This work is concerned with power inverters for alternate high voltage power sources. The theoretical part describes the topology of inverters that can be used in alternate power sources. A model of voltage transformer is described in details to better understand the parasitic effects that are inevitably present in high voltage power sources and, therefore, have to be taken into consideration at the design of high voltage power sources. The work is oriented to problems of alternate high voltage power sources for ozone generators. This is the reason, why the theoretical and, partially, also the experimental part deal with the properties of ozone and its use. The experimental part solves high voltage inverter with capacitive load that is formed by discharge element of an ozone generator. Designed inverter is able to feed the capacitive load with high voltage at very short periods of time from several microseconds up to tens of nanoseconds. In comparison with the length of voltage pulses in common ozone generators, this pulses are more than 100-time shorter. This has a positive effect to silent discharge characteristics.

In this thesis is presented detail design of power part of DC/DC converter and output inverter. This device will serve for creating an artificial network in a family house where it will be used for supplying selected household appliances which are designed for use in AC network. The converter will be supplied with DC voltage. This tension will be obtained from a system of photovoltaic panels. The output voltage will have alternate character and it will be close to the network voltage 230 V/50 Hz. In the introductory part of thesis are discussed possible topologies of converters and output inverters. Subsequently are designed individual parts of supply inverter. In the final part there are shown waveforms of important values and is given a thesis evaluation.

Cette thèse s'intéresse au transformateur de puissance qui constitue l'élément central de toute alimentation à découpage. La recherche s'articule selon deux axes: l'analyse des champs et le calcul des pertes cuivre d'une part, et la modélisation par schéma équivalent (en vue de réaliser des simulations électriques du convertisseur) d'autre part.<p><p>Selon le premier axe de recherche, l'idée est d'utiliser un logiciel de simulation de champs électromagnétiques par éléments finis pour analyser les champs en deux et en trois dimensions dans le transformateur. Outre une compréhension globale de la répartition des champs, on cherche à analyser finement les pertes cuivre générées dans les enroulements.<p><p>Aux fréquences utilisées dans les alimentations actuelles (typiquement quelques centaines de kilohertz), la densité de courant se répartit en effet de manière non uniforme dans les conducteurs suite aux effets quasi statiques (effet pelliculaire et effet de proximité). Les pertes cuivre doivent donc être calculées avec des outils spécifiques qui en tiennent compte. Or les modèles analytiques classiquement utilisés dans ce but (formules de Dowell et apparentées) reposent sur une analyse unidimensionnelle du transformateur, suivant une hypothèse dont la portée est mal connue et mise en cause par plusieurs auteurs.<p><p>Grâce aux simulations par éléments finis, la thèse dresse un inventaire inédit des effets quasi¬statiques 2D et 3D dans les enroulements. Les différents effets sont expliqués physiquement. La fiabilité des méthodes 1D est analysée et l'erreur commise par celles ci est quantifiée suivant le type d'enroulement et la fréquence. Trois méthodes alternatives de calcul des pertes en deux dimensions sont également analysées et critiquées.<p><p>Pour un type précis d'enroulement (une couche de ruban entre une valeur nulle et une valeur maximale de la force magnétomotrice), une "formule semi empirique" est encore développée. Celle-¬ci rassemble en une seule expression un grand nombre de simulations couvrant toutes les situations géométriques envisageables pour le type d'enroulement considéré. On crée ainsi un outil sans équivalent actuellement, qui allie la rapidité des méthodes 1D à la précision des simulations 2D. La formule semi empirique offre de nombreux avantages pour les concepteurs, dont une forme analytique particulière et la possibilité de réaliser des études paramétriques.<p><p>D'autre part, la thèse montre également que le "facteur de remplissage", notion présente dans la plupart des formules unidimensionnelles de calcul des pertes cuivre, résulte d'une erreur dans l'article de base de Dowell et se révèle donc sans fondement théorique. Ce facteur garde néanmoins une utilité pratique par le fait qu'il reproduit fortuitement certains effets 2D.<p><p>Selon le second axe de recherche, la modélisation, divers schémas équivalents sont analysés. Compte tenu du fait que les transformateurs utilisés dans les alimentations à découpage comprennent généralement plusieurs sorties et voient des formes d'onde fortement chargées en harmoniques, deux types de schémas particuliers sont retenus: le schéma "Coupled Choke Secondaries" (schéma CCS) et les schémas du Laboratoire d'Electrotechnique de Grenoble (schémas LEG). Le schéma CCS est validé sur un transformateur réel et implémenté dans une application conviviale.<p> / Doctorat en sciences appliquées / info:eu-repo/semantics/nonPublished

All DC/DC converter products include power electronic circuits for power conversion.It is important to find an efficient way for power conversion to reduce power losses and reduce the need for cooling and achieve environmentally friendly solutions.The use of semiconductor switches of wide band gap type is a solution to the problem.Therefore, the investigation of the SiC MOSFET in DC/DC converters is of crucial importance for the reduction of power losses.The thesis investigates the SiC MOSFET in three different tests.The efficiency test, the temperature test and the double pulse test.In the efficiency, the MOSFET STC3080KR and NTH4L022N120M3S are compared with their respective simulation made on PLECS.While in the temperature test the STC3080KR is investigated at different frequencies.In Double Pulse Test the MOSFET STC3080KR with 4-pin (TO-247 4L) package is compared with the MOSFET SCT3080KLHRC11 with 3-pin package (TO-247 N).The efficiency test shows that the MOSFET SCT3080KR in the practical test gives an efficiency in the range of 96,5-96,1% at 110kHz, 96-95,4% at 150kHz and 95,8-94,2% at 180kHz.While, the NTH4L022N120M3S gives an efficiency in the range of 98,1-97,1% at 110kHz, 96,3-96,2% at 150kHz and 96,1-95,5% at 180kHz.The efficiency given by the simulation is higher than the actual efficiency for both MOSFETs.However, the shape of the curves in the practical part matches the simulated one.The efficiency is not the same since the simulation do not consider all the losses present in the practical part.The temperature test shows that the temperature for the high side and low side increases when the frequency and the load current increases.However, some results show that when the load current increases at some point the low-side MOSFET will reach the temperature of the high-sided MOSFET and at the end it will exceed its value. This is due to the increment of the conduction losses since the low side MOSFET is basically the body diode incorporated in the MOSFET.Finally, the Double Pulse Test shows that the TO-247 N (3-pin) package switches with less source inductance compared to the TO-247 4L (4-pin) package.Therefore, the MOSFET SCT3080KLHRC11 (TO-247 N package) needs more time during the switching and which means that the switching power losses will be higher in comparison to the SCT3080KR as shown in Table 5.2 and Table 5.1. / Alla DC/DC-omvandlarprodukter inkluderar kraftelektroniska kretsar för effektomvandling. Detta gör att det är viktigt att hitta ett effektivt sätt för effektomvandlingen för att minska effektförlusterna och minska behovet av kylning och uppnå miljövänliga lösningar.Användningen av halvledaromkopplare med ett stort bandgap är en lösning på problemet.Därför är undersökningen av SiC MOSFET i DC/DC-omvandlare av avgörande betydelse för att minska effektförlusterna. Detta examensarbete undersöker SiC MOSFET i tre olika tester vilket är; Effektivitetstestet, temperaturen testet och double pulse testet.I effektivitets testet jämförs MOSFET STC3080KR och NTH4L022N120M3S med deras respektive simulering gjorda på PLECS.Medan i temperaturtestet undersöks STC3080KR vid olika frekvenser.I double pulse testet jämförs MOSFET STC3080KR med ett 4-stifts (TO-247 4L)-paket med MOSFET SCT3080KLHRC11 med ett 3-stiftspaket (TO-247 N).Effektivitetstestet visar att MOSFET SCT3080KR i det praktiska testet ger en verkningsgrad i intervallen 96,5-96,1% vid 110kHz, 96-95,4% vid 150kHz och 95,8-94,2% och vid 180kHz.Medan NTH4L022N120M3S visar en effektivitet i intervallet av 98,1-97,1% vid 110kHz, 96,3-96,2% vid 150kHz och 96,1-95,5% vid 180kHz.Verkningsgraden som ges av simuleringen är högre än den praktiska för båda MOSFET:erna.Formen på kurvorna i den praktiska delen matchar den simulerade.Verkningsgraden är inte densamma eftersom simuleringen inte tar hänsyn till alla förluster som finns i den praktiska delen.Temperaturtestet visar att temperaturen för den höga sidan och lågsidan ökar när frekvensen och belastningsströmmen ökar.Vissa resultat visar att när belastningsströmmen ökar lågsidans MOSFET når temperaturen hos den högsidiga MOSFET:en och i slutet kommer den att överstiga dess värde.Detta beror på ökningen av ledningsförlusterna eftersom MOSFET på lågsidan i grunden är kroppsdioden som ingår i MOSFET.Slutligen, visar double pulse testet att TO-247 N (3-stifts)-paketet växlar med mindre källinduktans jämfört med till TO-247 4L (4-stifts)-paketet.Därför behöver MOSFET SCT3080KLHRC11 (TO-247 N-paket) mer tid under växlingen och därför blir växlingseffektförlusterna högre jämfört med SCT3080KR, detta visas i Tabell 5.2 och Tabell 5.1.