Orientador: José Roberto Ribeiro Bortoleto / Banca: Monica Alonso Cotta / Banca: Tersio Guilherme de Souza Cruz / O Programa de Pós Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi / Resumo: Neste trabalho filmes finos de ZnO foram depositados em substratos de vidro pela técnica de RF magnetron sputtering. Como precursores foram utilizados um alvo de zinco metálico e gás oxigênio. Duas séries de filmes finos de ZnO foram obtidas. Na primeira, foram obtidos filmes de ZnO eletricamente isolantes com transmitância óptica acima de 80%. Na segunda série de deposição, os filmes finos de ZnO também apresentaram transmitância óptica na região do visível em torno de 80%. Porém, nesta série os filmes apresentaram baixos valores de resistividade elétrica, em torno de 1,6 x 10-3Ώ cm. Os resultados de morfologia superficial das duas séries, mostraram que as estruturas de grãos dos filmes finos de ZnO evoluíram em tamanho e altura com o aumento da espessura. As análises de difração de raios X realizadas para os filmes de ZnO mostraam um pico preferencial no plano (002), correspondente a estrutura wurtzita do ZnO, classificando os filmes como policristalinos / Abstract: In this work ZnO films were deposited on glass substrates by RF magnetron sputtering technique. A target of metallic zinc and oxygen gas were used as precursors. Two series of ZnO thin films were obtained. in the first ZnO films were obtained with high optical transmittance, above 80%, but the films showed a high electrical resistivity. In the second set of depositions, the ZnO thin films also showed a high optical transmittance in the visible region, around 80%. However, this samples had low resistivity values, about 1.6x10-3Ώ cm. The results of the surface morphology of the two series showed that the grain structures of ZnO thin films developed in size and heigh with increasing thickness. The analysis of X-ray diffraction for the ZnO films showed a peak in the preferred plan (002), corresponding to the ZnO wurtzite structure, classifying films as polycrystalline / Mestre

Orientador: Cláudio Luiz Carvalho / Banca: Victor Ciro Solano Reynoso / Banca: Alexander Polasek / Resumo: Devido a grande preocupação em se desenvolver novos materiais e técnicas para suprir a necessidade por novos recursos e atender com maior comodidade e eficiência a população mundial, estão surgindo novas áreas de pesquisas que visam suprir esta deficiência, seja criando novas tecnologias, ou mesmo aprimorando as técnicas existentes a fim de se obter um melhor aproveitamento dos recursos já existentes. Assim, estamos nos interessando por um ramo da ciência pouco conhecido, mas com um potencial muito elevado a ser descoberto, estamos falando dos materiais supercondutores, que pouco se sabe a respeito deles, porém muito já se faz com os mesmos. Desta maneira estamos apostando numa área mista, onde não usaremos os materiais supercondutores como sendo meramente condutores de energia e sim como dispositivos eletrônicos. Então, começamos o nosso trabalho, desenvolvendo materiais supercondutores na forma de filmes finos que é a base para o desenvolvimento desses dispositivos. Sendo assim escolhemos o sistema BSCCO, que tem como base os seguintes elementos, Bismuto, Estrôncio, Cálcio, Cobre e Oxigênio e que pode apresentar uma temperatura de transição da fase condutora para a fase supercondutora na faixa de 35 - 110K. Deste modo, nos propomos a estudar este tipo de material e desenvolver filmes finos, capazes de serem usados como ...(Resumo completo, clicar acesso eletronico abaixo) / Abstract: Due to great concern in developing new materials and techniques to supply the need for new resources and to assist with larger comfort and efficiency the world population, new areas of researches that seek to supply this deficiency are appearing, by creating new technologies, or even improving the existent techniques in order to obtain a better use of the resources already existent. Like this, we are being interested in a branch of the little known science, but with a very high potential to be discovered, we are talking about the superconductor materials, that little it is known regarding them. However it is much already done with the same ones. In this way we are betting in a mixed area, where we won't use the superconducting materials as being merely drivers of energy but like electronic devices. Then, we began our work, developing superconductor materials in the form of thin films that is the base for the development of those devices. The system BSCCO was chose because it has composed by the following elements, Bismuth, Strontium, Calcium, Copper and Oxygen and that it may present a transition temperature of the conductive phase for the superconductive phase in the range of 35 - 110K. This way, we have studied this material type and to develop thin films, capable of be used as base for electronic devices. In our work we ...(Complete abstract click electronic access below) / Mestre

Orientador: Younès Messaddeq / Banca: Maria Aparecida Zaghete Bertochi / Banca: Máximo Siu Li / Resumo: Filmes finos de óxido de tungstênio apresentam várias propriedades ópticas interessantes. As propriedades eletrocrômicas, fotocrômicas e termocrômicas são conhecidas como uma mudança de cor pela ação de um campo elétrico, radiação eletromagnética e calor, respectivamente e têm sido amplamente estudadas. Muitos sistemas foram investigados e suas propriedades são largamente influenciadas por muitos parâmetros experimentais. Este comportamento é devido à facilidade dos átomos de tungstênio adotar vários estados de oxidação. Amostras vítreas foram preparadas nos sistemas ternário (NaPO3)n - BaF2 - WO3 e binário (NaPO3)n - WO3. Esses vidros apresentam grande estabilidade térmica frente à cristalização. Amostras contendo altas concentrações de WO3 (acima de 40% em mol) foram usadas como precursores na preparação dos filmes finos. Os filmes foram depositados pela técnica de evaporação por canhão de elétrons. Substratos de vidro borosilicato foram utilizados devido a melhor aderência. Os filmes foram caracterizados pela difração de raios X, perfilometria, espectroscopia de dispersão de raios X (EDX), espectroscopia de absorção eletrônica na região do UV-visível, espectroscopia de absorção vibracional na região do infravermelho, espectroscopia de espalhamento Raman, espectroscopia de absorção de raios X (XANES), m-lines e microscopia eletrônica de varredura (MEV). Filmes finos estáveis contendo altas concentrações de WO3 foram obtidos e parâmetros experimentais foram estabelecidos. Propriedades termocrômicas foram estudadas em função do tempo e da temperatura. A umidade atmosférica foi o parâmetro fundamental no estudo do termocromismo. Propriedades ópticas e estruturais foram estudadas em função da concentração de WO3. Tratamentos térmicos controlados foram realizados nos filmes e somente a fase WO3 pode ser cristalizada a partir de filmes contendo altas concentrações de tungstênio. / Abstract: Tungsten oxide thin films present several interesting optical properties. Electrochromic, photochromic and thermochromic properties are known as a colour change by the action of an electric field, electromagnetic radiation and heat respectively and have been widely studied. Many systems were investigated and their properties are largely influenced by many experimental parameters. This behavior is due to the facility of tungsten atoms to adopt various oxidation states. Vitreous samples were prepared in the (NaPO3)n - BaF2 - WO3 ternary and (NaPO3)n - WO3 binary systems. These glasses present high thermal stability against crystallization. Samples containing high concentrations of WO3 (above 40% molar) have been used as target to prepare thin films. Such films were deposited by electron beam evaporation method. Borosilicate glasses substrates were used due to better adherence. The films were characterized by X-ray diffraction, perfilometry, X-ray dispersion spectroscopy (XDS), UV-visible transmittance, infrared reflectance spectroscopy, Raman spectroscopy, X-ray absorption near edge structure (XANES), m-lines and Scanning Electronic Microscopy (SEM). Stable thin films containing high concentration of WO3 were obtained and experimental parameters were established. Thermochromic properties were studied in function of time and temperature. Humidity of the atmosphere was a fundamental parameter in the study of the thermochromism. Optical and structural properties were studied in function of concentration WO3. Controlled thermal treatments were accomplished in the films and only the phase WO3 was crystallized starting from films containing high tungsten concentrations. / Mestre

Orientador: Silvio Rainho Teixeira / Banca: Claudio Luiz Carvalho / Banca: Aldo Eloizo Job / O Programa de Pós Graduação em Ciência e Tecnologia dos Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi / Resumo: Titanos nanoparticulados vêm sendo exaustivamente estudados devido suas importantes características elétricas, eletromecânicas e eletrotérmicas, possuindo assim, uma grande aplicabilidade no ramo da microeletrônica. Os titanatos com estrutura perovskita (ATiO3) de alcalinos terrosos (A = Ca, Sr, Ba), por exemplo, são materiais cerâmicos de considerável importância tecnológica tendo e vist o comportamento ferroelétrico de muitas de suas composições. Este trabalho teve como objetivo investigar a microestrutura e analisar as propriedades ópticas e, principalmente elétricas de filmes de soluções sólidas de titanatos de bário-estrônico (BaTiO3-SrTiO3) com diferentes estequiometrias (BaxSr1-xTiO3, x = 0,00, 0,25, 0,50, 0,75 e 1,00) afim de otimizar o materia, obtendo uma boa fusão entre propriedades tanto o BaTiO3 quanto do SrTiO3. Os pós de BaxSr1-xTiO3 foram sintetizados pelo método hidrotermal assitindo por micro-ondas e os filmes produzidos por eletroforese. A formação dos filmes ocorreu em eletrodos paralelos, dispostos horizontalmente. A influência dos vários parâmetros de deposição (tipo de susbstrato, tensão aplicada, tempo de deposição e etc), na qualidade final dos filmes, foi estudada. Pastilhas do material também foram confeccionadas a fim de se obter o comportamento do material, quando este é apresentado na forma de bulk. Os pós e os filmes, foram, inicialmente, caracterizados por difratometria de raios-X, microscopia eletrônica de varredura,UV-Vis, emissão fotoluminescente, análise de impedância e análise termodiferencial (termogravimetria e calorimetria exploratória) para o estudo da formação de fase, cristalinidade, microestrutura, resposta óptica e dielétrica. Tratamentos térmicos também foram realizados nos filmes e pastilhas, para melhorias na densidade (eliminação de porosidade). O método hidrotermal se mostrou uma rota de síntese viável e econômica para obtenção das... / bstract: Titanate nanoparticles have been extensively studied because of their important electrical, electromechanical and electrothermal characteristics, thus having a large applicability in the field of microelectronics. Titanates with perovskite structure (ATiO3) alkaline earth (A = Ca, Sr, Ba), for example, are ceramics materials of considerable technological importance in view of the ferroelectric behavior of many of their compositions. This dissertation aims to investigate and analyze the microstructure and optical properties, mainly electrical, of film solid structure of barium-strontium titanate (BaTiO3-SrTio3) with different stoichiometrics (BaxSr1-xTiO3, x = 0,00, 0,25, 0,50, 0,75 and 1) in order to optimize the material, getting a great fusion of both the properties of BaTiO3 as SrTiO3. Powders of BaxSr1-xTiO3 are synthesized by the hydrothermal method assited by microwave and films produced by electrophoresis. The formation of the films occur in parallel electrodes, arranged horizontally. The influence of various deposition parameters (substrate, applied voltage, deposition time, etc.), in the final quality of the films were studied. Pellets of the material are also made to obtain the behavior of the material when it is presented in the form of bulk. The powders and films were initially characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, UV-Vis, photoluminescence emission, impedance analysis and thermal differential analysis for the study of phase formation, crystallinity, microstructure, dielectric and optical response. Thermal treatments were also performed in films and pellets, to improvements in density (densification). The hydrotermal method proved a viable and economical route of synthesis to obtain the electronic ceramics, the tehcnique of electrophoresis showed efficient at producing films. Phases in question were played, reaching a material with high crystallinity and dielectric constant and loss tangente (800 and 0.025) / Mestre

Orientador: Victor Ciro Solano Reynoso / Banca: José Humberto Dias da Silva / Banca: Luiz Francisco Malmonge / Resumo: Preparou-se e caracterizou-se, neste trabalho, semicondutores de PbS (Chumbo Sulfide) e Bi2S3 (Bismuto Sulfide) através do método de Deposição por Banho Químico (CBD). Este método tem provado ser o método mais barato e também não poluente. A técnica consistiu na preparação de solução de íons metálicos misturada em uma solução que contenha o íon S-2 formar o semicondutor na forma de filme fino e precipitado (pó). Semicondutor de PbS foi preparado misturando, em temperatura ambiente, solução de acetato de chumbo, hidróxido de sódio, tiouréia e trietanolamina (TEA). Por outro lado, semicondutor de Bi2S3 foi preparado misturando, em temperatura ambiente, solução de nitrato de bismuto, tioacetamida e trietanolamina. A medida de difração de Raios-X (XRD) mostrou a uma estrutura cúbica de face centrada de PbS e uma estrutura ortorrômbica de Bi2S3, que além de formar os semicondutores, mostrou indícios de impureza (sulfate e hidroxidos) em tratamento térmico acima de 200ºC. Pela medida de Calorimetria Diferencial de Varredura, (DSC) dos pós dos semicondutores, o dado mostrou que para PbS a temperatura de cristalização está em torno de 350ºC e para Bi2S3 está em torno de 273ºC com formações de outras fases. Medidas de Transmitância Uv-Vis-Nir foram usadas para determinar os "gaps" ópticos para os filmes finos semicondutores. Considerando as transições diretas e indiretas, os valores dos "gaps" para os filmes finos de PbS estiveram em torno de 0,5 eV e para os filmes finos de Bi2S3 em torno de 1,6 eV, mudando com o tratamento térmico. A medida Espectroscopia Fotoelétria de Raios-X (XPS) foi usada para mostrar a evolução de crescimento dos semicondutores nos filmes. Na medida elétrica, a resistência diminuiu com o aumento da temperatura, mostrando o comportamento típico dos semicondutores. / Abstract: In this work, we prepared and characterized PbS (Lead Sulfide) and Bi2S3 (Bismuth Sulfide) semiconductors by Chemical Bath Deposition (CBD) method. This method has been proved to be the least expensive and non-polluting method. The technique consisted in the preparation of metallic ions solution mixed in a solution that contains the S-2 ion to form the semiconductor in the thin film and precipitated (powder) forms. PbS semiconductor was prepared by mixing, at room temperature, of lead acetate, sodium hydroxide, thiourea, and triethanolamine (TEA) solutions. On the other hand, Bi2S3 semiconductor was prepared by mixing, at room temperature, of bismuth nitrate, thioacetamide, and triethanolamine solutions. The X-ray diffraction (XRD) measure showed a PbS face centered cubic structure and a Bi2S3 orthorhombic structure that besides forming the semiconductors, there were indications of impurity (sulfate and hydroxide) in thermal treatment above 200ºC. By the measure of Differential Scanning Calorimetric (DSC) of the semiconductor powders, data has shown that for PbS the crystallization temperature is about 350ºC and for Bi2S3 is about 273ºC with other phase formations. Uv-Vis-Nir transmittance measures were used to determine the optical gaps for the semiconductor thin films. Considering direct and indirect transition, the gap values for PbS thin films are about 0.5 eV and for Bi2S3 thin films are about 1.6 eV, changing with the thermal treatment. The X-ray Photoelectric Spectroscopy (XPS) measure was used to show the semiconductor growth evolution in the films. In the electrical measure, the resistance decreased with the increase of the temperature, showing the typical behavior of the semiconductors. / Mestre

Orientador: Steven F. Durrant / Banca: Johnny Vilcarromero Lopez / Banca: Douglas Soares Galvão / O Programa de Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi da Unesp / Resumo: Filmes finos amorfos de carbono hidrogenado fluorados produzidos por plasma possuem propriedades excelentes, tais como baixo coeficiente de atrito, baixa reatividade química, alta resistência a ácidos, alta hidrofobicidade, além de propriedades ópticas notáveis. Neste estudo filmes finos foram produzidos empregando plasmas de descargas luminescentes contendo diferentes proporções de gases em uma mistura de C2H2 Ar e SF6. O presente projeto visa a análise das alterações das propriedades ópticas dos filmes produzidos a partir de diferentes concentrações de SF na mistura. Investigaram-se as características químicas dos filmes, através de Espectroscopia de Absorção no Infravermelho e Espectroscopia de Fotoelétrons de Raios-X, confirmando que o aumento da concentração de flúor é dependente do aumento da concentração de SF na mistura de gases. As medidas do ângulo de contato demonstraram que o aumento da fluoração do filme, aumenta sua hidrofobicidade. Verificou-se que o índice de refração diminuiu com o aumento da fluoração do filme. O gap óptico foi calculado por duas técnicas diferentes, demonstrando que o aumento da concentração de flúor no filme tem relação direta com o aumento do gap óptico. Modelos computacionais permitiram comparar o gap óptico experimental com o seu equivalente teórico, verificando que o aumento da densidade de ligações C-F aumenta o fap. Também foram utilizados modelos computacionais para comparar o gap óptico teórico de filmes a-C:H:CI e a C:Si:O:H:F com os obtidos experimentalmente por Turri e Gonçalves em seus trabalhos. As tendências do gap óptico em função do grau de halogenação obtidas experimentalmente e por modelagem são consistentes / Abstract: Amorphous hydrogenated fluorinated carbon thin films deposited in cold plasmas have excellent properties, such as low friction coefficient, low chemical reactvity, and high acid resistance, as well as notable optical properties. In this study, thin films were produced using glow discharge plasmas fed different proportions of C2H2, Ar SF6. The present project aims to analyze the changes in some optical properties of films produced at different proportions of SF in the mixture. The chemical properties of the films, studied using Infrared Reflection Absorption Spectroscopy (IRRAS) and X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS), confirm that the films become increasingly fluorinated at greater SF6 flow rates. Contact angle measurements showed that increases in the film fluorination, increase its hydrophobicity. The refractive index decreases with increasing fluorination of the film. The optical gap was calculated by two different techniques, demonstrating tha increase in fluorine concentration in the film is directly related to the increase in the optical gap. Computacional models allow comparison of the experimental optical gap with its theoretical equivalent, verifying that an increases the optical gap. Computational models were also used to compare the theoretical optical gap of a-C:H;CI and a-C:Si:O:H:F films with values obtained experimentally by Turri and Gonçalves, respectively. The experimentally observed and modeled tendencies in the optical gap as a function of the dregree of film halogenation are consistent / Mestre

Orientador: José Alberto Giacometti / Banca: Sandro Márcio Lima / Banca: Fernando Fuzinatto Dall'Agnol / Banca: Victor Ciro Solano Reynoso / Banca: Clarissa de Almeida Olivati / O Programa de Pós Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi / Resumo: Foi desenvolvida uma montagem experimental para estudar o processo de polarização fotoassistida (PAP) de filmes finos poliméricos utilizando um interferômetro de Mach-Zehnder (IMZ). Ela permite determinar a atividade eletro-óptica do filme durante e após o processo de polarização. Um cristal de KH2PO4 (KDP) e o filme guest-host do polímero acrílico poli(metacrilato de metila), PMMA, dopado com o corante vermelho disperso 1, DR1, mostraram o bom funcionamento do sistema de medição IMZ/PAP. Dois azopolímeros acrílicos, o poli(metacrilato de vermelho disperso 1), PMDR1, e o poli(metacrilato de metila)-co-(metacrilato de vermelho disperso 1), PMMcoMDR1, foram estudados variando-se a tensão dc de polarização e a intensidade da luz de excitação. Os dados experimentais obtidos foram ajustados por equações fenomenológicas de Sekkat e KWW para obtenção dos tempos característicos de cada processo durante e após a polarização do filme. O valor máximo de coeficiente eletro-óptico de ~20pm/V foi obtido para o filme do polímero acrílico de PMDR1, enquanto que para os filmes de PMMA/DR1 e PMMcoMDR1 os valores foram de 0,5 e 1,6 pm/V / Abstract: We developed an experimental setup aiming to study the photoassisted poling (PAP) of polymeric films using a Mach-Zehnder interferometer (MZI). Is allows measuring the electric optic coefficient during and after the photoassisted poling process. The proper operation the IMZ/PAP measurement system was demonstrated using a KH2PO4 (KDP) crystal and poly(methyl methacrylate), PMMA, doped with the dye disperse red 1, DR1, guest-host films. Two acrylic azopolymers, poly(methacrylate disperse red 1), PMDR1, and poly(methyl methacrylate)-co-(methacrylate disperse red 1), PMMcoMDR1 were studied under different dc voltage poling and light excitation intensity. The experimental data obtained were fitted by Sekkat and KWW equations to give the characteristics time of each poling process and its decays. The maximum electro-optical coefficient of ~20 pm/V were obtained with the PMDRI acrylic polymer film while for PMMA/DR1 and PMMcoMDR1 the values were 0.5 and 1.6 pm/V / Doutor

Orientador: Amauri Antonio Menegário / Coorientador: Eleine Francioni de Abreu Lima / Banca: Pedro Magalhães Padilha / Banca: Gisela de Aragão Umbuzeiro / Resumo: Os ecossistemas marinhos próximos ao continente são locais muito sensíveis às mudanças ambientais. Nestas áreas, a biodiversidade é extremamente expressiva, com diversas espécies de importância econômica. A determinação de metais nos ecossistemas marinhos que se interceptam com atividades humanas é importante para avaliar as interferências e modificações que o homem causa nestes ambientes. A determinação de metais em ambientes aquáticos utilizando organismos vem sendo muito empregada, principalmente por meio de bivalves, proporcionando dados importantes sobre a biodisponibilidade destes contaminantes na água. A técnica de difusão por filmes finos em gradientes de concentração (DGT) também tem sido empregada para avaliar a concentração de metais em águas doces e marinhas, determinando a fração lábil destes potencias poluentes. Nesta pesquisa foram realizadas amostragens in situ na baía da Ilha Grande, RJ, utilizando Nodipecten nodosus ("vieira") transplantados juntamente com dispositivos da técnica DGT para a determinação de Al, Cd, Co, Cu, Mn, Ni, Pb e Zn; visando uma comparação das duas técnicas e a obtenção de dados sobre a labilidade e biodisponibilidade destes metais. As vieiras foram obtidas de uma fazenda de criação próxima ao local de estudo. Os dispositivos DGTs foram do tipo convencional: resina Chelex-100 como ligante, gel difusivo de poliacrilamida-agarose e membrana filtrante de acetato de celulose. As vieiras e os dispositivos DGT ficaram imersos em três pontos de amostragem no interior da baía durante Julho a Setembro/2012 (Campanha de Inverno) e Dezembro/2012 a Fevereiro/2013 (Campanha de Verão). As determinações das concentrações dos metais foram feitas por espectrometria de massas com plasma acoplado indutivamente (ICP-MS) e espectrometria de emissão óptica (ICP OES)... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: Marine ecosystems near to the continent are very sensitive to local environmental changes, where biodiversity is extremely important. Also in this areas, there are several species of economic importance and used for human consumption. Determination of metals in areas where the marine ecosystem and human activities are connected is important to evaluate interference and modifications that the man causes in these environments. The determination of metals in aquatic organisms has been widely used, mainly by using bivalves, providing important data on the bioavailability of these contaminants in the water. The technique of Diffusive Gradients in Thin Films (DGT) has also been employed to assess the concentration of metals in freshwater and marine water, determining the lability these potential pollutants. Aiming to compare different techniques, this research was carried out in the Ilha Grande bay, RJ, using transplanted Nodipecten nodosus ("scallop") and the DGT technique for the determination of Al, Cd, Co, Cu, Mn, Ni, Pb and Zn. The scallops were obtained from a breeding farm near to the study site. The DGTs were assembled with Chelex-100 resin as binding agent, diffusion gel of agarose-polyacrylamide and membrane filter of cellulose acetate. The scallops and DGTs were immersed in three sampling points within the bay during July to September/2012 (Winter campaign) and December/2012 to February/2013 (Summer campaign). The metals were determined by inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS) and optical emission spectrometry (ICP OES). The DGT technique was successfully used to determine the concentration of most the metals, except Al, Zn and Pb when short deployment time were used. The results obtained using different porosities of diffusive gels showed no significant presence of metal organic forms... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre

Orientador: Clarissa de Almeida Olivati / Banca: Neri Alves / Banca: Henrique de Santana / O Programa de Pós Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem carater institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi / Resumo: Grandes avanços tecnológicos na área de eletrônica, vêm sendo alcançados nos últimos anos. Com isso há uma busca por dispositivos cada vez melhores, e por sua vez cada vez menores, como por exemplo as grandes máquinas que se transformaram em dispositivos microscópicos. Assim, a busca por dispositivos utilizando moléculas orgânicas revolucionou ainda mais este setor, surgindo a eletrônica orgânica. Neste contexto, os estudos envolvendo filmes finos se mostraram bastante promissores, devido a sua alta capacidade de organização, a fabricação de filmes em escalas nanométricas, entre outras vantagens. Neste trabalho foram utilizados derivados alquilados de politiofenos (P3ATs) regioirregulares (RI). Devido a desorganização molecular estes politiofenos ainda são pouco estudados. Neste contexto este trabalho teve como objetivo fabricar filmes mistos Langmuir-Blodgett (LB) de derivados alquilados de politiofeno regioirregulares (RR) com ácido esteárico (Stearic Acid, SA), afim de obter filmes de boa qualidade em relação as suas propriedades elétricas. Por possuir um caráter antifilico, esta molécula é muito usada como referência na fabricação de filmes Langmuir. Esta técnica foi escolhida por possuir um alto controle de crescimento e organização destes filmes, podendo assim ser investigado como a organização proporcionada pela técnica influência na regioirregularidade das moléculas. Foram fabricados filmes LB de poli(3-butilftiofeno), poli(3-octiltiofeno) e de poli(3-dodectiltiofeno) misturados em diferentes proporções de ácido esteárico, pois os mesmos, apesar de possível, não possuem uma boa deposição em sua forma pura. Foram analisadas as isotermas de pressão dos filmes de Langmuir destes derivados para determinação dos parâmetros de deposição. Além disso, foi possível constatar uma melhora na qualidade de deposição dos filmes em relação a quantidade de SA inseridos na solução. Os filmes... / Abstract: Not available / Mestre

Orientador: José Arana Varela / Banca: Maria Aparecida Zaghete Bertochi / Banca: Miguel Jafelicci Junior / Banca: Andrea Simone Stucchi de Camargo / Banca: José Antonio Eiras / Resumo: Nesta tese estudou-se a preparação de filmes finos de PZT não dopados e dopados com Nióbio, depositados sobre substratos de Pt/Ti/SiO2/Si para aplicações em memórias não voláteis de acesso randômico (NVRAM) e memórias ferroelétricas de acesso randômico (FeRAM). A dopagem dos filmes de PZT com Nióbio foi realizada visando obter valores ótimos nas propriedades ferroelétricas para a aplicação destes filmes como memórias ferroelétricas. Todavia, problemas como imprint, corrente de fuga e fadiga na polarização, estão presentes nos dispositivos de memórias contendo filmes de PZT sobre substratos platinizados. Para tentar resolver estes problemas, estudamos a produção de eletrodos de LaNiO3 depositados sobre substratos de SiO2/Si, para substituição dos substratos com eletrodos de Pt na preparação de filmes de PZT. Além disso, a dopagem do PZT com Nb levou a uma melhoria na resistência à fadiga em substratos platinizados. Os filmes foram preparados pelo método das soluções precursoras poliméricas. A influência do tratamento térmico, em forno convencional e em forno microondas, nas propriedades microestruturais e ferroelétricas dos filmes também foi avaliada. / Abstract: In this thesis, we have studied the preparation of non-doped and Nb-doped PZT thin films deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates for applications in NVRAM and FeRAM devices. Nb doping of PZT films produces good values of ferroelectric properties for the application as ferroelectric memories. PZT films on Pt electrodes present imprint, fatigue and leakage current. We have prepared LaNiO3 films on SiO2/Si substrates to substitute Pt electrodes. Moreover, Nb-doped PZT films deposited on Pt electrodes lead to improved fatigue resistance when compared with non doped PZT films. Non-doped and Nb-doped PZT thin films and LaNiO3 thin films were deposited by the polymeric precursor method. The influence of the thermal treatment in conventional and microwaves oven on the microstructural and ferroelectric properties was evaluated. / Doutor