L'étude de l'endommagement induit par les ions lourds dans le volume des isolants, nous a permis de classer les isolants en deux catégories : les matériaux amorphisables et les matériaux non amorphisables. Les résultats expérimentaux des matériaux non amorphisables posent plusieurs questions concernant l'origine défauts surfacique ainsi que la sensibilité des techniques de caractérisations utilisées. Notre étude concerne l'apparition des défauts créés à la surface, proche de la surface et dans le volume de trois isolants d'amorphisabilité différente : Y3Fe5O12, CaF2 et Al2O3. Pour cela trois techniques de caractérisations ont été utilisées : la profilométrie de surface, la rétro-diffusion Rutherford en canalisation et la microscopie à force atomique. Nos résultats montrent que la réponse de la surface est une conséquence de ce qui se produit dans le volume. De plus la sensibilité des matériaux non amorphisables aux ions lourds est identique à celle des matériaux amorphisables.

Des couches de a-SiO2 déposées sur un substrat de Si ont été irradiées avec des ions lourds. L'endommagement en surface est étudié à l'aide de la Microscopie à Force Atomique (AFM). Pour des pertes d'énergie électronique supérieure à 16.0 keV/nm, des bosses apparaissent en surface. La hauteur de ces bosses diminue quand l'épaisseur de la couche d'oxyde augmente. Les études de Spectroscopie Infrarouge montrent que le seuil d'endommagement pour le a-SiO2 est autour de 2.0 keV/nm. Alors, il est probable que la formation de ces bosses en surface ait son origine dans le substrat de Si. Le modèle de la pointe thermique conforte l'hypothèse que la création des bosses est liée à la réponse du Si. Ce modèle indique un seuil d'endommagement de 1.8 keV/nm (a-SiO2) et 8.0 keV/nm (Si). L'attaque chimique après irradiation offre une possibilité technique de réaliser des trous nanométriques avec des dimensions et formes contrôlables. Il est aussi possible de déterminer le rayon de la pointe AFM.

La mise en mouvement des atomes d'un matériau par un ion lourd se traduit dans le volume par la création de traces et à la surface par l'éjection d'atomes vers le vide. Ainsi, afin d'appréhender les mécanismes initiaux de formation des traces, nous nous sommes intéressés à la pulvérisation du dioxyde d'uranium par les ions lourds rapides. L'étude est consacrée à l'influence du pouvoir d'arrêt électronique sur l'émission de particule neutre et plus spécifiquement sur la mesure de leurs distributions angulaires. Ces mesures sont complétées par celles des ions émis d'une cible d'UO2 soumise à un bombardement d'ions lourds rapides. L'ensemble des résultats expérimentaux donne accès à : i) la nature des particules pulvérisées ; ii) l'état de charge des particules émises ; iii) la direction d'éjection des particules pulvérisées ; iv) et aux rendements de pulvérisation, obtenus à partir des distributions angulaires. Ces résultats sont confrontés aux modèles de pulvérisation proposés dans la littérature et il apparaît que seul le modèle d'écoulement gazeux supersonique donne des résultats cohérents avec nos observations. Enfin, grâce aux expériences antérieures, réalisées par T. Wiss, concernant l'endommagement du dioxyde d'uranium, ce travail débouche sur la comparaison entre les modifications observées dans le matériau et la pulvérisation. Cette démarche permet de mettre en évidence que seule une fraction de monocouches d'UO2 participe à la pulvérisation.

Ce mémoire de thèse traite de l'étude de la sensibilité des composants électroniques avancés en milieu radiatif. Le travail porte sur la modélisation détaillée du dépôt d'énergie induit par un ion lourd dans la matière, et sur l'influence de la prise en compte de cette trace d'ion dans les outils de simulation de la réponse de composants irradiés. Dans ce but, nous avons développé une chaîne de simulation, combinant différents codes de calcul à des échelles variées. Dans une première étape, le code d'interactions particule-matière Geant4 est ainsi utilisé pour modéliser la trace d'ion. Ces traces sont ensuite implémentées dans un code de simulation TCAD, afin d'étudier la réponse de transistors élémentaires à ces dépôts d'énergies détaillés. Cette étape est complétée par des mesures expérimentales. Enfin, l'étude est étendue au niveau circuit, en interfaçant les traces d'ions avec un outil de prédiction des SEE. Ces différentes étapes mettent en évidence la nécessité de prendre en compte la dimension radiale de la trace d'ion à tous les niveaux de simulation, pour modéliser de façon adéquate la réponse de composants avancés sous irradiation par des ions lourds.

L'expérience ALICE, qui utilise les collisions d'ions lourds ultra-relativistes produites par le LHC au CERN, est dédiée à l'étude d'un nouvel état de la matière nucléaire, qui pourrait se présenter sous la forme d'un plasma de quarks et de gluons (QGP). Parmi les sondes portant des informations sur les propriétés de ce milieu, celles relatives à la production des jets de grande impulsion transverse sont particulièrement intéressantes. L'analyse présentée dans cette thèse s'intéresse aux évènements photon-jet, qui comportent un photon de grande impulsion transverse avec un jet émis dans la direction opposée. Ce dernier est issu de la fragmentation d'un parton, une fois qu'il a traversé le QGP. La thèse comprend une étude des observables pertinentes pour la mesure des corrélations photon-hadron ainsi qu'une analyse des premières données du LHC en collisions proton-proton. Des résultats préliminaires sur l'impulsion transverse des partons incidents et la fonction de corrélation ont ainsi été obtenus.

Parmi les signatures proposées pour l'observation du plasma de quarks et de gluons (PQG), l'une des plus prometteuses est la suppression des résonances quark-antiquark de saveurs lourdes par effet d'écran de couleur. Les premières mesures auprès du SPS du CERN ont montré une "suppression anormale" de la production du J/psi (résonance ccbar) dans les collisions centrales. La mesure de cette production dans différents systèmes et à différentes énergies de collisions pourrait permettre de conclure quant à la formation du PQG. Cette recherche se poursuit maintenant auprès de l'accélérateur RHIC, dont l'énergie dans le centre de masse est dix fois supérieure à celle obtenue au SPS.Le travail exposé dans cette thèse porte sur l'étude de la production du J/psi mesuré via son mode de déintégration e! n paires de muons, par l'expéience PHENIX dans les collisions Au-Au à 200 GeV par paire de nucléons. L'étude de la production du J/psi en fonction de la centralité des collisions montre une suppression d'un facteur 3 dans les collisions les plus centrales par rapport à la simple proportionalité avec le nombre de collisions binaires nucléon-nucléon.Pour comparer les résultats obtenus dans les collisions or-or à ceux des collisions proton-proton, les "effets nucléaires froids" doivent être pris en compte. Ils ne suffisent pas à expliquer la suppression observée, suggèrant l'existence de mécanismes supplémentaires. Les modèles qui prennent en compte la recombinaison du J/psi semblent mieux reproduire cette suppression. Néanmoins, l'ensemble de ces résultats est compatible avec le scénario selon lequel seules les résonances chi_c et psi' subissent l'écrantage de couleur.

Cette thèse est consacrée à l'étude du comportement de processeurs digitaux face à l'un des effets induits par l'environnement radiatif : le phénomène dit SEU ou upset qui se traduit par le basculement intempestif du contenu d'un élément mémoire comme conséquence de l'ionisation produite par le passage d'une particule chargée. Les conséquences de ce phénomène dépendent de l'instant d'occurrence et de l'élément mémoire affecté et peuvent aller de la simple erreur de résultat à la perte de contrôle d'un engin spatial. Les techniques de durcissement ne pouvant pas garantir entièrement l'immunité face aux upsets des circuits candidats aux applications spatiales, des méthodes d'estimation des taux d'erreurs de ces applications par des tests sous radiation ou par injection de fautes s'avèrent nécessaires, dans le double but de choisir les circuits les moins sensibles à ces effets et d'étudier le comportement des applications de vol face aux upsets. L'objectif de cette thèse consiste en la définition d'une méthode d'injection de fautes de type upset et de son expérimentation sur différentes architectures digitales afin d'étudier ses potentialités ainsi que son efficacité. La méthode proposée se base sur l'injection d'erreurs de type upset sur une carte digitale bâtie autour du processeur cible, comme conséquence de l'activation d'un signal d'interruption asynchrone. L'exécution de la séquence de traitement de l'interruption appelée CEU dans cette thèse (Code Emulant un Upset) provoquera la modification du contenu d'un bit sélectionné aléatoirement parmi les éléments de la zone mémoire sensible aux upsets du processeur. L'implantation de cette technique a été réalisée par l'intermédiaire d'un système THESIC, testeur dédié à la qualification sous radiation de circuits intégrés. Ce système comporte deux cartes digitales (carte mère/carte fille), dont la configuration s'est révélée adaptée aux contraintes imposées par la technique d'injection de fautes proposée. L'objectif final de ces recherches a été de démontrer que le taux d'erreurs d'une application peut être prédite à partir des résultats issus d'essais d'injection d'upsets et des mesures des sensibilités des éléments mémoires du processeur considéré. La confrontation de ces prédictions avec des mesures réalisées à l'aide d'accélérateurs de particules, a permis de montrer la validité de l'approche proposée pour différents types de processeurs.

L'oxyde de grille des composants peut subir un claquage suite au passage d'un ion lourd unique au travers d'un événement appelé « Single Event Gate Rupture » (SEGR). Dans certains cas, aucune dégradation apparente n'est observée après irradiation bien qu'une interaction ait eue lieu au sein de la couche d'oxyde. Nous parlons alors de la création de défauts latents au sein de la couche isolante. L'objet de cette thèse consiste à évaluer l'impact de ce type de défaut sur la dé-fiabilisation des systèmes de conversion d'énergie embarqués à bord des satellites. En Europe, les principaux maîtres d'œuvre dans la fabrication des satellites se trouvent aujourd'hui face au problème que pose la prise en compte de ces défauts latents. En effet, pour garantir la fiabilité du système de conversion d'énergie, les transistors MOS de puissance doivent suivre une procédure de qualification radiation basée sur la méthode de test militaire américaine MIL-STD-750E/1080. Cette méthode est identique en tout point au standard européen mais recommande en plus, d'effectuer un stress électrique post radiation (Post Gate Stress Test, PGST) afin de révéler la présence d'éventuels défauts latents créés pendant l'irradiation. L'objet de ce travail est d'amener des résultats scientifiques permettant de statuer sur la pertinence du PGST. / At present, space actors are highly concerned with heavy ion-induced power MOSFETs hard failures and in particular by oxide rupture after heavy ion irradiations. In order to guarantee the reliability of space systems, contractors have to follow qualification procedures. The US military standard for heavy ion testing, MIL-STD-750E method 1080, recommends performing a post irradiation test (Post Gate Stress Test PGST) in order to reveal latent defects sites that might have been created during irradiation. Unfortunately, this type of test can only be considered as a pass or fail test. With a too much restrictive approach, rare are the devices to be qualified. Even if the US test method is accurate on most of the points, the main issue is related to the Post-irradiation Gate Stress. What is lacking is that this part of the US Test Standard has neither been dedicated to real space missions nor adapted to space environment. The PGST has even no physical basis justifying performing it for space applications. Working from fundamental to applicative, we aim at drawing test standards dedicated to the engineer in charge of space applications. The qualification of power MOSFETs for space applications is one of the major challenges for European space actors. The goal of this thesis is first to focus on latent defects formation criteria and then, to show under which conditions the post irradiation gate stress test might be relevant or not.

Les collisions d’ions lourds à haute énergieproduisentunnouvelétatdelamatièreappelé le plasma de quarks et de gluons. Un parton traversant le plasma perds de l’énergie, en atténuant les gerbeshadroniques:c’estl’effetde"jetquenching". La dépendance du jet quenching dans la saveur du parton fournit des contraintes sur les modèles de perte d’énergie. Le déséquilibre d’une paire de jets issus de quarks b est une observable appropriée pour étudier ce phénomène. Cette thèse présente lamesure du déséquilibre en impulsion transverse des jets de b et des jets inclusifs (non-identifiés), dans des collisions PbPb a √sNN = 5.02 TeV, réalisée avecledétecteurCMSauLHCpouruneluminosité intégrée de 404 µb−1. Aucune différence n’est observée dans le jet quenching entre les jets issus de partons légers et lourds. Une analyse des résultats à l’aide d’un modèle simple de perte d’énergie est présentée. / The collisions of heavy ions at high energy produce the new state of matter called the quark gluon plasma. A parton traversing the plasma loses its energy which results in the jet quenching phenomenon. The dependence of the jet quenchingonthepartonflavorprovidesconstraints the models describing energy loss. The imbalance of b-jets is a very suitable observable to study this phenomena. This dissertation presents the measurement of the transverse momentum imbalance of b-jets and inclusive (non-identified) jets in PbPb collisions at √sNN = 5.02 TeV which is performed with the CMS detector at the LHC with total integral luminosity of 404 µb−1. No significant difference in jet quenching between light and heavy flavor jets is observed. The interpretation of results with a simple model of energy loss is performed.

Des données obtenues avec le multidétecteur INDRA portant sur des réactions ¹²⁹Xe +nat Sn à 25 AMeV ont montré la présence inattendue de fragments ayant une charge largement supérieure (autour de Z=70) à celles du projectile ou de la cible, qui sont de Z=54 et Z=50 respectivement. Les collisions impliquant des noyaux dont le produit des charges est supérieur à 2700 sont dominées par les transferts très inélastiques. Pour Xe+Sn, ce produit est 2700. Suite à ces observations, une série d'expériences a été effectuée en utilisant les réactions ¹²⁹Xe +nat Sn à 8, 12, 15, 20 et 25 AMeV. Il sera alors possible de déterminer si ces résidus sont produits par fusion incomplète, par d'importants transferts de masse lors de collisions profondément inélastiques ou encore par la fission très asymétrique d'un système composite. Le présent travail présentera les résultats expérimentaux obtenus lors de l'analyse de ces expériences. On montrera que des résidus lourds ayant une charge supérieure à 70 sont produits avec une section efficace de production de 10~2 mb. Les distributions angulaires montrent que ces résidus peuvent être produits par la fusion incomplète du projectile et de la cible. L'étude des produits en coïncidence avec les résidus montrent qu'un système composite s'est formé pour ensuite subir une fission qui mène au résidu et à un fragment plus petit. Enfin, la comparaison des résultats avec un modèle phénoménologique, HIPSE, confirme la validité du modèle pour ce régime énergétique.