Le travail présenté dans ce manuscrit concerne l'étude et la réalisation de diodes et de transistors à couches actives polymères. Le polymère utilisé pour cette étude est un poly(3-octylthiophène) régio-régulier synthétisé par M. Delabouglise du Laboratoire d'électrochimie et de physico-chimie des matériaux et des interfaces (LEPMI). Cette étude constitue le premier travail dans le domaine de l'électronique organique au sein du LAAS. <br />Le premier chapitre constitue une revue assez exhaustive des travaux de la littérature dans le domaine. Nous avons notamment détaillé les principes de conduction dans les matériaux organiques en rappelant l'importance des orbitales moléculaires dans le déplacement des charges. Cet état de l'art a aussi consisté à faire un inventaire des principaux matériaux organiques référencés dans la littérature et de comparer leurs performances. <br />La suite du manuscrit fait état de technologie de mise en œuvre et la caractérisation des diodes à base de P3OT. Le 2ème chapitre décrit donc les différentes étapes technologiques permettant d'aboutir aux diodes. Elles sont basées sur le principe d'une mono-couche de P3OT prise en sandwich entre une anode en ITO et une cathode métallique. Nous avons identifié à partir des caractéristiques électriques des diodes réalisées les modèles les plus adaptés à la description de leur comportement. Une étude capacitive a notamment permit de révéler la présence d'une charge d'espace à l'interface métal/polymère.<br /> Le 3ème chapitre aborde la réalisation de transistors de type TFT à base de P3OT. Nous avons extrait de la caractérisation de ces composants une mobilité par effet de champ de 4,1.10-5 cm².V-1.s-1. Nous avons, aussi, mis en exergue l'augmentation de la mobilité en fonction de la tension de grille. La présence importante de pièges à l'interface SiO2/P3OT ou dans le volume du matériau a été mise en évidence. Le vieillissement de nos transistors a aussi été abordé, notamment lors de leur exposition à l'oxygène.