Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. / Made available in DSpace on 2013-12-05T19:23:05Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-08T13:51:14Z : No. of bitstreams: 1 175064.pdf: 3447963 bytes, checksum: 40b260f447c11d0d5a6484653a7d83e7 (MD5)

Resumo

Orientadores: Antonio G. J. Balbin Villaverde, Carlos Henrique de Brito Cruz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T17:29:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Faria_IrvalCardosode_M.pdf: 3715552 bytes, checksum: 00ff19e6dc53faa98f68904fa803867a (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica / Made available in DSpace on 2013-06-25T18:56:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 311575.pdf: 5522559 bytes, checksum: 9e8349702aedb6c1092590cc5eaa1a81 (MD5) / Este trabalho apresenta um sensor de temperatura CMOS integrado voltado ao monitoramento de hot-spots em circuitos VLSI. Seu funcionamento é baseado no comportamento CTAT (complementar a temperatura absoluta) da tensão de limiar do transistor MOS. Devido a este fato, inicia-se a dissertação apresentando alguns métodos utilizados na extração deste parâmetro através de simulações. Em seguida, medições realizadas em alguns transistores de teste servem para validar os resultados obtidos nas simulações. O projeto do sensor é, então, apresentado detalhando-se seus blocos constituintes separadamente: gerador de corrente específica, comparador e gerador do pulso de saída. Em todos os blocos tomou-se o cuidado para que o consumo total do sensor fosse na ordem de poucas dezenas de microwatts de modo a possibilitar o instanciamento de diversos elementos para o mapeamento térmico de um microprocessador. O gerador de corrente específica foi utilizado para fornecer tanto uma corrente quanto uma tensão de referência. A simulação do sensor completo apresentou um consumo de 18mW no pior caso a 120°C. A área total do sensor foi de 0,006mm² em uma tecnologia de 0,18µm. Medições de três amostras do protótipo fabricado demonstraram que a corrente apresentou discrepância de aproximadamente 5% de chip para chip e, no pior caso, variação de 4% na faixa de 0°C a 100°C. Uma variação máxima de chip para chip de 13mV, a 20°C, foi medida na tensão de referência, apresentando todas as amostras uma faixa dinâmica de 170mV de 0°C a 100°C, com um erro médio máximo na linearidade com respeito à temperatura de 1,87°C na faixa de 20°C a 100°C. / This work presents a CMOS integrated temperature sensor aiming at monitoring hot-spots in microprocessors. Its principle is based on the CTAT dependance of the threshold voltage of the MOS transistor. Therefore, we start showing some threshold voltage extraction procedures with their results being validated through measurements in test transistors. The design of the main sesnsor blocks, namely, specific currente generator, comparator and pulse generator is presented. The total sensor power consumption was kept close to a few of tens of microwatts in order to allow the placement of various sensor elements in a microprocessor. The specific current generator provides both current and voltage references. The simulation indicated a power consumption of 18mW in the worst case at 120°C. The total area was 0.006mm2 in a 0.18um technology. Measurements on three samples showed a chip-to-chip variation around 5% for the reference current and, in the worst case, 4% variation from 0°C to 100°C. The reference voltage presented maximum 13mV at 20°C variation for chip-to-chip and, for 3 samples, a variation around 170mV from 0°C to 100°C and a maximum average linearity error equals to 1.87°C in 20°C to 100°C range.

As ferritas Ni-Zn são materiais que têm sido bastante estudados nas últimas décadas e que têm sido empregados em diversas aplicações na indústria eletro-eletrônica. Neste trabalho, estudou-se a microestrutura e a permeabilidade magnética complexa de algumas ferritas Ni-Zn com o objetivo de selecionar uma cerâmica deste tipo para aplicação como núcleo do transdutor de um monitor de corrente pulsada para a monitoração de pulsos com 1 s de duração. A utilização de uma ferrita para esta finalidade resulta em um monitor de fabricação simplificada e de baixo custo. Foram fabricadas amostras de ferritas do tipo Ni1-xZnxFe2O4 com x=0,9 (ferrita 1), x=0,7 (ferrita 2) e x0,5 (ferrita 3). Das três ferritas fabricadas, a ferrita 3 foi a que apresentou a permeabilidade magnética complexa mais adequada para a aplicação proposta. Foi elaborado um segundo lote de amostras com a composição da ferrita 3 inserindo-se algumas alterações no processo de fabricação cerâmico. As alterações inseridas foram: o uso de moagem de alta energia no pó pré-sinterizado, o emprego de desagregação com ultrassom desse pó moído e a adição de 200 ppm de Nb2O5 a esse mesmo pó. Verificou-se que a alternativa que gerou melhores resultados foi a que utilizou desagregação com ultrassom sem a adição do Nb2O5. Foi verificado que a indução magnética de saturação da ferrita fabricada por essa alternativa é de 0,074 T e que a sua permeabilidade magnética relativa complexa varia com a temperatura, entre -40 oC e +50 oC, da seguinte forma: r 203,2+1,1494T+0,0039T2 e 5 < r"< 10.

Orientador: Evandro Conforti / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-08T01:55:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Castelli_ClaudioSelmi_M.pdf: 2856453 bytes, checksum: 1efb001a79f5f2d885e231abadd78d1f (MD5) Previous issue date: 2007 / Resumo: Uma nova técnica de geração de sinais pulsados de microondas é desenvolvida. Baseia-se na composição de dois sinais arbitrários, um trem de pulsos ultra-rápidos e uma portadora de microondas, originados a partir de diferentes fontes e combinados no domínio óptico de forma a preservar ao máximo as características espectrais e temporais dos sinais. São apresentados os conceitos utilizados na técnica e toda a configuração empregada na sua validação experimental. Os resultados obtidos são discutidos e comparados com os sinais pulsados de microondas gerados a partir de um moderno gerador comercial. Os principais componentes utilizados são também caracterizados e propostas de melhorias são apresentadas. A forma de onda obtida a partir da técnica desenvolvida atingiu os resultados esperados / Abstract: A novel technique of pulsed microwave waveform generation has been developed. It is based on the mixture of two arbitrary signals, an ultra-fast pulse train and a microwave carrier, all generated from different sources and combined in the optical domain in order to preserve the spectral and temporal features as much as possible. The technique's concepts and the setup used for the experimental validation have been presented. The obtained results are discussed and compared to the pulsed microwave signals generated by a modern commercial microwave generator. The main components are also characterized and proposals of improvements have been presented. The waveform resulted from this developed technique reached the expected results / Mestrado / Telecomunicações e Telemática / Mestre em Engenharia Elétrica