O presente estudo teve por objetivo avaliar por meio da análise de freqüência de ressonância (AFR) o efeito da irradiação com laser de GaAlAs na estabilidade de implantes de titânio, como cociente de estabilidade do implante (ISQ) instalados em pacientes parcialmente edentados na região posterior da mandíbula; assim como avaliar a evolução da estabilidade dos implantes, durante o período de osseointegração. Foram selecionados 8 pacientes adultos, com boa saúde para a instalação cirúrgica de 30 implantes Xive S® (Dentsply). Portanto, foram instalados de 2 a 5 implantes por paciente, distribuídos bilateralmente. Cada paciente atuou como seu próprio controle. Os implantes do lado controle não foram irradiados, e os do lado experimental foram submetidos a terapia com laser de diodo GaAlAs com ?= 830 nm, densidade de energia de 8 j/cm2, potência de 100 mW, modo contínuo, de forma pontual em 20 pontos, durante 3 segundos por ponto. A primeira sessão de irradiação foi no pós-operatório imediato, sendo repetida a cada 48 horas nos primeiros 14 dias, totalizando 7 irradiações. Após a instalação dos implantes foi medida a estabilidade primária destes com o aparelho Osstell?. Novas medidas de ISQ foram realizadas após 10 dias, e 3, 6, 9 e 12 semanas. No momento da instalação, os valores de ISQ na região posterior da mandíbula oscilaram de 65-84 com média de 76, sofrendo queda significativa da estabilidade do 100 dia para a 6a semana no grupo irradiado e apresentando um aumento gradual a partir da 6a semana até a 12a semana. Os valores mais altos de ISQ foram observados no 100 dia no grupo irradiado, embora sem significância estatística, e os mais baixos foram observados na 6a semana em ambos os grupos. Não foi evidenciado o efeito do laser de GaAlAs na estabilidade dos implantes com o aparelho OsstellTM, porém não se pode afirmar que os padrões de reparação óssea e a taxa de osseointegração entre os implantes irradiados e não irradiados tenham sido similares. / JThe present study was carried out to evaluate the effect of irradiation with the GaALAs laser in the stability of titanium implants (ISQ), inserted in partially edentulous patients, by means of resonance frequency analysis (RFA); as well as to evaluate the evolution of the stability during the osseointegration processs. A group of 8 patients were seleted for the insertion of 30 implants (Xive S® - Dentsply). The implants in the control site were not irradiated, and the implants in the experimentall site were submitted to laser therapy with a GaAlAs with ?= 830 nm, energy density of 8 j/cm2, power of 100 mW, continuing mode, in 20 points, for 3 seconds per point. The first irradiation was immediately after the surgery, and it was repeated every 48 hours in the first 14 days, totalizing 7 irradiations. After the implants insertion, the primary stability was measured using Osstell?. New measurements were carried out after 10 days, 3, 6, 9, 12 weeks. The incial ISQ values ranged from 65-84, with a mean of 76, showing a significative decrease in the stability from the 10th day to the 6th weeks in the irradiated group, and showing a gradual increase from 6th to 12th week. The highest ISQ values were observed in the 10th day in the irradiated group, and the lower ISQ values were observed in the 6th week in both groups. The effect of the irradiation with GaAlAs laser in implant stability was not evicenced; however, it can not be affirmed that irradiated and not irradiated implants have similar bone repair patterns and osseointegration rates.

O presente estudo teve por objetivo avaliar por meio da análise de freqüência de ressonância (AFR) o efeito da irradiação com laser de GaAlAs na estabilidade de implantes de titânio, como cociente de estabilidade do implante (ISQ) instalados em pacientes parcialmente edentados na região posterior da mandíbula; assim como avaliar a evolução da estabilidade dos implantes, durante o período de osseointegração. Foram selecionados 8 pacientes adultos, com boa saúde para a instalação cirúrgica de 30 implantes Xive S® (Dentsply). Portanto, foram instalados de 2 a 5 implantes por paciente, distribuídos bilateralmente. Cada paciente atuou como seu próprio controle. Os implantes do lado controle não foram irradiados, e os do lado experimental foram submetidos a terapia com laser de diodo GaAlAs com ?= 830 nm, densidade de energia de 8 j/cm2, potência de 100 mW, modo contínuo, de forma pontual em 20 pontos, durante 3 segundos por ponto. A primeira sessão de irradiação foi no pós-operatório imediato, sendo repetida a cada 48 horas nos primeiros 14 dias, totalizando 7 irradiações. Após a instalação dos implantes foi medida a estabilidade primária destes com o aparelho Osstell?. Novas medidas de ISQ foram realizadas após 10 dias, e 3, 6, 9 e 12 semanas. No momento da instalação, os valores de ISQ na região posterior da mandíbula oscilaram de 65-84 com média de 76, sofrendo queda significativa da estabilidade do 100 dia para a 6a semana no grupo irradiado e apresentando um aumento gradual a partir da 6a semana até a 12a semana. Os valores mais altos de ISQ foram observados no 100 dia no grupo irradiado, embora sem significância estatística, e os mais baixos foram observados na 6a semana em ambos os grupos. Não foi evidenciado o efeito do laser de GaAlAs na estabilidade dos implantes com o aparelho OsstellTM, porém não se pode afirmar que os padrões de reparação óssea e a taxa de osseointegração entre os implantes irradiados e não irradiados tenham sido similares. / JThe present study was carried out to evaluate the effect of irradiation with the GaALAs laser in the stability of titanium implants (ISQ), inserted in partially edentulous patients, by means of resonance frequency analysis (RFA); as well as to evaluate the evolution of the stability during the osseointegration processs. A group of 8 patients were seleted for the insertion of 30 implants (Xive S® - Dentsply). The implants in the control site were not irradiated, and the implants in the experimentall site were submitted to laser therapy with a GaAlAs with ?= 830 nm, energy density of 8 j/cm2, power of 100 mW, continuing mode, in 20 points, for 3 seconds per point. The first irradiation was immediately after the surgery, and it was repeated every 48 hours in the first 14 days, totalizing 7 irradiations. After the implants insertion, the primary stability was measured using Osstell?. New measurements were carried out after 10 days, 3, 6, 9, 12 weeks. The incial ISQ values ranged from 65-84, with a mean of 76, showing a significative decrease in the stability from the 10th day to the 6th weeks in the irradiated group, and showing a gradual increase from 6th to 12th week. The highest ISQ values were observed in the 10th day in the irradiated group, and the lower ISQ values were observed in the 6th week in both groups. The effect of the irradiation with GaAlAs laser in implant stability was not evicenced; however, it can not be affirmed that irradiated and not irradiated implants have similar bone repair patterns and osseointegration rates.