Im Rahmen dieser Arbeit werden Untersuchungen der Spinrelaxation in epitaktischen GaN-Schichten mit unterschiedlichen Donatorkonzentrationen und Versetzungsdichten mit Hilfe spin- und zeitaufgelöster differentieller Reflektanzspektroskopie präsentiert. Dabei wurden die optischen Anregungsbedingungen sehr sorgfältig gewählt. Neben der genauen Abstimmung der Anregungsenergie, unterstützt durch die Modellierung der differentiellen Reflektanz, wurden insbesondere spektral schmale Laserpulse verwendet. Diese erlauben eine selektive Anregung der untersuchten Übergänge. Es wurden Spinlebensdauern von 30 bis 170~ps bei tiefen Temperaturen für das freie A-Exziton bestimmt. In der Nähe des Metall-Isolator-Übergangs ließ sich eine langsamere Spinrelaxation als für schwächer dotierte Proben nachweisen. Die längsten beobachteten Spinrelaxationszeiten zeigen freistehende GaN-Schichten hoher Materialqualität mit sehr geringen Versetzungsdichten. In der Literatur besteht eine kategorische Unterteilung der Ergebnisse in lange elektronische Spinlebensdauern bis in den Nanosekundenbereich, erhalten mit Kerr-Messungen, und extrem kurze exzitonische Spinrelaxation in Reflektanz-Experimenten im (Sub-)Pikosenkundenbereich. Dieses Bild wird hier nicht bestätigt. Die beobachteten Spinrelaxationszeiten liegen eineinhalb bis zweieinhalb Größenordnungen über Ergebnissen, von denen bisher mit der hier verwendeten Methode berichtet wurde. Es wird gezeigt, dass die Beobachtungen extrem kurzer Spinrelaxationszeiten an anderer Stelle eine Folge der optischen Anregungsbedingungen sind. Die Verwendung sehr kurzer und damit spektral breiter Laserpulse, die eine selektive Exziton-Anregung verbieten, führt zu einem deutlich anderen zeitlichen Verhalten und stark verfälschten Ergebnissen. Diese Beobachtung löst den scheinbaren Widerspruch zwischen den beiden Ergebnisgruppen in der Literatur auf und bildet die Grundlage für weiterführende Untersuchungen. / In this work, an investigation of spin relaxation in GaN epitaxial layers with different doping concentrations and dislocation densities is presented. The measurements were carried out by the means of spin- and time-resolved differential reflectance spectroscopy. The conditions of optical excitation were chosen with special care. In particular, spectrally narrow laser pulses were used to achieve selective excitation of the examined transitions in addition to the precise adjustment of the excitation energy, supported by the modeling of the differential reflectance. The spin relaxation times obtained for the free A exciton at low temperatures are in the range of 30 to 170 ps. In the proximity of the metal insulator transition, a slower spin relaxation was observed than for lower doping concentrations. The longest spin relaxation times were found in high quality, free-standing GaN layers with very low dislocation densities. Existing results in the literature can be strictly grouped into long electronic spin lifetimes of up to a few nanoseconds, obtained with Kerr rotation, and extremely short spin relaxation in the (sub)picosecond range, measured with reflectance experiments. This picture cannot be confirmed here. The spin relaxation times observed here lie 1.5 to 2.5 orders of magnitude above the values previously reported using the same experimental method. It is shown that the instances of extremely fast spin relaxation are caused by the properties of the optical excitation. The use of ultra-short and thus spectrally broad laser pulses, which prohibits the selective excitation of excitons, leads to a significantly different temporal behavior and strongly distorted results. This finding elucidates the apparent conflict between the two groups of results and forms the basis for further investigations.

Im Rahmen dieser Arbeit wurde der pseudo-halogenide Gasphasenepitaxie (PHVPE)-Prozess für die GaN-Kristallzüchtung entwickelt. Dieser Prozess basiert auf dem Zyanid als Transportmittel für Ga. Das HCN wurde aus der Reaktion von heißem NH3 entweder mit Graphit oder einem gasförmigen Kohlenstoffträger gewonnen. Als Quelle für reaktiven Stickstoff diente NH3. Im ersten Ansatz wurde ein Reaktor aus Graphit genutzt. In diesem Fall wurden Wachstumsraten von 60 um=h erreicht. Außerdem zeigte der Kristall eine geringe Perfektion mit hoher V-Grubendichte. Im zweiten Ansatz bestand der Reaktor aus mit pyrolytischem Graphit beschichteten Teilen. Diese Änderung des Konzeptes half die Kristallqualität zu verbessern, reduzierte aber gleichzeitig die Wachstumsrate drastisch, weil das Ga-transportmittel nicht mehr ausreichend zur Verfügung stand. Der neu konstruierte, graphitfreie Aufbau stellt den dritten Zugang zur PHVPE dar. In diesem Fall entsteht HCN während eines Degussa-Prozesses am Pt-Katalysator im Züchtungsreaktor. Zur Untersuchung der Reaktionswege wurde ein FTIR-basiertes insitu Abgasmesssystem entwickelt. GaN-Kristalle wurden auf Saphir und Ga2O3 Substraten, AlN/Al2O3 und GaN/Al2O3 Templates gezüchtet. Eine Selbstseparation wurde für dicke GaN-Schichten auf Ga2O3 erreicht. Die Proben wurden mit verschiedenen Methoden charakterisiert, z.B. mit der Röntgenbeugungs-Spektroskopie (XRD) und Elektronenrückstreubeugung (EBSD) für die Kristallperfektion und kristallographische Orientierung, der Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) zur Untersuchung von Versetzungen und der Grenzfläche zwischen GaN und dem Ga2O3, der Rasterelektronenmikroskopie (REM) für die Oberflächenmorphologie und Schichtdicke, der energiedispersiven Röntgenspektroskopie (EDX) für die Kristallzusammensetzung, sowie der ex-situ und in-situ Abgasanalyse mit der Fourier-Transform-Infrarotspektroskopie (FTIR) zum Studium der Reaktionswege. / Within the frame of this work the pseudo halide vapor phase epitaxy process (PHVPE) was developed for GaN crystals growth. The process is based on cyanide as a transport agent for Ga. The source of HCN was the reaction of hot NH3 with either graphite or gaseous carbon precursor. Source of reactive nitrogen was NH3. In the first approach the reactor made of graphite was used. In this case growth rate of 60 um/h was achieved. Additionally, the crystals exhibit poor quality with high V-pit density. The second approach was to provide the reactor with pyrolytical boron nitride covered parts. Changing the concept helped to improve the crystals'' quality but simultaneously reduced drastically the growth rate, due to the lack of sufficient supply of Ga transport agent. Newly designed graphite free setup is used in the third approach for PHVPE. In this case, HCN forms during Degussa process on Pt catalyst, inside the growth reactor. For investigation of the reaction paths, an in-situ exhaust gas measurement system based on FTIR was developed. GaN crystals were grown on sapphire and Ga2O3 substrates, AlN/Al2O3 and GaN/Al2O3 templates. Self separation was achieved for thick GaN crystals grown on Ga2O3. The samples were characterized by various methods i.e. x-ray diffraction spectroscopy (XRD) and electron back scattering diffraction EBSD for crystal quality and crystallographic orientation, transmission electron microscopy (TEM) for investigating dislocations and interface between GaN and Ga2O3, scanning electron microscopy (SEM) for surface morphology and layer thickness, energy dispersive x-ray spectroscopy (EDX) for crystals compositions, ex-situ and in-situ exhaust gas analysis by Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) for investigation of the reaction paths.