Made available in DSpace on 2016-06-02T20:36:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3007.pdf: 1034908 bytes, checksum: b7056f81961896567d145088cf7e2789 (MD5) Previous issue date: 2008-07-02 / Universidade Federal de Sao Carlos / In this work the anodic film growth on metals has been studied, under voltammetric conditions by simulation. It was supposed that: a) the films are ultrathin, i.e., the concentration gradient contributions for the ionic transport throughout the film are much lower than those of the electric field; b) the ionic transport throughout the film obeys an ohmic model where the film ionic resistivity varies during the transient in response to the injection and recombination of recombinant point defects. A new interpretation was given for the Flade potential as a function of the point defect concentration during a voltammetry. The simulations were able to reproduce some behaviors observed experimentally in current density curves versus potential during a voltammetry, such as the peak current density increment and dislocation for more anodic potentials while the sweep rate increases. The simulations have also shown that the point defect concentration passes by a maximum and the resistivity by a minimum in the course of a voltammetry. As regards to the hypotheses assumed during the application of the ohmic model for experimental results the simulations corroborate one of them, namely, that the curves of current density against the potential corrected by the potential drop in the film fall in a single curve for all sweep rates, and do not confirm another, namely, that the potential of minimum of resistivity coincides with the potential of peak current density. / Neste trabalho estudou-se o crescimento anódico de filmes sobre metais, sob condições voltamétricas, via simulação. Admitiu-se que: a) os filmes são ultrafinos, isto é, as contribuições do gradiente de defeitos para o transporte iônico através do filme são muito menores que aquelas do campo elétrico; b) o transporte de cargas no interior do filme obedece a um modelo ôhmico, onde a resistividade iônica do filme varia durante o transiente em resposta à injeção e recombinação de defeitos pontuais recombinantes. Uma nova interpretação para o potencial de Flade como função da concentração de defeitos durante uma voltametria foi dada. As simulações conseguiram reproduzir alguns comportamentos observados experimentalmente em curvas de densidade de corrente vs. potencial, como o aumento da densidade de corrente de pico e seu deslocamento para potenciais mais anódicos à medida que a velocidade de varredura aumenta. As simulações também mostraram que a concentração de defeitos pontuais passa por um máximo e a resistividade por um mínimo durante uma voltametria. Com relação às hipóteses assumidas durante a aplicação do modelo ôhmico a resultados experimentais as simulações corroboraram uma, a saber, de que as curvas de densidade de corrente contra o potencial corrigido pela queda de potencial no filme caem em uma única curva para todas as velocidades de varredura, e não confirmaram outra, de que o potencial de mínimo de resistividade coincide com o potencial de pico de densidade de corrente.