• Refine Query
  • Source
  • Publication year
  • to
  • Language
  • 321
  • 162
  • 89
  • 38
  • 24
  • 22
  • 18
  • 14
  • 6
  • 3
  • 3
  • 3
  • 2
  • 2
  • 2
  • Tagged with
  • 792
  • 303
  • 254
  • 228
  • 131
  • 122
  • 101
  • 88
  • 87
  • 85
  • 78
  • 72
  • 70
  • 68
  • 65
  • About
  • The Global ETD Search service is a free service for researchers to find electronic theses and dissertations. This service is provided by the Networked Digital Library of Theses and Dissertations.
    Our metadata is collected from universities around the world. If you manage a university/consortium/country archive and want to be added, details can be found on the NDLTD website.
191

Adhesion of sputtered copper to plasma-treated polyimide substances /

Ma, Jong-Bong. January 1991 (has links)
Thesis (M.S.)--Rochester Institute of Technology, 1991. / Typescript. Includes bibliographical references.
192

Adhesion of copper to photo-oxidized polyimides /

Razdan, Mayuri. January 2008 (has links)
Thesis (M.S.)--Rochester Institute of Technology, 2008. / Typescript. Includes bibliographical references (leaves 56-58).
193

Microstructure development and evolution of sputter deposited indium thin films in cryogenics

Park, Jung Hyun, Kim, Dong Joo. January 2007 (has links) (PDF)
Thesis(M.S.)--Auburn University, 2007. / Abstract. Vita. Includes bibliographic references.
194

Properties and characterisation of sputtered ZnO : a thesis presented for the degree of Doctor of Philosophy in Electrical and Computer Engineering at the University of Canterbury, Christchurch, New Zealand /

Schuler, Leo P. January 1900 (has links)
Thesis (Ph. D.)--University of Canterbury, 2008. / Typescript (photocopy). "November 2008." Includes bibliographical references (p. [144]-149). Also available via the World Wide Web.
195

Effects of sputter deposition parameters on stress in tantalum films with applications to chemical mechanical planarization of copper /

Perry, Jeffrey L. January 2004 (has links)
Thesis (M.S.)--Rochester Institute of Technology, 2004. / Typescript. Includes bibliographical references (leaves 74-76).
196

Processing, structure, and tribological property interrelationships in sputtered nanocrystalline ZnO coatings

Tu, Wei-Lun. Scharf, Thomas W., January 2009 (has links)
Thesis (M.S.)--University of North Texas, Aug., 2009. / Title from title page display. Includes bibliographical references.
197

Indium tin oxide (ITO) deposition, patterning, and Schottky contact fabrication /

Zhou, Jianming. January 2006 (has links)
Thesis (M.S.)--Rochester Institute of Technology, 2006. / Typescript. Includes bibliographical references (leaves 70-72).
198

Preparação e caracterização óptica de filmes nanocristalinos de GaAs:H depositados por RF magnetron sputtering

Costa, Wangner Barbosa da [UNESP] 19 September 2007 (has links) (PDF)
Made available in DSpace on 2014-06-11T19:23:29Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2007-09-19Bitstream added on 2014-06-13T19:50:19Z : No. of bitstreams: 1 costa_wb_me_bauru.pdf: 1013500 bytes, checksum: af2a82e89ba237d24c1ff8441a9da739 (MD5) / Secretaria de Educação do Estado de São Paulo / Filmes nanocristalinos e amorfos de GaAs tem recentemente chamado a atenção de vários grupos de pesquisa devido as suas possíveis aplicações em novos dispositivos ópticos e eletrônicos. Igualmente atraentes são as novas propriedades físicas relacionadas com a estrutura nanocristalina e os efeitos da desordem na estrutura eletrônicas destes materiais. Entre as aplicações existentes, podemos citar o uso destes filmes como camadas anti-guia em lasers com emissão perpendicular à superfície, as camadas “buffer” em hetero-epitaxias de GaAs sobre Si, e os filtros interferométricos para a região do infravermelho. A preparação e a caracterização de filmes nanocristalinos de GaAs hidrogenados e não hidrogenados usando a técnica de RF magnetron sputtering foram focalizados neste trabalho. Um alvo de GaAs e uma atmosfera controlada contendo quantidades variáveis de argônio (Ar) e hidrogênio (H2) foram usadas na deposição do filme. Foi investigada a influência do fluxo de Ar e H2 na composição, estrutura e propriedades ópticas dos filmes. A influência da temperatura de substrato e potência de deposição também foi analisada. As técnicas de difração de raios-X e análise da energia de dispersão por emissão de raios-X (EDX), foram utilizadas na análise da estrutura e composição do filme, enquanto medidas ópticas de transmitância e refletância permitiram a determinação do coeficiente de absorção óptica e índice de refração dos filmes. A presença de ligações de hidrogênio nos filmes foi confirmada pelas bandas de absorção do Ga-H e As-H usando um espectrofotômetro de transformada de Fourier (FTIR). Os resultados mostram que a microestrutura, a composição e as propriedades ópticas do material são fortemente influenciadas por todos os parâmetros investigados, com destaque para o fluxo de hidrogênio utilizado nas deposições... / The nanocrystalline and amorphous GaAs films are recently attracting the attention of several research groups due to their possible application in new electronic and optical devices. Also attractive are the new physical properties related to the nanocrystalline structure and the effects of disorder in the electronic structure of these materials. Among the existing applications we can mention the use of these films as antiguide layers in surface emitting lasers, as buffer layers in the GaAs hetero-epitaxy onto Si substrates, and as infrared interferometric filters. The preparation and characterization of hydrogenated and non-hydrogenated nanocrystalline GaAs films using the RF magnetron sputtering technique were focused here. An electronic grade GaAs water target and an atmosphere composed of variable amounts of Ar and 'H IND.2' were used in the film depositions. We have investigated the influence of Ar and 'H IND.2' fluxes on composition, structure, and optical properties of the films. The influence of substrate temperature and deposition power were also analyzed. X-ray diffraction and energy dispersive electron analysis (EDX) were used in the analysis of the film structure and composition, while optical transmittance and reflectance measurements allowed the determination of the optical absorption coefficient and refractive index of the films. The presence of bonded hydrogen in the films was confirmed by the Ga-H and As-H absorption bands using Fourier transform infrared spectra (FTIR). The results show that the microstructure, the composition, and the optical properties of the material are strongly influenced by all the investigated parameters, in special the hydrogen flux used in the depositions. The hydrogenated films ('H IND.2' flux of 3.0 sccm / Ar flux of 20.0 sccm) produced at relatively low power (30W) and substrate temperature (60ºC), have presented the widest... (Complete abstract click electronic access below)
199

Epitaxial Growth and Characterization for Thin Films of Colossal Magnetoresistive Layered Manganates / 巨大磁気抵抗層状マンガン酸化物薄膜のエピタキシャル成長とその評価に関する研究 / キョダイ ジキ テイコウ ソウジョウ マンガン サンカブツ ハクマク ノ エピタキシャル セイチョウ ト ソノ ヒョウカ ニ カンスル ケンキュウ

Lmouchter, Mohamed 23 May 2008 (has links)
Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第14050号 / 工博第2962号 / 新制||工||1439(附属図書館) / 26329 / UT51-2008-F442 / 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 / (主査)教授 鈴木 実, 教授 髙岡 義寛, 教授 藤田 静雄 / 学位規則第4条第1項該当
200

Propriedades físico-químicas de filmes finos de Al2O3 depositados por sputtering sobre Ge

Bom, Nicolau Molina January 2011 (has links)
Nesta dissertação, foram investigadas as propriedades físico-químicas de filmes finos de óxido de alumínio (Al2O3). O Al2O3 foi depositado sobre substratos germânio (Ge) e silício (Si) por magnetron sputtering reativo, utilizando uma fonte DC pulsada, visando a produzir camadas com baixas quantidades de OH e H2O, em comparação àquelas produzidas pelo processo de deposição por camadas atômicas (ALD). Dados obtidos por espectroscopia de fotoelétrons (XPS) e perfis de concentração obtidos por reações nucleares ressonantes (NRP) evidenciaram a formação de uma camada de GeO2 sobre os substratos de Ge, durante o processo de deposição. Quando as amostras foram submetidas a tratamentos térmicos em atmosferas de Ar e forming gas, foi verificada a redução desse óxido. Foi observado que a camada de transição remanescente na interface é constituída essencialmente de germanatos de alumínio. O efeito dos principais contaminantes introduzidos pela técnica de ALD (água e/ou grupos hidroxila) foi investigado por meio de tratamentos térmicos em atmosferas de oxigênio (O2) e vapor d’água. Dados de NRP mostraram que a incorporação de O aumenta com a temperatura de tratamento e depende do gás empregado. Também observou-se que o O proveniente da fase gasosa interage fortemente com o substrato semicondutor de Ge, efeito não observado nas amostras de Si. Análises com técnicas por espalhamento de íons evidenciaram um aumento na concentração de Ge dentro da camada de Al2O3 e na superfície das amostras, efeito associado à oxidação do substrato de Ge. Essas observações podem ser explicadas pela dessorção de GeO resultante de reações químicas que ocorrem na interface dielétrico/substrato. / In this dissertation, physico-chemical properties of aluminum oxide (Al2O3) thin films were investigated. Al2O3 was deposited by pulsed DC reactive magnetron sputter on Germanium (Ge) and Silicon (Si) substrates aiming at producing layers with reduced OH and H2O content, in comparison with those produced by the atomic layer deposition (ALD) process. Photoelectron spectroscopy (XPS) and nuclear reaction profiling (NRP) evidenced the formation of a GeO2 layer during deposition of thin film. Thermal annealing in Ar and forming gas atmospheres reduced the amount of this oxide layer. The remaining transition layer consisted essentially of aluminum germanates. The effects of the main contaminants introduced by ALD techniques (water and/or hydroxyl groups) could be probed by exposing as-deposited samples to water vapor or oxygen (O2) atmospheres. NRP revealed that O incorporation increases with the thermal annealing temperature and also depends on the employed atmosphere. We also found that O from the gas phase strongly interacts with the Ge semiconductor substrate, effect not observed in Si samples. Ion scattering analyses evidenced an increase of Ge concentration throughout the Al2O3 dielectric layer and on the sample surface, associated with the oxidation of the Ge substrate. These findings are explained by GeO desorption resulting from chemical reactions occurring at the dielectric/Ge interface.

Page generated in 0.0152 seconds