Orientador: Rogerio Cezar de Cerqueira Leite / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-26T12:05:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Mattos_JoseCarlosValladaode_D.pdf: 877767 bytes, checksum: c5317c477a9bcd0b96df341d09ff3369 (MD5) Previous issue date: 1973 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador : Rogerio Custodio / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-29T04:20:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Souza_HermesFernandesde_D.pdf: 2135027 bytes, checksum: 315b9e9440182a2455372f76edf2680f (MD5) Previous issue date: 2001 / Doutorado

Neste trabalho iremos apresentar a teoria autoconsistente k. p aplicada a heteroestruturas dopadas tipo-p que resolve a Hamiltoniana 6 x 6 de Luttinger-Kohn, generalizada para tratar diferentes materiais, juntamente com a equação de Poisson na representação de ondas planas. A generalização do termo de energia cinética é inserido explicitamente na Hamiltoniana de Luttinger-Kohn levando em conta os efeitos de diferentes materiais, através da inclusão de conjuntos distintos de parâmetros de Luttinger e considerando os elementos adicionais na matriz, da Hamiltoniana de Luttinger-Kohn e que não aparecem naquela para homoestruturas. O método é aplicado ao estudo pioneiro da estrutura de sub-bandas e minibandas de valência de heteroestruturas com dopagem tipo-p envolvendo semicondutores nitretos do grupo-III cúbicos. Heteroestruturas de compostos III-V derivados do GaAs também são estudadas, com o objetivo principal de testar o método generalizado e sua implementação no programa. Especificamente, iremos obter soluções auto consistentes da equação da massa efetiva de multibandas e da equação de Poisson para poços quânticos e super-redes de AlxGa1-xN/GaN e GaN/InxGal-xN na fase cúbica, bem como para heteroestruturas de GaAs/lnxGal-xAs e AlxGa1-xAs/GaAs, variando a concentração de aceitadores, o perfil de dopagem, o período da super-rede e a composição da liga x. Os efeitos de troca-correlação, dentro da aproximação da densidade local, são levados em conta para o gás de buracos bidimensional formado dentro do poço. Analisaremos os efeitos na banda de valência das heteroestruturas quando consideramos diferentes parâmetros de Luttinger (associados a materiais distintos). Mostraremos que para descrever corretamente os sistemas envolvendo nitretos é fundamental incluir a banda de split-ojJ, os efeitos de tensão devidos ao descasamento de parâmetros de rede e os efeitos de troca-correlação. Iremos verificar que quando utilizamos um conjunto de parâmetros adequados que especificam a heteroestrutura, podemos obter uma densidade alta de gás de buracos bidimensional, particularmente para os sistemas de poços quânticos e super-redes baseados nos nitretos. Apresentaremos também comparações de nossos resultados com dados experimentais obtidos de fotoluminescência para sistemas de GaN/InxGal_xN e de fotoluminescência e absorção para AlxGal-xAs/InxGal-xAs observando um bom acordo e mostrando que este trabalho serve como um guia para futuras experiências. / In this work we present a self-consistent k p theory of p-doped semiconductor heterostructures whích solves the full six-band Luttinger-Kohn Hamiltonian, generalized to treat different materials, in conjunction with the Poisson equation in a plane-wave representation. The generalization of the kinetic energy term is performed by taking into account explicitly in the Luttinger-Kohn Hamiltonian the effects of different materials through the inclusion of distinct sets of Luttinger parameters and by considering the corresponding additional Luttinger-Kohn matrix elements, not present in the one-material based homostructures. The method is applied to the pioneering study of the valence sub-bands and minibands structures of p-type doped heterostructures involving cubic nítride semiconductors of the group-III. Heterostructures of I III-V compounds derived from GaAs are also studied, with the main aím of testing the generalized method and its implementation in the programo Self-consistent solutions of the multiband effectivemass-Poisson equations are obtained for several AlxGa1-xN/GaN and GaN/InxGa1-xN quantum wells and superlattices in the cubic phase, as well as for GaAs/InxGa1-xAs and AlxGa1-xAs/GaAs heterostructures, in which acceptor doping concentration and its profile, SL period, and the alloy content x are varied. Exchange-correlation effects within the formed two-dimensional hole gas are taken into account in the local density approximation. The role played by the use of different Luttinger parameters (associated with the distinct materials) in the hole bands of the heterostructures is analyzed. The inclusion of the spin-orbit split-off band and strain, as well as the exchange-correlation effects are shown to be fundamental for the correct description of the systems. Particularly for the nitride-derived quantum wells and superlattices, it is shown that high-density twodimensional hole gases can be formed if adequate design parameters are employed. We also compare our results with the experimental data obtained from photoluminescence spectra for the GaN/InxGa1-xN and photoluminescence and absorption spectra for the AlxGal-xAs/InxGal-xAs, observing a good agreement and showing that this work can be used as a guide for future experiments.

Submitted by Marcele Costal de Castro (costalcastro@gmail.com) on 2018-04-04T16:50:46Z No. of bitstreams: 1 ORLANDO F LEMOS M.pdf: 4057835 bytes, checksum: 0b012d0fbd5d28f8059716382ad5d9a5 (MD5) / Made available in DSpace on 2018-04-04T16:50:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ORLANDO F LEMOS M.pdf: 4057835 bytes, checksum: 0b012d0fbd5d28f8059716382ad5d9a5 (MD5) Previous issue date: 1969-05 / Neste trabalho relato a montagem de um Laboratório para Fabricação de Detetores de Ge-Li e as técnicas empregadas na fabricação de um detetor Planar de Ge-Li, com 7 cm x 5 mm, para o Laboratório do Acelerador Linear da Universidade de São Paulo, bem como a utilização de detetor coaxial de Ge-Li, com 22 cm, para análise de raios e de produtos de fissão no Instituto de Engenharia Nuclear.

Orientador: Harry Westfahl Junior / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-03T18:48:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 HernandezJimenez_Marcela_M.pdf: 1836499 bytes, checksum: 3a207bf70f96368e4159e2d681fc00a5 (MD5) Previous issue date: 2003 / Resumo: Principalmente por sua distribuição estreita de tamanhos os pontos quânticos auto-formados permitem controlar a sua carga eletrônica com relativa precisão. Isto tem aplicações cientícas e tecnológicas importantes, tais como lasers e dispositivos de computação quântica. Não obstante, no modo de auto-formação conhecido como Stranski-Krastanow, a cinética de crescimento que conduz a amostras com tais características, não é completamente compreendido ainda. Nas aproximações termodinâmicas, a distribuição de equilíbrio é determinada pela competição entre o custo em energia supercial e o ganho em energia elástica ao se formarem rugosidades na camada de material depositado. Já segundo considerações cinéticas, o estado nal é o resultado das reações microscópicas que afetam a difusão dos monômeros móveis no substrato. Não é claro ainda se o processo de formação de pontos quânticos é dominado principalmente por efeitos termodinâmicos ou cinéticos. Tal competição está intimamente relacionada às condições experimentais. A compreensão da relação entre esses processos é essencial na realização de amostras aptas para aplicações tecnológicas, sendo necessário desenvolver um modelo capaz de relacionar essas características com os parâmetros experimentais mensuráveis. Nesta dissertação, apresentamos um tratamento auto-consistente para resolver as equações de reação-difusão que determinam as densidades médias de monômeros e ilhas na superfície do substrato. A auto-consistência é introduzida mediante a denição de constantes de captura para cada ilha. Estas quantidades dependem, além do tamanho da ilha, dos valores médios das densidades. A análise dos processos do crescimento descreve o crescimento de ilhas 2D e a transição para ilhas 3D em termos dos parâmetros observáveis experimentalmente. Finalmente, relacionamos a modelagem cinética com a descrição do equilíbrio termodinâmico / Abstract: Mainly because of their narrow size dispersion, self-assembled semiconductor quantum dots allow the ne controlling of their electron charging. This fact has important scientic and technologic applications, such as lasers and quantum computation devices. Nevertheless, the growth kinetics, in the so-called Stranski-Krastanow mode, which leads to samples with such characteristics, is not completely understood yet. In the thermodynamic approaches, the equilibrium distribution of the dislocation free islands is determined by the competition between the surface and the gain in elastic energy when the layer over the substrate starts devoloping ondulations. From the kinetic point of view, the nal state is the result of the microscopic reactions that affect the diffusion of adatoms on the substrate. It is not clear yet if the formation process is mainly driven by thermodynamics or kinetics effects. Such a competition is believed to be strongly related to experimental conditions. Since the full understanding of this process is essential to the accomplishment of good quality samples for technological applications, it is necessary to develop a model capable of relating these characteristics with the measurable experimental parameters. In this dissertation, we present an approach that uses a self-consistent mean eld theory to solve the non-linear equation for the diffusion of interacting adatoms on a substrate.The self-consistency is introduced through the denition of capture numbers in terms of the density of adatoms and islands, strain and size of the islands. The analysis of the growth processes gives, by means of non-equilibrium statistics methods, the size distribution in terms of the dynamic and equilibrium phenomenological parameters. Finally, we relate the kinetic modeling with the description of the thermodynamical equilibrium / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Carlos Henrique de Brito Cruz / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:37:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Matinaga_FranklinMassami_D.pdf: 2722761 bytes, checksum: 1055fc740dbba669785be7d815a6a74d (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Descrevemos neste trabalho, o desenvolvimento de chaves elétricas fotocondutivas, utilizadas no estudo da geração e aplicação de transientes elétricos de subpicos-segundos. A análise dos transientes elétricos foi feita pela técnica de amostragem eletro-óptica com um cristal de LiTaO3. Esta técnica explora as propriedades do laser de pulsos ultra curtos (FWHM £ 100 fs) em 625 nm com uma energia de 0.1 nJ, operando a uma taxa de repetição de 100 MHz, assim como o tempo de resposta quase instantânea ( £ 50 fs) do efeito Pockels. Estas características são imprescindíveis tanto na geração do transiente elétrico rápido em GaAs e InP, quanto na técnica de amostragem de alta velocidade. Obtivemos um dispositivo eletro-óptico com uma largura de banda de 0.78 THz. i.e. um sistema de medida de sinais elétricos com uma resolução de 0.46 ps. A performance deste dispositivo associada a outras vantagens desta técnica, tal como a amostragem de sinais elétricos em circuitos integrados, sem contato com o mesmo, torna-o único no estado da arte de amostragem de sinais elétricos ultra-rápidos. A resolução deste dispositivo permitiu o estudo de efeitos de dispersão sobre um transiente de picossegundo, quando se propaga em microlinhas de transmissão coplanar, monstrando-nos a importância do efeito da dispersão material, para sinais com uma largura de banda próximo de THz. Também estudamos o efeito de "overshoot" que ocorre na resposta de chaves elétricas de GaAs e InP, quando excitados por pulsos ópticos de 100 fs. Mostramos que o efeito se deve principalmente ao efeito de cargas espaciais desenvolvido na chave elétrica / Abstract: We describe in this thesis the development of photoconductive switching technique, utilized in the generation and aplication of the subpicosecond electrical transients. A LiTaO3 crystal was used to sample the electrical signal. The generation of the ultrafast electrical transient with GaAs and InP switches and also in the electro-optic sampling techinique, we exploits the properties of the ultrashort pulse laser on 625 nm with 100 MHz repetition rate, as well as the ultrafast response time (£ 100 fs) of the Pockels effect to generate the electrical transient (with GaAs and InP switches) and also in the electro-optic sampling technique. We measured a electrical signal with 0.46 ps rise time, wich corresponds a 0.78 THz bandwidth to eletro-optical sampling system. The electro-optical technique with this performance and the other advantage, e.g. the noncontact sampling of integrated circuits, become this techinique unique in high speed sampling systems. This resolution allowed us the study of dispersion effects on ultrafast electrical signal propagation in coplanar transmission lines, showing the material dispersion effect on the picosecond electrical pulse propagating on transmission lines. We also study the overshoot effect on the electrical response of the picosecond electrical switchs of GaAs and InP, when pumped by a 100 fs pulse laser. We conclude from these measurements that the overshoot effect is caused by the spatial charge developed on the electrical switch / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Evandro Conforti / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenhaa Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:11:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lima_ClaudioRibeiro_M.pdf: 4472781 bytes, checksum: cc97986f6bcbcfbbb6c2d583cef0687e (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Apresenta-se a construção e caracterização de um laser semicondutor por montagem em cavidade externa longa (LEC Laser) sintonizada por grade de difração. Inicialmente efeito um estudo dessas fomes ópticas onde são feitas considerações sobre configurações, estabilidade em freqüência e operação que elas necessitam possuir para serem usadas em sistemas de transmissão coerente por fibras ópticas. Descrevem-se e caracterizam-se os componentes ópticos do dispositivo (lasers, grade de difração, objetiva de colimação, fibra óptica com microlente), bem como seus circuitos eletrônicos de estabilização de temperatura epolarização. É também introduzido um método "in loco" para caracterização dos componentes passivos da cavidade externa. Em seguida, caracteriza-se o desempenho de um LEC Laser sintonizável operando em 1300 nm, sendo abordados parâmetros como seletividade, sintonia e estabilidade em freqüência. Por fim, faz-se uma análise computacional envolvendo os parâmetros da cavidade construída / Abstract: The design and measurements of a long external cavity semiconductor laser (LEC Laser) that can be tuned by a diffraction grating are presented. Initially, it has been considered the optimum performance of various cavity designs for coherent fiber optic communication. Following this analysis, there are the description and characterization of optical components (lasers, diffraction gratings, microlensed fiber) and oftlie electronic circuits for laser bias and temperature stabilization. Also, a method for local characterization of passive components inside the cavity is introduced. Then, it is shown the experimental results of a LEC laser operating in 1300 nm, including its tuning range and its frequency selectivity. Finally, a computer analysis for this LEC laser is presented / Mestrado / Mestre em Ciências

Orientador: Furio Damiani / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T01:23:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Nunes_TulioIbanez_M.pdf: 5817305 bytes, checksum: 09382b135257f88dc2716b66be0e8f42 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Este trabalho apresenta os aspectos teóricos e práticos envolvidos na construção de um sistema especialista para verificação de regras elétricas em circuitos integrados de tecnologia CMOS. Inicialmente é feito um estudo sobre os paradigmas e técnicas de construção de sistemas especialistas. É apresentada uma arquitetura de um sistema especialista para verificação de regras. Na apresentação da arquitetura são mostrados os aspectos teóricos das regras elétricas que um circuito deve respeitar. Por fim é apresentado um protótipo do sistema verificador de regras elétricas, implementado em PROLOG, apresentando-se os resultados alcançados / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientadores: Wilmar Bueno de Moraes, Alberto Martins Jorge / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T01:29:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Oki_Nobuo_D.pdf: 6294602 bytes, checksum: b0d811607d1a4c31a086b9393496ef23 (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: Neste trabalho é apresentada uma nova configuração de um conversor tensão-corrente baseada na característica quadrática dos transistores MOS. A configuração proposta apresenta entrada diferencial, larga faixa linear de excursão da tensão de entrada e possui possibilidade de ajuste da sua transcondutância por meio de uma tensão de controle. As influências dos efeitos de segunda ordem que afetam a característica quadrática ideal do transistor, e dos descasamentos dos transistores MOS, sobre o desempenho do conversor são analisadas. Análise do comportamento em freqüência do ruído e da variação da temperatura neste conversor são também efetuadas. Aplicações do conversor proposto na implementação de resistores MOS, integrador e girador são propostas. São apresentadas também uma configuração de filtro contínuo MOS passa-baixa de segunda ordem e duas propostas para implementação de multiplicador analógico de quatro quadrantes. Em todos os circuitos propostos são apresentados resultados teóricos, resultados de simulação utilizando o programa SPICE2G e resultados experimentais obtidos por meio de montagens com ¿arrays¿ CD 4007 / Abstract: The work describes a new configuration for a current voltage converter. It is based on the square-law characteristics of the MOS transistor. Advantages of the converter include fully differential, large signal handling capabillity and tuning of the total transcondutance caused by deviations from the ideal square-law behavior, transistor mismatches, bandwidth limitation, noise and temperature dependence. The influence of these effects are investigated. Applications of the converter in the implementation of MOS resistor, integrator, gyrator, continous-time filter and four-quadrant analog multipliers are presented. The circuits included have been simulated by SPICE2G and the performance experimentally studied using arrays of the type CD4007 / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Carlos Henrique de Brito Cruz / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T01:17:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Barros_MiriamReginaXavierde_D.pdf: 5206366 bytes, checksum: 79f9dd9141fd2d78918e9eb3377bc343 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências