Na presente Tese, foi investigado o efeito de tratamentos térmicos reativos nas propriedades físico-químicas e, em alguns casos, nas propriedades elétricas de filmes de SiO2 crescidos termicamente sobre carbeto de silício. Foram abordados os principais processos que visam melhorar as propriedades elétricas da interface SiO2/SiC: reoxidação em O2 e H2O (vapor d’água) e tratamentos térmicos em H2 e NO. Na etapa em que foi investigado o efeito da temperatura de reoxidação em estruturas SiO2/SiC, foram utilizadas técnicas de microscopia de força atômica e análise por reação nuclear, que nos permitiram concluir que uma reoxidação em O2 realizada a baixa temperatura reduz a rugosidade da interface, enquanto que uma reoxidação em alta temperatura aumenta a sua rugosidade, provavelmente aumentando os defeitos eletricamente ativos dessa estrutura. Na segunda etapa, investigamos a incorporação, distribuição em profundidade e dessorção de hidrogênio no sistema SiO2/SiC utilizando análises por reações nucleares. Observamos uma ligação química do hidrogênio muito mais forte com a estrutura SiO2/SiC e com SiC do que no caso do SiO2/Si e do Si. O efeito de tratamentos térmicos em atmosfera de NO e O2 feitos em diferentes seqüências também foi investigado. Através de análises por Espectroscopia de Fotoelétrons induzidos por Raios-X, análises com feixes de íons e curvas Capacitância-Voltagem, foi observada uma forte troca isotópica entre o oxigênio da fase gasosa e o oxigênio do filme dielétrico, além do benéfico efeito do nitrogênio nas propriedades elétricas da interface SiO2/SiC. As investigações da incorporação de vapor d’água nos filmes de SiO2 crescidos sobre SiC e sobre Si, feitas utilizando análises com feixes de íons, mostraram diferenças marcantes na interação da água com as duas estruturas. Houve maior incorporação de oxigênio no filme pré-existente de SiO2 sobre SiC do que em SiO2/Si, evidenciando uma maior concentração de defeitos nesses filmes sobre SiC. Hidrogênio também foi incorporado em maiores quantidades nas estruturas SiO2/SiC em regiões defeituosas do filme dielétrico e da interface SiO2/SiC. Esforços para relacionar as propriedades físico-químicas observadas com as propriedades elétricas das estruturas foram feitos ao longo de todo o trabalho. / In the present thesis the effects of reactive thermal treatments on the physicochemical and, in some cases, on the electrical properties of thermally grown SiO2 films on silicon carbide were investigated. We employed the most widely used thermal treatments to passivate electrically active defects present in the SiO2/SiC interface region, namely: reoxidations in O2 and H2O (water vapor) and thermal annealings in H2 and NO. In the investigation on the effects of reoxidation temperature in the SiO2/SiC structure, atomic force microscopy and nuclear reaction analysis were used, which allowed us to conclude that a lowtemperature reoxidation in O2 leads to a decrease of the SiC surface roughness, while a high-temperature reoxidation leads to an increase of the SiC surface roughness, probably also increasing the electrically active defects near this interface. Thermally induced hydrogen incorporation, depth distribution and loss were investigated using nuclear reaction analyses. Hydrogen is found to be much more strongly bound to SiO2/SiC and to SiC structures than to their Si counterparts. The effects of thermal treatments in NO and O2 atmospheres in different sequences were also investigated. X-ray photoelectron spectroscopy, ion beam analyses and capacitance-voltage characterization allowed us to observe a strong isotopic exchange between oxygen from the gas phase and oxygen from the film, besides the beneficial effect of nitrogen on the electrical properties of the SiO2/SiC interface.The incorporation of water vapor in SiO2 films thermally grown on SiC and on Si revealed remarkably differences in the water interaction with both structures. A higher incorporation of oxygen in SiO2 pre-existent films on SiC compared with SiO2 films on Si indicates a higher concentration of defects in SiO2 films on SiC. Hydrogen was also incorporated in higher amounts in SiO2/SiC structures, both in the interface and in defective regions of the SiO2 film. Efforts to relate the observed physico-chemical properties with the electrical properties of these structures were performed along the whole work.

Submitted by Haroudo Xavier Filho (haroudo.xavierfo@ufpe.br) on 2016-02-26T16:11:44Z No. of bitstreams: 2 license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) 5.-Tesis doutorado Yesmin 2015 UFPE Bibliot.pdf: 2813580 bytes, checksum: c994d000e414c2f79bd7b8711d5f2714 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-02-26T16:11:44Z (GMT). No. of bitstreams: 2 license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) 5.-Tesis doutorado Yesmin 2015 UFPE Bibliot.pdf: 2813580 bytes, checksum: c994d000e414c2f79bd7b8711d5f2714 (MD5) Previous issue date: 2015-06-05 / CAPES / CNPq / FACEPE / Neste trabalho, apresentamos a síntese e caracterização do material mesoporoso MCM-41 para o desenvolvimento de capacitores MOS. A motivação deste trabalho deve-se às propriedades interessantes que MCM-41 apresenta, tais como: área superficial e volume de poro grande e estrutura ordenada de poros. Inicialmente apresentamos a síntese do material mesoporoso MCM-41 pelo método Sol-Gel, e sua caracterização estrutural (DRX e IV), morfológica (MEV e TEM) e texturais (Análise de Adsorção e Dessorção de Nitrogênio), e fazemos uma comparação de resultados com o mesmo material produzido pela Sigma-Aldrich. Também foram obtidos filmes pelo método químico, que foram caracterizados por MEV e DRX e em seguida foram fabricados capacitores MOS. As medidas elétricas do capacitor MOS com dielétrico de MCM-41 foram comparadas com capacitores com dielétrico de SiO2 térmico. Os resultados mostraram uma clara diferença nas curvas de Corrente-Tensão. Conclui-se que a água confinada dentro do filme dielétrico é associada com os valores elevada de capacitância por unidade de área, estes valores permanecem altos depois do aquecimento, indicando que a resposta dielétrica é devida á água ligada ao material dielétrico, formando camadas paralelas á superfície do substrato. Capacitores de MCM-41 foram expostos a vários solventes polares e apolares, assim como á radiação gama e apresentaram distorção na resposta da capacitância e deslocamento nas curvas de corrente – tensão. Finalmente, capacitores de MCM-41 foram hidrolisados com o objetivo de aumentar a concentração dos grupos silanol na superfície do MCM-41 e como consequência alterar a capacitância do dispositivo. / In this work, we report the synthesis and characterization of MCM-41 mesoporous material for the development of devices types MOS capacitors. The motivation of this work is due to the MCM-41 interesting properties such as: surface area and pore volume large and pore ordered structure. Initially, we present a synthesis of MCM-41 mesoporous material by sol-gel method and their structural characterization (XRD and IR), morphological (SEM and TEM) and texture (Nitrogen Desorption and Adsorption Analysis) and make a comparison with the same material produced by Sigma. Also, films were obtained by chemical method, which were characterized by SEM and XRD, and then MOS capacitors were fabricated. The electrical characteristics MCM-4 MOS capacitors were compared with thermal SiO2, the results showing a clear difference in the voltage-current curves. It concludes that water confined within the dielectric film is associated with high values of capacitance per unit area these values remain high even after heating, indicating a dielectric response due to water strongly bonded to the dielectric material forming layers parallel to the substrate surface. The MCM-41 capacitors were exposed to various polar and nonpolar solvents and gamma radiation and showed good results were due to variations in the response to capacitance and the voltage-current curves showed displacement and distortion. Finally, the MCM-41 capacitors were hydrolyzed in order to be able to increase the concentration of silanol groups on the surface of MCM-41; as a consequence the material is more sensitive to moisture and therefore, the capacitance of the device response.

Submitted by (lucia.rodrigues@ufrpe.br) on 2016-07-05T13:38:41Z No. of bitstreams: 1 Airon Jose da Silva.pdf: 1070259 bytes, checksum: 795e63342da3f541b4a2f4bf64bf6278 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-07-05T13:38:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Airon Jose da Silva.pdf: 1070259 bytes, checksum: 795e63342da3f541b4a2f4bf64bf6278 (MD5) Previous issue date: 2013-07-26 / Conselho Nacional de Pesquisa e Desenvolvimento Científico e Tecnológico - CNPq / Cadmium and arsenic are elements that are commonly associated with contamination and / or environmental pollution, besides offering risk to human health. Silicon has excelled in alleviating stress caused by toxic elements in plants. The technical analysis of phytotoxicity by chlorophyll fluorescence is a tool that has proven to be very promising in monitoring and detection of stress. The aim of this study was to investigate the effects of silicon in alleviating the stress caused by cadmium and arsenic in maize plants grown in nutrient solution and evaluate the potential of emission spectral parameters and the ratio Fr/FFr, besides determining the toxic dose of cadmium and arsenic in maize plants grown in nutrient solution. For that were mounted four experiments in nutrient solution with increasing doses of cadmium and arsenic, and nutrient solution contaminated with toxic doses of cadmium (30 mmol L-1) and arsenic (68 mmol L-1) and six increasing doses of Si ( 0; 0,25; 0,5; 1; 1;5 and 2 mmol L-1), were evaluated for the production of dry matter levels of cadmium, arsenic, silicon and photosynthetic pigments. Chlorophyll fluorescence measurements were made during the cultivation. Silicon promotes positive effects in alleviating the stress caused by cadmium and arsenic in maize plants as evidenced by the increase of photosynthetic pigments, and the reduction in the translocation of this element to the shoot, each cadmium and arsenic, respectively. The application of silicon resulted in higher levels of As in plant tissue and its use in studies of techniques for phytoremediation of contaminated soils may be promising. The analysis of chlorophyll fluorescence proved to be a sensitive tool to detect early toxicity caused by cadmium and arsenic in maize plants and can also be used successfully in the study of the effects amenizantes silicon in plant protection, the ratio Fr/FFr recommended in the variable identifying temporal changes in plants. / Cádmio e arsênio são elementos que estão comumente associados à contaminação e/ou poluição ambiental, além de oferecer risco à saúde humana. O silício tem se destacado na amenização de estresse causado por elementos tóxicos em plantas. A técnica de análise da fitotoxidez por fluorescência da clorofila é um ferramenta que tem demonstrado ser bastante promissora no monitoramento e na detecção de estresse. O objetivo deste trabalho foi investigar os efeitos do silício na amenização do estresse causado por cádmio e arsênio em plantas de milho cultivadas em solução nutritiva e avaliar o potencial dos parâmetros de emissão espectral e da razão Fr/FFr, além da determinação da dose tóxica de cádmio e arsênio em plantas de milho cultivadas em solução nutritiva. Para isso foram montados quatro experimentos em solução nutritiva com doses crescentes de cádmio e arsênio, e em solução nutritiva contaminada com doses tóxicas de cádmio (30 μmol L-1) e arsênio (68 μmol L-1) e seis doses crescentes de Si (0; 0,25; 0,5; 1; 1,5 e 2 mmol L-1), sendo avaliados a produção de matéria seca, teores de cádmio, arsénio, silício e pigmentos fotossintéticos. Medidas de fluorescência da clorofila foram tomadas ao longo do cultivo. O silício promove efeitos positivos na amenização do estresse causado por cádmio e arsênio em plantas de milho, comprovado pelo incremento de pigmentos fotossintéticos, e pela redução na translocação deste elemento para a parte aérea das plantas, cada cádmio e arsênio, respectivamente. A aplicação de silício proporcionou maiores teores de As no tecido vegetal e a sua utilização em estudos de técnicas de fitorremediação de solos contaminados pode ser promissora. A análise de fluorescência da clorofila demonstrou ser uma ferramenta sensível na detecção precoce da toxidez causada por cádmio e arsênio em plantas de milho e pode ser empregada também com sucesso no estudo dos efeitos amenizantes do silício na proteção de plantas, sendo a razão Fr/FFr a variável recomendada na identificação de alterações temporais em plantas.

Made available in DSpace on 2018-08-02T00:16:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 tese_5185_DISSERTAÇÃO FINAL Diego G. Pinto.pdf: 623189 bytes, checksum: ce152bd197b4657ef0bb436a118311ff (MD5) Previous issue date: 2011-02-18 / RESUMO PINTO, Diego Guimarães. M.Sc. Universidade Federal do Espírito Santo. Fevereiro de 2011. Fotossíntese, crescimento e composição química em plantas de Theobroma cacao L. submetidas a diferentes concentrações de silicato de potássio e sua interação com insetos-praga. Marco Antonio Galeas Aguilar (Orientador); Diolina Moura Silva (Co-orientadora). O controle de insetos-praga mediante o uso de agroquímicos, ainda é o método mais utilizado no cultivo do cacau. No entanto, devido à questões ambientais, há necessidade de buscar novas alternativas de controle menos danosas ao ambiente e ao homem. Nesse contexto, o silício é um nutriente que está sendo utilizado em diversas culturas, devido a seus efeitos benéficos na fisiologia da planta e na proteção ao ataque de insetos-praga e de agentes causadores de doenças. O objetivo deste trabalho foi avaliar a fotossíntese, o crescimento e a composição química em três genótipos de cacau submetidos a diferentes concentrações de silicato de potássio e sua interação com insetos-praga. Foram realizados dois experimentos, sendo o primeiro instalado sob um sistema agroflorestal constituído por Bactris gasipaes e Theobroma cacao, no delineamento de blocos ao acaso, com quatro repetições, em arranjo fatorial 3 x 3, constituído de três genótipos (TSH 1188, CCN 51 e Catongo), três doses de silicato de potássio (0, 3 e 6 mL L-1) aplicadas via foliar. Foram realizadas avaliações do crescimento vegetativo; da cinética de emissão da fluorescência da clorofila a, dos teores de clorofila, da incidência e nível de dano provocado por insetos-praga, além dos teores foliares de silício. O crescimento vegetativo dos genótipos de cacau foi reduzido com a aplicação das doses de silicato de potássio, possivelmente em função da partição de assimilados que estariam sendo utilizados na biossíntese de compostos envolvidos na resistência da planta a insetos. O genótipo TSH 1188 apresentou maior incremento do crescimento vegetativo e massa seca quando comparado ao CCN 51 e Catongo, sendo o único genótipo que apresentou maior índice de clorofila e melhoria nos parâmetros de fluorescência da clorofila a quando aplicado 3 mL L-1 de silicato de potássio, principalmente no fluxo de energia do fotossistema II e nos índices de desempenho da planta para absorção (PIABS) e total (PITOTAL). A aplicação de silicato de potássio na dose 6 mL L-1 reduziu significativamente a incidência e o nível de dano provocado por insetos-praga nos genótipos de cacau. No entanto, não houve efeito significativo da aplicação de silicato de potássio sobre o teor de silício nas folhas dos genótipos de cacau estudados em relação ao controle. O segundo experimento foi instalado em casa de vegetação com os mesmos tratamentos e delineamento estatístico do experimento anterior. Nele foram avaliadas as trocas gasosas foliares, os teores foliares de fenóis solúveis totais; a fluorescência da clorofila a, além do teste de preferência com chance de livre escolha com pulgões. As maiores taxas fotossintéticas e condutância estomática foram encontradas no TSH 1188 e CCN 51. Estes mesmos genótipos apresentaram maiores índices de desempenho (PIABS e PITOTAL), resultado do aumento da densidade de centros de reação ativos do fotossistema II (RC/ABS), do rendimento quântico de FSII (φP0/(1- φP0)) e da eficiência das reações de oxi-redução além da quinona a- (ᴪ0/1-ᴪ0). A aplicação de silicato de potássio aumentou a fotossíntese líquida, mas não afetou os 8 índices de desempenho (PIABS e PITOTAL). Os teores de fenóis aumentaram nos genótipos CCN 51 e Catongo, já a preferência do pulgão foi reduzida com a aplicação de 6 mL L-1 de silicato de potássio apenas no TSH 1188. Em função dos resultados obtidos nos dois experimentos, a aplicação de silício é promissora no aumento da resistência do cacaueiro a insetos-praga, uma vez que promove o aumento da atividade fotossintética da planta e da produção de metabólitos envolvidos nos mecanismos de defesa do cacaueiro. Palavras-chave: silício, nutrição mineral, indução de resistência, fluorescência da clorofila a, compostos fenólicos, trocas gasosas.

Um dos objetivos da engenharia de superfícies, dentre outros, é combinar as propriedades físico-químicas, tribológicas e mecânicas das superfícies dos materiais visando obter propriedades específicas para esses, como, uma elevada dureza, baixo coeficiente de atrito e elevada resistência ao desgaste, associadas a características estruturais que permitam a conservação dessas propriedades em diferentes condições de trabalho através do desenvolvimento de revestimentos e/ou filmes finos. Neste trabalho foram estudados revestimentos compostos por Si3N4 e MoS2 co-depositados sobre carbono e silício através de reactive magnetron sputtering, a uma temperatura de 150°C variando o conteúdo de MoS2 nas amostras de 0, 0,1, 0,3, 0,4 e 0,6% at. Diversas técnicas para caracterização das propriedades dos sistemas foram utilizadas. As amostras também foram caracterizadas antes e após tratamento térmico a 400°C durante 24h. Os filmes apresentaram razões de composição de Si/N de 0,74 e Mo/S de 0,5, ou seja, estequiométricos, além de serem amorfos e homogêneos em perfil e conterem mínimas quantias de contaminantes. Para Si3N4 puro à temperatura ambiente obteve-se dureza de 17,1 ± 2,8 e para a amostra de Si3N4 com 0,1% at de MoS2 a dureza atingida foi de 23,5 ± 2,0, representando um aumento de 37% no valor da dureza. O processo de tratamento térmico das amostras estimulou a difusão dos elementos químicos constituintes do filme composto e pode ser associado às mudanças mecânicas e tribológicas observadas após tratamento térmico. A amostras com incorporação de MoS2 apresentaram queda de até 55% no coeficiente de atrito em relação a amostra de Si3N4 puro. / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / One of the purposes of surface engineering is to combine physical-chemical, tribological and mechanical properties of materials aiming high hardness, low friction coefficient and high wear resistance, associated with structural features that permit conservation of such properties under different work conditions, by means of the development of coatings and/or thin films. In this work were studied coatings composed of Si3N4 and MoS2 co-deposited on carbon and silicon by means of reactive magnetron sputtering, at a temperature of 150°C with variable contents of MoS2 in the samples of 0, 0.1, 0.3, 0.4 and 0.6 at%. Several characterization techniques were used to assess system properties. Samples were also characterized before and after thermal treatment at 400°C for 24h. The films presented compositional ratios of 0.74 for Si/N and 0.5 for Mo/S, that is, stoichiometric composition, besides being amorphous and homogeneous in profile and containing minimal amounts of contaminants. For pure Si3N4 at room temperature a hardness of 17.1 +- 2.8 GPa was obtained, and for the Si3N4 sample with 0.1 at% of MoS2 a hardness of 23,5 +- 2.0 GPa was achieved, representing an increase of 37% in hardness. The thermal treatment process of samples stimulated diffusion of chemical elements of the composed film and can be associated to changes in mechanical and tribological properties observed after such treatment. Samples with MoS2 addition presented decreases up to 55% in the friction coefficient compared to the pure Si3N4 sample.

Orientadores: Inez Valeria Pagotto Yoshida, Maria do Carmo Gonçalves / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-27T12:34:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Radovanovic_Eduardo_D.pdf: 7343534 bytes, checksum: 8f796cb038758d004674d24fefa3b4cf (MD5) Previous issue date: 2000 / Doutorado

Orientador : Ioshiaki Doi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-28T11:13:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Teixeira_RicardoCotrin_M.pdf: 1275626 bytes, checksum: 2394ace3a137b8589a2a20b2df254d67 (MD5) Previous issue date: 2001 / Mestrado

A busca de melhores características elétricas, acompanhada de crescentes evoluções tecnológicas e novos materiais passivantes para junções semicondutoras vem sendo bastante pesquisados nas últimas décadas. Existem dois tipos de passivação: por filmes finos ou por filmes espessos. No primeiro caso são realizadas deposições de óxido de silício, carbeto de silício, nitreto de silício, enquanto que no segundo caso faz-se uso de materiais como borrachas de silicone ou vidros. A escolha entre filme fino e filme espesso está relacionada diretamente ao custo/benefício e as características do dispositivo final. Na indústria de semicondutores de potência opta-se pelos filmes espessos devido às grandes dimensões dos dipositivos e ao custo do processo empregado nas linhas de produção. Os passivantes mais utilizados em semicondutores de potência são borrachas de silicone e vidros. Os vidros inorgânicos são mais estáveis a temperaturas elevadas do que as borrachas de silicone. Neste trabalho procuramos desenvolver e controlar um processo de passivação a vidro em junções semicondutoras de dispositivos de potência para que seja usado numa linha de produção de diodos retificadores de alta estabilidade. Existem diferentes tipos de vidros para esta aplicação como os vidros de Al-Pb-B-Si e os vidros de Zn-B-Si. No presente trabalho foi realizada uma comparação entre a influência da composição química dos vidros, a granulometria do pó (frita) deste vidro, com a tensão de ruptura e corrente de fuga dos diodos levando em conta o rendimento do processo. Observou-se que fritas de vidro de Al-Pb-B-Si com granulometrias mais finas resultam em tensões de ruptura maiores com um rendimento de produção de até 33% superior aos demais casos. As correntes de fuga , à temperatura ambiente, para fritas de vidro de Zn-B-Si e Al-Pb-B-Si com diferentes granulometrias, se mostrou pràticamente a mesma. / The search for better electrical properties, new passivating materials for semiconductors junctions and the process of obtaining those ones have being studied intensively in the latest decades. There are two types of passivation layers: thick film and thin film. The first one is obtained by the deposition of silicon oxides, silicon nitride or silicon carbide, while in the second one is obtained through the application of silicon rubber or glass over the exposed juntion. The decision of using one or another depends on cost/benefit and desired electrical properties of the devices. In the semiconductor power industry the thick films are frequently used because the devices dimensions are large and the cost of these processes are cheaper than those of thin films. Silicon rubber and glass are widely used by this industry. The silicon rubbers are materials that show temperature resistance up to 2000C. The inorganic glasses are more stables at high temperatures. In this work we developed a process of glass passivation for power semiconductors devices, controlled this process and it is in use in a production line of a semiconductor power device industry. There are a few glasses for this application where the two more widely used are Al-B-Pb-Si glass and Zn-B-Si glass. In this work it was compared the influence of the glass chemical composition as well as frit grain size of the glass, over the breakdown voltage and leakage current of the devices. It was observed that glasses of Al-B-Pb-Si with smaller grain size gave better values of breakdown voltage with a production yield bigger up to 33%. It was obtained leakage current values of the same magnitude, at ambient temperature, for both kinds of glasses with different grain sizes and composition.

Orientador: Inez Valeria Pagotto Yoshida / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-03T12:10:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Schiavon_MarcoAntonio_D.pdf: 4981766 bytes, checksum: 51310456b293a2887ba0d13a19ef723e (MD5) Previous issue date: 2002 / Doutorado

Orientador: Mauricio Urban Kleinke / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-08-03T14:02:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dotto_MartaElisaRosso_D.pdf: 3668298 bytes, checksum: 8001a0e2d3d72d367c43fbbae9ca759d (MD5) Previous issue date: 2003 / Resumo: A morfologia de superfícies de Si atacadas foi investigada por microscopia de força atômica (AFM). As amostras foram atacadas em distintas condições experimentais por uma solução de NaOH. Comportamentos lineares foram observados em gráficos log-log das flutuações das alturas ( D h) versus variações do comprimento ( D l), onde o expoente de rugosidade ( a ) é obtido da inclinação da curva. O expoente de crescimento (b) foi obtido a partir da relação de escala D hsat ~ t b, onde D hsat é o valor de saturação de D h. Para as superfícies de Si(111), foi observado e caracterizado um comportamento de escala com dois valores distintos para a. O valor de a local foi associado aos processos difusionais locais de crescimento dos platôs (aloc ~ 0.85). Refletindo uma taxa de crescimento direcional, o a global foi próximo de 0.4, sendo este um valor típico para o modelo de KPZ. Características de percolação foram observadas nas superfícies de Si(100) nos estágios inicias de ataque. Os valores de aumentaram com o tempo de ataque e com as restrições experimentais, de 0.5 a 0.9, e o comportamento funcional de a em relação à potência do ataque concorda com o modelo de uma frente de invasão de um fluido em um meio poroso, o modelo de KLT. Amostras de Si(100) com diferentes dopagens foram atacadas por uma solução de NaOH em banho de ultra-som. Foram observadas relações de escalas com os expoentes a e b e um comportamento de escala de D hsat com a dopagem das amostras. Obteve-se uma excelente correlação entre os sistemas experimentais e os modelos teóricos, ampliando assim o conceito de universalidade nos fenômenos associados à formação de superfícies / Abstract: Morphology of etched Si surface has been investigated by atomic force microscope (AFM). Samples were etched by NaOH solution in distinct experimental condictions. Linear relationships were observed in log-log plots of height fluctuation ( D h ) versus length variation ( D l ), where the roughness exponent ( a ) is obtained from the slope. Growth exponent (b) was obtained from the D h sat ~ t b scaling relation, where D h sat is the D h saturation value. For Si(111) surfaces, a scaling behavior was observed and characterized by two distinct values of a . The local value of a was associated to the local diffusion process of plateaus growth (a loc ~ 0.85), and the global a (related to long-range surface correlations) was close to 0.4. This is typical value for the KPZ model reflecting the highest growth rates on surfaces with higher slopes. Percolation signals were observed at Si(100) surfaces at the initial stages of etching. a values increases with etching time and with the experimental constraints, from 0.5 to 0.9, and the functional behavior with respect to the etching power agree to the fluid front invasion in a porous medium model, the KLT model. Si(100) samples with diferent doping were attacked by NaOH solution in ultrasonic bath. Were observed scaling relation with a and b exponents, and a scaling behavior of Dhsat with the samples¿ doping. We obtained excellent agreement between our experimental results and the theoretical models, contributing in this way to the universality concepts associated to the surface formation / Doutorado / Física / Doutora em Ciências