Orientador: Marcio D'Olne Campos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T04:03:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bossi_ReusiInes_M.pdf: 1547817 bytes, checksum: 3037277822b87e26258865b947cc8e79 (MD5) Previous issue date: 1977 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Marcio D'Olne Campos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T04:22:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ceolin_MauricioFrancisco_M.pdf: 1355321 bytes, checksum: a6e535cd68e72d08fbc7890e63f62c74 (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: Este trabalho visa, basicamente, calcular a partir de resultados experimentais duas grandezas importantes para o conhecimento dos mecanismos de transporte de carga na liga quaternária semicondutora InGaAsP. : a) a densidade de impurezas ionizáveis b) o potencial de espalhamento por desordem da rede. Costumeiramente, a obtenção de tais resultados, necessita de dados experimentais mais completos {coletados em temperaturas próximas à do hélio liquido) e de uma complexa análise computacional. Aqui, por motivos vários, mas principalmente pela decisão de acompanhar passo a passo a evolução dos experimentos e dos cálculos, visando uma maior familiaridade com o problema, assumimos um maior dispêndio de tempo na procura de resoluções alternativas e aceitamos a possibilidade de obter resultados um pouco menos precisos. Isso, no entanto, nos parece não ter ocorrido. Os capítulos I e II fazem um levantamento do problema estudado, descrevem o material utilizado e esboçam o arcabouço da teoria de transporte de carga. No capitulo III descreveremos a teoria dos três processos de espalhamento que nos serão úteis. Tanto neste capitulo, como nos anteriores, as deduções são francamente voltadas para o que será necessário na fase de analise (parte final deste trabalho). As partes suprimidas, o foram, porque consideradas desnecessárias à compreensão do texto. Estas podem ser encontradas facilmente na literatura citada. O capitulo IV descreve equipamento experimental, analisa as suas possibilidades e prevê os resultados que poderiam ser encontradas. A descrição e a análise dos resultados e feita no capitulo V. Ao final, relatamos as conclusões que decorrem imediatamente dos resultados apresentados, e resumimos os possíveis caminhos abertos durante o trabalho e que não foram percorridos com a necessária atenção nem analisados profundamente. Estes ficam como sugestão para possíveis continuações / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Luiz Carlos de M. Miranda / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T13:07:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Nassar_AntonioBoulhosa_M.pdf: 910672 bytes, checksum: b8a88c23f883b6c0294809ee178d8b08 (MD5) Previous issue date: 1980 / Resumo: Neste trabalho estudou-se a blindagem de impurezas carregadas em semicondutores, submetidos a campos magnéticos fortes uniformes e radiação laser, em baixas temperaturas, e sua influência no aprisionamento dos portadores, no limite ultra-quântico. Verificou-se que a energia de ligação reduz-se drasticamente, quando a frequência do laser situa-se próxima da frequência ciclotrônica e aumenta enormemente quando próxima da frequência de plasma / Abstract: In this work the features of the screening of na ionized impurity is presented for semiconductors in the simultaneous presence of a laser field and a strong d.c. magnetic field at very low temperatures, taking into account these effects on the carriers freezeout in the ultra-quantum regime. It has been show specially that the carriers binding energy reduces abruptly when the laser is close to the cyclotron frequency and conversely diverges when is close to the plasma frequency / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Theresinha de Jesus Serra de Mattos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T21:52:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 NunesJunior_AlcidesdaSilva_M.pdf: 1525159 bytes, checksum: 1963a882ab31da54d36a40e9a36b81db (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: Utilizamos a caracterização eletro-óptica em lasers do tipo Poço Quântico Simples, com camada ativa de 150Þ e contato de faixa de 4,0 mm de largura, pudemos comprovar várias teorias publicadas alem de observar novas características como o leisamento desde dois níveis de energia diferentes sendo que para o nível mais baixo a corrente limiar é mais alta do que para o nível de energia superior. Este fato se deve às altas perdas do dispositivo. Temos também a emissão laser com longos atrasos quando se opera sob regime pulsado e a análise de emissão dentro destes pulsos nos mostra que no início do pulso, para correntes não muito altas, temos leisamento desde o segundo nível com o guiamento feito através do ganho óptico enquanto que no final do pulso, ou para correntes mais altas, ocorre o leisamento desde o primeiro nível com o guiamento devido a mudança de comportamento do índice de refração do material. Outro fato que nos chamou a atenção foi a ocorrência de pulsos de luz bastante curtos (Q ¿ Switching) no final do pulso de corrente aplicado, quando o laser tem a camada ativa menor que 100Þ e o contato de faixa mais estreito que 5,0 mm / Abstract: In this work the electro-optical characterization techniques were used in order to understand the anomalous emission behavior observed for Single Quantum Well lasers with active region thinner than 150Þ and 4.O mm stripe width. We observed lone delay time laser emission involving the first and second energy levels of the Quantum Well and an unexpected lower threshold current for the higher energy mode. This is shown to be due to the high internal device losses. We showed also, that depending on current, and in the case of normal delay time observed for the higher energy mode, the light confinement is provided by gain guiding mechanism. For the lower energy mode which shows only abnormally lone delays, the guiding mechanism is showed to be due to a thermally induced real index waveguide. Q - Switching effect was also observed for lasers with active region thinner than 100Þ and less than 5.0 mm stripe width / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Vitor Baranauskas / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-19T03:45:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Braga_AnaKatiadeMesquita_M.pdf: 6695457 bytes, checksum: 3b75e674f5c361ba33d70bfa80da108d (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Estudamos a foto deposição de ouro a partr 'da solução de HAuCl4 soble lâminas de sillcio t.ipo p, induzida pOI' lasel' de HeNe (632.8nrn). Obsel'vamos que o depósit.o ocol'l'e pl'incipabnent.e pela exclt.ação da int.el'f'ace semicondut.ol'-elet.l'ólit.o, com os f'ót.ons :;el'ando elét.l'ons na banda de condução e t.1'ans:f'el'lndop-aorsa a + - o I'eação Au (a.q> + 1e .. Au (so>. A mOI'f'olo:;iados f'ilrnes foi ident.if'icada pOI' Micl'oscopia Elet.I'Ónica de Varl'edur-a (SEM) e Micl'oscopia de FOl'ça At.ômica (AFM) . Em deposições com a pot.ência do lasel' f'ocalizada ent.l'e 80J.lm~ 2ta.1O~ 240J.lmnot.amos que, na I'e:;iãcoent.l'alo,s át.omos de Au t.endem a deposit.ar-se na fOl'ma cl'ist.alina, com pl'ef'el'enciabnent.e na dil'eção vel't.ical. Nas I'e:;iões :;I'ãos não t.endem a coalescel' pois a mobilidade depósi t.os é muit.o baixa. cl'esciment.o lat.el'ais lat.el'aJ os dos Obsel'vou-se a ocol'l'ência de uma espessur-a limit.e em t.ol'no de 0.9 - 1.0 J.lm,que é at.in:;ida após apl'oximadament.e 5 min de exposição. A :;l'anulomet.l'iamédia da deposição na I'e:;ião cent.ral do feixe é da ol'demde 400 - 900 nrn / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Edmundo da Silva Braga / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-19T07:57:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lins_MauroGuaracy_M.pdf: 5845400 bytes, checksum: be467eff291e8b8b53e28f3e1b96bce3 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Paulo Noronha Lisboa Filho / Banca: Luis Augusto Sousa Marques da Rocha / Banca: Flávio Leandro de Souza / Resumo: A variedade de aplicações tecnológicas relacionadas aos dispositivos baseados em óxidos semicondutores tem despertado grande interesse na comunidade científica, fazendo com que os estudos relacionados a estes materiais aumentassem muito nos últimos anos. Dentre estes materiais, encontra-se o óxido de zinco (ZnO), um semicondutor que apresenta diversas propriedades que o tornam um material em potencial para aplicações nas mais diversas áreas, desde diodos emissores de luz (LEDs) aos dispositivos fotovoltaicos em células solares. Um dos fatores que pode influenciar as propriedades deste material é a dopagem. Particularmente, a dopagem do ZnO com elementos da família dos lantanídeos, conhecidos como terras-raras, pode oferecer possibilidades de aprimoramento em suas propriedades fotossensíveis e fotoeletroquímicas. Dessa forma, realizou-se neste trabalho, a síntese e caracterização de amostras de ZnO a partir do método sonoquímico, um método baseado na síntese química assistida por ultrassom. Uma tentiva de dopagem das amostras obtidas com elementos terras-raras, a fim de modificar suas propriedades ópticas e uma investigação acerca das influências do tempo de tratamento ultrassônico sobre estas amostras também foram realizadas. Os resultados obtidos sugerem que o tratamento ultrassônico atua como um catalisador para a precipitação do ZnO e apresenta influências sobre a cristalinidade e tamanho das estruturas obtidas. Além disso, o método de síntese sonoquímico com a utilização de uma baixa potência para irradiação dos ultrassons, não se mostrou efetivo para a incorporação dos elementos terras-raras na matriz de ZnO, uma vez que uma incorporação superficial e em qualidade não significativa foi observada para as amostras sintetizadas nesse trabalho / Abstract: The variety of tecnological applications related to semiconducting oxides-based devices has aroused great interest of the scientific community, making studies related to these materials expand greatly in recent years. Among these materials, zinc oxide (ZnO) is a semiconductor that has several properties which make it a potential material for applications in several areas, from light emitting diodes (LEDs0 to photvoltaic devices for solar cells. One factor that can influence of this material is doping. Particularly, lanthanide (known as rare earths) doping of ZnO, may offer unique opportunities for improvement in its photosensitive and photoelectrochemical properties. Thus, it has performed in this work, synthesis and characteristion of ZnO samples from sonochemical method, an assisted by ultrasound chemical synthesis method. An attempt to doping of the samples with rare-earth elements, in order to modify its optical properties and an investigation into the influences of ultrassonic treatment time on these samples were also performed. The obtained results suggest that the ultrasonic treatment acts as a catalyst for ZnO precipitation and has influences on the crystallinity and size of obtained structures. Furthermore, sonochemical synthesis method with use of a low power ultrassound irradiation, was not effective for rare earth elements incorporation in the ZnO matrix, since a surface and no significant incorporation was observed for samples synthesized in this work / Mestre

Orientador: Newton Cesario Frateschi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-31T16:12:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pataro_LisandraLosada_M.pdf: 2451206 bytes, checksum: 025aa09ce7539e5b05cf171e028656cf (MD5) Previous issue date: 2001 / Resumo: A disponibilidade de estruturas de semicondutor com poços quânticos aumentou o interesse em desenvolver sistemas ópticos para computação e interconexão óptica utilizando o laser de semicondutor como componente básico em circuitos optoeletrônicos integrados. Portanto, existe um grande empenho em pesquisar novos materiais e estruturas, assim como novas técnicas de fabricação para dispositivos integrados ao laser que realizem esta interface óptica-eletrônica. Este trabalho apresenta, primeiramente, um estudo de alternativas de confinamento lateral óptico e elétrico em laser de semicondutor. Com esta finalidade, diversas técnicas de processamento foram avaliadas, como corrosão química úmida, oxidação térmica úmida, recrescimento e implantação iônica. Subseqüentemente, após a obtenção teórica das condições para a operação com um único modo lateral, lasers do tipo ridge foram fabricados e analisados, confirmando nossas previsões. Este tipo de estrutura foi utilizado para fabricar lasers de três terminais, que apresentam uma pequena região absorvedora controlada separadamente do guia de onda. Finalmente, um estudo sobre a influência desta região no comportamento espectral destes dispositivos foi então realizado / Abstract: The availability of semiconductor quantum-well structures increased the interest in the development of systems for optical computing and optical interconnection using semiconductor lasers as the basic component in optoelectronic integrated circuits. Therefore, there is a great interest in searching for novel materials and structures as well as fabrication techniques for semiconductor laser devices that can provide the opto-electronic interface. This thesis presents first a study on different optical and electrical lateral confinements in semiconductor lasers. Several processing techniques were investigated, such as wet chemical etching, wet thermal oxidation, regrowth and ion irradiation. Subsequently, after theoretically finding the conditions for single lateral mode operation in ridge lasers, these structures were fabricated and analyzed confirming our predictions. Three Terminal Lasers, which include a short absorbing section along the cavity, were fabricated using this technique. Finally, a study of the influence of this section on the emission spectra of these devices was realized. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Dante Luis Chinaglia / Banca: Giovani Gozzi / Banca: Lucas Fugikawa Santos / Resumo: Normalmente díodos orgânicos são feitos com uma camada polimérica semicondutora colocada entre dois eletrodos numa arquitetura tipo sanduíche. O processo de fabricação envolve principalmente dois passos: a) formação do filme polimérico semicondutor sobre um substrato metálico (eletrodo inferior) e b) deposição de um eletrodo metálico por evaporação térmica sobre a superfície superior do filme polimérico semicondutor. O principal problema com este procedimento é que a superfície superior do filme semicondutor torna-se rugosa se comparada com a superfície inferior, que permanece em contato com o substrato. Além disso, a evaporação térmica promove a difusão dos átomos de metal para dentro da camada semicondutora, tornando esta interface não bem definida. Para evitar a rugosidade da superfície e a difusão de metal no filme semicondutor foi desenvolvido, neste trabalho, uma estrutura planar interdigitada bimetal (Au, Al) sobre a qual o material semicondutor foi depositado. Poli-o-metoxianilina não dopada foi depositada sobre a estrutura interdigitada por "drop casting" e a dopagem foi promovida através da exposição da superfície livre de eletrodos em ácido HCl (0,1 M). A característica corrente-tensão dos dispositivos foi monitorada em função de diferentes tempos de exposição a solução ácida usando uma fonte de corrente/tensão Keithley 2410. Foi verificado que a forma da curva característica do diodo é altamente dependente do tempo de dopagem, apresentando inicialmente um comportamento linear (Ôhmico) até ao de um díodo de alta qualidade. Para tempos de exposição de ácido superior a 250 s a curva característica do diodo passa a decair, apontando que a difusão do ácido alcança os eletrodos interdigitados, na face inferior do filme semicondutor, causando a degradação dos eletrodos. O menor valor obtido para o fator de idealidade do diodo e para a tensão de operação foi de... / Abstract: Usually organic diodes are made with a semiconducting polymeric layer placed between two electrodes in a sandwich-like architecture. The fabrication process involves mainly two steps: a) film formation over a metallic substrate (bottom electrode) and b), metallic electrode deposition by thermal evaporation over the top surface. The main problem with this procedure is that the semiconductor film top surface becomes rough if compared with the bottom surface, which remains in contact with the substrate. Additionally the thermal evaporation of electrodes promotes diffusion of metal atoms into the semiconducting layer, making this interface not well defined. To avoid surface roughness and metal diffusion was developed, in this work, a bimetal (Au and Al) finger structure over which the semiconductor material was deposited. Undoped poly-o-methoxyaniline was deposited over the finger structure by drop casting and the doping was promoted by exposing the electrode-free surface to HCl acid (0.1 M). The devices current-voltage characteristic was monitored for different acid exposure time using a Keithley 2410 source/meter unity. Was verified that the diode characteristic curve shape is highly depend on the doping time, starting form a linear behavior up to a high quality diode curve. For acid exposure times higher than 250 s the diode characteristic curve starts to decay, pointing that acid diffusion was reached the finger electrode, causing electrode damaged. The lower diode ideality factor and turn-on voltage was  = 8 and VOP = 0.900  0.004 V, respectively. These values indicate that the minimum devices volume resistance was reached. Employing optimized exposure times was possible to design diodes with rectification ratio at about 25. Diode characterization in different temperatures indicates that the operation occurs typically by Schottky process / Mestre

Tese de doutoramento. Ciências de Engenharia. 2005. Faculdade de Engenharia. Universidade do Porto