Orientador: Antonio Rubens Britto de Castro / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-14T03:27:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Borba_GilvanLuiz_M.pdf: 1368389 bytes, checksum: 3e16933d51b7405c84c88c0ea380697e (MD5) Previous issue date: 1984 / Resumo: No capitulo I descrevem-se as propriedades elementares gerais de ondas de densidade de carga em condições de equilíbrio termodinâmico, dando ênfase à evidência experimental de existência desses fenômenos. Assim, mencionam-se as experiências de torque anômalo em monocristais esféricos de potássio, os satélites em figuras de difração de raios-X e elétrons obtidos com amostras de TTF-TCNQ e NbSe3, e resultados de medidas de ruído e condutividade elétrica anômala em TaS3. O capitulo II descreve propriedades e características dos diodos luminescentes usados neste trabalho. As experiências feitas são descritas e discutidas no capitulo III. Para estimar a amplitude das ondas de densidade de carga previstas para semicondutores excitados, mediu-se a intensidade de luminescência em função da posição para várias correntes de injeção, e estudou-se o comportamento diferencial dos perfis registrados. Estabeleceram-se limites superiores da ordem de 0.1 para a "profundidade de modulação" p de ondas de densidade de carga em GaAlAs e InGaAsP. Essas medidas foram dificultadas por problemas de deterioração rápida das amostras disponíveis / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Carlos Alberto Ribeiro / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T15:20:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Martins_RicardoBenetton_M.pdf: 4633421 bytes, checksum: bfa84d445edfa17a8c687178282ed187 (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Marcio D'Olne Campos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T16:40:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Morosini_AntonioCarlos_M.pdf: 1521595 bytes, checksum: dc4511bfa7f2987c0ae371d79ffdee10 (MD5) Previous issue date: 1975 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-20T16:05:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Li_BinBin_M.pdf: 3464181 bytes, checksum: eb11e55764b771d570248aa72dcc741c (MD5) Previous issue date: 1995 / Resumo: Foram fabricadas amostras de cerâmicas semicondutoras MnNiCuFeO e estudadas as suas propriedades elétricas antes e depois da implantação de íons do tipo B, P, e Si seguida de recozimento térmico. A estrutura das amostras foi analisada com um medidor de refração de raio-X e com microscópico eletrônico de varredura. As propriedades elétricas das amostras são medidas antes e após a implantação dos íons, utilizando microonda elétrica, analisador de impedância de baixas freqüências, e sonda de resistência de espalhamento (spreading resistance). ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Mestrado / Eletronica e Comunicações / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T22:18:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 CamiloJunior_Alexandre_M.pdf: 1569599 bytes, checksum: 94e0ff89ffcb82462b5464797a140693 (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo do crescimento de InP sobre InP pela técnica de Epitaxia Química em Vácuo, utilizando o sistema construído no LPD/DFA-UNICAMP. O material crescido foi caracterizado principalmente por Efeito Hall e fotoluminescência e os resultados comparados com os disponíveis na literatura, referentes a outros tipos de sistemas de crescimento epitaxial em fase vapor. Descrevemos, também, as modificações que foram feitas no sistema com o objetivo de melhorar o aproveitamento da fosfina como fonte de fósforo e a qualidade do material obtido. Juntamente com este estudo iniciou-se a automação do sistema, usando-se um microcomputador padrão IBM PC-XT / Abstract: In this work we present a study on the growth of InP/InP with the Vacuum Chemical Epitaxy (VCE) technique. The VCE system used for this work was the one at Device Research Laboratory/DFA-UNICAMP. The grown material was mainly characterized by Hall effect and photoluminescence; these results were compared with those available in the literature for other vapor-phase epitaxial systems. We also describe here the modifications made to the VCE system in order to improve the utilization of PH3 as P source and the material quality. Together with this study, the automation of the system was carried out, with the use of IBM PC-XT type micro-computer / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Thereza Cristina Robalinho Penna / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:09:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Shibli_SuhailaMaluf_D.pdf: 8066870 bytes, checksum: f0173ac89bce1db0fe8be4118b8eb1a7 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Seleneto de zinco, um importante semicondutor do tipo II-VI, é um excelente candidato para fabricação de dispositivos que emitam no azul, devido a sua larga banda proibida de 2,1 eV. No entanto, a aplicação prática deste material em dispositivos de junções p-n requer técnicas de dopagem eficientes que possam produzir materiais dos tipos n e p de baixa resistividade e cuja luminescência perto da borda da banda, a temperatura ambiente, emita predominantemente no azul. Gálio é conhecido como um bom dopante do tipo n para ZnSe, particularmente para epitaxia por feixes moleculares (MBE). A utilização de técnicas de dopagem convencional, com altas concentrações de Ga, introduz níveis de aceitadores profundos, que ocasionam a saturação e correspondente decréscimo nos valores da concentração de portadores e da mobilidade. A descoberta de novas técnicas de dopagem é imprescindível na melhoria da qualidade do material ZnSe. Estudaremos nesta tese o avanço obtido com a técnica de dopagem planar para dopagem tipo n bem como novos dopantes do tipo p para ZnSe / Abstract: Zinc selenide, an important II-VI semiconductor compound, is of great potential interest for blue light-emitting devices due to its large band gap of 2.7 eV. However, practical application of this material in p-n junction injection devices demands effective doping techniques which can produce low-resistivity n- and p-type material, whose luminescence at room temperature is predominantly band edge (blue) in nature. Gallium is known to be a useful n-type dopant for ZnSe, particularly for molecular beam epitaxy (BEM). Using conventional doping techniques, however, high concentrations of Ga introduce deep acceptor levels which cause the carrier concentration to saturate and even decrease, with a corresponding drop in mobility. Thus, new doping techniques are necessary to enhance the quality of ZnSe material. We will study a new technique, planar doping, as well as a p-type dopant for ZnSe / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Luciano Galvão Coutinho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Economia / Made available in DSpace on 2018-07-13T22:59:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_AnaLuciaGoncalvesda_M.pdf: 4664080 bytes, checksum: 758e5e17628c4a66bea1c5abfbc3446d (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Economia

Orientador: Navin B. Patel / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T12:14:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Vieira_OlavoDivino_M.pdf: 590699 bytes, checksum: 46fa00f8aec03890c9c7781b7973c650 (MD5) Previous issue date: 1977 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Francisco Carlos de Prince / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T17:36:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Weinketz_Sieghard_M.pdf: 685953 bytes, checksum: e7aac6db9525dc68d0b1662a640d22d4 (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: São feitos estudos de simulação de lasers semicondutores visando a obtenção do valor corrente limiar em função das dimensões do dispositivo, para o caso de lasers de InP / InGaAsP emitindo em 1,3 mm. Os tipos de estruturas estudadas são a heteroestrutura de confinamento separado, a heteroestrutura enterrada, e após a obtenção da expressão para o ganho óptico no caso do poço-quântico, são estudadas as características de lasers de heteroestrutura de confinamento separado de poço-quântico / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Rogerio Cezar de Cerqueira Leite / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T04:44:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bilac_SergioArturBianchini_D.pdf: 2444226 bytes, checksum: 0b90874b6de814958cab8c7bde76bac7 (MD5) Previous issue date: 1978 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências