Orientador: Ivan Chambouleyron / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-20T09:35:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Zanatta_AntonioRicardo_D.pdf: 12899505 bytes, checksum: c9956f6b0b1b05ba681bccb3b1b0df8f (MD5) Previous issue date: 1995 / Resumo: Neste trabalho estão contidas informações experimentais relativas aos efeitos causados, nas propriedades opto-eletrônicas, pela introdução de nitrogênio em semicondutores amorfos à base de silício e de germânio. Segundo este estudo, tanto a presença de átomos nitrogênio, quanto a sua respectiva concentração (conforme determinada por meio de reações nucleares), são responsáveis por importantes modificações em várias das propriedades opto-eletrônicas, bem como características estruturais, dos mencionados semicondutores. Em linhas gerais, a presença de nitrogênio a baixas concentrações atua como uma impureza doadora nas versões hidrogenadas do a- Si e do a-Ge; a altas concentrações, no entanto, grandes mudanças nas propriedades opto- eletrônicas e estruturais são observadas. Todas as amostras foram depositadas, sob a forma de filmes finos, através da técnica de ri reactive sputtering em atmosferas controladas de Ar+(H2)+N2. Diferentes técnicas de espectroscopia (absorção óptica nas regiões de visível e infra-vermelho, espalhamento Raman e estudos de fotoemissão) foram empregadas para a análise das principais propriedades ópticas e eletrônicas destes semicondutores; segundo suas respectivas concentrações de nitrogênio. Uma atenção especial foi dedicada às caracterizações eletrônicas incluindo medidas de transporte (condutividade no escuro em função da temperatura) e estudos de fotoemissão através de espectroscopia de elétrons excitados por fótons com energias típicas de raios-x moles e ultra-violeta (XPS e UPS, respectivamente) / Abstract: This work presents experimental data referring to the effects resulting from the introduction of nitrogen into amorphous silicon and germanium. AlI the samples studied in this work were deposited as thin films using the rf reactive sputtering technique in highly controlled Ar+(H2)+N2 gaseous atmospheres. It is shown that either the nitrogen presence and its content (as determined from nuclear reaction analysis measurements) are responsible for profound changes in several opto-electronic properties as well in the structure of the mentioned semiconductors. Roughly, nitrogen at low concentration levels acts as a donor-like impurity in both hydrogenated a-Si and a-Ge. High nitrogen contents, on the other hand, induce significant modifications in their optical band-gap and network structure. Different spectroscopic methods (optical absorpion, infra-red, Raman scattering and photoemission) were employed to analyze the main optical and electronic properties of these nitrogen containing semiconductors. Special emphasis was devoted to the electronic characterization, including transport measurements (dc dark conductivity as a function of temperature) and photoemission studies by means of x-ray and ultraviolet photoelectron spectroscopies (XPS and UPS, respectively) / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Navin B. Patel / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-18T11:55:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Morosini_MariaBenyZakia_D.pdf: 1943331 bytes, checksum: e7a2e19f829a0f557ed7682c678e1146 (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientadores: Nelson de Jesus Parada, Luiz Guimarães Ferreira / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-09-11T20:47:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Guimaraes_PauloSergio_M.pdf: 1070343 bytes, checksum: f462fafec9646955c97aca1a7890bb36 (MD5) Previous issue date: 1976 / Resumo: É feita unta revisão da teoria da emissão radiativa devida a pares doador-aceitador em semicondutores, juntamente com uma análise dos diversos parâmetros que entram no cálculo da variação da intensidade da emissão com a distancia do par. É proposto um modelo para o cálculo de níveis de impureza, além de serem obtidas aproximações mais realistas para a seção de choque de captura e para a probabilidade de transição radiativa do par / Abstract: A revised theory of the radiative emission due to donor-aceptor pairs in semiconductors, along with tha analysis of the various parameters which enter into the calculation of the variation of intensity of emission with the pair distance, is worked out. A model to calculate tha impurity states is proposed, more realistic approximations for the pair capture cross-section and for the radiative transition probability have been used. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Helion Vargas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-09-26T13:54:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 PintoNeto_Antonio_D.pdf: 2439221 bytes, checksum: 3f110dd94daedc82a9c2978722b53c9e (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: O Sinal Fotoacústico de amostras semicondutoras é estudado em função da freqüência de modulação da luz, na configuração de transmissão. É mostrado, no intervalo de freqüência onde a amostra é termicamente grossa, que a amplitude e a fase podem discriminar a diferença entre fontes de calor devido a recombinações rápida e lenta, responsável pelo Sinal Fotoacústico. A caracterização de propriedades térmicas e dos portadores é discutida. A influência da implantação iônica nas propriedades térmicas de amostras de silício à temperatura ambiente é também investigada, usando o método Fotoacústico e medidas de condutividade térmica. É sugerido que o decréscimo na difusividade e condutividade térmicas, com o aumento da concentração da dose de íons implantados, é devido à amorfização da camada implantada / Abstract: The photoacoustic signal of semiconductors samples is investigated as a function of the modulation frequency in a heat-transmission configuration. It is shown that, in frequency range where the sample is thermally thick, the amplitude and phase can single out the different fast and slow nonradiative recombination heat sources responsible for the photoacoustic signal. The characterization of the thermal and the carrier transport properties is discussed. The influence of ion implantation in the thermal properties of silicon wafers at room temperature, is also investigated using photoacoustic and thermal conductivity measurements. It is suggested that the observed decrease of the values of both thermal difusivity and conductivity, as the implantation dose increase, is due to the amorphization of the implanted layer / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Carlos I.Z. Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-10-11T19:58:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DiGiorgio_RosanaC_M.pdf: 5110363 bytes, checksum: 88b75001e789a09ba0acdd6daa0fffe9 (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Este trabalho dá a contribuição do projetista de circuitos integrados para o conjunto de especificações de um sistema de geração de células parametrizadas para uso em projeto de CI's. Células geradas pelo sistema possuem seus layouts codificados em função de parâmetros geométricos e/ou elétricos. Estes parâmetros, bem como seus valores numéricos, devem estar contidos em um arquivo de dados, de modo que possam ser alterados pelo projetista sempre que este deseje otimizar o layoul de uma dada célula. Futuras alterações no layout são obtidas sem que o código do mesmo seja editado. O redimensionamento do layout é féito pelo sistema com um mínimo de intervenção do projetista. O sistema de parametrização é dividido em duas partes: uma, responsável pela parametrização a nível elétrico e, outra, pela parametrização a nível de geometria. A especificação dos requisitos de ambas partes é feita neste trabalho, bem como dos dados necessários ao sistema de paramctrização / Abstract: Not informed. / Mestrado / Semicondutores, Instrumentos e Fotônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Resumo não disponível

Este trabalho tem como objetivo principal, o estudo de técnicas de microscopia para a caracterização estrutural de semicondutores, visando o desenvolvimento das técnicas de preparação de amostras, visto que a caracterização estrutural é de suma importância para a obtenção de melhores resultados no processo de produção de filmes de semicondutores do grupo III-V. Dentre as técnicas mais utilizadas na caracterização estrutural, destacam-se as técnicas de microscopia eletrônica de varredura e de transmissão, juntamente com a microscopia de força atômica. Foram utilizadas amostras semicondutoras de InGaAs/GaAs e InAs/GaAs, crescidas pela técnica de MBE (epitaxia por feixe molecular), contendo pontos quânticos, estruturas estas ricas em detalhes. Tais amostras foram preparadas e caracterizadas em cada uma das técnicas em estudo. A microscopia de varredura e de força atômica apresentam fácil preparação. Os resultados obtidos, porém mostram que a técnica de microscopia eletrônica de varredura não oferece resolução suficiente para visualização das heteroestruturas; já a técnica de microscopia de força atômica mostra resultados excelentes da topografia dos pontos quânticos. Para a microscopia de transmissão a preparação de amostras mostra-se muito difícil e demorada, entretanto, o resultado obtido foi muito satisfatório. O processo de preparação passa por etapas de clivagem, \"dimpling\" e \"ion milling\". As imagens obtidas revelam com clareza a estrutura de pontos quântico. Com o estudo realizado, foi possível determinar as principais características de cada técnica, assim como determinar uma metodologia que pode vir a ser aplicada a outros tipos de heteroestruturas semicondutoras / This work has as main objective, the study of microscopy techniques for structural characterization of semiconductors and the development of the techniques of sample preparation, because the structural characterization is of highest importance for the obtaining of better results in the process of production of semiconductors thin films. The techniques more used in the structural characterization, are the techniques of electronic microscopy (Scanning and Transmission), together with the Atomic Force Microscopy. Samples of InGaAs/GaAs and InAs/GaAs were used, grown by the technique of MBE (Molecular Beam Epitaxy), with quantum dots, structures these rich ones in details. Such samples were prepared and characterized in each one of the techniques in study. The Scanning Microscopy and Atomic Force present easy preparation. The obtained results even so they show that the technique of Scanning Microscopy doesn\'t offer enough resolution for visualization of the heteroestructures; already the technique of Atomic Force shows excellent results of the topography of the quantum dots. For the Transmission Microscopy the preparation of samples is shown very difficult and delayed, however, the obtained result was very satisfactory. The preparation process goes by cutting stages, dimpling and ion milling. The obtained images reveal with clarity the quantum structure of points. With the accomplished study, it was possible to determine the main characteristics of each technique, as well as determining a methodology that can come to be applied to the other types of semiconductors heterostructures

Estágio realizado na EFACEC e orientado pelo Eng.º Vítor Ferreira / Tese de mestrado integrado. Engenharia Electrotécnica e de Computadores. Faculdade de Engenharia. Universidade do Porto. 2008

Tese de mestrado integrado. Engenharia Electrotécnica e de Computadores (Major Automação). Faculdade de Engenharia. Universidade do Porto. 2009

Resumo não disponível