Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 393356.pdf: 3379386 bytes, checksum: bad8f06e377a810f014c94a0e2d3e258 (MD5) Previous issue date: 2007-08-07 / ?ons de diferentes n?meros at?micos e com energias entre 1 e 2200 MeV foram usados para bombardear em flu?ncias baixas, filmes de SiO2 crescidos termicamente sobre substrato de sil?cio. Ap?s a irradia??o, os filmes foram submetidos a um ataque qu?mico em solu??o aquosa de HF, produzindo buracos c?nicos nesses filmes, com abertura que variaram de poucos nan?metros at? ≈150 nm. Os filmes foram analisados sobre microscopia de for?a at?mica e microscopia eletr?nica de transmiss?o. O di?metro das cavidades c?nicas, o ?ngulo de cone, e a dispers?o foram determinados em fun??o da energia depositada pelos ?ons por unidade de comprimento (dE/dx) para uma condi??o de ataque fixa. As cavidades s?o observadas nas amostras irradiadas, apenas quando o poder de freamento eletr?nico (dE/dx)e ? maior que 200 e V/?. Este limiar independe do valor do poder de freamento nuclear (dE/dx)n dos ?ons incidentes. Inicialmente, para energias baixas na zona do limiar, os poros t?m contornos pouco definidos e uma distribui??o de tamanhos relativamente grande (15 - 20%). Com o aumento do poder de freamento eletr?nico, os poros aumentam de tamanho at? um valor de satura??o. O ?ngulo de cone dos poros e a distribui??o de tamanhos modificam-se fortemente numa estreita faixa de dE/dx (entre 250 - 400 eV/?). Nessa regi?o de transi??o, o ?ngulo de abertura dos cones passa de ≈85? para 20?, e a dispers?o de tamanhos baixa de ≈20% para 4%. Para (dE/dx)e ≥ 450 eV/? a varia??o no tamanho, ?ngulo de cone e dispers?o das cavidades ? pequena, indicando que nesse regime as trilhas de danos s?o cont?nuas e de igual tamanho. A evolu??o da forma e tamanho das cavidades com o poder de freamento, esta associada com as modifica??es na estrutura de danos ao longo das trilhas i?nicas, que passa de descont?nua para cont?nua com o aumento do poder de freamento.?ons de diferentes n?meros at?micos e com energias entre 1 e 2200 MeV foram usados para bombardear em flu?ncias baixas, filmes de SiO2 crescidos termicamente sobre substrato de sil?cio. Ap?s a irradia??o, os filmes foram submetidos a um ataque qu?mico em solu??o aquosa de HF, produzindo buracos c?nicos nesses filmes, com abertura que variaram de poucos nan?metros at? ≈150 nm. Os filmes foram analisados sobre microscopia de for?a at?mica e microscopia eletr?nica de transmiss?o. O di?metro das cavidades c?nicas, o ?ngulo de cone, e a dispers?o foram determinados em fun??o da energia depositada pelos ?ons por unidade de comprimento (dE/dx) para uma condi??o de ataque fixa. As cavidades s?o observadas nas amostras irradiadas, apenas quando o poder de freamento eletr?nico (dE/dx)e ? maior que 200 e V/?. Este limiar independe do valor do poder de freamento nuclear (dE/dx)n dos ?ons incidentes. Inicialmente, para energias baixas na zona do limiar, os poros t?m contornos pouco definidos e uma distribui??o de tamanhos relativamente grande (15 - 20%). Com o aumento do poder de freamento eletr?nico, os poros aumentam de tamanho at? um valor de satura??o. O ?ngulo de cone dos poros e a distribui??o de tamanhos modificam-se fortemente numa estreita faixa de dE/dx (entre 250 - 400 eV/?). Nessa regi?o de transi??o, o ?ngulo de abertura dos cones passa de ≈85? para 20?, e a dispers?o de tamanhos baixa de ≈20% para 4%. Para (dE/dx)e ≥ 450 eV/? a varia??o no tamanho, ?ngulo de cone e dispers?o das cavidades ? pequena, indicando que nesse regime as trilhas de danos s?o cont?nuas e de igual tamanho. A evolu??o da forma e tamanho das cavidades com o poder de freamento, esta associada com as modifica??es na estrutura de danos ao longo das trilhas i?nicas, que passa de descont?nua para cont?nua com o aumento do poder de freamento. Em baixas energias, aglomerados de defeitos s?o pouco prov?veis e a trilha de danos n?o ? revel?vel (isto ?, n?o gera poro). Em energias intermedi?rias, flutua??es na deposi??o de energia ocorrem, resultando na forma??o de trilhas descont?nuas e uma alta dispers?o de tamanhos nas cavidades processadas. C?lculos baseados no modelo "thermal spike" reproduziram satisfatoriamente os valores encontrados para os (dE/dx)limiar, se a forma??o de uma zona fundida ao longo da trilha i?nica ? usada como crit?rio de produ??o de trilhas revel?veis. As propriedades refletoras das camadas de SiO2/Si nanoestruturadas por bombardeio i?nico foram investigadas na regi?o espectral de 350 - 1300 nm. Resultados preliminares indicam valores de reflet?ncia menores que as camadas sem poros e pr?ximos de 15%.

Submitted by Automa??o e Estat?stica (sst@bczm.ufrn.br) on 2017-02-17T18:51:45Z No. of bitstreams: 1 TaisaCristineDeMouraDantas_TESE.pdf: 4130731 bytes, checksum: 1cb82be7c6c1b80529423696ce7dcfef (MD5) / Approved for entry into archive by Arlan Eloi Leite Silva (eloihistoriador@yahoo.com.br) on 2017-02-17T21:16:26Z (GMT) No. of bitstreams: 1 TaisaCristineDeMouraDantas_TESE.pdf: 4130731 bytes, checksum: 1cb82be7c6c1b80529423696ce7dcfef (MD5) / Made available in DSpace on 2017-02-17T21:16:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 TaisaCristineDeMouraDantas_TESE.pdf: 4130731 bytes, checksum: 1cb82be7c6c1b80529423696ce7dcfef (MD5) Previous issue date: 2016-07-26 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior (CAPES) / A necessidade de encontrar novas tecnologias para a minimiza??o da emiss?o crescente de gases poluentes no planeta se torna cada vez mais urgente. Dos processos estudados atualmente a t?cnica de adsor??o utilizando materiais mesoporosos v?m tendo bastante enfoque. A fam?lia do SBA est? dentro desses materiais, onde pode ser destacado o SBA-15 e SBA-16 como estruturas com propriedades texturais interessantes. O presente trabalho realizou a s?ntese destes materiais de acordo com a metodologia descrita na literatura. Ap?s estas etapas, as estruturas de sil?cio foram funcionalizados atrav?s das t?cnicas de impregna??o com um pol?mero Polietilenimina ramificada com etilendiamina (PEI) em meio metan?lico, onde a rea??o das aminas com a estrutura de sil?cio apresenta car?ter i?nico; e a funcionaliza??o por enxerto com organossilanos, empregando o N-[(3-trimetoxissilil)propil] dietilenotriamina (DT-NNN), onde a estrutura ? formada de um grupo de sil?cio e tr?s aminas. A rea??o dessa mol?cula com a superf?cie de sil?cio ? realizada atrav?s de uma liga??o covalente. Tamb?m houve a funcionaliza??o do SBA-16 utilizando a dupla funcionaliza??o combinando as duas t?cnicas para obter uma maior porcentagem aminas. A parte foi proposta a reciclagem do material de sil?cio SBA-15, onde ap?s a funcionaliza??o, foram tratados termicamente a uma temperatura de 550 ?C para a elimina??o dos grupos org?nicos. A cada etapa de funcionaliza??o foi executada na estrutura uma nova etapa de funcionaliza??o, onde estas foram repetidas por 6 vezes. Os materiais foram caracterizados por t?cnicas f?sico-qu?micas no intuito de verificar a forma??o da estrutura e sua organiza??o. O processo de adsor??o de CO2 puro para o material SBA-16 funcionalizado foi executado em um equipamento volum?trico sob press?o de 1 bar a 45 ?C, onde a amostra E-SBA16-10PEI e CC-SBA16-50PEI exibiram quantidades de adsor??o de 47 mg CO2/g ads e 108 mg CO2/g ads, respectivamente. Os ensaios de adsor??o para o SBA-15 foram realizados tamb?m a 1 bar e 45 ?C, e menos quantidades de CO2 adsorvidos foram reportadas para as amostras com DT e isto pode ser relacionada a perda da efici?ncia das aminas. Esse comportamento n?o foi observado nas amostras impregnadas com PEI. / The need to find new technologies to minimize the increasing emission of greenhouse gases on the planet becomes increasingly urgent. Currently processes studied the adsorption technique using mesoporous materials are having enough focus. The family of the SBA is within these materials, which can be highlighted the SBA-15 and SBA-16 as structures with interesting textural properties. In the present work was carried out the synthesis of these materials according to the methodology described in the literature. After these steps, the silicon structures were functionalized by means of impregnation techniques with a branched polyethylenimine polymer etilendiamina (PEI) in the methanolic medium, where the reaction of amines with the silicon structure has ionic character; and graft functionalization with organosilanes, where we used the N [(3-trimetoxissilil) propyl] diethylenetriamine (DT- NNN) where the structure is formed from a group of silicon and three amines. The reaction of this molecule with the silicon surface is performed through a covalent bond. There was also the functionalization of SBA-16 using double functionalization combining the two techniques to get higher percentage amines. The part was proposed recycling of SBA-15 silicon material, which after functionalization, were heat-treated at a temperature of 550 ?C for the removal of organic groups. Each functionalization step was performed a new structure functionalization step, where they were repeated 6 times. The materials were characterized by physico-chemical techniques in order to verify the formation of structure and organization. The process of pure CO2 adsorption on functionalized SBA-16 materials, was performed on a volumetric equipment under 1 bar pressure at 45 ?C where the sample E-SBA16-10PEI and CC-SBA16-50PEI showing adsorption amounts of 47 mg CO2/g ads and 108 mg CO2/g ads, respectively. Adsorption tests for SBA-15 were also performed at 1 bar and 45 ? C, less amounts of CO2 absorbed were reported out for samples with DT and this is related to loss of efficiency of amines. This behavior was not observed in the samples impregnated with PEI.

Submitted by Jorge Silva (jorgelmsilva@ufrrj.br) on 2017-10-13T20:23:03Z No. of bitstreams: 1 2014 - Arnaldo Cesar Almeida Oliveira.pdf: 1706735 bytes, checksum: e15df5900be5e8087531ffa6a80e066e (MD5) / Made available in DSpace on 2017-10-13T20:23:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2014 - Arnaldo Cesar Almeida Oliveira.pdf: 1706735 bytes, checksum: e15df5900be5e8087531ffa6a80e066e (MD5) Previous issue date: 2014-10-31 / CAPES / Understanding the structural properties of dislocations is essential since these defects govern the processes plastic deformation of materials. Particularly in semiconductors, these studies are important given the relevance of these materials for microelectronics. In this work, our focus will be the 90o partial dislocations in silicon. For the theoretical study of atomic-scale crystal dislocations, we use simulations based on semi-empirical quantum-mechanical methods closely linked to the tight-binding treatment, since it considers in its formulation that crystalline electronic states can be described in terms of atomic orbitals: Density Matrix Method Tight-Binding Order-N (DMTB). This method has a low computational cost which allows us to work with very large systems atoms in structures representation -including thousands of sites. In short, we describe how to produce and represent the 90o partial dislocations in Si, we consider three models for its core structure: a unreconstructed where the atoms have an almost fivefold coordination; a model reconstructed with period equal to the perfect lattice; and a model with twice period comparing with the perfect lattice. Finally, we calculate the range in energy of the system with the distance between the dislocations and the free surface of Si. / Compreender as propriedades estruturais de discord?ncias cristalinas ? fundamental uma vez que estes defeitos governam os processos de deforma??o pl?stica em materiais. Particularmente em semicondutores, esses estudos s?o importantes dada a relev?ncia desses materiais para a microeletr?nica. Neste trabalho nosso foco ser?o as discord?ncias cristalinas parciais a 90o em sil?cio. Para o estudo te?rico em escala at?mica das discord?ncias cristalinas, usamos simula??es baseadas em metodologias quanto-mec?nicas semi-emp?ricas atrav?s de um m?todo intimamente ligado ao tratamento tight-binding, uma vez que considera em sua formula??o que os estados eletr?nicos cristalinos podem ser descritos em termos de orbitais at?micos: M?todo da Matriz Densidade Tight-Binding de Ordem-N (DMTB). Este m?todo tem um custo computacional baixo o que permite que trabalhemos com sistemas muito grandes de ?tomos na representa??o das estruturas ? com milhares de s?tios inclusive. Em suma, descrevemos como produzir e representar as discord?ncias parciais a 90o em Si consideramos tr?s modelos para sua estrutura de caro?o: um n?o reconstru?do onde os ?tomos possuem uma coordena??o quase qu?ntupla; um modelo reconstru?do com per?odo igual ao per?odo da rede perfeita; e um modelo com per?odo dobrado em rela??o ao da rede perfeita. Por fim, calculamos a varia??o da energia do sistema com a dist?ncia entre as discord?ncias e a superf?cie livre do Si.

Made available in DSpace on 2014-12-17T15:15:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 FranciscoOA.pdf: 1713095 bytes, checksum: 1ee138883bf7b4da570838f6654b21b0 (MD5) Previous issue date: 2006-12-15 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Cient?fico e Tecnol?gico / In the present work we use a plasma jet system with a hollow cathode to deposit thin TiO2 films on silicon substrates as alternative at sol-gel, PECVD, dip-coating e magnetron sputtering techniques. The cylindrical cathode, made from pure titanium, can be negatively polarized between 0 e 1200 V and supports an electrical current of up to 1 A. An Ar/O2 mixture, with a total flux of 20 sccm and an O2 percentage ranging between 0 and 30%, is passed through a cylindrical hole machined in the cathode. The plasma parameters and your influence on the properties of deposited TiO2 films and their deposition rate was studied. When discharge occurs, titanium atoms are sputtered/evaporated. They are transported by the jet and deposited on the Si substrates located on the substrate holder facing the plasma jet system at a distance ranging between10 and 50 mm from the cathode. The working pressure was 10-3 mbar and the deposition time was 10 -60 min. Deposited films were characterized by scanning electron microscopy and atomic force microscopy to check the film uniformity and morphology and by X-ray diffraction to analyze qualitatively the phases present. Also it is presented the new dispositive denominate ionizing cage, derived from the active screen plasma nitriding (ASPN), but based in hollow cathode effect, recently developed. In this process, the sample was involved in a cage, in which the cathodic potential was applied. The samples were placed on an insulator substrate holder, remaining in a floating potential, and then it was treated in reactive plasma in hollow cathode regime. Moreover, the edge effect was completely eliminated, since the plasma was formed on the cage and not directly onto the samples and uniformity layer was getting in all sampl / Filmes finos de TiO2 foram depositados sobre substrato de sil?cio usando descarga em c?todo oco. A presente t?cnica foi usada como alternativa a outras t?cnicas como solgel, PECVD, dip-coating e magnetron sputtering. O sistema desenvolvido apresenta uma configura??o de c?todo oco cil?ndrico polarizado com tens?o DC variando entre 0 e 1200V e corrente de at? 1 A. Um jato de plasma de Ar + O2, extrai ?tomos do mesmo, que s?o em seguida depositados sobre um substrato frontalmente posicionado. As amostras s?o posicionadas a dist?ncias do c?todo variando entre 10 e 50 mm. Foram investigadas os par?metros do plasma e sua influ?ncia sobre as propriedades dos filmes depositados. Os par?metros de trabalho para deposi??o de TiO2 foram 20sccm de fluxo da mistura Ar/O2 com percentuais de oxig?nio variando entre 0 -30%, press?o de trabalho 10-3 mbar e tempos de deposi??o de 10 -60 minutos. As amostras foram caracterizadas por microscopia eletr?nica de varredura e microscopia de for?a at?mica para verificar sua uniformidade e morfologia e por difra??o de raios-x para an?lise qualitativa das fases presentes nos filmes. Neste trabalho tamb?m ? apresentado um novo dispositivo, denominado gaiola ionizante, derivada da nitreta??o a plasma em tela ativa (ASPN), mas baseado no efeito de c?todo oco, recentemente desenvolvido. Neste processo as amostras s?o envolvidas por uma gaiola, na qual ? aplicada a diferen?a de potencial, permanecendo em potencial flutuante, sendo tratadas numa regi?o livre da influ?ncia do campo el?trico por um plasma reativo, operando em regime de c?todo oco. Dessa forma foram obtidas camadas uniformes em todas as amostras e eliminados defeitos como o efeito de borda

Submitted by PPG Ci?ncia da Computa??o (ppgcc@pucrs.br) on 2018-08-22T17:30:17Z No. of bitstreams: 1 GUILHERME HECK_TES.pdf: 7520580 bytes, checksum: 0abf48b5a455b7c50fa0b30109a1ee57 (MD5) / Approved for entry into archive by Sheila Dias (sheila.dias@pucrs.br) on 2018-08-23T12:09:32Z (GMT) No. of bitstreams: 1 GUILHERME HECK_TES.pdf: 7520580 bytes, checksum: 0abf48b5a455b7c50fa0b30109a1ee57 (MD5) / Made available in DSpace on 2018-08-23T13:31:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 GUILHERME HECK_TES.pdf: 7520580 bytes, checksum: 0abf48b5a455b7c50fa0b30109a1ee57 (MD5) Previous issue date: 2018-03-09 / A demanda sem precedentes por poderosos dispositivos de processamento gerou quebras consecutivas de paradigma de projeto de circuito na ?rea de Circuitos Integrados (CIs). O uso de tecnologia submicrom?trica profunda aumenta a densidade de integra??o a n?veis nunca vistos antes. No entanto, com CIs mais densos, a inclina??o do rel?gio e outros efeitos requerem compensa??es em design s?ncrono, o que pode aumentar a ?rea e o consumo de energia a valores inaceit?veis. Como alternativa, o paradigma ass?ncrono est? re-emergindo, focado na efici?ncia de energia. Entre os modelos cl?ssicos de projeto ass?ncrono, o Empacotamento-de-Dados (ED) se destaca pela sua capacidade de fornecer alto desempenho, reduzir a pot?ncia e obter resultados de ?rea semelhante ? dos modelos s?ncronos. Diferentemente dos modelos mais robustos de quase-atraso insens?vel, uma outra classe comum de modelos para implementar circuitos ass?ncronos, circuitos ED requerem o uso extensivo de Elementos de Atraso (EAs) para garantir a correta funcionalidade. No entanto, todos os circuitos s?o afetados por varia??es de Processo, Tens?o e Temperatura (PTT), incluindo a L?gica Combinacional (LC) em ED impondo margem em elementos de atraso. Al?m disso, projetos atuais usam escalonamento de tens?o para melhorar a efici?ncia de energia, o que afeta o atraso diferentemente em LCs e EAs adicionando mais margem em EAs. Um novo modelo baseado em ED chamado Blade usa o conceito de resili?ncia como uma esperan?a para evitar a margem de atraso causada por PTT e escalonamento de tens?o. Contudo, o uso de dois elementos de atraso ir? representar mais margens e mais tempo de teste no circuito final. Assim, este trabalho mostra uma an?lise do comportamento de elementos de atraso sob escalonamento de tens?o e o impacto em testes p?s-sil?cio. Ele introduz um novo termo para determinar o impacto da escala de tens?o sobre os elementos de atraso e tamb?m a compara??o entre os EAs mais utilizados em projetos ED usando esta nova m?trica. Uma an?lise de testes em modelos ED e Blade ? apresentada e o impacto da escala de tens?o nestes projetos ? analisado. Finalmente, um novo elemento de atraso ? proposto focando na redu??o de margem e redu??o no tempo de teste para o modelo Blade. / The unprecedented demand for powerful processing devices has generated consecutive circuit design paradigm breaks in the Integrated Circuits (ICs) arena. The use of deep submicron technology increases the integration density to levels never seen before. However, with denser ICs, clock skew and other effects require compensations in synchronous design, which can increase area overhead and power consumption to unacceptable values. As an alternative, the asynchronous paradigm is re-emerging, focused on power efficiency. Among classical asynchronous design templates, the Bundled-Data (BD) one stands off for its capability to provide high performance, reduce power and achieve area results similar to that of synchronous designs. Unlike the more robust Quasi-Delay Insensitive (QDI) templates, another common class of templates to implement asynchronous circuits, BD circuits require the extensive use of Delay Elements (DEs) to guarantee correct functionality. However, all circuits are affected by Process, Voltage and Temperature (PVT) variations, including the Combinational Logic (CL) on BD imposing margin on delay elements. In addition, current designs use voltage scaling to improve power efficiency, which impacts the delay differently in CLs and DEs adding more margin in DEs. A new template based on BD called Blade uses resiliency concept as a hope to avoid the delay margin caused by PVT and voltage scaling. Although, the use of two delay elements will represents more margins and extra test time on final circuit. So, this work shows an analysis of delay elements behavior under voltage scaling and the impact on post-silicon tests. It introduces a new term to determine the voltage scaling impact on delay elements and also the comparison between the most used DEs on BD designs using this novel metric. An analysis of tests in BD and Blade templates are presented and the impact of voltage scaling in these designs is analyzed. Finally, a novel delay element is proposed focusing in margin reduction and reduction in test time for Blade template.