Orientador: Bernard Waldman / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:20:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sacilotti_MarcoAntonio_D.pdf: 8617661 bytes, checksum: 8a44be6b5c0ca660deb661fc955de029 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Apresentamos neste trabalho os aspectos mais importantes da técnica MOVPE com ênfases na construção do sistema, no crescimento de camadas epitaxiais e na caracterização destes. Relataremos a utilização de dois sistemas: um que participamos do projeto e construção e operamos à pressão atmosférica e o aprimoramento e utilização de um outro sistema que funciona a baixa pressão. Nos sistemas acima citados obtivemos materiais básicos e estruturas quânticas de: GaAs, GaAlAs, InP, GaInAs, AlGaInAs e GaInAsP, estruturas estas que possuem o mesmo parâmetro de rede que o substrato. Obtivemos também estruturas tensionadas do tipo GaInAs/GaAs, onde o substrato e as camadas possuem parâmetros de rede diferentes. A qualidade destes crescimentos foi avaliada através de várias técnicas de caracterização como fotoluminescência, efeito Hall, ataques químicos, microscopia óptica e eletrônica, AES, TEM, SIMS, etc. Estruturas de dispositivos laser de GaAs/GaAlAs e AlGaAs/InP também serão apresentadas. A parte inicial deste trabalho é dedicada à descrição de vários métodos de crescimento e à comparações entre eles. Em seguida apresentamos o projeto, construção e utilização do sistema MOVPE. Nos capítulos seguintes serão apresentadados o crescimento e caracterização de camadas binárias, ternárias e quaternárias; incluindo no capítulo IV a solução do problema de flutuação de composição, reportada na literatura mas sem que tenha sido encontrada a causa real desta. No Anexo 1 apresentamos a literatura publicada ou apresentada durante o trabalho de lactação desta tese / Abstract: Not informed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientadores : Wilmar Bueno de Morais, Pierre Rossel / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:18:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Behrens_FrankHerman_M.pdf: 14019745 bytes, checksum: 1365847b0b47a218901ddee915e5dc68 (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: Esta tese tem por objetivo a investigação da viabilidade de projeto de transistores VDMOS de potência e alta tensão,construídos num processo CMOS convencional, normalmente utilizado para aplicações de baixa tensão. Visa também verificar a possibilidade de construção monolítica do dispositivo VDMOS de potência integrado a um circuito lógico de controle à baixa tensão. Primeiramente, s~o discutidos alguns aspectos teóricos das tecnologias de fabricação disponíveis, da tecnologia CMOS convencional, do modelamento do fenômeno de ruptura de junções P / N planares e do modelamento da resistência de condução de transistores VDMOS. Em seguida, com base nos aspectos teóricos desenvolvidos, discute- se o projeto e a caracterização elétrica de uma pastilha teste, contendo diodos e transistores VDMOS de alta tensão, fabricados num processo CMOS poço P, 3 micra, com uma camada de silício policristalino e uma camada de metal. Os resultados experimentais indicam a possibilidade de construção de transistores VDMOS para 100 volts e 75 mohm. cm2, que podem ser otimizados em termos da resistência de condução se o processo utilizado permitir o uso de lâminas epitaxiais do tipo N- / N+, resultando num desempenho elétrico semelhante aos dispositivos comerciais atualmente existentes. A construção monol1tica de dispositivos VDMOS e circuitos lógicos de controle a baixa tensão também se mostrou favorável / Resume: Ce travail a été developpé dans le but de rechercher une méthode capable de viabilizer le projet d'un transistor VDHOS de puissance et haute tension, en s'utilisant d'un processus CHOS conventionnel, de basse tension; ensuite, par des essais experimentaux, verifier Ia possibilité d'integration monolithique du dispositif VDMOS et d'un circuit logique de controle a basse tension. Tout d'abord, sont presentés les aspects theoriques des technologies disponibles actuellement, speciallement Ia technologie CMOS standard, de Ia tenue en tension de jonctions planar et de Ia résistance a l'etat passant des transistors VDMOS. En suite, sur Ia base theorique developée, on discute le projet et Ia characterization électrique d'un prototype de test, contenant des diodes et des transistors VDMOS à haute tension, dans le cadre d'un processus CMOS caisson P, 3 microns, avec une couche de polysilicium et une couche de metal. Les resultats experimentaux ont montre Ia reélle possibilité de construction des transistors VDMOS de 100 volt et 75 mohm . ca2. La resistance à l'etat passant pourrait être optimizée par l'utilization des substrats epitaxiaux du type N- / Nt, resultants des performances similaires aux dispositifs commerciaux actuels. La construction monolithique dês circuits logiques de controle a favorable / Abstract: The objective of this thesis is to investigate the design viability of power and high-voltage VDMOS transistors, built in a standard CMOS process, usually used for low-voltage applications. Also. the monolithic integration possibility of power VDMOS devices and low voltage logic control circuitry is verified. First of all, follows a discusion on some theoretical aspects of the available technologies, specially the CMOS standard technology, P I N planar "junction breakdown modeling and the conduction resistance ( on - resistance ) modeling for VDMOS transistors. Afterwards, the design of a test chip containing high-voltage diodes and VDMOS transistors is discussed, as well as the electric characterization of the prototypes fabricated in a P-well, 3 micron. single poly and single metal CMOS process. The experimental results show that 100-uolt and 75 mohm . cm2 VDMOS transistors can be designed on the standard CMOS process used. A further optimization loading to an on-resistance reduction is possible if the process could be started with N- I N+ epitaxial silicon wafers, resulting in a device performance similar to the commercial ones available nowadays. The monolithic fabrication of a VDMOS transistor and some low-uoltage control logic was also found to be fauorable / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Richard Landers / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:21:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Morais_Jonder_M.pdf: 2560779 bytes, checksum: f0428c05db1c6217d816c87871dbca5d (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho propomos crescer e caracterizar estruturas semicondutoras do tipo GaAs/GalnAs e InP/GalnAs, tendo em vista o estudo das interfaces. As amostras foram crescidas por MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) a pressão atmosférica. e foram analisadas por Espectroscopia de Elétrons AUGER associada à erosão iônica. Foram feitas amostras onde empregou-se interrupções de crescimento ("growth interruptions") nas interfaces, com o objetivo de torna-las o mais abruptas possivel. Foram obtidos perfis em profundidade ( "depth profiles") destas amostras para estudar o comportamento das interfaces em função das interrupções. As análises AUGER também foram utilizadas para apontar eventuais problemas nos crescimentos. auxiliando desta forma na escolha da melhor geometria do reator. Também foram crescidos e analisados Super-redes (SL) e Poços quânticos múltiplos (MQW), bem como um dispositivo H.E.M.T. (high electron mobility transistor) / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:32:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cotta_MonicaAlonso_D.pdf: 4137712 bytes, checksum: ff97b4188a289ba04cb616d29236be85 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Apresentamos aqui um estudo do crescimento de alguns compostos semicondutores III-V por epitaxia química em vácuo (do inglês Vacuum Chemical Epitaxy, VCE). O sistema VCE foi projetado em 1981 pelo Dr. L. M. Fraas na Chevront mas poucos trabalhos foram realizados sobre as características do VCE, e em que diferem dos métodos de crescimentos tradicionais. Mostramos aqui que o VCE pode ser utilizado para heteroepitaxias de GaAs em substratos de Si, mesmo sem a possibilidade de análises in situ dada por outros sistemas. Mostramos também que, no VCE, a dopagem residual de carbono depende da fonte de organometálico com que se realiza o crescimento. Esta característica foi utilizada para a obtenção de camadas altamente dopadas de GaAlAs, adequadas para a obtenção de contatos ôhmicos. Realizamos também um estudo através de simulação Monte Carlo das condições de fluxo no VCE, e verificamos que o crescimento é geralmente realizado longe das condições ideais do sistema, que implicariam no regime molecular de escoamento. Mostramos também que os resultados da simulação podem explicar a dependência da taxa de crescimento com a pressão de trabalho no sistema / Abstract: We present here a study on the growth of some III-V semiconductor compounds using Vacuum Chemical Epitaxy (VCE). The VCE system was designed by Dr. L. M. Fraas in 1981, while working in Chevron. Up to now, some few works have been published on VCE features, and on how they differ from traditional growth methods. We show here that VCE can be used for heteroepitaxy of GaAs on Si substrates, even without. allowing in situ analysis, as other systems do. We also show that the residual carbon doping in VCE depends on the organometallic source chosen for the growth. This feature was utilized to obtain heavily doped GaAlAs layers, suitable for ohmic contacts fabrication. We have also performed a study, using Monte Carlo simulation, on VCE flow conditions; we have verified that the growth is usually carried out far from the ideal conditions, which should imply molecular flow. We also show here that the simulation results can explain the dependence of the growth rate on the system working pressure / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Roberto Luzzi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:53:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Algarte_AntonioCarlosSales_D.pdf: 1262711 bytes, checksum: 65c984838ae6b8562bbddb7d221bb514 (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: É apresentado um método que permite, a partir de primeiros princípios, obter equações de transporte generalizadas com as quais é possível estudar sistemas longe do equilíbrio térmico. Usando esse método obtivemos equações de transporte não lineares que descrevem os processos irreversíveis que ocorrem em experimentos do tipo "bombeamento-prova". Conseguimos, dessa forma, analisar a termodinâmica de não equilíbrio e os processos de relaxação em semicondutores polares submetidos a altos níveis de excitação ótica. Calculamos também a função número de ocupação para diferentes modos de fonons longitudinais óticos. A equação cinética para essa função é escrita em termos dos parâmetros termodinâmicos relevantes que descrevem o estado macroscópico de não equilíbrio. Em ambos os casos os resultados obtidos são comparados com dados experimentais referentes ao GaAs / Abstract: We present a method that using a first principle theory allow us for the determination of nonlinear transport equations which describe irreversible processes in far from equilibrium systems. This method is applied to study the nonequilibrium thermodynamics and kinetics of evolution of relaxation processes in polar semiconductors under high levels of optical excitation. We also calculate the time-evolution of the number occupation function of different longitudinal optical phonon modes. The kinetic equation for this function is written in terms of the relevant thermodynamic parameters that describe the nonequilibrium macroscopic state of the system. Comparison of theory with results obtained in experiments of ultra-fast time resolved optical spectroscopy of GaAs is done, obtaining a good agreement / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Furio Damiani / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T01:14:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Simoes_JoseOtavio_M.pdf: 18558895 bytes, checksum: 98076aae67386f66574748e892750959 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: O escopo deste trabalho é a especificação, implementação e teste operacional de um "Ambiente Interativo de Desenvolvimento de Software para Testes e Medidas Elétricas" - AIDS_TME, com características modulares e de alta reusabilidade de rotinas básicas na produção de software. O aumento da produtividade e da qualidade dos programas gerados dentro deste ambiente é uma característica inerente a sistemas dessa natureza (CASE). A filosofia que norteia este desenvolvimento está baseada em anos de experiências em laboratórios e áreas de manutenção eletroeletrônica, bem como na utilização de instrumentação com interface GPIB - "GENERAL PURPOUSE INTERFACE BUS", visando atender as necessidades de produção de uma enorme variedade de programas de testes para automatizar atividades rotineiras ou para a execução de ensaios extremamente longos e complicados / Abstract: The purpose of this work is the specification, implementation and operational testing of an Interative Environment of Software Development for Testing and Electrical Measurements (AIDS_TME), with modular characteristics and high reusability of basic routines in the software production. The increase in the productivity and quality of programms generated into this environment is an inherent characteristic to the systems of this nature (CASE). The philosophy that guides this development is based on years of experiency in laboratories and eletronic mantenance areas as well as the utilization of instrumententationwith GPIB "General Purpose Interface Bus" interface, aiming at the attendance of necessity of production of a large variety of testing programs to automatize routine activities or to perform complex and extremely long testing / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Ivan Chambouleyron / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T01:17:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Zanatta_AntonioRicardo_M.pdf: 1473478 bytes, checksum: 7a234651b20f08cb5f7c313ab9e5bcd6 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho são apresentados dados experimentais referentes a propriedades ópticas e elétricas de filmes, de qualidade melhorada, de germânio amorfo hidrogenado e não hidrogenado, dopados com nitrogênio. Mostra-se que a inclusão de pequenas quantidades de átomos de nitrogênio na rede do a-Ge dá origem a importantes mudanças nas propriedades opto-eletrônicas do material. Eles podem produzir grandes alterações na condutividade de amostras com baixa densidade de defeitos no pseudo-gap. As amostras são depositadas por RF sputtering de um alvo de Ge em uma atmosfera de argônio e nitrogênio (e hidrogênio, nas amostras hidrogenadas). Medidas de transmissão óptica e condutividade de escuro vs temperatura são apresentadas e discutidas. O nível doador introduzido por nitrogênio coordenado tetraedricamente é encontrado a aproximadamente 50 meV abaixo da borda da banda de condução. No que diz respeito às propriedades ópticas, apenas bandas de absorção (vibracionais), na região de IR, devido aos dipolos Ge-N puderam ser observados na série não hidrogenada, que por sua vez, foram utilizadas na determinação do conteúdo de nitrogênio ligado. Um acréscimo na densidade de defeitos pode ser observado e associado à incorporação de nitrogênio. Toda a interpretação é consistente com o processo de dopagem de elementos do Grupo V em semicondutores amorfos coordenados tetraedricamente. Em principio, qualquer elemento do Grupo V (nitrogênio, fósforo, arsênio, antimônio e bismuto) pode atuar como um doador em a-Ge. Devido à toxicidade de compostos como arsina (AsH3) e fosfina (PH3), comumente utilizados para dopagens, o nitrogênio a aparece como um material doador bastante interessante / Abstract:This work presents experimental data referring to the electrical and optical properties of nitrogen-doped hydrogenated and un-hydrogenated amorphous germanium (a-Ge) films of improved quality. It is shown that the inclusion of minute amounts of nitrogen atoms in the a-Ge network produces important changes in the opto-electronic properties in the material. They can produce large changes in the conductivity of samples having a low density of electronic states in the pseudo-gap. The samples were deposited by RF sputtering a Ge target in an argon plus nitrogen (and hydrogen in the hydrogenated samples) atmosphere. Optical transmission and dark conductivity vs temperature measurements are presented and discussed. The donor level introduced by fourfold coordinated nitrogen is found to be around 60 meV below the conduction band edge. In the a-Ge:N series. absorption bands due to Ge-N vibrations are measured in the IR region of the spectrum. and used to determine the N content. An increase in the density of detects can be observed and associated to nitrogen incorporation. The overall picture is consistent with the doping process of Group V elements in tetrahedrally coordinated amorphous semiconductors. In principle any of the Group V elements (nitrogen. phosphorus. arsenic. antimony and bismuth) could act as donors in a-Ge. Because of the toxicity of such compounds as arsine (AsH3) and phosphate (PH3) which are commonly used for doping. nitrogen appears attractive as a donor material / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T02:48:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Serran_NivaldoVicencotto_M.pdf: 3211859 bytes, checksum: d36918c3b265d1dfd5b3cdabe0b39493 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Luiz Carlos M. Miranda / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T02:49:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Almeida_NilsonSenade_M.pdf: 617220 bytes, checksum: 4402ce7a13c5c6fc89f18e661a3851d4 (MD5) Previous issue date: 1977 / Resumo: A eficiência Raman de espalhamento de ondas eletromagnéticas com a criação de um mágnon, em processos intrabanda de condução e por mecanismo indireto, em semicondutores ferromagnéticos, na presença de um campo magnético DC forte, é estudada. Mostra-se que o processo no qual a interação elétron-radiação é devida ao termo em A2 é dominante sobre o em A.p. Estimativas são feitas para campos magnéticos da ordem de 100 KG e parâmetros físicos característicos dos semicondutores em estudo. Finalmente, é feita uma análise do comportamento de Sp( l ) com a geometria de espalhamento / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Attilio Jose Giarola / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T02:45:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Kretly_LuizCarlos_D.pdf: 12155544 bytes, checksum: 59824a78528eb857d7b3840cc8b0d958 (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Este trabalho descreve a tecnologia desenvolvida para construção de MESFETs de GaAs, (Metal Semiconductor Field Effect Transistors de Arseneto de Gálio), com geometria de porta mícron e submicron. Apresenta em detalhes todas as etapas para a construção destes dispositivos e os resultados obtidos. Mostramos que, a partir de fotolitografia convencional e procedimentos com técnicos de auto-alinhamento, é possível construir transitores MESFETs de GaAS para aplicação analógica (faixa de microondas) e com potencialidades para operação em circuitos intregrados digitais de GaAs. Transistores foram construídos usando esta técnica e as características estatísticas e dinâmicas obtidas estão de conformidade com as especificações típicas destes dispositivos, amplamente divulgados na literatura. Apresentamos, também, um amplo estudo, em forma de ¿tutorial¿, de várias alternativas tecnológicas para conturção de MESFESTs. Ainda, uma extensa análise dos modelos para MESFETs é apresentada, indicando a evolução destes, particularmente quanto à interpretação dos fenômenos ligados ao dispositivo. Uma simulação numérica é também desenvolvida para analisar o comportamento dinâmico de domínios estacionários de carga, em função da polarização de porta e de dreno para MESFETs de GaAs com porta submicron, o que permitiu identificar aprimoramentos a serem introduzidos nos modelos existentes / Abstract: this work describes the technology developed for the construction of GaAs MESFET¿s (Gallium Arsenide Metal Semiconductor Field Effect Transistors) with micron and submicron gate geometry. It describes in detail all the steps for the construction of these devices and the results obtained. It is shown that GaAs MESPETs, for analogical applacation in the microwave range and with potencial for operation in integrated digital circuits, may be constructed with conventional photolithography and with a self-aligment technique. Transitors were constructed using this technique and the DC and dynamic characteristics are in agreement with the specifications of typical MEFETs devices reported in the literature. A general study is also shown, in tutorial form, of the various technological alternatives for the construction of MESFETs. In addition, an extensive analysis of MESFETs models is also presented indicating their evolution, particulary with respect to the interpretation of of the phenomena associated with the divice. A numerical simulation was also developed for the analysis of the stationary charge domain behavior as a function of gate and drain bias of GaAs MEFETs with a submicron gate, thus allowing the identification of improvements to be introduced in the existing models / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica