Submitted by Automa??o e Estat?stica (sst@bczm.ufrn.br) on 2016-08-26T23:22:11Z No. of bitstreams: 1 ValmarDaSilvaSeverianoSobrinho_DISSERT.pdf: 5455840 bytes, checksum: 21030bd15bb16fb2597187481d68f757 (MD5) / Approved for entry into archive by Arlan Eloi Leite Silva (eloihistoriador@yahoo.com.br) on 2016-08-31T19:35:17Z (GMT) No. of bitstreams: 1 ValmarDaSilvaSeverianoSobrinho_DISSERT.pdf: 5455840 bytes, checksum: 21030bd15bb16fb2597187481d68f757 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-08-31T19:35:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ValmarDaSilvaSeverianoSobrinho_DISSERT.pdf: 5455840 bytes, checksum: 21030bd15bb16fb2597187481d68f757 (MD5) Previous issue date: 2016-05-12 / Filmes finos de TiO2 podem ser a resposta para grandes quest?es atuais sobre as melhores maneiras de obter energia, economizar energia e reduzir a polui??o. Tais filmes t?m sido aplicados com sucesso para produ??o de c?lulas solares; como camada em janelas inteligentes, janelas fotocr?micas e eletrocr?micas; al?m de possu?rem propriedades fotocatal?tica interessantes. Este trabalho explora a import?ncia tecnol?gica e cient?fica desse material realizando investiga??es a respeito dos filmes de TiO2, sua forma de deposi??o, t?cnicas de an?lise, detalhando formas atuais de an?lise ?ptica, buscando, de maneira inovadora, comparar tais t?cnicas, validar seu uso, e comparar seus resultados na busca de meios econ?micos da realiza??o de investiga??es a respeito de espessura, estrutura e avalia??o de propriedades fotocatal?ticas do material produzido. Nesse trabalho foram utilizadas, para cria??o de filmes finos, deposi??o f?sica pelo m?todo de magnetron sputterin. Para an?lise ?ptica e c?lculo de espessura e Band Gap dos filmes ser? apresentado o M?todo do Envelope que foi originalmente proposto por Manifacier (Manifacier, Gasiot e Fillard, 1976) sendo que mais tarde Swanepoel (1983) conseguiu melhorar ainda mais a precis?o desse m?todo para encontrar propriedades ?pticas dos filmes finos e sua espessura. Tamb?m ser? apresentado, a aplica??o de equa??es propostas nos trabalhos de Lindgren (Lindgren et al., 2003) e a Lei de Beer-Lambert para c?lculo do Coeficiente de Absor??o dos filmes, outro dado importante para mais tarde determinar o gap dos mesmos, que ser? encontrado pelo M?todo Tauc. Para filmes muito finos, com poucas ou nenhuma franja de interfer?ncia se faz necess?rio o estudo de algum M?todo Computacional para determina??o dos seus par?metros ?pticos e espessura. Para tanto utilizou-se o M?todo PUMA, um M?todo Computacional desenvolvido por pesquisadores da UNICAMP/USP. Os filmes depositados foram analisados por DRX, EDS, al?m de serem submetidos a an?lise ?ptica, MEV transversal buscando validar os m?todos ?pticos em termos das espessuras recuperadas, al?m de encontrado seus Band Gap e seus valores comparados com o esperado pela literatura confrontando tais resultados com a cristalinidade obtida para os filmes. / TiO2 thin films have been successfully used in solar cells, smart windows, photochromic and electrochromic windows and also as photocatalytic coatings. In this work, TiO2 thin films were deposited by magnetron sputtering on a glass substrate and their optical properties, thickness, microstructure and photocatalytic properties were evaluated. Film thicknesses and band gaps were determined by the Swanepoel method using the envelopes in the transmission spectrum and also the PUMA computational method. The films were analyzed by X-ray Diffraction (XRD), Energy Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS), Scanning electron microscopy (SEM) and optical analysis. SEM measured thicknesses were compared to those obtained using the optical methods. The PUMA method proved advantageous for thickness determination of thin films, particularly when the interference fringes are not evident in the transmission spectrum. In addition, film thicknesses determined using the PUMA method were in better agreement with SEM measurements than those determined by the Swanepoel Method.

Submitted by Automa??o e Estat?stica (sst@bczm.ufrn.br) on 2016-02-22T21:55:16Z No. of bitstreams: 1 JoseCesarAugustoDeQueiroz_DISSERT.pdf: 11090566 bytes, checksum: 538148e21b61bcc8bb2deea11aad91bd (MD5) / Approved for entry into archive by Arlan Eloi Leite Silva (eloihistoriador@yahoo.com.br) on 2016-02-24T20:09:42Z (GMT) No. of bitstreams: 1 JoseCesarAugustoDeQueiroz_DISSERT.pdf: 11090566 bytes, checksum: 538148e21b61bcc8bb2deea11aad91bd (MD5) / Made available in DSpace on 2016-02-24T20:09:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 JoseCesarAugustoDeQueiroz_DISSERT.pdf: 11090566 bytes, checksum: 538148e21b61bcc8bb2deea11aad91bd (MD5) Previous issue date: 2015-02-13 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Cient?fico e Tecnol?gico - CNPq / No in?cio do s?culo XX revestimentos superficiais ou filmes finos, eram materiais que despertavam interesses unicamente em aplica??es ?ticas. Esses filmes tinham uma participa??o meramente utilit?ria, onde necessitava apenas da medida da espessura do mesmo e suas propriedades ?ticas. Com o crescimento exponencial do emprego de filmes finos em microeletr?nica, criou-se a necessidade de compreender a natureza intr?nseca dos filmes. Em 1907 foi publicado o primeiro estudo sobre um filme fino transparente e condutor para a luz vis?vel. Tais propriedades foram observadas em filmes de ?xido de c?dmio (CdO) obtidos por pulveriza??o cat?dica seguida de oxida??o t?rmica. Ao passar do tempo, outros filmes como ZnO, SnO2, In2O3 e suas ligas tamb?m foram classificadas como TCO (?xidos Condutores Transparentes). Atualmente o campo de aplica??o de tais filmes ? amplo e compreende setores como mostradores eletr?nicos de cristais l?quidos, eletrodos transparentes usados em eletroqu?mica, janelas inteligentes refletoras de radia??o no infravermelho, coletor solar plano, camada anti-refletoras para c?lulas solares, transistores e camadas passivadoras de superf?cies de dispositivos semicondutores. Neste trabalho estudou-se a propriedades ?ticas e el?tricas de filmas de SnO2:F (di?xido de Estanho dopado com Fl?or) para aplica??es fotovoltaicas, variando a temperatura de sinteriza??o do filmes (500, 550 e 600?C) e a quantidade do agente dopante (NH4F) na solu??o. Os filmes foram depositados via deposi??o qu?mica de vapor, por spray, e caracterizados por Difra??o de raios-X, Transmit?ncia e reflet?ncia, resistividade e condut?ncia. Como resultados pode-se destacar que para filmes sintetizados a temperaturas mais altas tem estruturas mais cristalinas, a cristalinidade dos filmes ? diretamente proporcional a sua resistividade e que para maiores concentra??es de agente dopante tem-se uma diminui??o na resistividade dos filmes.

Submitted by Automa??o e Estat?stica (sst@bczm.ufrn.br) on 2017-06-02T21:55:36Z No. of bitstreams: 1 RonielDeLimaAraujo_DISSERT.pdf: 7628198 bytes, checksum: ee3c1fe4ca93c9df76b5459cb7bea112 (MD5) / Approved for entry into archive by Arlan Eloi Leite Silva (eloihistoriador@yahoo.com.br) on 2017-06-07T21:28:06Z (GMT) No. of bitstreams: 1 RonielDeLimaAraujo_DISSERT.pdf: 7628198 bytes, checksum: ee3c1fe4ca93c9df76b5459cb7bea112 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-06-07T21:28:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 RonielDeLimaAraujo_DISSERT.pdf: 7628198 bytes, checksum: ee3c1fe4ca93c9df76b5459cb7bea112 (MD5) Previous issue date: 2017-03-17 / Neste trabalho, estudamos as propriedades estruturais, eletr?nicas, ?pticas e vibracionais dos cristais ortorr?mbicos de treonina, obtidos atrav?s de simula??es computacionais no formalismo DFT (Teoria Funcional da Densidade), nas aproxima??es de densidade local (LDA-CAPZ) e no gradiente generalizado GGA-PBE). L-treonina ? um amino?cido essencial que desempenha um papel importante nos sistemas biol?gicos, sendo o ?ltimo dos 20 amino?cidos que comp?em as prote?nas, a serem identificados. Para o cristal l-treonina, a otimiza??o da geometria cristalina, par?metros de rede, ?ngulos e dist?ncias interat?micas, estrutura de banda, densidade de ?tomo a ?tomo, absor??o ?ptica, fun??o diel?trica, ?ndice de refra??o, condutividade ?tica, fun??o de perda, espectro infravermelho e Raman. Os par?metros de rede calculados est?o pr?ximos dos resultados experimentais, foram obtidos um gap de banda E = 5,06 eV e um gap de banda E (X ? S) = 4,91 eV indiretos dentro do GGA e LDA, respectivamente. A an?lise da densidade de estados de el?trons permitiu identificar as contribui??es por ?tomo para os estados das bandas de val?ncia e de condu??o, nas propriedades ?pticas ? poss?vel observar uma sensibilidade ao plano de polariza??o da luz incidente 001. Foi obtido um bom acordo entre Os espectros vibracionais IR e Raman dados te?ricos e experimentais do cristal l-treonina. / In this work we present a study of the structural, electronic, optical and vibrational properties of orthorhombic l-threonine crystals, obtained through computational simulations in the DFT formalism (Density Functional Theory), in which local density approximations (LDA-CAPZ) and Of the generalized gradient (GGA-PBE). L-threonine is an essential amino acid that plays an important role in biological systems, being the last of the 20 amino acids that make up the proteins to be identi ed. For the crystal l-threonine, the optimization of crystalline geometry, lattice parameters, angles and inter atomic distances, band structure, state-by-atom density, optical absorption, dielectric function, refractive index, optical conductivity, loss function, infrared spectrum and Raman. The new lattice parameters found are close to the experimental values. A direct band gap E = 5.06 eV and an indirect band gap E (X! S) = 4.91 eV were obtained in the electronic structure for GGA and LDA approaches, respectively. The analysis of the electron states density allowed to identify the contributions per atom for the states in valence and conduction bands from the optical properties it is possible to observe a sensitivity to the plane of incident light polarization 001. A good agreement was obtained between the vibrational spectra IR and Raman theoretical and experimental data of the crystal l-threonine.

Submitted by PPG Engenharia e Tecnologia de Materiais (engenharia.pg.materiais@pucrs.br) on 2018-08-23T14:01:45Z No. of bitstreams: 1 Sandro Fernandes Firmino_TESE.pdf: 4757608 bytes, checksum: 52ddad6a85c21dfa1d36627079848e04 (MD5) / Approved for entry into archive by Sheila Dias (sheila.dias@pucrs.br) on 2018-08-27T11:21:40Z (GMT) No. of bitstreams: 1 Sandro Fernandes Firmino_TESE.pdf: 4757608 bytes, checksum: 52ddad6a85c21dfa1d36627079848e04 (MD5) / Made available in DSpace on 2018-08-27T11:37:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sandro Fernandes Firmino_TESE.pdf: 4757608 bytes, checksum: 52ddad6a85c21dfa1d36627079848e04 (MD5) Previous issue date: 2018-08-20 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior - CAPES / This work proposes the development of a low cost protocol for the production of TCNTs based on silver nanowires (AgNWs) on rigid substrates, and the improvement of the deposition technique to obtain a higher layer homogeneous, aiming at the optimization of its optical and electrical properties. For this, silver nanowires with length and diameter control were produced, aiming to evaluate the influence of these parameters on the optical and electrical properties of TCTFs. The effects of thermal annealing on the morphology of AgNWs networks and on the electrical and optical properties of TCTFs were also investigated. Studies were carried out to improve the deposition technique to obtain more homogeneous films and, as a result of this study, a new deposition technique (VMCV - Vertical Controlled Mechanical Vibration) was developed with INPI (National Institute of Intellectual Property). Silver nanowires were synthesized through the polyol process, which uses a polymer (N-vinylpyrrolidone) (PVP) as the coating agent. The prepared solutions of AgNWs were deposited on rigid substrates (glass / silicon) for analysis of topological and chemical surfaces, resulting in a random network of nanowires. The networks of AgNWs were characterized by MEV-FEG, UV-Vis, XPS and DSC-TGA techniques. The effect of thermal annealing on the AgNWs networks was investigated by means of in situ measurements of the evolution of the electrical resistances, through the technique of two tips, on a hot plate with temperature control system. Our best results exhibit an optical transparency (~ 83% at 550 nm) equivalent to commercial metal oxide thin films (indium oxide-oxide, ITO or fluoride oxide and tin oxide, FTO) and sheet resistance of ~ 23 ? / ?. / Este trabalho tem como proposta o desenvolvimento de um protocolo de baixo custo para produ??o de TCTFs (Filmes Finos Condutores Transparentes) ? base de nanofios de prata (AgNWs) sobre substratos r?gidos, e o aperfei?oamento da t?cnica de deposi??o para a obten??o de uma camada homog?nea, visando ? otimiza??o de suas propriedades ?pticas e el?tricas. Para isto, foram produzidos nanofios de prata com controle de comprimento e di?metro, visando avaliar a influ?ncia destes par?metros sobre as propriedades ?pticas e el?tricas dos TCTFs. Tamb?m foram investigados os efeitos do recozimento t?rmico na morfologia das redes de AgNWs e sobre as propriedades el?tricas e ?pticas dos TCTFs. Foram realizados estudos para o aperfei?oamento da t?cnica de deposi??o para a obten??o de filmes homog?neos e, como resultado deste estudo, desenvolveu-se uma nova t?cnica de deposi??o (VMCV- Vibra??o Mec?nica Controlada Vertical) registrada junto ao INPI (Instituto Nacional de Propriedade Intelectual). Os nanofios de prata foram sintetizados atrav?s do processo poliol, que utiliza um pol?mero (N-vinilpirrolidona) (PVP) como o agente de cobertura. As solu??es preparadas de AgNWs foram depositadas sobre substratos r?gidos (vidro/sil?cio) para an?lises de superf?cies topol?gicas e qu?micas, resultando em uma rede aleat?ria de nanofios. As redes de AgNWs foram caracterizadas pelas t?cnicas MEV-FEG, UV-Vis, XPS e DSC-TGA. O efeito do recozimento t?rmico sobre as redes de AgNWs foi investigado por meio de medi??es in situ da evolu??o das resist?ncias el?tricas, atrav?s da t?cnica de duas pontas, sobre uma chapa quente com sistema de controle de temperatura. Nossos melhores resultados exibem uma transpar?ncia ?ptica (~ 83% a 550 nm) equivalente a das pel?culas finas de ?xido de metal comercial (?xido de ?ndio-?xido, ITO ou ?xido de fl?or e ?xido de estanho, FTO) e resist?ncia de folha de ~ 23 ?/?.

Made available in DSpace on 2014-12-17T14:07:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 NataliaFD_DISSERT.pdf: 4136751 bytes, checksum: 47b384d6442f251d58542735c23ae300 (MD5) Previous issue date: 2012-02-27 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior / Titanium nitride films were grown on glass using the Cathodic Cage Plasma Deposition technique in order to verify the influence of process parameters in optical and structural properties of the films. The plasma atmosphere used was a mixture of Ar, N2 and H2, setting the Ar and N2 gas flows at 4 and 3 sccm, respectively and H2 gas flow varied from 0, 1 to 2 sccm. The deposition process was monitored by Optical Emission Spectroscopy (OES) to investigate the influence of the active species in plasma. It was observed that increasing the H2 gas flow into the plasma the luminescent intensities associated to the species changed. In this case, the luminescence of N2 (391,4nm) species was not proportional to the increasing of the H2 gas into the reactor. Other parameters investigated were diameter and number of holes in the cage. The analysis by Grazing Incidence X-Ray Diffraction (GIXRD) confirmed that the obtained films are composed by TiN and they may have variations in the nitrogen amount into the crystal and in the crystallite size. The optical microscopy images provided information about the homogeneity of the films. The atomic force microscopy (AFM) results revealed some microstructural characteristics and surface roughness. The thickness was measured by ellipsometry. The optical properties such as transmittance and reflectance (they were measured by spectrophotometry) are very sensitive to changes in the crystal lattice of the material, chemical composition and film thicknesses. Therefore, such properties are appropriate tools for verification of this process control. In general, films obtained at 0 sccm of H2 gas flow present a higher transmittance. It can be attributed to the smaller crystalline size due to a higher amount of nitrogen in the TiN lattice. The films obtained at 1 and 2 sccm of H2 gas flow have a golden appearance and XRD pattern showed peaks characteristics of TiN with higher intensity and smaller FWHM (Full Width at Half Maximum) parameter. It suggests that the hydrogen presence in the plasma makes the films more stoichiometric and becomes it more crystalline. It was observed that with higher number of holes in the lid of the cage, close to the region between the lid and the sample and the smaller diameter of the hole, the deposited film is thicker, which is justified by the most probability of plasma species reach effectively the sample and it promotes the growth of the film / Filmes finos de nitreto de tit?nio foram crescidos sobre vidro utilizando a t?cnica de deposi??o por descarga em gaiola cat?dica a fim de averiguar a influ?ncia das vari?veis de processo nas propriedades ?pticas e estruturais do filme. Como atmosfera do plasma foi utilizada a mistura de gases Ar, N2 e H2, fixando o fluxo de Ar e N2 em 4 e 3 sccm, respectivamente, e usando fluxos de 0, 1 e 2 sccm de H2. O processo de deposi??o foi monitorado por Espectroscopia de Emiss?o ?ptica (OES) para investiga??o das esp?cies ativas no plasma. Observou-se que com o aumento fluxo de H2 as intensidades das esp?cies luminescentes no plasma sofrem altera??es e que a esp?cie N2 (391,4 nm) n?o teve um crescimento proporcional ao fluxo de H2. Outros par?metros investigados foram o di?metro e o n?mero de furos da gaiola. As an?lises de difra??o de raios X com ?ngulo de incid?ncia rasante (GIXRD) comprovaram que os filmes obtidos s?o compostos por TiN, podendo ter varia??es quanto a quantidade de nitrog?nio na rede e o tamanho de cristalito; a microscopia ?ptica forneceu dados sobre a homogeneidade, a partir da microscopia de for?a at?mica (AFM) observou-se algumas caracter?sticas microestruturais do filme e a rugosidade. A espessura foi quantificada atrav?s das an?lises de elipsometria. As propriedades ?pticas como reflet?ncia e transmit?ncia (medidas por espectrofotometria) s?o bastante sens?veis a altera??es na rede cristalina do material, composi??o qu?mica e espessura, sendo, portanto, uma boa ferramenta para verifica??o do controle do processo. De maneira geral, os filmes obtidos com fluxo de 0 sccm de H2 possuem uma maior transmit?ncia atribu?da ao menor cristalinidade decorrente da maior quantidade de nitrog?nio na rede cristalina do TiN. Os filmes obtidos nos fluxos de 1 e 2 sccm de H2 obtiveram um aspecto dourado e o difratograma apresentou picos caracter?sticos do TiN com maior intensidade e menor largura a meia altura, sugerindo que com a presen?a de hidrog?nio na atmosfera do plasma os filmes s?o mais estequiom?tricos e com maior cristalinidade. Quanto ? configura??o da gaiola observou-se que com maior quantidade de furos na tampa, maior a proximidade da tampa com a amostra e menor o di?metro do furo, maior ? a espessura do filme, o que ? justificado pela maior probabilidade das esp?cies do plasma atingirem efetivamente o substrato e promoverem o crescimento do filme