Submitted by Marco Antônio de Ramos Chagas (mchagas@ufv.br) on 2017-03-13T18:47:03Z No. of bitstreams: 1 texto completo.pdf: 2479982 bytes, checksum: 2f131c1a693ff175352de29d2becc0b1 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-03-13T18:47:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 texto completo.pdf: 2479982 bytes, checksum: 2f131c1a693ff175352de29d2becc0b1 (MD5) Previous issue date: 2016-03-21 / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de Minas Gerais / Este foi o primeiro trabalho feito no Departamento de Física da Universidade Federal de Viçosa sobre fotoeletrodeposição e nele descrevemos este processo aplicado à deposição localizada de telureto de cádmio sobre silício tipo-p com orientação cristalográfica (111). Essa técnica se mostrou prática, barata e de resultados imediatos. A construção de uma microcélula adequada ao processo e toda a metodologia requerida pela técnica também são abordadas. A fotoeletrodeposição permite criar microdepósitos localizados, uma vez que o tipo de substrato utilizado é ativado localmente mediante a incidência de luz focalizada. As dimensões do depósito são funções de parâmetros tanto do laser (potência, comprimento de onda, entre outras), quanto do substrato (resistividade, concentração de defeitos da rede, entre outras). As amostras fotoeletrodepositas foram caracterizadas com perfilometria óptica e microscopia eletrônica de varredura (MEV). As análises de perfilometria mostraram que o diâmetro dos depósitos tende a aumentar com o aumento da potência, mas pouco são influenciados pelo tempo de exposição. Para cada laser, a polarização circular apresentou efeitos distintos, gerando depósitos com maiores diâmetros para o laser vermelho e não gerando depósitos para alguns valores de potência do laser verde. Quanto à espessura, os filmes gerados com o laser vermelho apresentaram maior espessura do que os produzidos com o laser verde, uma vez que o poder de penetração da luz vermelha é maior. A microscopia eletrônica de varredura revelou informações sobre o tamanho dos aglomerados e sobre a concentração dos mesmos nas regiões depositadas. Tanto o tamanho dos aglomerados quanto suas concentrações aumentam à medida que o tempo de exposição ao laser aumenta. O tamanho dos aglomerados também sofre influências da intensidade do laser para uma mesma potência, se mostrando maiores nos centros dos depósitos do que nas regiões mais periféricas. O comprimento de onda e a potência do laser incidente não apresentaram efeitos significativos nas análises realizadas por esta técnica. ii / This was the first work done in the Physics Department of the Federal University of Viçosa and it described the process applied to the deposition of cadmium telluride on p-type silicon (111). This technique has shown itself to be practical, inexpensive and of immediate results. The construction from an adequate microcell to the process and all the required methodology by such technique are also shown. The controlled photoelectrondeposition allows the creation of localized microdeposits, since the type of substrate used is activated locally by focalized light incidence. The dimensions of the deposit are functions of the laser parameters (potency, wave length, among others), as much the substrate parameters (resistivity, concentration of lattice defects, among others). The photoelectrodeposited samples were characterized by optical perfilometry and scanning electron microscope (SEM). The perfilometry analyses have shown that the diameter of the depositions tend to increase with the magnification of the potency, not suffering much influence from exposition time, however. For each laser, the circular polarization showed different effects, generating deposits with larger diameters for the red laser and not generating deposits for some values of power green laser. As the thickness, the films generated from the red laser had greater thickness than those produced with the green laser, since the power of penetration of red light is greater. The SEM has revealed information regarding the size and the concentration of the agglomerates on deposited regions. Both the size of the agglomerates and their concentrations increase as the laser exposure time increases. The size of the agglomerates also suffer influence from the laser intensity, showing itself higher on the center of the deposits than on peripheral regions. The wave length and the incident laser potency do not show significant effects in the analyzes performed by this technique. iii

Submitted by Reginaldo Soares de Freitas (reginaldo.freitas@ufv.br) on 2017-03-13T19:13:57Z No. of bitstreams: 1 texto completo.pdf: 16500532 bytes, checksum: 5f7ca26eade090e43e4a5f88650d7279 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-03-13T19:13:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 texto completo.pdf: 16500532 bytes, checksum: 5f7ca26eade090e43e4a5f88650d7279 (MD5) Previous issue date: 2016-07-15 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / O telureto de cádmio (CdTe) é um semicondutor amplamente utilizado em células fotovoltaicas como principal componente para obtenção de energia limpa através da conversão de energia solar em eletricidade. Além disso, o CdTe é utilizado em sensores que atuam no infravermelho, raios X e gama. Mudanças superficiais sobre a região iluminada do CdTe, mesmo em baixas potências, foram registradas em diversas publicações. Estas mudanças tem como consequência alterações em suas propriedades elétricas e ópticas. Esse efeito fotoinduzido sobre a superfície do CdTe é relatado de forma controversa desde da década de 1980. O espectro Raman de primeira ordem do CdTe é caracterizado por duas bandas (TO ~ 140 cm-1 e LO ~ 167 cm-1). Entretanto, a região iluminada pelo laser exibe uma banda em ~ 122 cm-1, que é associado ao telúrio cristalino. Neste trabalho, o surgimento deste pico e sua evolução temporal são verificados por meio de diferentes linhas de excitação, potências e tempo de exposição. O fenômeno é caracterizado como fotoinduzido e sua evolução apresenta duas etapas distintas. Amostras com excesso de cádmio e telúrio também foram estudadas através do espalhamento Raman. A técnica de microscopia eletrônica de varredura (MEV) é utilizada na busca de maior entendimento dos mecanismos que estão por trás deste fenômeno irreversível. / The cadmium telluride (CdTe) is a semiconductor material broadly applied to photovoltaic cells as a main component to obtain clean energy by converting sunlight into electricity. In addition to this important technological application, the CdTe has also been used in the manufacture of sensors for infrared, x-rays and gamma rays. Recent works highlight changes on surfaces of the cadmium telluride and correlated materials as CdZnTe after Raman measurements due to exposure to the laser radiation even at low power. These changes are not observed by optical inspection, but they may affect the properties of technological interest of these films. This photoinduced effect on the CdTe surface has been discussed controversially way since the 80s. Usually, the 1rst order Raman spectrum of the CdTe is characterized by two well defined peaks at low energy (TO ~ 140 cm-1 and LO ~ 166 cm-1), but in the points of the samples exposed to a prolonged laser radiation exhibit a peak at ~ 122 cm-1 (associated to cristalline tellurium) which increases with exposure time. Depending on the laser power density and the exposure time, the CdTe spectrum can be saturated by the tellurium peak. In this work, the occurrence of this peak is studied by temporal evolution of the Raman spectra using different laser lines. The phenomenon is characterized as photoinduced and its evolution has two distinct steps. Samples with excessive cadmium and tellurium were also studied by Raman scattering. Scanning Electron Microscopy (SEM) are also used to support the Raman results and interpretations in order to understand the mechanisms that give rise to this irreversible phenomenon.

Submitted by Marco Antônio de Ramos Chagas (mchagas@ufv.br) on 2016-05-24T15:37:14Z No. of bitstreams: 1 texto completo.pdf: 4123665 bytes, checksum: 27bbafa04b7adbaf59eeea633ac6d723 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-05-24T15:37:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 texto completo.pdf: 4123665 bytes, checksum: 27bbafa04b7adbaf59eeea633ac6d723 (MD5) Previous issue date: 2015-08-11 / Nesta tese, estudamos os efeitos da temperatura do substrato na evolução da textura, rugosidade e tensão em filmes finos de CdTe crescidos sobre substratos de SnO 2 /Vidro,folha de poliamida (Kapton©) e lâmina de aço inoxidável, além de determinar os expoentes e a classe de universalidade do processo de crescimento. Os filmes de CdTe foram depositados pelo método de epitaxia de paredes quentes (HWE) a uma taxa de 0,5 μm/h enquanto a temperatura do substrato variou de 150 a 250 0 C. A estrutura e a morfologia dos filmes crescidos foram caracterizadas por difração de raios-x (DRX) e microscopia de força atômica (AFM). As medidas de raios-X mostram que os filmes crescidos em todos os substratos são policristalinos com orientação preferencial (111), embora os filmes crescidos sobre Kapton mostrem menor cristalinidade. As imagens de AFM foram utilizadas para determinar a rugosidade global, distribuições de altura e o espectro de potência com o objetivo de encontrar, juntamente com os indícios dos expoentes, a classe de universalidade do processo de crescimento. Nossos resultados mostram que, os filmes crescidos sobre Kapton a baixa temperatura seguem a classe de universalidade Edwards-Wilkinson (EW). / In this thesis, we studied the effect of the substrate temperature in the evolution of texture, roughness and strain of CdTe thin films grown on different substrates. The and stainless steel foil samples were grown on SnO /glass, polyamide sheet (Kapton©) using the Hot Wall Epitaxy technique. The growth rate was approximately the same for all samples, about 0,5 μm/h, while the substrate temperature was changed between 150 and 250 o C. The grown films structure and surface morphology were characterized by xray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM). The X-ray measurements show that films grown on all substrates are polycrystalline with (111) preferential orientation, although the films grown on Kapton show much lower crystallinity. The AFM images were used to calculate the global roughness, height distributions and the power spectrum with the objective to determine the universality class of the growth process. Our results show that the films grown on Kapton at a low temperature folow the Edwards-Wilkinson (EW) universality class.

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / The present thesis shows a study of native defects (vacancies and antisites) in Beryllium Monoxide (BeO) by means of first principle calculations within Density Functional Theory (DFT). We made use of Local Density Aproximation (LDA) in order to approach correlation and shift term, and ultrasoft pseudopotentials in order to describe the electron-core interaction. The Kohn-Sham orbitals were described by plane waves expansion method. BeO was studied in two cristaline structures: wurtzite and zinc blend. Our results confirm the greater stability of wurtzite, as well as that both wurtzite and zinc blend are semiconductors with a broad gap. We noticed that all defects we have studied have shorter formation energy in a BeO wurtzite structure than in a zinc blend one. We showed that native defects in BeO, either in wurtzite or zinc blend, introduce levels in the forbidden band of the crystal causing considerable changes in eletronic properties, and, for some defects, we identified metal features. Charge Density and Projected State Density (PDOS) calculations allowed us to determine the origin of such levels. For vacancies, we noticed that defects levels have always originated from neighboring vacancy sites, and that. Be vacancy makes BeO to have a metal feature. In antisites, defects levels originated from the substitutional atoms themselves as well as from their neighboring atoms. When in a BeO wurtzite structure, both Be that is O substitutional in (BeO) and O that is Be substitutional in (OBe) keep the semiconductor feature of the material with a significant energy gap decrease. However, in zinc blend structure, the same defects change the semiconductor feature to metallic. / Usando cálculos de primeiros princípios, dentro do formalismo da Teoria do Funcional da Densidade (DFT), estudamos defeitos nativos (vacâncias e antiss´ıtios) em Mon´oxido de Ber´ılio (BeO). Utilizamos a aproxima¸c ao da densidade local (LDA) para tratar o termo de troca e correla¸c ao e pseudopotenciais ultrasuaves para descrever a intera¸c ao el´etron-caro¸co. Os orbitais de Kohn-Sham foram descritos usando uma expans ao em ondas planas. Estudamos o BeO em duas estruturas cristalinas, a wurtzita e a blenda de zinco. Nossos resultados confirmam a maior estabilidade da wurtzita, e ambos as estruturas s ao semicondutores com um gap amplo. Observamos que todos os defeitos estudados possuem menor energia de forma¸c ao quando presentes na estrutura da wurtzita do BeO, em compara¸c ao com a estrutura blenda de zinco. Mostramos que a presen¸ca de defeitos nativos no BeO, tanto na wurtzita como na blenda de zinco, introduzem n´ıveis na banda proibida do cristal, ocasionando mudan¸cas consider´aveis nas propriedades eletr onicas, e para alguns defeitos caracter ´ısticas met´alicas s ao observadas. C´alculos de densidade de carga e de densidade de estados projetada (PDOS), permitiram determinar a origem desses n´ıveis. Para as vac ancias, observamos que os n´ıveis de defeito se originam sempre dos ´atomos vizinhos ao s´ıtio da vac ancia, e que a presen¸ca da vac ancia de O n ao altera o car´ater semicondutor do material, enquanto que a presen¸ca da vac ancia de Be faz com que o BeO passe a ter um car´ater met´alico. No caso dos antiss´ıtios, os n´ıveis de defeito se originam dos pr´oprios ´atomos substitucionais, e dos ´atomos vizinhos ao antiss´ıtio. Quando presentes na estrutura wurtzita do BeO ambos antiss´ıtios, Be substitucional ao O (BeO) e O substitucional ao Be (OBe), mant´em o car´ater semicondutor do material, com uma redu¸c ao significativa no gap de energia. J´a na estrutura da blenda de zinco, estes mesmos defeitos alteram o car´ater semicondutor do material para met´alico.

Orientador: Jaime Frejlich / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-14T11:06:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Santos_TatianeOliveirados_D.pdf: 7708751 bytes, checksum: 103a28dbd9feff06d3555a0fc88ad4b7 (MD5) Previous issue date: 2009 / Resumo: Foi realizado o estudo de novos materiais fotorrefrativos através das técnicas Fotocon-dutividade Resolvida por Comprimento de Onda e Speckle-foto-fem. Dentre esses materiais encontram-se titanosillenitas com diferentes dopantes e os materiais fotorrefrativos do grupo II-VI como o telureto de c'admio (CdTe) e telureto de zinco (ZnTe), também dopados, e cujo interesse está no fato de terem uma banda proibida menor que as sillenitas, e serem bem mais rápidos que as sillenitas. O modelo matemático que descreve o efeito foto-fem com um padrão de "speckle" oscilante e de grande amplitude foi desenvolvido, tornando-se o modelo mais completo até hoje existente. O novo modelo prêve o aparecimento de um máximo no sinal de speckle-foto-fem para um determinado valor da amplitude normalizada sobre o tamanho do speckle d , em conformidade com os resultados experimentais. Verificou-se também, que a posição deste máximo depende fortemente da relação entre a condutividade no escuro e fo-tocondutividade (Rd). Através da técnica Fotocondutividade Resolvida por Comprimento de Onda foi estudado as amostras de BTO puro e dopado, CdTe e ZnTe dopados, onde foi possível identificar alguns estados localizados dentro da banda proibida destes materiais. A partir disto, alguns cristais, como o BTO, Cdte:V e CdTe:Ge foram selecionados para os experimentos de medidas de vibrações transversais utilizando a técnica speckle-foto-fem. Os experimentos de speckle-foto-fem foram, pela primeira vez, utilizados para caracterizar materiais fotorrefrativos, a partir da determinação do tempo de resposta e da estimativa da condutividade no escuro. / Abstract: A study of new photorefractive materials was performed through the techniques of wa-velength resolved photoconductivity and Speckle-photo-fem. Among this materials are the titanosillenites with different dopants and the group II-IV Photorefractive materials like the Cadmium telluride (CdTe) and the Zinc telluride (ZnTe), also doped, which are interesting for having a band gap smaller than that of the sillenites, and for being a lot faster than the sillenites. The mathematical model that describes the Photo-emf effect with an oscillating and high amplitude speckle pattern was developed, becoming the most complete model in existence. The new model predicts the presence of a maximum in the signal of speckle-photo-emf for a determined value of the amplitude normalized over the size of the speckle d , in conformity with the experimental results. Was also verified that the position of this maximum is strongly depen-dent on the relation between the dark conductivity and photoconductivity (Rd). Through the technique of wavelength resolved photoconductivity the samples of pure and doped BTO, CdTe and ZnTe were studied and it was possible to identify some localized states inside the band gap of those materials. From that, some crystals like the BTO, CdTe:V and CdTe:Ge were se-lected for the experiments on transversal vibration measurement using the Speckle-photo-emf technique. The speckle-photo-emf experiments were, for the first time, used to characterize photorefractive materials, from the determination of the response time and the estimate of their dark conductivity. / Doutorado / Ótica / Doutora em Ciências

Submitted by Automa??o e Estat?stica (sst@bczm.ufrn.br) on 2017-12-12T19:14:15Z No. of bitstreams: 1 NeymarPereiraDaCosta_TESE.pdf: 7528094 bytes, checksum: a890acb318c8748f5765c7a2bb15e3c4 (MD5) / Approved for entry into archive by Arlan Eloi Leite Silva (eloihistoriador@yahoo.com.br) on 2017-12-14T18:05:44Z (GMT) No. of bitstreams: 1 NeymarPereiraDaCosta_TESE.pdf: 7528094 bytes, checksum: a890acb318c8748f5765c7a2bb15e3c4 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-12-14T18:05:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 NeymarPereiraDaCosta_TESE.pdf: 7528094 bytes, checksum: a890acb318c8748f5765c7a2bb15e3c4 (MD5) Previous issue date: 2017-09-14 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior (CAPES) / A presente tese traz um m?todo de produ??o de alvos semicondutores cujo material ? proveniente de m?dulos termoel?tricos comerciais. Os alvos t?m a finalidade e foram utilizados em sistema magnetron sputtering. Os materiais que comp?em os alvos s?o ligas tern?rias semicondutoras, uma de telureto de bismuto e antim?nio, que se caracteriza como tipo P e a outra ligada ? um seleneto de bismuto e tel?rio, cuja composi??o o caracteriza como tipo N. Estas ligas dos sistemas Bi2Te3-ySey e Bi2-xSbxTe3 apresentam propriedades termoel?tricas de alto desempenho dentro da faixa de temperatura entorno da ambiente. A partir desses alvos, foram produzidos filmes termoel?tricos de espessura nanom?trica, em dois lotes, cujas amostras foram submetidas a tratamentos t?rmicos ap?s sua produ??o. Foram investigadas as propriedades termoel?tricas dos filmes, ? temperatura ambiente, no sistema de medidas de propriedades f?sicas, o PPMS. Para isso foi utilizado a op??o de transporte t?rmico TTO, o qual possibilita a aquisi??o de dados de grandezas f?sicas como o coeficiente Seebeck ?, a condutividade t?rmica ? e a resistividade el?trica ?. Com essas grandezas reunidas, foi calculado o Fator de Pot?ncia e a Figura de M?rito que ? um fator adimensional que determina o quanto o material ? promissor para aplica??es em convers?o de energia e refrigera??o termoel?trica. Medidas de voltagem por corrente pelo m?todo quatro pontas colinear, foram realizadas e mostraram um indicativo de utiliza??o para o semicondutor tipo P como sensor de chaveamento t?rmico. Uma importante perspectiva ? o desenvolvimento de um substrato, utilizando os filmes como termoelementos planares e assim, funcionar como dispositivo termoel?trico, capaz de promover gradientes t?rmicos em aplica??es a outros sistemas como os magneto galvanom?tricos.

Made available in DSpace on 2014-12-17T15:14:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 EdvaldoOA.pdf: 2541232 bytes, checksum: 164028ab1f903bc208dbe7b7dc61aedb (MD5) Previous issue date: 2007-12-13 / Thermoelectric Refrigerators (TEC Thermoelectric Cooling) are solid-state heat pumps used in applications where stabilization of temperature cycles or cooling below the room temperature are required. TEC are based on thermoelectric devices, and these in turn, are based on the Peltier effect, which is the production of a difference in temperature when an electric current is applied to a junction formed by two non-similar materials. This is one of the three thermoelectric effects and is a typical semiconductor junction phenomenon. The thermoelectric efficiency, known as Z thermoelectric or merit figure is a parameter that measures the quality of a thermoelectric device. It depends directly on electrical conductivity and inversely on the thermal conductivity. Therefore, good thermoelectric devices have typically high values of electrical conductivity and low values of thermal conductivity. One of the most common materials in the composition of thermoelectric devices is the semiconductor bismuth telluride (Bi2Te3) and its alloys. Peltier plates made up by crystals of semiconductor P-type and N-type are commercially available for various applications in thermoelectric systems. In this work, we characterize the electrical properties of bismuth telluride through conductivity/resistivity of the material, and X-rays power diffraction and magnetoresistance measurements. The results were compared with values taken from specific literature. Moreover, two techniques of material preparation, and applications in refrigerators, are discussed / Refrigeradores Termoel?tricos (TEC Thermoelectric Cooling) s?o bombas de calor de estado s?lido usados em aplica??es onde estabiliza??o de ciclos de temperatura ou para resfriamentos abaixo da temperatura ambiente s?o requeridos. Os TEC s?o baseados em dispositivos termoel?tricos e, estes, por sua vez s?o baseados no efeito Peltier, que consiste na produ??o de um diferencial de temperatura quando uma corrente el?trica ? aplicada a uma jun??o formada por dois materiais diferentes. Este efeito ? um dos tr?s efeitos termoel?tricos e ? um fen?meno t?pico de jun??o. A efici?ncia termoel?trica, conhecida como Z termoel?trico ou a figura de m?rito ? um par?metro que mede a qualidade de um dispositivo termoel?trico. Ele depende diretamente da condutividade el?trica e do inverso da condutividade t?rmica. Assim, bons dispositivos termoel?tricos devem apresentar valores elevados de condutividade el?trica e baixa condutividade t?rmica. Um dos materiais mais comuns na composi??o de dispositivos termoel?tricos ? o semicondutor telureto de bismuto (Bi2Te3) e suas ligas. Placas Peltier composta por cristais tipo P e Tipo N deste semicondutor s?o dispon?veis comercialmente para diversas aplica??es em sistemas termoel?tricos. Neste trabalho buscou-se caracterizar propriedades f?sicas de amostras de telureto de bismuto, extra?das de placas Peltier, atrav?s das medidas de condutividade/resistividade do material, de medidas de raios X e de magnetoresist?ncia. Os resultados foram comparados com valores da literatura da ?rea. Al?m disso, descrevemos duas t?cnicas de prepara??o destes semicondutores e discutimos aplica??es em refrigeradores

Submitted by Etelvina Domingos (etelvina.domingos@ufpe.br) on 2015-03-12T17:10:03Z No. of bitstreams: 2 Juliano Carlo_tese.pdf: 13069704 bytes, checksum: 0b45a24ac51a1d617e4f4e41297207c3 (MD5) license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-03-12T17:10:03Z (GMT). No. of bitstreams: 2 Juliano Carlo_tese.pdf: 13069704 bytes, checksum: 0b45a24ac51a1d617e4f4e41297207c3 (MD5) license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) Previous issue date: 2013-01-18 / CNPq / A primeira parte deste trabalho descreve a síntese e a completa elucidação estrutural de teluretos vinílicos. Os teluretos vinílicos desejados foram preparados a partir da reação de hidroteluração de alquinos para levar aos teluretos correspondentes em bons rendimentos (78-91%). Estes compostos foram então submetidos à análise de RMN de 1H, 13C e 125Te e a atribuição completa foi realizada a partir do desenvolvimento de um novo experimento 1H-125Te HMBC onde os sinais referentes a cada núcleo de telúrio foi atribuído. A segunda parte deste trabalho descreve a síntese de eninos funcionalizados a partir da reação de acoplamento entre teluretos vinílicos de geometria Z e Oglicosídeos funcionalizados, preparados a partir da reação de O-glicosidação. Os compostos desejados foram obtidos em bons rendimentos (77-88%) e caracterizados através de métodos usuais. O estudo preliminar da atividade antineoplásica destes compostos contra três linhagens de tumores (HT29 – carcinoma de cólon, NCI – câncer de pulmão e HL-60 – leucemia) foi realizado. Cinco compostos foram testados, sendo que somente um deles exibiu atividade antitumoral moderada. A última etapa deste trabalho descreve a utilização de [Eu2(fum)3(H2O)4]•(3H2O), uma Metal-Organic Framework -MOF, como catalisador para promover a reação de entre o alil-trifluoroborato de potássio e uma grande variedade de aldeídos contendo diversos grupos funcionais. A metodologia levou aos compostos desejados em bons rendimentos (71-93%) e tempos reacionais curtos (10- 20 minutos) empregando-se 10 mol% do catalisador em meio aquoso. O catalisador pôde ainda ser reutilizado na reação seis vezes consecutivas sem aparente perda da sua atividade catalítica.

Submitted by Etelvina Domingos (etelvina.domingos@ufpe.br) on 2015-03-12T17:20:55Z No. of bitstreams: 2 license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) Juliano Carlo_tese.pdf: 13069704 bytes, checksum: 0b45a24ac51a1d617e4f4e41297207c3 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-03-12T17:20:55Z (GMT). No. of bitstreams: 2 license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) Juliano Carlo_tese.pdf: 13069704 bytes, checksum: 0b45a24ac51a1d617e4f4e41297207c3 (MD5) Previous issue date: 2013-01-18 / CNPq / A primeira parte deste trabalho descreve a síntese e a completa elucidação estrutural de teluretos vinílicos. Os teluretos vinílicos desejados foram preparados a partir da reação de hidroteluração de alquinos para levar aos teluretos correspondentes em bons rendimentos (78-91%). Estes compostos foram então submetidos à análise de RMN de 1H, 13C e 125Te e a atribuição completa foi realizada a partir do desenvolvimento de um novo experimento 1H-125Te HMBC onde os sinais referentes a cada núcleo de telúrio foi atribuído. A segunda parte deste trabalho descreve a síntese de eninos funcionalizados a partir da reação de acoplamento entre teluretos vinílicos de geometria Z e Oglicosídeos funcionalizados, preparados a partir da reação de O-glicosidação. Os compostos desejados foram obtidos em bons rendimentos (77-88%) e caracterizados através de métodos usuais. O estudo preliminar da atividade antineoplásica destes compostos contra três linhagens de tumores (HT29 – carcinoma de cólon, NCI – câncer de pulmão e HL-60 – leucemia) foi realizado. Cinco compostos foram testados, sendo que somente um deles exibiu atividade antitumoral moderada. A última etapa deste trabalho descreve a utilização de [Eu2(fum)3(H2O)4]•(3H2O), uma Metal-Organic Framework -MOF, como catalisador para promover a reação de entre o alil-trifluoroborato de potássio e uma grande variedade de aldeídos contendo diversos grupos funcionais. A metodologia levou aos compostos desejados em bons rendimentos (71-93%) e tempos reacionais curtos (10- 20 minutos) empregando-se 10 mol% do catalisador em meio aquoso. O catalisador pôde ainda ser reutilizado na reação seis vezes consecutivas sem aparente perda da sua atividade catalítica.

Made available in DSpace on 2014-06-12T15:49:49Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo2692_1.pdf: 3650940 bytes, checksum: 8f04ded24e8de278810f015de8023da9 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2010 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / O câncer é uma doença caracterizada pelo crescimento descontrolado de células anormais e é uma importante causa de morte na população. Nas últimas décadas, a utilização de nanopartículas de semicondutores tem dado grande contribuição para visualização e caracterização de materiais biológicos, inclusive em diagnosticar precisamente tumores. Neste trabalho utilizamos pontos quânticos como marcadores fluorescentes em neoplasias (câncer de laringe, câncer de pulmão, leucemia e glioblastomas). As nanopartículas de sulfeto de cádmio [CdS/Cd(OH)2] e de telureto de cádmio (CdTe) foram sintetizadas em solução aquosa e foram funcionalizadas com glutaraldeído a 0,01 % e quitosana para verificarmos seu desempenho como marcadores biológicos. As propriedades ópticas das amostras foram estudadas por espectroscopia de absorção, excitação e emissão e a caracterização estrutural foi realizada por difração de raio-x (DRX). Obtiveram-se imagens de fluorescência por microscopia de fluorescência convencional mostrando claramente a marcação fluorescente nas neoplasias. As análises por microscopia eletrônica de transmissão (MET) revelou a localização das nanopartículas na célula. Os quantum dots funcionalizados com glutaraldeído apresentou bons resultados para as amostras analisadas, enquanto que a quitosana não obteve sucesso com funcionalizador biológico neste estudo