons toward high energies as the carbon content increases, while the corresponding line-width remains a1most constant. On the other hand, the peak associated with the C 1 s orbital displays a doublet related to the C-Ge and C-C bonds. The Raman spectroscopy data were analyzed over a wide frequency range of the Stokes scattering for different alloy compositions. The trends of the optical gap, infrared absorption, dark conductivity and mechanical stress as a function of the carbon content show three range of carbon content with different properties. The properties of samples with low carbon concentration (x < 0.2) are mainly controlled by the concentration of Sp3- hybridized carbon. These films have good optoelectronic and structural properties. For carbon content in the 0.2 < x < 0.6 range, Sp2 and Sp3 carbon sites control the properties of the films. Finally, samples with carbon content x> 0.6 are mainly controlled by graphitic carbon states. The band gap of germanium-nitrogen alloys could be tailored from 1 eV to 3 eV range by changing only the bias voltage. The study of the infrared spectra reveals na induction effect in the neighborhood of the Ge-H stretching bond. Also, it was determined the proportionality constant between nitrogen content and the integrated absorption of the Ge- N stretching mode in K = 9.45 x 1018 cm-2 / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Alaide P. Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-20T18:12:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ramos_Airton_M.pdf: 6463183 bytes, checksum: a08b281129e53ecbab1203900ddd06f4 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste texto apresentamos nossos resultados da caracterização de filmes finos de silício amorfo hidrogenado (Si : H-a) obtidos pela técnica de "RF sputtering", usando um antigo sistema Varian que reconstruímos para este fim. As amostras foram depositadas sob diversas condições a fim de compreendermos a influência dos parâmetros do processo, tais como as pressões parciais de 'H IND. 2¿ e Ar, temperatura do substrato, potência de RF e tensão de polarização do catodo, nas propriedades dos filmes depositados. Assim, estudamos a taxa de deposição, a composição e as propriedades elétricas e ópticas de nosso material, medindo a espessura, a condutividade elétrica e a transmitância no IV e VIS das amostras depositadas ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: In this text we present our results on the physical characterization of thin films of hidrogenated amorphous silicon (a-Si : H) obtained by RF sputtering, using an old Varian system that we have re-built for this purpose. The samples have been deposited on several conditions in order to understand the influence of the process parameters as 'H IND. 2¿ and Ar partial pressures, substrate temperature, RF power and cathode bias voltage, on the electrical and physical properties of the deposited films. So, we have studied the deposition rate, the composition and the electrical conductivity and IR and VIS transmitance. The deposition rate was strongly dependent on the 'H IND. 2¿ partial pressure, decreasing from 80 A/min to 20 A/min when the 'H IND. 2¿ pressur increased from 0 to 0.4 mTorr for 200 W of RF power. Increasinf the RF power from 100 to 300 W, the deposition rate increases strongly, but the thickness uniformity is worsened ... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Made available in DSpace on 2014-06-12T23:02:01Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo9212_1.pdf: 9706142 bytes, checksum: 8eabcae0dc12dd2c5311a17d02a7a025 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2005 / A quitosana é um polissacarídeo obtido, geralmente, a partir da hidrólise da quitina, em meio alcalino, por meio de reação de desacetilação em temperaturas elevadas sob condições heterogêneas. As propriedades da quitosana e, conseqüentemente, suas aplicações dependem do seu grau de desacetilação e da sua massa molar média. Assim a primeira parte deste trabalho consistiu na caracterização de três quitosanas utilizadas nesse trabalho, por espectroscopia no infravermelho, RMN 1H, RMN 13C e medidas viscosimétricas. O grau de desacetilação das quitosanas ficou entre 68% e 78% e a massa molar entre 2,75 x 105 e 3,34 x 105 g.mol-1. As análises de difração de raios-X mostraram que os índices de cristalinidade de todas as quitosanas purificadas foram maiores do que as quitosanas não purificadas devido à reorganização das cadeias durante o processo de aquecimento. Na segunda parte do trabalho, foram preparados filmes e beads de quitosana. Os filmes foram obtidos a partir de soluções de quitosana, que foram depositados em uma superfície plana de poliestireno para a evaporação do solvente. Após secagem os filmes formados foram removidos por destacamento. Os beads foram obtidos a partir do gotejamento de soluções de quitosana em solução de trifosfato de sódio. Estes são imediatamente formados, resultando de interações de caráter eletrostático entre o policátion de quitosana e o ânion trifosfato, P3O10 5-, conservando a forma e tamanho da gota. Os filmes e beads foram caracterizados por difração de raios-X e microscopia eletrônica de varredura. O índice de cristalinidade dos filmes diminuiu em relação à quitosana indicando uma baixa organização das cadeias na formação dos mesmos. Em seguida, foram incorporados compostos orgânicos luminescentes (harmana, fluoresceína e rodamina B) nos filmes e beads à base de quitosana e, então, caracterizados por espectroscopia de absorção na região do UV-visível e espectroscopia de emissão. Todos os espectros de absorção e emissão dos luminóforos mudaram com a incorporação aos filmes de quitosana. Os espectros de absorção mostraram um deslocamento do equilíbrio das espécies neutras e catiônicas da harmana para sua forma neutra com a formação dos filmes, indicando que o filme de quitosana tem caráter básico, o que foi confirmado pelo espectro de emissão. Nos filmes com fluoresceína foi observado que houve um deslocamento das bandas de absorção, indicando a formação de espécies dianiônicas, o que sugere a sua adsorção à quitosana. Já no filme com rodamina B foi observado um aumento na concentração de dímeros após a formação dos filmes A cinética de liberação da rodamina B dos filmes e beads em PBS e água foi também estudada. A rodamina liberada foi medida por espectroscopia. Foram utilizados dois modelos: Higuchi e Koorsmeyer Peppas. Observou-se que a liberação a partir de filmes e beads em água ocorre por difusão Fickiana e que somente a liberação a partir de beads em PBS ocorre por difusão não-Fickiana. Em todas as amostras estudadas, exceto a liberação do corante dos beads de quitosana em PBS, foi observado a difusão Fickiana

Orientador: Jacobus Willibrordus Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-15T22:32:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Favoretto_Marcio_M.pdf: 12934782 bytes, checksum: 363d51ca5a37571778abec81a174f998 (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Neste trabalho apresentamos um estudo das características físicas e elétricas de filmes finos de tungstênio (W) e siliceto de tungstênio (WSix) em função dos par âmetros de deposição por técnica de "sputtering" tipo RF magnetron. Os filmes finos. com espessura de aproximadamente 200 nm, foram depositados sobre substratos de GaAs e SiO 2/Si. As deposições foram feitas com pressão-base pressão-residual) de cerca de 6.10 Torr. Os parâmetros de deposição eram a pressão de Ar (argônio) e a potência RF, com variação de 5 a 50 mTorr e 300 a 700 Watts, respectivamente. Os filmes foram caracterizados quanto à resistividade (4-pontas), fase do filme (XRD) e composição (AES), sem recozimento e após tratamento térmico por RTA ("Rapid Thermal Annealing"). Diodos W/GaAs e WSi x/GaAs foram fabricados por processo fotográfico e "plasma etching, definindo portas Schottky de 200 µ de diâmetro sobre substrato de GaAs tipo n. (100) e resistividade 10-1 ? cm Cn =; 1.6.10145 cm-a). A estabilidade térmica dos diodos foi estudada recozendo diferentes amostras por RTA em diferentes condições. Estes recozimentos foram realizados em ambiente com sobre-pressão de arsênio eAs). O uso de pressão de Ar elevada durante a deposição resultou em filmes de aIta resistividade fase ß W) e diodos fabricados a partir destes filmes apresentaram baixa estabilidade o térmica Caté aproximadamente 600 C). Filmes de W de baixa resistividade (fase ? -W) foram obtidos reduzindo os valores dos parâmetros de deposição. Diodos fabricados com estes filmes o que apresentaram estabilidade térmica até 820 C/1Os ou 850 C/5s. com altura de barreira de 0.77 eV e fator de idealidade de 1.06 / Abstract: This dissertation presents a study of the physical and electrical characteristics of W and WSi x thin films as a function of the deposition parameters, done RF magnetron sputtering. Thin films of about 200 nm thickness were deposited on GaAs and SiO/2Si substrates. The depositions were done after a base-pressure of about 6.10-7 Torr was achieved. The deposition parameters were Ar pressure and RF power, varying from 6 to 50 mTorr and 300 to 700 Watts, respectively. The films were characterized about resistivity C4-point probe), phases CXRD) and composition CAES). before and after rapid thermal annealing CRTA) treatments. W/GaAs and WSi x/GaAs diodes were fabricated using photography procedure and plasma etching for definition of Schotlky gales with 200 µ diameter, on n type. (100). GaAs substrates with resistivity of 10-1 Ocm (n = 1016 cm-3). The thermal stabilily of lhe diodes was studied by annealing different samples by RTA in different conditions. These annealing were performed under an arsenic over-pressure ambient. The deposition of W under high Ar pressure produced films of high resistivity (ß phase) and diodes with low thermal slability (about 600 C). W films of low resistivity (?-W( phase) were obtained after reducing the pressure and power af the deposition process. The diodes made with these films presented a thermal slability up to 820"C/10s or 850"C/5s wilh barrier heighl of 0.77 eV and ideallity factor of 1.06 / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Stephenson Caticha Ellis / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T16:48:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lopes_CesardeOliveira_M.pdf: 2581686 bytes, checksum: c083a45e012f394e496c4692b0978eb1 (MD5) Previous issue date: 1975 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física