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Fabricação e caracterização elétrica de filmes nanoestruturados de derivados do politiofeno / Fabrication and electrical characterization of nanostructured films of polythiophene derivatives

Roncaselli, Lucas Kaique Martins [UNESP] 19 February 2016 (has links)
Submitted by Lucas Kaique Martins Roncaselli (lucaskaiique@hotmail.com) on 2016-03-31T19:01:49Z No. of bitstreams: 1 dissertação - Fabricação e caracterização elétrica de filmes nanoestruturados de derivados do politiofeno.pdf: 2213057 bytes, checksum: 090f4d69287d8df3078f3e9849957e37 (MD5) / Approved for entry into archive by Felipe Augusto Arakaki (arakaki@reitoria.unesp.br) on 2016-04-05T13:52:15Z (GMT) No. of bitstreams: 1 roncaselli_lkm_me_prud.pdf: 2213057 bytes, checksum: 090f4d69287d8df3078f3e9849957e37 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-04-05T13:52:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 roncaselli_lkm_me_prud.pdf: 2213057 bytes, checksum: 090f4d69287d8df3078f3e9849957e37 (MD5) Previous issue date: 2016-02-19 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Neste trabalho foram utilizados derivados alquilados do politiofeno (P3ATs), sendo eles regioirregulares (RI) e regiorregulares (RR), diferenciados pela organização molecular. Esses materiais apresentam diferentes características quando fabricados usando técnicas diferentes como, a Langmuir-Blodgett (LB) e a Langmuir-Schaeffer (LS). O objetivo fica em fabricar filmes mistos com ambas as técnicas LB e LS, sendo os derivados misturados com ácido esteárico (Stearic Acid, SA), afim de verificar os diagramas de energia de acordo com a organização e condutividade de cada politiofeno. Foram depositados filmes de LB e LS de poli(3-butiltiofeno) (P3BT), poli(3-hexiltiofeno) (P3HT), poli(3-octiltiofeno) (P3OT) e de poli(3-dodectiltiofeno) (P3DDT). Os P3ATs poli(3-alquiltiofenos) foram depositados em ITO (Indium-Tin Oxide), e realizado para a caracterização desses materiais de espectroscopia UV-Visível, eletroquímicas e condutividade. Através dessas medidas foi possível estabelecer uma relação entre a organização, reversibilidade e condutividade desses materiais, possibilitando construir um diagrama de energia para esses derivados alquilados do politiofeno. / In this work we were used alkylated derivatives of polythiophene (P3ATs), and they regioirregulares (RI) andregiorregulares (RR), differentiated by molecular organization. These materials exhibit different characteristics when manufactured using different techniques such as the Langmuir-Blodgett (LB) and Langmuir-Schaeffer (LS). The objective is to manufacture mixed films with both LB and LS techniques, and derivatives mixed with stearic acid (Stearic Acid SA) in order to check the energy diagram according to the conductivity of each organization and polythiophene. LB films were deposited and LS poly(3-butylthiophene) (P3BT), poly(3-hexylthiophene) (P3HT), poly(3-octylthiophene) (P3OT) and poly(3-dodectiltiofeno) (P3DDT). The P3ATs poly(3-alquiltiofenos) were deposited on ITO (Indium-Tin Oxide), and held for characterizing these materials spectroscopy UV-Visible, electrochemical, and conductivity. Through these measures it was possible to establish a relationship between the organization, reversibility and conductivity of these materials, making it possible to build an energy diagram for these alkylated derivatives of polythiophene.
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Du nanocristal de PbSe à l'hétéro-nanostructure PbSe/CdSe : synthèse chimique et caractérisation des propriétés physiques

Habinshuti, J. 14 January 2011 (has links) (PDF)
Ces dernières années, les nanocristaux (NCs) semi-conducteurs ont reçu un intérêt grandissant pour deux raisons principalement. D'une part, ces objets possèdent des tailles qui se situent entre celles des molécules et des matériaux cristallins. Leur étude d'un point de vue fondamental est par conséquent utile pour mieux comprendre les propriétés de la matière condensée en fonction de la dimension des objets étudiés . En particulier, les NCs de chalcogénures de plomb possèdent une constante diélectrique élevée (ε∞=23 pour PbSe) et des porteurs de charges ayant des faibles masses effectives, conduisant à la formation d'excitons avec un large rayon de Bohr effectif. De ce fait, ce sont des objets de choix pour étudier le régime de fort confinement quantique. D'autre part, la miniaturisation des composants électroniques nécessite l'utilisation d'objets semi-conducteurs aux dimensions de plus en plus petites, avec des coûts de fabrication les plus bas possibles. Les NCS semi-conducteurs, dont les synthèses chimiques sont généralement simples, répondent à cet enjeu et un certain nombre d'applications tirent avantage de leurs propriétés optiques. Dans la première partie de cette thèse, la méthode de synthèse des NCs de PbSe est décrite. Grâce à l'utilisation de plusieurs techniques de caractérisation (microscopies électroniques, diffraction des rayons X (XRD), diffraction électronique (SAED)), l'optimisation de cette méthode a conduit à l'obtention de NCs monodisperses en taille et possédant une structure cristalline parfaite. Dans un second temps, des études plus fines en spectroscopie Raman ont confirmé la qualité structurale des NCs. Elles ont aussi permis d'étudier les effets de confinement sur le spectre des phonons optiques longitudinaux. Enfin, les NCs de PbSe se détériorant rapidement à l'air, des structures coeur coquille ont été élaborées pour réaliser de l'ingénierie de bande dans des NCs à hétérostructures. En utilisant le rayonnement synchrotron et après avoir développé des techniques de dépôt de films ultra minces de NCs coeur-coquille PbSe/CdSe, la discontinuité de la bande de valence de ces structures a été étudiée par spectroscopie de photoélectrons.

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