La problématique de ma recherche vise à articuler trois axes principaux : Tradition, Culture et Transmissions Intergénérationnelle, ceci à travers l’exemple de l’étude d’une tradition fortement ancrée dans la culture marocaine, le Moussem de la Procession des cierges de Salé, qui a lieu une fois par an lors de l’anniversaire du Prophète Mohammed (sws).Cette recherche s’enrichit de comparaisons nationales et internationales, de manière à questionner à la fois la singularité de cette pratique et ses liens avec d’autres traditions. Elle s’est appuyée sur l’étude d’archives, articles et ouvrages historiques, ainsi des déplacements au Maroc pour recueillir, sur place, des données sous forme d’entretiens auprès des participants actuels à cette tradition : comment est-elle parvenue jusqu’à eux, pourquoi la mettent-ils toujours en œuvre, avec quels éventuels aménagements en lien avec l’époque actuelle ? / Memories, traditions and Intergenerational transmissions are dealt with in this research through a case study: The Moussem of candles of Salé. By giving voice to the people concerned through interviews and experience story. The candle procession is a slaoui intangible heritage that not only presents an individual memory of each member of the Hassouni and Bellakbir families, but also a collective memory of each Siaoui and even of each Moroccan accustomed to come to witness the candle procession. The results of this research are divided into three chapters, the first being reserved for the men of the Hassouni and Bellakbir families, the second for the women Hassouni family only. And the third part is reserved to the artisans and the professional of the intangible cultural heritage. Transmission and traditions are definded by each member of the family share the same aspirations, knowledge and beliefs while having a collective conscience. This thesis shows the advantage of carrying out a case study on the Moussem of candles. We have analyzed this study in a plural way in order to show that this Moussem is not just a party but a collective history and a knowledge deserving to be preserved and perpetuated to the following generations.

Les implants cardiaques tels que les défibrillateurs implantables sont des appareils permettant de sauver la vie dans le cas de troubles de l’arythmie cardiaque soudaine. Tandis que dans le cas des attaques cardiaques, les implants CRT sont utilisés pour rétablir la cadence de la contraction cardiaque. De tels traitements consistent en l’application de stimulations locales au tissue cardiaque via des électrodes se trouvant dans les sondes de stimulation. Ces dernières se présentent soit dans une configuration unipolaire ou bipolaire qui ont prouvé leur efficacité pour stimuler le ventricule droit et l’oreillette droite ; des études ont montré l’efficacité de la sonde multi-électrode dans la stimulation du ventricule gauche indispensable pour la resynchronisation cardiaque. Cette thèse traite de la conception et l’optimisation d’un système multi-électrodes capable d’éviter les limitations et les contraintes liées à la stimulation du ventricule gauche. Tout d’abord, une réalisation de ce système cette est présentée et fabriqué dans une technologie 0.18 µm. Le circuit a également un protocole de communication spécifique. Il permet une opération basse consommation et une configuration rapide. Ensuite, la conception et la réalisation d’une unité de configuration par défaut est présentée. Cette unité assure la compatibilité de notre sonde avec les stimulateurs cardiaques du marché. Finalement, une étude pour l’adaptation et l’intégration des technologies mémoire non-volatile dans la sonde est présentée. De telles technologies améliorent considérablement le système en évitant le besoin de reconfiguration des sondes et en conséquence réduire la latence et la consommation. / Cardiac implants like ICD are life saving devices for cardiac arrhythmias. In other conditions like heart failure, CRT implants are prescribed to restore the heart rhythm. Such treatment consists of the delivery of electrical stimuli to the cardiac tissue via electrodes in the stimulation lead. Conventionally the stimulation lead come either in unipolar or bipolar configuration which have been found to be sufficient for pacing the right atrium and right ventricle, studies have shown the benefits of a multi-electrode system for pacing left ventricle essential for cardiac resynchronization. This thesis discusses the design and optimization of a multi-electrode system capable of alleviating the limitations and constraints related to left ventricular stimulation. We first present implementation of such system that was taped out in 0.18 µm technology. The chip also features a specially designed communication protocol which enables low power operation and quick configuration. Thereafter we present the design and implementation of a default connection unit to ensure the compatibility of our multi-electrode lead with in the market. This unit was taped out in 0.18 µm technology. Finally we present a proof of concept study for the adaptation and integration of non-volatile memory technologies within the multi-electrode system. The employment of such technologies enhanced our multi-electrode system by eliminating the repetitive configuration of electrodes, thereby saving power and reducing latency. This also included smaller area and compatibility with any pacemaker in the market. Through simulations we proved the feasibility of these technologies for our implant applications.

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Cette thèse aborde une approche originale de réalisation de composants organiques (transistors, mémoires volatiles et non volatiles) à base d’un semiconducteur de type N “PolyeraTM N2200”. Tout d’abord, des transistors à effet de champ ont été fabriqués et optimisés en améliorant notamment certains paramètres technologiques. Par la suite, ces transistors ont été simulés à l’aide du logiciel ISE TCAD®, un logiciel basé sur un modèle 2D à effet de champ et de dérive-diffusion. Les propriétés électriques de ces dispositifs organiques ont été étudiées en fonction de l’influence de la mobilité des porteurs, des densités des pièges, et de leur énergie… . Les effets des pièges d'interface ont également été pris en considération. Par ailleurs, on y incorporant une couche de nanoparticules d’or (NP’s Au), on a réussi à développer des composants appelés « NOMFET » qui miment le comportement d’une synapse biologique tout en reproduisant les effets dépressifs et facilitateurs avec une amplitude relative de 50% et une réponse dynamique de l’ordre de 4s. En étudiant la dynamique de chargement et de déchargement des NP’s d’or, on a mis en évidence une fonction d’apprentissage anti-Hebbienne, un des mécanismes fondamentaux de l’apprentissage non-supervisé d’une synapse inhibitrice dans un réseau de neurones biologiques. Finalement, des mémoires FLASH, ont été réalisées en combinant des NP’s d’or avec des monofeuillets d’oxyde de graphène réduit (rGO). Ces mémoires « FLASH » appelées aussi mémoires à double grille flottante montrent une large fenêtre de mémorisation (~68V), un temps de rétention élevé (>108s) et d’excellentes propriétés d’endurance (1000 cycles d’écriture/effacement). / The subject of this thesis adopt an original approach to realize new components (transistor, volatile and non-volatiles memory) based on N type organic semiconductor “PolyeraTM N2200”. First, we have fabricated and optimized organic field effect transistors by modifying some technological parameters related to fabrication. Then, we have analyzed their electrical properties with the help of two-dimensional drift-diffusion simulator using ISE-TCAD®. We studied the fixed surface charges and the effect of the organic semiconductor/oxide interface traps. The dependence of the threshold voltage on the density and energy level of the trap states has been also considered. , by incorporating gold nanoparticles in these devices, we have developed a new device called “NOMFETs” (nanoparticles organic memory field effect transistors), which mimic the behavior of biological synapse by reproducing a facilitating and a depressing drain current with a relative amplitude of about 50% and a dynamic response of about 4s. Studying the charging/discharging dynamics, we demonstrated a typical anti-Hebbien learning function, one of the fundamental mechanisms of the unsupervised learning in biological neural networks. Finally, we developed nonvolatile “FLASH” memory devices, by combining metallic gold nanoparticles and reduced graphene oxide (rGO) monolayer flakes. This double floating gate architecture provided us a good charge trapping ability which include a wide memory window (~68V), a long extrapolated retention time (> 108 s) and strong endurance properties (1000 write/erase cycles).

Les Mémoires ont de plus en plus importance à l'époque actuelle, et sont fondamentales pour la définition de tous les systèmes électroniques avec lesquels nous entrons en contact dans notre vie quotidienne. Les mémoires non-volatiles (NVM), représentées par la technologie Flash, ont pu suivre jusqu'à présent l'effort à la miniaturisation pour satisfaire la demande croissante de densité de mémoire exigée par le marché. Cependant, la réduction de la taille du dispositif de mémoire est de plus en plus difficile et la complexité technologique demandé a augmenté le coût par octet. Dans ce contexte, les technologies de mémoire innovantes deviennent non seulement une alternative, mais la seule solution possible pour fournir une densité plus élevée à moindre coût, une meilleure fonctionnalité et une faible consommation d'énergie. Les Mémoires à Changement de Phase (PCM) sont considérées comme la solution de pointe pour la future génération de mémoires non-volatiles, grâce à leur non-volatilité , scalabilité, "bit-alterability", grande vitesse de lecture et d'écriture, et cyclabilité élevée. Néanmoins, certains problèmes de fiabilité restent à surmonter afin de rendre cette technologie un remplacement valable de la technologie Flash dans toutes les applications. Plus en détail, la conservation des données à haute température, est l'une des principales exigences des applications embarquées industrielles et automobiles. Cette thèse se concentre sur l'étude des mémoires à changement de phase pour des applications embarquées, dans le but d'optimiser le dispositif de mémoire et enfin de proposer des solutions pour surmonter les principaux obstacles de cette technologie, en abordant notamment les applications automobiles. Nous avons conçu, fabriqué et testé des dispositifs PCM basés sur des structures reconnues et innovantes, en analysant leurs avantages et inconvénients, et en évaluant l'impact de la réduction de la taille. Notre analyse de fiabilité a conduit au développement d'un système de caractérisation dédié à caractériser nos cellules PCM avec des impulsions de l'ordre de la nanoseconde, et à la mise en oeuvre d'un outil de simulation basé sur un solveur thermoélectrique et sur l'approche numérique "Level Set", pour comprendre les différentes mécanismes qui ont lieu dans nos cellules pendant les opérations de programmation. Afin de répondre aux spécifications du marché des mémoires non-volatiles embarquées, nous avons conçu le matériau à changement de phase intégré dans le dispositif PCM avec deux principales approches: la variation de la stoechiométrie et l'ajout de dopants. Nous avons démontré et expliqué comment la rétention des données dans les dispositifs PCM à base de GeTe peut être améliorée avec l'augmentation de la concentration de Te, et comment les inclusions de SiO2 peuvent réduire les défauts causés par la tension de lecture à températures de fonctionnement élevées. En outre, nous avons présenté les avantages sur la réduction de la puissance de programmation du dopage de carbone dans les dispositifs à base de GST. Enfin, nous avons étudié les effets de l'enrichissement en Ge dans le GST, combiné avec le dopage N et C, intégré dans des cellules PCM à l'état de l'art. Grâce à l'introduction d'une nouvelle technique de programmation, nous avons démontré la possibilité d'augmenter la vitesse de programmation de ces dispositifs, caractérisés par des performances de rétention des données parmi les meilleurs rapportés dans la littérature, et de réduire le phénomène de la dérive de la résistance qui affecte la stabilité de l'état programmé des cellules PCM. Nous avons donc prouvé, avec ces derniers résultats, la validité de la technologie PCM pour les applications embarquées.

Les Mémoires ont de plus en plus importance à l'époque actuelle, et sont fondamentales pour la définition de tous les systèmes électroniques avec lesquels nous entrons en contact dans notre vie quotidienne. Les mémoires non-volatiles (NVM), représentées par la technologie Flash, ont pu suivre jusqu'à présent l'effort à la miniaturisation pour satisfaire la demande croissante de densité de mémoire exigée par le marché. Cependant, la réduction de la taille du dispositif de mémoire est de plus en plus difficile et la complexité technologique demandé a augmenté le coût par octet. Dans ce contexte, les technologies de mémoire innovantes deviennent non seulement une alternative, mais la seule solution possible pour fournir une densité plus élevée à moindre coût, une meilleure fonctionnalité et une faible consommation d'énergie. Les Mémoires à Changement de Phase (PCM) sont considérées comme la solution de pointe pour la future génération de mémoires non-volatiles, grâce à leur non-volatilité , scalabilité, "bit-alterability", grande vitesse de lecture et d'écriture, et cyclabilité élevée. Néanmoins, certains problèmes de fiabilité restent à surmonter afin de rendre cette technologie un remplacement valable de la technologie Flash dans toutes les applications. Plus en détail, la conservation des données à haute température, est l'une des principales exigences des applications embarquées industrielles et automobiles. Cette thèse se concentre sur l'étude des mémoires à changement de phase pour des applications embarquées, dans le but d'optimiser le dispositif de mémoire et enfin de proposer des solutions pour surmonter les principaux obstacles de cette technologie, en abordant notamment les applications automobiles. Nous avons conçu, fabriqué et testé des dispositifs PCM basés sur des structures reconnues et innovantes, en analysant leurs avantages et inconvénients, et en évaluant l'impact de la réduction de la taille. Notre analyse de fiabilité a conduit au développement d'un système de caractérisation dédié à caractériser nos cellules PCM avec des impulsions de l'ordre de la nanoseconde, et à la mise en oeuvre d'un outil de simulation basé sur un solveur thermoélectrique et sur l'approche numérique "Level Set", pour comprendre les différentes mécanismes qui ont lieu dans nos cellules pendant les opérations de programmation. Afin de répondre aux spécifications du marché des mémoires non-volatiles embarquées, nous avons conçu le matériau à changement de phase intégré dans le dispositif PCM avec deux principales approches: la variation de la stoechiométrie et l'ajout de dopants. Nous avons démontré et expliqué comment la rétention des données dans les dispositifs PCM à base de GeTe peut être améliorée avec l'augmentation de la concentration de Te, et comment les inclusions de SiO2 peuvent réduire les défauts causés par la tension de lecture à températures de fonctionnement élevées. En outre, nous avons présenté les avantages sur la réduction de la puissance de programmation du dopage de carbone dans les dispositifs à base de GST. Enfin, nous avons étudié les effets de l'enrichissement en Ge dans le GST, combiné avec le dopage N et C, intégré dans des cellules PCM à l'état de l'art. Grâce à l'introduction d'une nouvelle technique de programmation, nous avons démontré la possibilité d'augmenter la vitesse de programmation de ces dispositifs, caractérisés par des performances de rétention des données parmi les meilleurs rapportés dans la littérature, et de réduire le phénomène de la dérive de la résistance qui affecte la stabilité de l'état programmé des cellules PCM. Nous avons donc prouvé, avec ces derniers résultats, la validité de la technologie PCM pour les applications embarquées. / Memories are getting an exponential importance in our present era, and are fundamental in the definition of all the electronic systems with which we interact in our daily life. Non-volatile memory technology (NVM), represented by Flash technology, have been able to follow till now the miniaturization trend to fulfill the increasing memory density demanded by the market. However, the scaling is becoming increasingly difficult, rising their cost per byte due to the incoming technological complexity. In this context, innovative memory technologies are becoming not just an alternative, but the only possible solution to provide higher density at lower cost, better functionality and low power consumption. Phase-Change Memory (PCM) technology is considered the leading solution for the next NVM generation, combining non-volatility, scalability, bit-alterability, high write speed and read bandwidth and high cycle life endurance. However, some reliability issues remain to overcome, in order to be a valid Flash replacement in all the possible applications. In particular, retention of data at high temperature, is one of the main requirements of industrial and automotive embedded applications. This work focuses on the study of embedded Phase-Change Memories, in order to optimize the memory device and finally propose some solutions to overcome the main bottlenecks of this technology, in particular addressing automotive applications. We designed, fabricated, and tested PCM devices based on recognized and innovative structures, analyzing their advantages and disadvantages, and evaluating the scaling impact. Our reliability analysis led to the development of a characterization setup dedicated to characterize our PCM cells with pulses in the order of nanoseconds, and to the implementation of a simulation tool based on a thermoelectrical solver and on the Level Set numerical approach, to understand the different mechanisms taking place in our cells during the programming operations. In order to fulfill embedded NVM requirements, we engineered the phase-change material integrated in the PCM device with two main approaches: the stoichiometry variation and the dopants addition. We showed and explained how the data retention in GeTe based PCM devices can be enhanced increasing Te content, and how SiO2 inclusions can reduce the read voltage disturbs at high operating temperatures. Moreover, we reported the advantages on the programming power reduction of carbon doping in GST based devices. Finally, we studied the effects of Ge enrichment in GST, combined with N or C doping, integrated in state of the art PCM cells. Through the introduction of a new programming technique, we demonstrated the possibility to improve the programming speed of these devices, characterized by data retention performance among the best reported in the literature, and to reduce the drift phenomenon that affects the resistance state stability of PCM technology. We then proved, with these last results, the suitability of PCM for embedded applications.

Cette thèse propose une lecture de l’œuvre monumentale de Chateaubriand, les Mémoires d’outre-tombe à propos du thème de la satire comme genre littéraire et comme tonalité d’écriture. La démarche est très ambitieuse étant donné la complexité des niveaux de lecture, de l’autobiographie à la fresque historique en passant par la critique sociale et politique. De même l’écriture épique, poétique, satirique et comique fait découvrir un autre Chateaubriand. Face à ce monument souvent considéré comme inclassable, cette thèse présente un plan clair avec une première partie qui dresse d’abord un tableau des grands évènements au centre des Mémoires. L’introduction et la première partie dégagent la double face de cette thèse entre civilisation et sociocritique, entre un tableau de la France et une étude de genre : Qu’est-ce que la satire ? et l’évolution du genre de Juvénal à Chateaubriand.Dans la deuxième partie et la troisième partie, sont exposés les objets de la satire, à savoir la politique et son image, puis la question sociale. Les informations sont nombreuses, car elles dressent un portrait nuancé de cet aristocrate fier et blessé : il condamne les tyrannies, les révolutions et leurs violences, mais il exalte la liberté des peuples et surtout reste lucide, malgré sa foi en eux, sur les erreurs des derniers Bourbons.La quatrième partie répond à la problématique de la recherche : la satire et sa rhétorique. Les différentes nuances de l’écriture satirique sont analysées : de l’ironie au cynisme en passant par le comique. Le comique n’est jamais gratuit, il sert souvent à cacher l’amertume des sentiments et la dérision des situations. De même, le cynisme ne vient pas d’une froideur d’esprit, mais d’une blessure intérieure ou de désillusions blessantes pour l’amour-propre. Pour cette raison, le sarcasme est une étape entre le comique et le cynisme, le premier masquant le deuxième dans les Mémoires / This thesis offers a reading of monumental work of Chateaubriand’s Memoirs from beyond the grave about the theme of satire as a literary genre and tone as writing. The approach is very ambitious given the complexity of reading levels, from autobiography to historical epic through the social and political critique. Similarly writing an epic, poetic, satirical and comic reveals another Chateaubriand. Face the monument often considered unclassifiable, this thesis presents a clear plan with a first part which first draws up a schedule of major events in the center of the Memoirs. The introduction and release the first part of this double-sided argument between civilization and social criticism, among an array of France and a study of gender: What is satire? and evolution of the kind of Juvenal to Chateaubriand.In part two and part three, exposed objects of satire, namely politics and his image, then the social question. Information are many, because they paint a nuanced portrait of this proud and wounded aristocrat: he condemns tyranny, revolution and violence, but it enhances the freedom of peoples and especially remains lucid, despite his faith in them, on errors the last Bourbons.The fourth section addresses the research problem: satire and rhetoric. The different shades of satirical writing are analyzed: the irony to cynicism through the comic. The comedy is never free, it is often used to hide the bitterness of feeling and derision situations. Similarly, cynicism is not from a cold mind, but an inner hurt or disappointment hurtful to self-esteem. For this reason, sarcasm is a step between comedy and cynicism, the first masking the second in the Memoirs

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La complexité des systèmes électroniques ne cesse d’augmenter, tout comme la tendance actuelle de miniaturisation des transistors. La fiabilité est ainsi devenue un continuel défi. Les environnements hostiles caractérisés par des conditions extrêmes de hautes températures affectent le bon fonctionnement des systèmes. Pour les composants de stockage de données, la température est considérée comme une menace pour la fiabilité. Le développement de techniques de suivi et de contrôle devient ainsi essentiel afin de garantir la fiabilité des mémoires volatiles et non volatiles. Dans le cadre de ma thèse, je me suis intéressée à deux types de mémoires : les mémoires NAND Flash et les mémoires SRAM. Pour contrôler les effets de la température sur les mémoires Flash, une solution basée sur l’utilisation d’un timer a été proposée afin de réduire la fréquence de rafraîchissement de ces mémoires tout en continuant à garantir l’intégrité de l’information stockée. Pour les mémoires SRAM, l’effet de la température sur la vulnérabilité par rapport aux événements singuliers (SEU) a été étudiée. Une étude comparative sur l’apparition des SEU a été menée avec différentes températures pour des cellules standards 6T-SRAM et des cellules de stockage durcies (DICE). Enfin, une méthode statistique et une approximation calculatoire basées sur des opérations de vérification périodique ont été proposées afin d’améliorer le taux d’erreurs (RBER) tolérable dans des SSDs de type Entreprise à base de mémoires Flash. / With the constant increase of microelectronic systems complexity and the continual scaling of transistors, reliability remains one of the main challenges. Harsh environments, with extreme conditions of high temperature and thermal cycling, alter the proper functioning of systems. For data storage devices, high temperature is considered as a main reliability threat. Therefore, it becomes essential to develop monitoring techniques to guarantee the reliability of volatile and non-volatile memories over an entire range of operating temperatures. In the frame of this thesis, I focus my studies on two types of memories: NAND Flash memories and SRAM. To monitor the effects of temperature in NAND Flash Memories, a timer-based solution is proposed in order to reduce the refresh frequency and continue to guarantee the integrity of data. For SRAM memories, the effect of temperature on Single Event Upset (SEU) sensitivity is studied. A comparative study on SEU occurrence under different temperatures is conducted for standard 6T-SRAM cells and hardened Dual Interlocked Storage Cells (DICE). Finally, statistical and computational approximation techniques based on periodic check operations are proposed in order to improve the tolerated Raw Bit Error Rate (RBER) in enterprise-class Flash based SSDs.