Alors que le développement industriel des technologies CMOS-SOI aborde le cap des longueurs de grille inférieures à 30nm, l’optimisation du module source/drain est identifié comme l’un des verrous technologiques fondamentaux afin d’atteindre le niveau de performance spécifié dans la feuille de route ITRS. Afin d’adresser cette difficulté, une solution consiste à remplacer le module de jonction source/drain conventionnel par un contact métallique de type Schottky dont la hauteur de barrière doit être modulée à la baisse afin de réduire la résistance spécifique de contact. La mise en œuvre des techniques de ségrégation de dopants à basse température a été identifiée comme une technique efficace de réduction de barrière Schottky. D’autre part, l’application de contraintes mécaniques est également connue pour induire une réduction de barrière Schottky par levée de dégénérescence aux minima de bandes. L’objet principal de cette thèse est donc d’étudier la possibilité de cumuler ces deux effets, en particulier dans le cas d’un substrat SOI en tension biaxiale. Les caractérisations morphologiques et électriques réalisées au cours de cette thèse montrent que l’utilisation du siliciure de platine est judicieuse de part sa faible hauteur de barrière Schottky aux trous (250meV). Nous avons également démontré que l’utilisation simultanée des deux méthodes d’abaissement de barrière précédemment citées permet de réduire ce paramètre de 145 meV. Ce travail de thèse a démontré que l’intégration du siliciure de platine combiné à l’utilisation de la ségrégation de dopant et de substrat contraint permettait d’obtenir des jonctions Schottky de type p et n à faible hauteur de barrière. / While the CMOS-SOI technologies development is reaching the sub 30-nm gate length era, the Source/Drain module optimization is identified as a one of the biggest challenge to be solved in order to satisfy the ITRS specification. For the sake of addressing this difficulty, one solution consists in replacing the conventional Source/Drain junction module by Schottky contacts. However, the Schottky Barrier Height has to be lowered in order to reduce the contact resistance to the minimum. The dopant segregation implementation has been identified as an efficient method to reduce the Schottky Barrier Height. The mechanical stress is also known to induce a Schottky Barrier height lowering due to degeneracy breaks at silicon sub bands minima. The main objective of this thesis is to assess the possibility of cumulating these two effects, in particular in the case of a biaxialy strained substrate. Morphological and electrical characteristics showed that the use of platinum silicide is relevant for the low Schottky Barrier Height to hole (250meV). In addition, we demonstrated that the combined implementation of the two aforementioned Schottky Barrier height lowering methods leads to a reduction equal to 145meV. This thesis work illustrates that platinum silicide integration combined with the use of dopant segregation and advanced strained substrates provide Schottky junctions with a low barrier height for both p- and n-type.

Une méthode de dépôt de platine sur or a récemment été développée. Le substrat est, dans une première phase, modifié par un dépôt d’un métal moins noble que le platine, tel que le cuivre ou le plomb. Ce dépôt métallique est, dans une seconde phase, mis en contact avec une solution de sel de platine et la substitution spontanée du cuivre ou du plomb par du platine métallique se produit. Notre travail de thèse a pour objectif l’étude des facteurs influençant la réactivité du platine en présence d’or vis-à-vis de la réduction de l’oxygène en milieu acide. Nous avons examiné l’effet de l’or associé au platine en tant que support de particules ou allié en surface avec ce dernier. Les électrodes d’or modifiées par des dépôts de platine obtenus par la substitution de cuivre ou de plomb présentent une activité électrocatalytique qui dépend du sens du balayage en potentiel. En effet, l’activité lors du balayage aller (vers des potentiels moins positifs) est inférieure à celle du platine pur. Par contre, l’or du balayage retour, l’activité du platine sur or est supérieure à celle du métal pur. La comparaison avec un support de carbone vitreux, modifié dans les mêmes conditions par substitution du cuivre, montre une activité électrocatalytique inférieure. Des mesures de microscopie à force atomique (AFM) nous ont permis d‘établir un lien entre l’activité électrocatalytique et la morphologie des dépôts de platine. Une morphologie consistant en une importante densité de particules de petite taille (environ quelques dizaines de nm de diamètre), dispersées de manière homogène, est associée à une activité électrocatalytique élevée. Ce type de morphologie est favorisé par l’utilisation d’un substrat d’or et un dépôt métallique à une surtension élevée. La formation d’alliages de surface or-platine a été réalisée par substitution de cuivre ou de plomb simultanément par de l’or et du platine, mais également par co-dépôts électrochimiques des deux métaux. Quelque soit le mode de dispersion, la cinétique de la réaction de réduction de l’oxygène n’est pas favorisée par la présence de l’or en surface en milieu acide. Nous observons toutefois une haute activité électrocatalytique en milieu basique. Ceci est probablement dû à un effet synergique entre l’or et le platine, permettant une meilleure adsorption des espèces OH.

Thèse de doctoral : Sciences de l'ingénieur et microtechniques : Besançon : 2008. Thèse de doctoral : Sciences de l'ingénieur et microtechniques : Belfort-Montbéliard : 2008. / Bibliogr. à la fin de chaque chapitre. Glossaire.

Reproduction de : Thèse de doctorat : Chimie théorique, physique et analytique : Poitiers : 2008. / Titre provenant de l' écran-titre. Bibliogr.169 réf.

Thèse de doctorat : Chimie : Strasbourg : 2009. / Titre provenant de l'écran-titre. Notes bibliogr.. Index.

Reproductin de : Thèse de doctorat : Physique de la matière condensée : Lyon 1 : 2007. / Titre provenant de l'écran titre. 190 réf. bibliogr.

Une méthode de dépôt de platine sur or a récemment été développée. Le substrat est, dans une première phase, modifié par un dépôt d’un métal moins noble que le platine, tel que le cuivre ou le plomb. Ce dépôt métallique est, dans une seconde phase, mis en contact avec une solution de sel de platine et la substitution spontanée du cuivre ou du plomb par du platine métallique se produit.<p><p>\ / Doctorat en Sciences / info:eu-repo/semantics/nonPublished

La technologie de piles à combustible PEM (Proton Exchange Membrane) voit encore sa commercialisation limitée du fait de son coût élevé. L'un des éléments les plus coûteux est le catalyseur, constitué de platine, métal noble, représentant 25 % du coût global. L'étude mise en place dans le cadre de cette thèse s'oriente vers l'amélioration de l'utilisation de cet élément. La voie de nanostructuration s'avère d'un intérêt majeur afin de maintenir des tailles de structure proposant des propriétés électrocatalytiques intéressantes. De plus, l'élaboration électrochimique de catalyseurs présente l'avantage majeur de remplir l'une des conditions nécessaires en pile à combustible : le contact électronique. La réunion des deux précédents points nous a permis de mettre en place un procédé d'élaboration électrochimique de nanostructures, ensuite charactérisées par méthodes électrochimiques et physiques afin d'évaluer et de comprendre leurs propriétés catalytiques.

Reproduction de : Thèse de doctorat : Physique : Reims : 2004. / Titre provenant de l'écran titre. Références bibliogr. en fin de chapitres.

Reproduction de : Thèse de doctorat : Science et génie des matériaux : Toulouse, INPT : 2005. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. 130 réf.