Orientador: Wilmar Bueno de Moraes / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-20T16:30:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 RazeraJunior_LuizAntonio_M.pdf: 7873920 bytes, checksum: b7748693f53982ebb310925dc2abd3aa (MD5) Previous issue date: 1995 / Resumo: Resumo: Este trabalho apresenta o equacionamento matemático, as simulações e análises detalhadas do comportamento DC, distorção harmônica, resposta em freqüência e excursão do sinal de entrada de dez conversores tensão-corrente, ou transcondutores, que utilizam transistores MOS operando na região de saturação. Estes transcondutores estão subdivididos em quatro grupos, correspondentes aos quatro capítulos do trabalho. São eles: Transcondutores com Pares Diferenciais; Transcondutores com Polarização Adaptativa; Transcondutores em Classe AB; Transcondutores Projetados no DEMIC/FEE-UNICAMP. São tecidos comentários acerca de cada circuito, enfatizando seus pontos positivos e negativos, além de comparações entre os transcondutores de um mesmo grupo. Sugestões e propostas d.e melhorias também são realizadas, além da verificação das mesmas através de simulações / Abstract: This work presents the mathematical equations, simulations and detailed analysis of DC behavior, harmonic distortion, frequency response and input signal excursion of ten V-I converters, or tranconductors, that use MOS transistors on the saturation region of operation. Those transconductors are divided into four groups, which corresponds to the four chapters of the thesis. They are: Transconductors with Differential Pairs; Transconductors with Adaptative Biasing; Class AB Transconductors; Transconductors Designed at DEMIC/FEE-UNICAMP. Comments are done on each circuit, enhancing their positive and negative aspects, besides comparisons among transconductors of a same group. Suggestions and enhancement proposes are also realized, besides their verification by simulations / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Francisco Carlos de Prince / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T15:34:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Machado_AldionsoMarques_M.pdf: 1211023 bytes, checksum: 9c6ebec2a32623cf24b633586f83a665 (MD5) Previous issue date: 1984 / Resumo: O trabalho aqui apresentado começou a ser desenvolvido em setembro de 1981 quando iniciávamos o projeto de um sistema de LPE com o objetivo de ser usado no crescimento de camadas epitaxiais para obtermos as características elétricas e óticas necessárias à fabricação de Transistores de Efeito de Campo (FET). Este Transistor exige camadas com características bem definidas. A camada que separa o substrato da região ativa do dispositivo é a de obtenção mais difícil, pois deve possuir alta pureza e alta resistividade. O seu objetivo é evitar a difusão de impurezas provenientes do substrato para a região ativa do dispositivo, evitando assim que haja alterações nas características elétricas desta região. No decorrer deste trabalho estudamos várias formas de obtenção de camadas de alta pureza. Nos concentramos naquelas que utilizavam um sistema de LPE do mesmo tipo que dispomos, isto é, um sistema que utiliza tubos de quartzo, bote de grafite e atmosfera, de hidrogênio. Um procedimento que se destacou, devido ao seu grande uso, foi o cozimento prolongado da solução de crescimento. Alguns trabalhos analisados mostraram que este cozimento prolongado apresentava melhores resultados quando realizado em uma temperatura bem definida, que para este tipo de sistema é 775ºC. Resolvemos adotar o procedimento de trabalho sugerido por J.K. Abrokwah [16], onde além de cozermos a solução de crescimento a 775ºC, cozemos também o substrato, com sua superfície exposta ao fluxo de hidrogênio. Com este procedimento esperávamos conseguir camadas epitaxiais com densidades de portadores livres em torno de 1014 cm-3. No decorrer do trabalho nos deparamos com algumas dificuldades que atribuímos principalmente à qualidade do substrato por nós utilizado. Nesta tese expomos estas dificuldades tentamos explicá-las baseados nos resultados obtidos, sugerimos maneira de evitá-las. Mostramos que podemos obter camadas epitaxiais com densidade de portadores livres em torno de 1015 cm-3 e que densidades menores podem ser obtidas, mas as amostras crescidas sob as mesmas condições não fornecem os mesmos resultados devido à qualidade do material utilizado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Alvaro Geraldo Badan Palhares / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-15T17:17:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pomilio_JoseAntenor_M.pdf: 9468816 bytes, checksum: 273f16c4bb5d49cf4076c3209344ed44 (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientadores: Carlos I. Z. Mammana, Pierre Rossel / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T18:52:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Moraes_WilmarBuenode_D.pdf: 2896958 bytes, checksum: 4104ea83d227c220e396bf6fcfb31f17 (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: Não informado. / Abstract: Not informed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador : Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-16T02:56:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Moraes_WilmarBuenode_M.pdf: 1813100 bytes, checksum: 9363f4c9c781164885fb5eba49206d8c (MD5) Previous issue date: 1975 / Resumo: Neste trabalho apresentamos o projeto, a construção e a caracterização de um transistor de efeito de campo com estrutura MOS {metal-óxido-semicondutor}. Inicialmente é apresentada uma descrição dos diversos tipos de estrutura e dos processos viáveis, no momento, para a fabricação de TEC MOS. Adotando um modelo elétrico derivado de um modelo físico dos TEC MOS foram estabelecidos critérios para o dimensionam mento da estrutura de um transistor: a determinação de suas dimensões e características elétricas dos materiais envolvidos. Este modelo, por outro lado, nos permitiu relacionar à estrutura, os seguintes parâmetros elétricos mensuráveis: características elétricas intereletródicas, tensões de ruptura, tensão de transição, densidade de cargas na interface silicio-óxido, mobilidade das lacunas no canal, velocidade térmica das lacunas no canal, e resistências terminais da fonte e do dreno. Os transistores foram fabricados por meio da técnica planar em substratos de siliciocom orientações <111> e <100>, e resistividade com ordem de grandeza de 10 ohm cm; o óxido da porta foi crescido com oxigênio seco empregando-se passivação com fósforo para a diminuição de correntes de fuga. A porta foi protegida por meio de um diodo em paralelo com a mesma. Várias séries de transistores foram medidas obtendo-se como resultado que o processo de fabricação empregado foi satisfatório tanto quanto à qualidade como quanto à reprodutibilidade e que o modelo adotado é suficientemente preciso para ser usado no projeto e avaliação dos transistores de efeito de campo MOS com a estrutura utilizada / Abstract: Not informed / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-16T22:58:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Jorge_AlbertoMartins_D.pdf: 2409956 bytes, checksum: d201715d7554d33994a5778a0e41e00d (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: Neste trabalho procuramos estabelecer a viabilidade da utilização de uma cadeia de transistores PNP, laterais, tecnologia planar, para a geração de sinais com valores binariamente distribuídos. O objetivo final desta utilização foi de construir lógicas NE (NAND) do tipo bipolar, no caso I2L (lógica de Injeção Integrada, "Integrated Injection Logic"). A aplicação escolhida no texto foi de um conversor não linear, seguindo a lei A da CCITT. / Abstract: Not informed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador : Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-17T11:40:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Vieira_AdrianoF_M.pdf: 4125446 bytes, checksum: 3cb309b32c4e54f48807a430de6e2499 (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Florianópolis, 2009 / Made available in DSpace on 2012-10-24T14:45:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 276389.pdf: 886187 bytes, checksum: 464d1a6be1da513afcbe1a97506772f7 (MD5) / O objetivo deste trabalho é desenvolver um misturador ativo para conversão de um sinal de RF de 2,4GHz em um sinal de frequência intermediária 750kHz. A topologia escolhida foi a do misturador ativo de balanceamento simples uma vez que apresenta uma arquitetura simples, alto ganho de conversão e um bom isolamento entre as portas. A tecnologia CMOS utilizada foi o AMS 0,35?m que apresenta dispositivos de RF bem caracterizados e bem documentados e também oferece uma prototipagem de baixo custo. O estágio de entrada opera com o nível de inversão moderado e o transistor com uma fT de 16GHz. O misturador simulado apresenta impedância de saída de 403W, ganho de 11dB, figura de ruído em 16,3dB, ponto de compressão de 1dB em -8,76dBm e consumo de potência de 7,3mW.

Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016.

Orientador: Neri Alves / Banca: Edson Laureto / Banca: Carlos José Leopoldo Constantino / Resumo: Um dos atuais desafios da eletrônica orgânica é a obtenção de semicondutores com alta mobilidade que forme filmes com boa morfologia quando depositado/impresso por solução, resultando em boa uniformidade e reprodutibilidade dos dispositivos. O poli(3- hexiltiofeno) (P3HT) e o 6,13-(triisopropilsililetinil)pentaceno (TP) estão entre os semicondutores orgânicos mais utilizados. O TP tem como característica a formação de estruturas cristalinas, e desse modo, apresenta mobilidade muito maior que o P3HT, no entanto é difícil de obter filmes com boa morfologia e resultados reprodutíveis. Visando um material semicondutor que apresente mobilidade significativamente melhor que a do P3HT e uma morfologia melhor que a do TP, estudou-se compósitos a partir da mistura destes materiais (P3HT:TP) para aplicação em transistores orgânicos de efeito de campo (OFETs), utilizando óxido de alumínio anodizado (Al2O3) tratado com HMDS como dielétrico de gate. Para análise da morfologia dos compósitos semicondutores de P3HT:TP usou-se microscopia eletrônica de varredura (MEV), microscopia de força atômica (AFM) e microscopia óptica (MO). Análise óptica foi feita através de medidas de fotoluminescência (PL) e de tempo de decaimento por fotoluminescência. Espectroscopia Raman e FTIR foram utilizadas para análises estruturais. No modo transistor a caracterização foi feita através de curvas de saída e transferência. Através das caracterizações elétricas determinou-se os parâmetros do semicondutor, tais ... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: One of the current challenges of organic electronics is the development of semiconductors with high mobility to form films with good morphology when deposited/printed by solution, resulting in good uniformity and reproducibility of the devices. The poly (3-hexylthiophene) (P3HT) and 6,13-(triisopropilsililetinil)pentacene (TP) are among the most widely used organic semiconductors. The TP films are constituted by crystalline lamellar structures, and thus has greater mobility than the P3HT, however, it is difficult handling it to obtain films with good morphology and reproducible results. Targeting a semiconductor material with significantly better mobility than that of P3HT and better morphology than that of TP, we studied composites of these materials (P3HT: TP) for using in organic field effect transistors (OFETs). The transistor was prepared depositing the solution of the semiconductor composite, by spin coating, on the aluminium oxide, obtained by anodization and treated with HMDS, followed by the thermal evaporation of gold on the top, to form the drain and source electrodes. For analysis of the morphology of the composites semiconductors (P3HT: TP) was used scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM) and optical microscopy (OM). Optical analysis was performed using photoluminescence (PL) measurements and decay time by photoluminescence. FTIR and Raman spectroscopy were used to structural analysis. In mode transistor, characterization was performed u... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre