Tese (doutorado)—Universidade de Brasília, Instituto de Física, 2011. / Submitted by Tania Milca Carvalho Malheiros (tania@bce.unb.br) on 2012-02-23T14:37:03Z No. of bitstreams: 1 2011_HannaDeganiMikhail.pdf: 2181068 bytes, checksum: 78ffdf5a0ca69f4b8703849ad67d03e9 (MD5) / Approved for entry into archive by Marília Freitas(marilia@bce.unb.br) on 2012-02-24T10:59:32Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2011_HannaDeganiMikhail.pdf: 2181068 bytes, checksum: 78ffdf5a0ca69f4b8703849ad67d03e9 (MD5) / Made available in DSpace on 2012-02-24T10:59:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2011_HannaDeganiMikhail.pdf: 2181068 bytes, checksum: 78ffdf5a0ca69f4b8703849ad67d03e9 (MD5) / Neste trabalho, realizamos um estudo teórico para determinar a taxa de geração de mágnons e a consequente redução da magnetização de um poço quântico semicondutor magnético diluído de (Ga,Mn)As, devido a processos de espalhamento buraco–mágnon, induzidos pela interação do gás de buracos quase–bidimensional com campo laser. Para este fim, escrevemos a equação de Schrödinger (na aproximação da massa efetiva) para um buraco confinado por um potencial unidimensional ideal na direçãoz, interagindo com o campo laser aplicado. Determinamos a função de onda do sistema a partir da solução da equação de Schrödinger, e efetuamos o cálculo dos elementos da matriz de espalhamento buraco– mágnon. A interação buraco–mágnon foi tratada pela teoria da perturbação de primeira ordem, considerando somente mágnons associados à precessão dos spins localizados dos íons de Mn. A partir dos elementos da matriz de espalhamento, obtivemos a probabilidade de transição por unidade de tempo, considerando processos de transição acompanhados de absorção/emissão de ambos, mágnons e fótons (com a mesma frequência do campo laser) simultaneamente. Em seguida, determinamos a equação cinética obedecida pela população de mágnons, que também nos fornece o coeficiente de amplificação dos mesmos. Finalmente, calculamos a desmagnetização a partir de sua relação com o número de mágnons presente no sistema. Aplicando o modelo descrito acima para transições intra sub–bandas, com um campo laser forte, verificamos que a amplificação da população de mágnons se torna apreciável quando a amplitude do campo elétrico associado ao laser supera o campo crítico, da ordem de 108V=m, levando a coeficientes de amplificação de mágnons entre 1011 e 1012 s1. A desmagnetização mostrou forte dependência com a largura do poço quântico e com a intensidade do campo elétrico, sendo tanto maior quanto menor a largura do poço e maior a intensidade do campo elétrico associado ao laser. Obtivemos uma redução tanto nos valores do coeficiente de amplificação quanto da desmagnetização, quando consideramos transições inter sub–bandas com Neste trabalho, realizamos um estudo teórico para determinar a taxa de geração de mágnons e a consequente redução da magnetização de um poço quântico semicondutor magnético diluído de (Ga,Mn)As, devido a processos de espalhamento buraco–mágnon, induzidos pela interação do gás de buracos quase–bidimensional com campo laser. Para este fim, escrevemos a equação de Schrödinger (na aproximação da massa efetiva) para um buraco confinado por um potencial unidimensional ideal na direçãoz, interagindo com o campo laser aplicado. Determinamos a função de onda do sistema a partir da solução da equação de Schrödinger, e efetuamos o cálculo dos elementos da matriz de espalhamento buraco– mágnon. A interação buraco–mágnon foi tratada pela teoria da perturbação de primeira ordem, considerando somente mágnons associados à precessão dos spins localizados dos íons de Mn. A partir dos elementos da matriz de espalhamento, obtivemos a probabilidade de transição por unidade de tempo, considerando processos de transição acompanhados de absorção/emissão de ambos, mágnons e fótons (com a mesma frequência do campo laser) simultaneamente. Em seguida, determinamos a equação cinética obedecida pela população de mágnons, que também nos fornece o coeficiente de amplificação dos mesmos. Finalmente, calculamos a desmagnetização a partir de sua relação com o número de mágnons presente no sistema. Aplicando o modelo descrito acima para transições intra sub–bandas, com um campo laser forte, verificamos que a amplificação da população de mágnons se torna apreciável quando a amplitude do campo elétrico associado ao laser supera o campo crítico, da ordem de 108V=m, levando a coeficientes de amplificação de mágnons entre 1011 e 1012 s1. A desmagnetização mostrou forte dependência com a largura do poço quântico e com a intensidade do campo elétrico, sendo tanto maior quanto menor a largura do poço e maior a intensidade do campo elétrico associado ao laser. Obtivemos uma redução tanto nos valores do coeficiente de amplificação quanto da desmagnetização, quando consideramos transições inter sub–bandas com um campo laser forte ou transições intra (inter) sub–bandas com dois campos laser’s aplicados (um no regime de campo forte e outro no de campo fraco).um campo laser forte ou transições intra (inter) sub–bandas com dois campos laser’s aplicados (um no regime de campo forte e outro no de campo fraco). ______________________________________________________________________________ ABSTRACT / In this work we carried out a theoretical study in order to determine the magnons growth rate and therefore the drop on the magnetization of a (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductor quantum well, due to hole–magnon scattering processes, induced by the interaction of quasi-two dimensional hole gas under a laser field. For this purpose, we wrote the Schrödinger equation (under the e ective mass approximation) for a confined hole in an ideal one–dimensional potential at the zdirection, interacting with the applied laser field. We determined the wave function of the system by solving the Schrödinger equation, and we calculated the elements of the hole-magnon scattering matrix. The hole-magnon interaction was treated under a first-order perturbation theory, considering only the magnons associated with the localized spin precession at the Mn ions. From the scattering matrix elements, we obtained the rate transition probability, considering transition processes accompanied by absorption/emission of both magnons and photons (under the same laser field frequency) simultaneously. Following, we determined the kinetic equation obeyed by the population of magnons, which also provides their amplification coe cient. Finally, we calculated the demagnetization from its relationship with the number of magnons of the system. When applying the model mentioned above to intra-subband transitions under a strong laser field, we verified an appreciably increase in the population of magnons when the amplitude of the electric part of the laser field overcomes a critical value, on the order of 108V=m, allowing an magnon amplification coe cient between 1011 and 1012 s1. The demagnetization showed a strong dependence on the width of the quantum well as well as the electric field intensity, being as higher as the smaller is the width of the well and the higher is the electric field intensity due to laser. We obtained a drop on the values of the amplification coe cient as well as for the demagnetization when considering inter-subband transitions under a strong laser field or intra (inter)-subband transitions with two applied laser fields (one at the strong and the other at the weak regime).

Este trabalho tem como objetivo principal, o estudo de técnicas de microscopia para a caracterização estrutural de semicondutores, visando o desenvolvimento das técnicas de preparação de amostras, visto que a caracterização estrutural é de suma importância para a obtenção de melhores resultados no processo de produção de filmes de semicondutores do grupo III-V. Dentre as técnicas mais utilizadas na caracterização estrutural, destacam-se as técnicas de microscopia eletrônica de varredura e de transmissão, juntamente com a microscopia de força atômica. Foram utilizadas amostras semicondutoras de InGaAs/GaAs e InAs/GaAs, crescidas pela técnica de MBE (epitaxia por feixe molecular), contendo pontos quânticos, estruturas estas ricas em detalhes. Tais amostras foram preparadas e caracterizadas em cada uma das técnicas em estudo. A microscopia de varredura e de força atômica apresentam fácil preparação. Os resultados obtidos, porém mostram que a técnica de microscopia eletrônica de varredura não oferece resolução suficiente para visualização das heteroestruturas; já a técnica de microscopia de força atômica mostra resultados excelentes da topografia dos pontos quânticos. Para a microscopia de transmissão a preparação de amostras mostra-se muito difícil e demorada, entretanto, o resultado obtido foi muito satisfatório. O processo de preparação passa por etapas de clivagem, \"dimpling\" e \"ion milling\". As imagens obtidas revelam com clareza a estrutura de pontos quântico. Com o estudo realizado, foi possível determinar as principais características de cada técnica, assim como determinar uma metodologia que pode vir a ser aplicada a outros tipos de heteroestruturas semicondutoras / This work has as main objective, the study of microscopy techniques for structural characterization of semiconductors and the development of the techniques of sample preparation, because the structural characterization is of highest importance for the obtaining of better results in the process of production of semiconductors thin films. The techniques more used in the structural characterization, are the techniques of electronic microscopy (Scanning and Transmission), together with the Atomic Force Microscopy. Samples of InGaAs/GaAs and InAs/GaAs were used, grown by the technique of MBE (Molecular Beam Epitaxy), with quantum dots, structures these rich ones in details. Such samples were prepared and characterized in each one of the techniques in study. The Scanning Microscopy and Atomic Force present easy preparation. The obtained results even so they show that the technique of Scanning Microscopy doesn\'t offer enough resolution for visualization of the heteroestructures; already the technique of Atomic Force shows excellent results of the topography of the quantum dots. For the Transmission Microscopy the preparation of samples is shown very difficult and delayed, however, the obtained result was very satisfactory. The preparation process goes by cutting stages, dimpling and ion milling. The obtained images reveal with clarity the quantum structure of points. With the accomplished study, it was possible to determine the main characteristics of each technique, as well as determining a methodology that can come to be applied to the other types of semiconductors heterostructures

Made available in DSpace on 2014-06-12T15:58:20Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo3518_1.pdf: 1045256 bytes, checksum: e867a269b3f60e64d58cb765a97aec17 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2009 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Atualmente o processo de verificação funcional de System-on-Chip (SoC) complexos envolve centenas de engenheiros ao longo do projeto de um circuito integrado. Tal esforço visa garantir um nível de confiança satisfatório antes do mesmo ser enviado para o tapeout . Estudos recentes revelaram que a etapa de verificação funcional constitui de 70% a 80% do esforço total do projeto sendo a etapa mais onerosa em termos de custo e tempo dentro do fluxo de desenvolvimento de um SoC. Devido às restrições de time-to-market e a atual complexidade dos SoCs, as equipes de verificação funcional não usufruem do tempo necessário para obter o conhecimento do sistema a ser verificado em profundidade. Contudo eles precisam garantir que todos os módulos de propriedades intelectual (IP) presentes em um SoC continuam funcionando de acordo com a sua especificação após integrados. Na verificação funcional existem várias técnicas de como proceder com a mesma. Atualmente, a mais utilizada é a verificação com auxílio de um processador processor driven tests . Dado que nesses complexos sistemas sempre há um processador o qual é responsável pelo controle do sistema. Uma forma de verificar se todos os IPs dentro da hierarquia do SoC funcionam de acordo com suas especificações é executar aplicações em software neste processador e verificar a saída do sistema. A idéia consiste em estimular um IP através de rotinas em software comparando o resultado gerado com o esperado. Nesta abordagem, um dos problemas existente consiste na escrita dos casos de testes. Uma vez que nesses sistemas encontramos uma grande quantidade de IPs, e estando os mesmos dispostos em diferentes níveis de hierarquia de barramentos dentro do SoC, acessar suas interfaces e seus componentes internos utilizando uma linguagem estruturada, como C, é bastante complexo. Os IPs são acessados via dispositivo de entrada e saída baseado em memória, ou seja, cada IP possui um ou mais endereços e a decodificação desses endereços é feita pelos barramentos existentes no sistema. Para o processador é transparente se uma rotina de escrita ou leitura vai ser processada por um bloco de memória de fato ou por um IP com um conjunto de registradores internos. Desta forma, quando o engenheiro de verificação está escrevendo os casos de testes ele precisa lidar com manipulação de endereços, macros e/ou estruturas, defines, ou ainda, partir para uma linguagem de montagem.No processo de escrita dos casos de testes, as rotinas que implementam o acesso aos registradores e seus campos consistem em uma atividade fundamental para permitir o teste de funcionalidade do sistema. A essas rotinas encarregadas de ler e escrever valores nos registradores internos do IPs de um SoC chamamos de camada de abstração de hardware Hardware Abstraction Layer (HAL). A STMicroelectronics, uma das lideres mundial na industria de semicondutores, através do seu grupo de verificação funcional decidiu desenvolver uma metodologia para verificação funcional de SoC que fizesse o uso de ferramentas específicas para automatizar parte das atividades relacionadas a esta fase do projeto de um circuito integrado. Uma necessidade do time de verificação funcional, no contexto desta metodologia, consistia em possuir uma ferramenta capaz de automatizar o processo de geração dessa HAL, uma vez que os engenheiros de verificação tinham bastante trabalho na escrita dessas rotinas e em muitos casos elas eram responsáveis por falhas no processo de verificação funcional. O interesse do time era permitir que o engenheiro focasse seu trabalho no teste de funcionalidade do SoC não despendendo seu tempo na implementação das rotinas de acesso aos registradores dos IPs. Este trabalho foi desenvolvido em parceira com a STMicroelectronics visando estudar e propor uma ferramenta capaz de atender tal necessidade. O trabalho propõe a implementação de uma ferramenta capaz de gerar a camada de abstração de hardware. A ferramenta proposta, HAL generator , é um dos instrumentos que suportam a automação de parte do processo de verificação funcional. Esta ferramenta é responsável pela geração automática de uma API que permite a manipulação dos valores dos registradores. A manipulação dos valores pode ser feita em todo registrador ou em subcampos do mesmo através de uma interface em um alto nível de abstração. Os engenheiros de verificação utilizam as funções geradas pelo HAL generator para ler e escrever valores nos registradores do SoC a ser verificado. A ferramenta é capaz de gerar tanto a declaração como definição das funções. As funções são geradas na linguagem de programação C e funcionam como uma API para ler e escrever valores nos registradores. Com o apoio dessas funções geradas pela ferramenta, a codificação dos casos de testes fica mais fácil e produtiva, permitindo ainda a reutilização dos casos de testes em outros sistemas dado que a API gerada pelo HAL generator segue um padrão na geração das funções o qual garante que um caso de testepara um mesmo IP possa ser executado em contextos diferentes, bastando apenas executar o HAL generator para cada cenário

Submitted by Fabio Sobreira Campos da Costa (fabio.sobreira@ufpe.br) on 2017-09-06T15:26:27Z No. of bitstreams: 2 license_rdf: 811 bytes, checksum: e39d27027a6cc9cb039ad269a5db8e34 (MD5) Dissertação Talita_mestrado_2016.pdf: 3857388 bytes, checksum: 4cfacd7e8150b49eb46e87ddd27d79d4 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-09-06T15:26:27Z (GMT). No. of bitstreams: 2 license_rdf: 811 bytes, checksum: e39d27027a6cc9cb039ad269a5db8e34 (MD5) Dissertação Talita_mestrado_2016.pdf: 3857388 bytes, checksum: 4cfacd7e8150b49eb46e87ddd27d79d4 (MD5) Previous issue date: 2016-03-04 / FACEPE / Materiais nanoestruturados são importantes devidoa suas numerosas aplicabilidades. A versatilidade da técnica Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) permite a preparação de materiais semicondutores com morfologias interessantes, sendo o controle de parâmetros o responsável pelo direcionamento das morfologias obtidas. Nanofios de óxidos semicondutores são considerados materiais importantes devido às propriedades peculiares que apresentam para uso em medicina e odontologia. Os óxidos de gálio e de zinco preenchem os requisitos básicos para tais aplicações, tendo em vista suas propriedades antiinfecciosas, antiinflamatórias, sendo importantes no tratamento de doenças ósseas e cancerígenas. A execução da pesquisa em laboratório evidenciou que os compostos que contém o elemento químico gálio são responsáveis pela eliminação de microorganismos patogênicos, visto que a ação do gálio como um “cavalo de Tróia” favorece o não metabolismo de certos microorganismos. Neste estudo, imagens de MEV mostraram a obtenção da morfologia “alboaurea-like” para o óxido de zinco. Resultados de DRX mostrou a obtenção da fase wurtzita para este óxido. A análise de fotoluminescência evidenciou uma emissão intensa que esta de acordo com as emissões reportadas na literatura. As imagens de MEV mostraram a obtenção da morfologia “urchin-like” para o óxido de gálio cristalino. Os resultados de MET e DRXpara o Ga2O3comprovaram a obtenção da fase monoclínica. A análise estrutural do Ga2O3 por DRX indicou uma possível fase amorfa presente no material cristalino. A análise luminescente do Ga2O3apresentou um pico intenso em ~700 nm que não decresce com a mudança de potencial de excitação ou abaixamento de temperatura. Esse comportamento do óxido de gálio cristalino torna-o um material promissor para aplicações médicas no que tange a substituição de agentes fotossensitivos em terapias fotodinâmicas. Para o pó obtido por pirólise de TEGa a análise estrutural por DRX comprovou a obtenção da fase amorfae testes in vitro utilizando este pó amorfo foram realizados com bactérias específicas (Pseudomonasaeruginosas e Staphylococus aureus) comprovando a ação deletéria dos compostos químicos que contém gálio a partir da inibição do desenvolvimento bacteriano. / Nanostructured materials are important due to their numerous applications. The versatility of the technique Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) allows the preparation of semiconductor materials with interesting morphologies, wherethe control of the parameters is the responsible for the direction of the resulting morphologies.Oxide semiconductor nanowires are considered important materials due to the peculiar properties widely used in medicine and dentistry.The gallium and zinc oxides have the basic requirements for such applications such as action antiinfective, antiinflammatory properties which are important in treatment of bone diseases and cancer. The execution of research in the laboratory showed that compounds containing gallium chemical element are responsible for the elimination of pathogenic microorganisms, since the action of gallium, commonly called of "Trojan horse", does not favor the metabolism of certain microorganisms.In this study, SEM images show the"alboaurea-like"morphology for zinc oxide. XRD results showed the presence of thewurtzite phase for this oxide.Photoluminescence analysis showed an intense emission which is in agreement with the emissions reported in the literature.The SEM images showed the "urchin-like" morphology for the crystalline gallium oxide.The results of XRD and TEM confirmed that the Ga2O3presents a monoclinic phase.Structural analysis of Ga2O3 by XRD indicated a possible amorphous phase present in the crystalline material.The luminescent analysis of Ga2O3 showed an intense peak at ~ 700 nm, does not decrease with changes in the potential excitement or temperature reduction.Thus, the crystalline gallium oxide becomes in a promising material for medical applications allows to replacement photosensitive agents in photodynamic therapy. For the powder obtained by TEGa pyrolysis, structural XRD analysis confirmed the obtention of amorphous phase. In addition, in vitro tests performed with specific bacteria (Pseudomonas aeruginosaand Staphylococcus aureus) confirmed the deleterious effects of chemical compounds containing gallium from the inhibition of bacterial growth.

Orientador: Fernando Alvarez / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-21T03:05:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rovira_PabloIvan_M.pdf: 3589137 bytes, checksum: b5185561fed6e42d0706a10f83d5df38 (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: No presente trabalho estudamos principalmente a tendência de formação de ligações homonucleares ou heteronucleares (ordem química), em ligas de a-Si1-xCx:H depositadas por RF co-sputtering em função da quantidade de carbono e a sua correlação com as propriedades óticas, tais como a energia do gap e a desordem estrutural. Para um conteúdo atômico de carbono de aproximadamente 20 %, observamos uma mudança na ligação preferencial de homonuclear para heteronuclear , tendo como conseqüência uma mudança repentina nas ,propriedades óticas. Acreditamos que esta mudança está relacionada às energias de ligação e à entropia do sistema. Os diferentes tipos de ligação foram estudados por espectroscopia de transmissão na região do infravermelho. As propriedades óticas foram estudadas através de espectroscopia de transmissão na região do visível e a desordem estrutural através de Photothermal Deflection Spectroscopy (PDS). O conteúdo de carbono foi estimado através de medidas de Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS) . Continuando o estudo das conseqüências das ligações p numa rede amorfa, pesquisamos o efeito do bombardeamento iónico durante a deposição de a-C:H por Glow Discharge. Observamos que o bombardeamento iónico estimula a formação de ligações p e consequentemente muda as propriedades óticas tais como energia do gap e fotoluminescência. Apresentamos nesta tese alguma informação sobre a influência dos parâmetros de deposição por RF sputtering sobre a-Si:H e a-Ge:H. Os parâmetros de deposição foram correlacionados com as diferentes ligações moleculares e as propriedades óticas, utilizando espectroscopias de infravermelho e visível, e PDS. Por último, sugerimos um método para estimar a variação da densidade de defeitos em ligas de a-Si1-xCx:H através de medidas de PDS / Abstract: In this present work, we mainly study the tendency of formation of homonuclear and heteronuclear bonds (chemical order) in a-Si1-xCx:H deposited by RF co-sputtering, and its correlation with optical properties, such as gap energy and structural disorder. The reason on using this deposition technique is that it permits the control of the hydrogen content while changing the carbon concentration, avoiding another parameter that could change the chemical order or disorder preferences. At 20 at. % of carbon content, we see a change in the preference bonding from homonuclear to heteronuclear, leading to a strong influence in optical properties. This change is correlated to bond energies and the system entropy. The different types of bonds were studied by IR spectroscopy. The optical properties were studied by UV -VIS spectroscopy, and the structural topology was studied by Photothermal Deflection Spectroscopy (PDS). The carbon content was estimated from Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS). Following the study of the influence of the p bonds, we studied the correlation between the ion bombardment during the deposition of a-C:H by Glow Discharge and the formation of p bonds. The ion bombardment increases the number of p bonds and consequently the gap energy and the photoluminescence. In this thesis there is also some information about the influence of the RF sputtering deposition parameters on a-Si:H and a-Ge:H. The deposition parameters were correlated with bonding configuration and optical properties using IV and UV ¿VIS spectroscopies and PDS. At last, we suggest a new method to estimate the variation of the defect density in a-Si1-xCx:H alloys using PDS / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Jose A. Brum / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-21T20:29:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Costa_IvanFerreirada_D.pdf: 1325246 bytes, checksum: cab961be6b890d000db884c957ca936d (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: O sistema estudado nesta tese consiste em um poço quântico de semicondutor submetido a um campo magnético aplicado paralelo ao plano do poço. Neste sistema é excitado primeiramente um exciton. É feito um estudo do problema de dois corpos interagentes por força coulombiana sujeitos ao poço quadrado e ao campo magnético no-plano, onde se obtém, pela primeira vez, a dependência da energia do estado fundamental do exciton com o campo e com a largura e a altura do poço. A transição do exciton tridimensional ao exciton bidimensional também é estudada para poços profundos e rasos. Na segunda parte, o exciton é substituído por uma impureza hidrogenóide colocada no centro do poço de potencial na aproximação parabólica. Para este caso é feito um estudo numérico dos níveis excitados perto do contínuo de energia, onde é esperada uma dinâmica clássica caótica para a impureza hidrogenóide que teve sua simetria quebrada pelo poço e pelo campo / Abstract: We investigate a semiconductor quantum well subject to a magnetic field applied parallel to the plane of the well. In this system we first studied an exciton. The two body problem with two interacting particules were subjected to a square quantum well and an inplane magnetic field, in which we obtained, for the first time, the dependence of the excitonic ground state energy with the field and the width and height of the well. The transition from 3-dirnensional to 2-dirnensional magneto exciton was also studied for shallow and deep quantum wells. In the second part, the exciton was replaced by a hydrogenic impurity in the center of a parabolic quantum well. For this case a numerical study was performed for the excited energy states close to the ionization threshold, where a classic chaotic behavior for the hydrogenic impurity was expected to arise from the broken symmetry by the well and the field / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-21T20:30:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sato_JulioNoboru_M.pdf: 1907861 bytes, checksum: 9da572e0cf8e9f1e542ef7f2f309d976 (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo de crescimento homoepitaxial de GaAs que tem por objetivo calibrar o sistema CBE montado na Unicamp, auxiliando no crescimento de ligas ternárias e quaternárias. A escolha do crescimento de GaAs está baseada na sua grande importância em micro e optoeletrônica, assim como no fato de existir uma ampla referência bibliográfica sobre esta liga binária. Em nosso trabalho, mostramos que o modelo de Robertson e Donnelly pode ser usado para explicar o comportamento das taxas de crescimento obtidas. Mostramos, também, que a troca de marca do craqueador bem como a mudança da temperatura de craqueamento, influenciaram as características morfológicas, elétricas e de raio-X das amostras crescidas. Por fim, verificamos que as dopagens com silício e berílio, para as concentrações estudadas, são proporcionais a taxa de evaporação dos respectivos dopantes / Abstract: In this work we present a study on the growth of homoepitaxy of GaAs. Its goal is to calibrate the Chemical Beam Epitaxy system installed at this University, to help in the growth of ternary and quaternary alloys. The choice for GaAs growth was based on its importance for micro and optoelectronics, as well as on the existence of considerable amount of literature on this binary material. In our work we show that the model proposed by Robertson and Donnelly can be used to explain the behavior of the growth rate with respect to growth parameters. We also show that the use of two different cracker cells affected the morphological, electrical and crystallographic characteristics of the material. These characteristics were investigated as a function of the cracker cell temperature. Finally, we verified that Si and Be doping, for the doping levels considered in this study, are proportional to the evaporation rate of the sources used. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Daniel Pereira / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-22T02:32:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Catalani_Fernando_M.pdf: 1904329 bytes, checksum: 14fb567f6ae3f1854f1f428a98f4dcba (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Nas últimas décadas os lasers de diodo têm se tornado os mais importantes em termos econômicos. É crescente a sua aplicação em diversas áreas da física e da tecnologia, decorrente do seu baixo custo, confiabilidade, durabilidade e facilidade de integração em circuitos optoeletrônicos. Com o desenvolvimento de novas técnicas de estreitamento de linha e ampla faixa de sintonização, estes lasers vêm substituindo outros lasers mais caros, como os lasers de corante, em áreas da física como espectroscopia de alta resolução, resfriamento e aprisionamento de átomos e etc. Diversos átomos de interesse metrológico têm transições na região de freqüência coberta pelos lasers de diodo, como por exemplo, o Rubídio e o Césio. Fazendo parte desta tendência mundial, caracterizamos um laser de diodo comercial Sharp em uma cavidade que permite a operação entre temperaturas da ordem de 240 K à temperatura ambiente. A região de freqüência deste laser é centrada em torno de 780 nm, com potência da ordem de 30 mW e corrente de operação de cerca de 75 mA. Realizamos, em primeiro lugar, a caracterização deste sistema em potência e corrente de limiar. Em seguida a caracterização em comprimento de onda, utilizando um l-meter. Medimos a dependência do comprimento de onda do laser em termos da corrente e temperatura e as taxas de variação de l com I e T. Medimos, também, a sua largura de linha (em torno de 50 MHz). Realizamos espectros da molécula de iodo com esse sistema laser, para tanto tivemos de construir um forno de manta de quartzo, afim de aquecermos a célula de iodo e obtermos medidas de melhor razão sinal-ruído. Em seguida, acoplamos este sistema à uma grade de difração, constituindo assim um laser em cavidade externa em configuração Littrow. Caracterizamos, então a largura de linha do laser em cavidade externa, observando a redução desta devida à realimentação óptica. Medimos uma largura de linha de aproximadamente 12 MHz, contudo devemos estar limitados pela finesse do Fabry-Perot, na realidade, valores em torno de 1 MHz devem ser mais realistas. Realizamos, novamente, espectros do iodo com o laser em cavidade externa na mesma região dos espectros anteriores, verificando a melhor qualidade espectral do laser com cavidade estendida / Abstract: In the last decade the diode lasers became the most important in economics. The use of diode lasers in Physics and Technology has expanded rapidly. This has occurred because their low cost, reliability , durability and possibility of integrating with electronic components to form integrated optoeletronic circuits. The development of novel techniques to control and narrow their spectral outputs and large wavelength coverage make diode lasers an alternative to other lasers more expensive in many experiments of atomic physics as high resolution spectroscopy, cooling and trapping atoms. Many atoms of metrological interest have transitions in the frequency region covered by diode lasers as rubidium and cesium. We characterize one diode laser Sharp LT 024 in a cavity allowing an operation in temperatures between 240 K to room temperature. This laser operate in 780 nm region, 30 mW of power and operating current 75 mA. First we did the characterization in power and threshold current. Following the characterization in wavelength, using a l-meter. We measured the tuning range in function of temperature and current and their line width (50 MHz) .We present some spectra of molecular iodine and to this purpose we made a oven to heat the iodine cell to get better signal noise ratio measures. To narrow the laser output we put the laser in an external cavity using a grating in Littrow configuration. Then, we measured the laser in external cavity line width and obtained the spectral narrowing by optical feedback. Again we present some spectra of iodine with the laser in external cavity in the same region of the first / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Jose Antonio Brum / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-22T05:04:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Triques_AdrianaLuciaCerri_D.pdf: 2598891 bytes, checksum: 611af9202deadd81be8570239709cfdf (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: Nesta tese, estudamos a relaxação de spin de excitons em poços quânticos de semicondutores. Iniciamos o estudo com um cálculo da dispersão do centro-de-massa do exciton no plano do poço quântico, incluindo o acoplamento entre as bandas de buraco leve e pesado no Hamiltoniano de Luttinger. Estudamos a mistura de estados de spin decorrente do acoplamento entre os excitons, discutindo a importância do acoplamento na relaxação de spin do exciton. Na seqüência, estudamos a relaxação de spin através da medida da polarização da fotoluminescência em poços quânticos de semicondutores. Utilizamos as técnicas de fotoluminescência e a fotoluminescência de excitação com luz circularmente polarizada, nos modos contínuo e resolvido no tempo. Neste trabalho, abordamos duas situações físicas. Na primeira situação, investigamos uma amostra onde a localização excitônica é forte, e a relaxação de spin é completamente determinada pela dinâmica dos excitons localizados. Os resultados mostraram que a localização do exciton leva a uma relaxação do spin excitônico lenta. Na segunda situação, estudamos estados excitados na presença de um gás de elétrons. Na amostra estudada, o nível de Fermi se encontra pouco acima da segunda subbanda de condução. Os resultados evidenciaram uma conservação do spin dos elétrons com energias próximas à do nível de Fermi, a despeito da presença do gás de elétrons no sistema / Abstract: We study the exciton spin relaxation in semiconductor quantum wells. First, we calculate the exciton in-plane center-of-mass dispersion within the Luttinger Hamiltonian approximation. We study the coupling among the different exciton spins and discuss its importance in the exciton-spin relaxation. Next, we study experimentally the spin relaxation in semiconductor quantum wells through measurements of photoluminescence polarization. We perform both continuous-wave and time-resolved circularly-polarized photoluminescence and photoluminescence excitation. We treat two different systems. In the first one, we investigate a sample that exibits a strong exciton localization. The excitonic spin relaxation is dominated by the localized exciton dynamics, which induces a slow spin-relaxation process. In the second system, we study excited states in the presence of a high- density electron gas. The Fermi leveI is just above the second conduction subband. The results show that the photo-created electrons near the Fermi level conserve their spin despite the presence of the electron gas / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Eliermes Arraes Meneses / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-22T07:16:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Laureto_Edson_M.pdf: 1882201 bytes, checksum: 02ecede7696462a8e369cb130074e049 (MD5) Previous issue date: 1995 / Resumo: São investigadas as propriedades elétricas e óticas na região excitônica do InP utilizando as técnicas de efeito Hall e fotoluminescência a baixas temperaturas, respectivamente. As amostras analisadas foram crescidas pela técnica de CBE (epitaxia por feixe químico), cujo sistema foi recentemente instalado no IFGW/Unicamp. Os espectros de fotoluminescência caracterizam-se pelas linhas excitônicas intensas nas amostras sem dopagem, e são bem distintos para amostras com diferentes níveis de dopagem de Silício. Uma linha de luminescência situada em 1 ,389 eV é observada nas amostras dopadas, e é atribuída à transição radiativa D0si-A0si. A energia de ligação do Si como aceitador no InP é estimada em 28 meV. Outra linha, em 1 ,401 eV, se torna bastante evidente em amostras onde houve incorporação de impurezas de Arsênio. Com base na sua posição em energia, forma de linha, e correlação com a presença de As, é sugerido que esse pico esteja relacionado à recombinação de éxcitons ligados a "traps" isoeletrônicos, gerados por impurezas de As substituindo sítios do P. A formação desse estado ligado pode estar sendo assistida pela distorção da rede causada pela dopagem com Silício / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física