Orientador : Furio Damiani / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T04:13:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Marranghello_Norian_D.pdf: 5412930 bytes, checksum: 5ae8e0b869d9236acc8b97addcb2ceb3 (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Nesta tese, propõe-se uma metodologiapara a simulação de circuitoseletrônicos, onde buscou-se explorarão máximo as possibilidades oferecidas pela incorporação das técnicas mais atuais, tanto no aspecto de arquiteturas computacionais,quanto no de produção de sistemas integrados. Esta metodologia utiliza um arranjo de processadores dedicados,onde a computaçãose dá assincronamente,dirigida apenas pelas condições de contorno e pelo fluxo das informações geradas a partir destas / Abstract: Not informed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Furio Damiani / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T04:18:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 JaraPerez_MarceloArturo_M.pdf: 6784208 bytes, checksum: f61e5091bc30df3f81364f82ea4277e4 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Apesar do crescimento da potencia computacional das máquinas atuais, os computadores convencionais baseados no modelo seqüencial de Von Neumann, têm demonstrado serem muito ineficientes na resolução de problemas tais como o reconhecimento de padrões e outros de natureza similar. As Redes Neurais Artificiais (ANN) apresentam características como paralelismo maciço e alta conectividade, o que permite a abordagem mais eficiente de tais problemas. A partir da publicação dos modelos neurais de JJ. Hopfield, tem sido desenvolvido muito trabalho analítico na área. Embora o modelamento matemático de ANNs ainda apresente muitas dificuldades, especialmente no estudo das características dinâmicas de tais sistemas. As simulações por computador têm sido extensivamente utilizadas como ferramenta no estudo e na compreensão de ANNs, validando os estudos analíticos e às vezes resultando no único método viável para analisar modelos de tratamento matemático muito complexo. A implementação por software de métodos numéricos e técnicas de tratamento de matrizes é, muitas vezes, melhor desempenhada quando se utiliza um sistema de multicomputadores e técnicas de processamento paralelo, criando ferramentas de simulação mais rápidas e eficientes. No caso da simulação de ANNs, o processamento paralelo se revela como um método que permite uma abordagem mais próxima da aplicação e natureza do problema (uma rede de neurônios ou elementos de processamento altamente interconectada), resultando na diminuição do tempo de resposta da simulação. A utilização da linguagem Occam acrescenta a capacidade de representar, de forma mais "natural", a operação concorrente do conjunto de células de uma ANN e do seu comportamento dinâmico. Neste trabalho. apresenta-se o resultado do estudo de alguns modelos de redes neurais associativas e uma abordagem para a sua simulação num ambiente paralelo e distribuído. Particularmente, trata-se da implementação do modelo binário de J.J. Hopfield, operando de forma síncrona, numa máquina de arquitetura MIMD de tipo message-passing baseada em processadores Transputers e configurada como um hipercubo de dimensão 3 / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Jose Galvão de Pisapia Ramos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T06:17:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Brum_JoseAntonio_M.pdf: 2153554 bytes, checksum: 59ca6d7dfb6671b5c8eaa89b0c2395a0 (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: Nucho et al (Phys. Rev. B17, 1843 e 4835 (1978) desenvolveram a aproximação da ligação química para o cálculo da constante dielétrica dos semicondutores tetraédricas. Eles expressam E1 (0), através das relações de Kramers-Kronig, como uma função dos momentos de ordem zero e primeira ordem de E2 (w), desprezando contribuições de maior ordem. Nós extendemos o cálculo para os semicondutores II-VI com estrutura "zinc-bled"e para o Se e Te. No caso do Se e Te mostramos que as contribuições de maior ordem não podem ser desprezadas. Dos valores experimentais de E2 (w) e encontramos novos valores para o parâmetro que mede a delocalizaçào das funções de onda. Utilizando o modelo "tight-binding" com interações intra-cadeia e inter-cadeias, desenvolvido por Joanopoulos et al (Phys. Rev. B11, 2186 (1975)), nós obtivemos as funções de Wannier envolvendo os parâmetros de Hall-Weaire para os semicondutores Se e Te. Com os valores de Herman-Skillman para os orbitais atômicos, obtivemos resultados numéricos para os momentos de ordem zero e primeira ordem de E2 (w) para o Se e Te que concordam com os valores obtidos dos gráficos experimentais de E2 (w) e com a estrutura de banda / Abstract: Nucho et al (Phys. Ver. B17, 1843 e 4835 (1978)) developed the chemical-bond approach to calculate the dielectric constant of tetrahedral semiconductors. They expressed e 1 (0), via Kramers-Kroing relations, as a function of the zeroth and first order moments of e 2 (w ) and neglected higher order contributions. We extended the calculation to II-VI semiconductors with zinc-blend structure and to Se and Te. In the case of Se and Te we showed that the higher order contributions can not be neglected. From experimental data of e 2 (w ) to III-V semiconductors we obtained the zeroth and first order moments numerically and found new values for the parameter g which give us the delocalization of the wave functions. Using the tight-binding model with intrachain and inter-chain interactions, developed by Joannopoulos et al (Phys.Rev. B11, 2186 (1976)), we obtained the Wannier function involving the Hall-Weaire parameters for the semiconductors Se and Te. Utilizing the Herman-Skillman values for the atomic orbitals, we obtained numerical results for the zeroth and first order moments of e 2 (w ) for Se and Te that agree with the experimental values obtained from the experimental data and with the band structure / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Roberto Luzzi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T13:35:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ferrari_CarlosAlberto_D.pdf: 1756486 bytes, checksum: 733e9d4fab7e574f062c980b1c06b29e (MD5) Previous issue date: 1977 / Resumo: Neste trabalho, estuda-se o mecanismo pelo qual se dá o espalhamento Raman de luz em semicondutores. Inicialmente faz-se este estudo na região de ressonância ( hwL ~ Eg ) em semicondutores com banda de condução não populada ( T ~ 0 ), usando-se a técnica de propagadores. Como estado intermediário para o processo considera-se o polaron. Para a interação elétron-fonon toma-se o hamiltoniano na forma do hamiltoniano de Fröhlich. Obtem-se resultados numéricos que estão em bom acordo com experiências em CdS e GaP. Posteriormente, aplica-se o mesmo formalismo ao caso de semicondutores com a banda de condução densamente populada e com hwL longe da região de ressonância. Devido a interação coulombiana entre as partículas, há a formação de excitações longitudinais ( plasmon ) que poderão hibridizar-se com os fonons LO do semicondutor. A fim de se conseguir resultados mais realísticos, desenvolve-se uma teoria na qual se associa a cada um dos sistemas envolvidos, eletrônico e iônico, uma temperatura efetiva. Isto requer uma adaptação do Teorema da Flutuação-dissipação. A interação entre elétrons e fonons é considerada na forma do hamiltoniano de Fröhlich, e é usada a aproximação de fase aleatória ( R.P.A. ) para o cálculo da secção de choque para espalhamento. Apresentam-se gráficos ilustrando a sensibilidade da teoria à concentração eletrônica, às temperaturas dos sistemas envolvidos, ao tempo de relaxação devido a colisão entre partículas, à largura do fonon LO, todos os quais repercutem na largura de linha e intensidade dos modos híbridos. Finalmente estudam-se estes modos na região de ressonância / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientadora : Alaide Pellegrini Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T15:39:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Braga_EdmundodaSilva_M.pdf: 5308317 bytes, checksum: 20971ae40ce7bc535f5a7263f36d78e3 (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: Este trabalho define uma tecnologia para a fabricação de dispositivos MOS canal N e de porta de SnO2. Foi desenvolvida uma seqüência de processamento para as condições de nosso laboratório.....Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: Not informed / Mestrado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Antonio Rubens Britto de Castro / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T21:59:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Frateschi_NewtonCesario_M.pdf: 1206138 bytes, checksum: 88ef3051795405029cd22e1d9b8e5040 (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: Desenvolvemos uma teoria de perturbação, baseada no esquema perturbativo de Au e Aharonov, para aplicação à equação de Helmholtz. Obtivemos, com esta teoria, o ganho modal num laser de heteroestrutura dupla, com perfil de índice de refração do tipo sech2, comparando os resultados com aqueles obtidos pelo "método do índice de refração efetivo". Testamos a teoria para aplicação a guias dielétricos cilíndricos, e portanto a fibras ópticas. Aplicamos a teoria no cálculo da corrente de limiar no laser "inverted gain profile" como função da energia do foton da emissão e da largura da região ativa. Discutimos soluções particulares para as equações elíticas que surgem na teoria de perturbação. Por último, baseado em resultados experimentais e nos estudos teóricos feitos neste trabalho sobre o laser "inverted gain profile" propomos um projeto de integração monolítica destes lasers num "laser-array", discutindo as características esperadas do seu funcionamento / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Gaston Eduardo Barberis / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T21:29:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Martins_GeorgeBalster_M.pdf: 6248936 bytes, checksum: 4917759211ee9715dce7740a05ea6b7b (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Calculamos a posição no gap para estados associados com vacâncias ideais em C, Si, Ge, Inp, AlAs e ZnSe. Fizemos cálculos parciais, de estados no gap, para metais de transição (grupo do ferro) intersticiais em Silício. As estruturas de banda foram calculadas pelo método 'tight binding¿ semi-empírico (que é extensamente discutido). Alem dos semicondutores citados acima (com exceção do GaAs, Inp, e ZnSe) apresentamos gráficos de estrutura de banda para Sn, SiC, Gap, AlP e AlSb. Além da apresentação física detalhada do problema de defeitos localizados, procuramos encontra-lo também sob uma perspectiva histórica, ressaltando os problemas teóricos e experimentais a ele associados. Acreditamos firmemente que a proposta (por nós colocada) de continuação dos cálculos com metais de transição fornecerá bons resultados, representando uma maneira simples e econômica de interpretação de experiências em andamento no grupo / Abstract: We have calculated the position in the gap for ideal vacancy states (C, Si, Ge, GaAs, InP, AlAs e ZnSe), and made partial calculations for localized states in the gap for interstitial (Td) transitions metals (Iron group) in Silicon. The band structures were calculated by the tight binding method and for point defects we used the Green¿s function method. Besides the above cited semiconductors (with the exception of GaAs, Inp and ZnSe) we present band structure graphics for Sn, SiC, GaP, AlP and AlSb. Beyond the detailed physical presentation of the localized states problem we tried to put it into historical backgrounds, emphasizing the theoretical and experimental aspects of it. We firmly believe that our proposal for the continuation of the transition metals calculations will furnish good results, representing a simple end economical way to interpret the experiments of our grou / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da Silva / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T01:03:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Fulco_Paulo_D.pdf: 2104697 bytes, checksum: f36d25523eb45dcf14c8604f517a6986 (MD5) Previous issue date: 1984 / Resumo: É desenvolvido uma técnica para calcular a densidade de estados de superfícies e interfaces. O método utilizado é o do Hamiltoniano de ligação forte, baseado no esquema de Slater-Koster. As funções de Green, surgidas do formalismo da teoria de espalhamento são desacopladas através do procedimento de renormalização. São estudadas as superfícies (100) do Si e SnO2, e a interface Si-SnO2, todas supostas ideais. Dentro desse esquema, realiza-se um estudo da origem, localização e caráter dos estados das superfícies e interface. Os resultados mostram que a técnica de renormalização reproduz o cálculo da densidade de estados efetuados por técnicas mais elaboradas. 0 teste foi realizado com as superfícies do Si e do SnO2 e a seguir foram obtidos resultados para a interface Si-SnO2 / Abstract: We develop a technique to calculate the density of state of surfaces and interfaces. The method used here is the tight-binding Hamiltonian based on the Slater-Koster approach. The Green functions, which arise from the formalism of the scattering theory, are decoupled through the renormalization's procedure. We study the ideal surface (100) of Si and SnO2, and the ideal interface Si-SnO2 This approach is used to investigate the origin, localization and behavior of the states on the surfaces and interfaces. Our results show that the renormalization technique gives the same density of state as it was found using more sophisticated techniques. We start with the surfaces of Si and SnO2 and we extend our calculations to a more complicated situation: the interface Si-SnO2 / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientadores: Marco Antonio Fiori Scarparo, Carlos Henrique Brito Cruz / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T05:08:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Miranda_RubensdaSilva_D.pdf: 5194284 bytes, checksum: c4262fc2b53c3184a7795d034e6d2135 (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: No presente trabalho, o processo de geração de pulsos laser ultra-curtos em uma cavidade do tipo "colliding pulse mode-locked" foi estudado. Um modelo foi desenvolvido para explicar como uma varredura de frequência é gerada no pulso durante a propagação deste em um absorvedor saturável. Utilizando-se este laser, o tempo de termalização de portadores quentes em um filme de CdSe eletrodepositado foi medido através da técnica de excitação e prova. O tempo medido variou de 300 fs a 1.5 ps para uma correspondente variação da densidade de portadores injetados de 6 x 1016 cm -3 a 4.7 x 1018 com -3. Para explicar os dados experimentais, um modelo foi proposto. Esse modelo inclui os efeitos de "screening" da interação coulombiana e de alargamento da linha de distribuição espectral dos elétrons, que aumenta com a taxa de espalhamento portador-portador / Abstract: In this work process of ultrashort light pulses generation from a colliding pulse modelocked laser was studied. A model was developed wick explains how a frequency sweep is generated in the pulse on propagation through the saturable absorber. Using this laser, the hot carrier thermalization time in a electrodeposited CdSe film was measured in a pump and probe experiment as well. This time was found to vary from 300 fs to 1.5 ps as the density of injected carriers increased from 6 x 1016 cm-3 to 4,7 x 1018cm-3. To describe our data a model was proposed. This model includes sreening of the Coulomb interaction and line broadening of the spectral distribution of electrons which increases with the carrier-carrier scattering rate / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Fernando Cerdeira / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-20T17:20:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_MarcosAntonioAraujo_D.pdf: 2541195 bytes, checksum: 3f6719299d5a08183c7b43e174b72215 (MD5) Previous issue date: 1995 / Resumo: Nós utilizamos espectroscopia Raman para estudar a dinâmica de rede de heteroestruturas semicondutoras de Si/Ge, tanto experimental quanto teoricamente. Foi feito um estudo de uma ampla região espectral, (de ~ 2 cm-1 até 600 cm-1), que inclui fônons acústicos dobrados, fônons de interface, e fônons ópticos confinados. Nós utilizamos vários sistemas experimentais: um sistema usual, um sistema de alta resolução, e um sistema de micro-Raman. Pelo lado teórico, nós aplicamos o modelo da cadeia linear unidimensional, com interação de até segundos vizinhos, e usamos o modelo bond-polarizability para simular os espectros Raman. Uma análise fenomenológica nos permitiu verificar a presença de rugosidade de larga escala (terraços) nas interfaces de nossas amostras. Medidas de espalhamento Raman ressonante também foram feitas para os fônons ópticos de nossas microestruturas. Uma análise quantitativa da seção de choque Raman do pico originado nas vibrações confinadas Ge-Ge, permitiu-nos acompanhar as transições ópticas dos éxcitons confinados em cada terraço. Esta análise favorece nossas interpretações anteriores a respeito desta transição, que a relaciona a transições do tipo E1 do Ge bulk / Abstract: We have used Raman spectroscopy to study the lattice dynamics of Ge/Si semiconductor heterostructures, both experimentally and theoretically. The study was performed in a broad spectral range (from 2 cm-1 up to 600 cm-1), which includes the acoustical folded phonons, interfaces phonons, and confined optical phonons. We have used several experimental systems: a standard, a high resolution, and a micro-Raman setup. Theoretically, we have applied a one-dimensional linear-chain model with second-neighbor interactions to obtain the vibrational modes and a bond-polarizability model to simulate the Raman spectra. A phenomenological analysis allows us to verify the presence of large scale roughness (terraces) in the interfaces of our samples. Resonant Raman measurements were also performed for the optical phonons of our microstructures. Quantitative analysis of the resonant-Raman cross-section of the peak originating in Ge-Ge confined vibrations allows us to single out optical transitions of excitons confined within each terrace. This analysis favours our previous interpretation of this transition, which relates it to the E1-transitions of bulk Ge / Doutorado / Física / Doutor em Ciências