Este trabalho apresenta o estudo do comportamento da resistência série de fonte e dreno em transistores SOI FinFET de porta tripla e com canal tensionado. Nos dispositivos SOI FinFETs há um aumento da resistência série de fonte e dreno devido ao estreitamento dessas regiões, sendo esse parâmetro considerado como uma das limitações quanto à introdução desses dispositivos em tecnologias futuras. O uso de tensão mecânica no canal dos dispositivos surge como alternativa para aumentar a condução de corrente através do aumento da mobilidade dos portadores do canal, reduzindo assim, a resistência total dos transistores e, conseqüentemente, a resistência série de fonte e dreno. Inicialmente, foi feito o estudo de alguns métodos de extração da resistência série de fonte e dreno existentes na literatura, com o objetivo de se obter o mais adequado para aplicação e análise posterior. Esse trabalho foi realizado baseado em resultados experimentais e em simulações numéricas que possibilitaram o entendimento físico do fenômeno estudado. A resistência série de fonte e dreno foi explorada em diferentes tecnologias, como transistores SOI FinFETs de porta tripla convencionais e sob influência de tensionamento uniaxial e biaxial. O uso do crescimento seletivo epitaxial (SEG) nas regiões de fonte e dreno altamente dopadas das diferentes tecnologias também foi analisado, pois com essa técnica, a resistência série de fonte e dreno é reduzida substancialmente não comprometendo a condução de corrente e a transcondutância. Os resultados obtidos das diferentes tecnologias com e sem o uso de SEG foram analisados e comparados mostrando que em transistores SOI FinFETs de porta tripla, com crescimento seletivo epitaxial, apresentam o menor valor da resistência série de fonte e dreno mesmo para aqueles sem tensão mecânica na região do canal. / This work presents the study of the source and drain series resistance behavior in standard and strained SOI FinFETs triple gate transistors. In SOI FinFETs transistors there is an increase of the source and drain series resistance due to the narrow of these regions, being this parameter a key limiting factor to the next generations. The use of strained transistors is one of the potential technologies to the next generation high performance because it increase the drive current through an enhance in the carrier mobility, decreasing the transistors total resistance and, therefore, the source and drain series resistance. Initially, a study of some series resistance extraction methods, present in the literature was done, in order to obtain the most appropriate for applications and analysis subsequent. This work was done based on experimental results and numerical simulations, enabling the physical understanding of the phenomenon studied. The series resistance was explored in different technologies, as standard SOI FinFETs triple gates and with uniaxial and biaxial strain. The use of selective epitaxial growth (SEG) in the source and drain regions, with high doping levels, was also studied in the different technologies, because with the use of this technique, the series resistance decreases substantially without compromising the drive current and transconductance. The obtained results from the different technologies with and without the use of SEG were analyzed and compared showing that, SOI FinFETs triple gate transistors with SEG present the lower values of series resistance even for standard devices if compared with strained ones without the use of SEG.

Este trabalho apresenta o estudo do comportamento da resistência série de fonte e dreno em transistores SOI FinFET de porta tripla e com canal tensionado. Nos dispositivos SOI FinFETs há um aumento da resistência série de fonte e dreno devido ao estreitamento dessas regiões, sendo esse parâmetro considerado como uma das limitações quanto à introdução desses dispositivos em tecnologias futuras. O uso de tensão mecânica no canal dos dispositivos surge como alternativa para aumentar a condução de corrente através do aumento da mobilidade dos portadores do canal, reduzindo assim, a resistência total dos transistores e, conseqüentemente, a resistência série de fonte e dreno. Inicialmente, foi feito o estudo de alguns métodos de extração da resistência série de fonte e dreno existentes na literatura, com o objetivo de se obter o mais adequado para aplicação e análise posterior. Esse trabalho foi realizado baseado em resultados experimentais e em simulações numéricas que possibilitaram o entendimento físico do fenômeno estudado. A resistência série de fonte e dreno foi explorada em diferentes tecnologias, como transistores SOI FinFETs de porta tripla convencionais e sob influência de tensionamento uniaxial e biaxial. O uso do crescimento seletivo epitaxial (SEG) nas regiões de fonte e dreno altamente dopadas das diferentes tecnologias também foi analisado, pois com essa técnica, a resistência série de fonte e dreno é reduzida substancialmente não comprometendo a condução de corrente e a transcondutância. Os resultados obtidos das diferentes tecnologias com e sem o uso de SEG foram analisados e comparados mostrando que em transistores SOI FinFETs de porta tripla, com crescimento seletivo epitaxial, apresentam o menor valor da resistência série de fonte e dreno mesmo para aqueles sem tensão mecânica na região do canal. / This work presents the study of the source and drain series resistance behavior in standard and strained SOI FinFETs triple gate transistors. In SOI FinFETs transistors there is an increase of the source and drain series resistance due to the narrow of these regions, being this parameter a key limiting factor to the next generations. The use of strained transistors is one of the potential technologies to the next generation high performance because it increase the drive current through an enhance in the carrier mobility, decreasing the transistors total resistance and, therefore, the source and drain series resistance. Initially, a study of some series resistance extraction methods, present in the literature was done, in order to obtain the most appropriate for applications and analysis subsequent. This work was done based on experimental results and numerical simulations, enabling the physical understanding of the phenomenon studied. The series resistance was explored in different technologies, as standard SOI FinFETs triple gates and with uniaxial and biaxial strain. The use of selective epitaxial growth (SEG) in the source and drain regions, with high doping levels, was also studied in the different technologies, because with the use of this technique, the series resistance decreases substantially without compromising the drive current and transconductance. The obtained results from the different technologies with and without the use of SEG were analyzed and compared showing that, SOI FinFETs triple gate transistors with SEG present the lower values of series resistance even for standard devices if compared with strained ones without the use of SEG.

Given the scenarios of increasing world population, the concentration of CO2, fuel costs, global consumption of energy and climate change, there was a need to search for alternative energy sources. In this context, solar photovoltaic, the result of research and investments over the past five decades, had a great impact in the last decade, recording a significant increase in the production of photovoltaic cells and modules and installations of photovoltaic systems worldwide. One of the goals of this work was to study the behavior of PV modules by partial shading situations in different conditions of temperature and solar radiation. Within this partial shading scenario that impacts virtually all electrical parameters of a module, the study and calculation of the series resistance of the modules was done in conditions of partial shading proposals to verify the relationship between the value of the series resistance and the state of shading partial, allowing identification of a possible state of shading from monitoring the resistance series. Another objective of this work was to apply Artificial Intelligence (AI) resources in the form of Artificial Neural Networks (ANN) to, after the proper training and learning of ANN from the database collected in the field under conditions of partial shade, they can identify the parameters of the PV modules within the various conditions of partial shading proposals. To pursue the objectives of this work four photovoltaic modules were used, two with 40 W nominal power with over fifteen years of manufacturing, assigned by the Instituto Federal de Goiás (IFGoiano) Urutaí Campus, at the city of Urutaí-GO and two new without any use of 75 W nominal power assigned by the Center for Research on Alternative Energy Sources, School of Electrical Engineering, Universidade Federal de Uberlândia (UFU). / Diante dos cenários de aumento da população mundial, da concentração de CO2 ,dos custos dos combustíveis, do consumo mundial de energia e das alterações climáticas, surgiu a necessidade de se buscar por fontes de energias alternativas. Neste contexto, a energia solar fotovoltaica, fruto de investigações e investimentos realizados nas últimas cinco décadas, teve um grande impacto na última década, registrando um aumento significativo na produção de células e módulos fotovoltaicos e instalações de sistemas fotovoltaicos no mundo todo. Um dos objetivos deste trabalho foi estudar o comportamento de módulos fotovoltaicos mediante situações de sombreamento parcial em diferentes condições de temperatura e radiação solar. Dentro deste cenário de sombreamento parcial que causa impacto praticamente em todos os parâmetros elétricos de um módulo, foi feito o estudo e cálculo da resistência série dos módulos nas condições de sombreamento parcial propostas para verificar a relação entre o valor da resistência série e o estado de sombreamento parcial, possibilitando uma possível identificação do estado de sombreamento a partir do monitoramento da resistência série. Outro objetivo deste trabalho foi aplicar recursos de Inteligência Artificial (IA) na modalidade de Redes Neurais Artificiais (RNAs) para, após o devido treinamento e aprendizado das RNAs a partir do banco de dados colhidos em campo sob condições de sombreamento parcial, elas poderem identificar os parâmetros do módulo fotovoltaico dentro das diversas condições de sombreamento parcial propostas. Para a busca dos objetivos deste trabalho foram utilizados quatro módulos fotovoltaicos sendo dois de 40 W de potência nominal com mais de quinze anos de fabricação, cedidos pelo Instituto Federal Goiano (IFGoiano) Campus Urutaí, da cidade de Urutaí-GO e dois novos e sem uso, de 75 W de potência nominal cedidos pelo Núcleo de Pesquisa em Fontes Alternativas de Energia da Faculdade de Engenharia Elétrica da Universidade Federal de Uberlândia (UFU). / Mestre em Ciências