Bei der Kristallzüchtung insbesondere von Halbleitern hat die Form des freien Randes (dem Interface zwischen fester und flüssiger Phase) einen starken Einfluss auf die Qualität des Kristalls. Die Dissertation befasst sich mit der Optimalsteuerung der Form und des Verlaufs des freien Randes. Als Vorlage für die in der Arbeit betrachteten Modellkonfigurationen dient das VGF-Verfahren (Vertical Gradient Freeze). Der Erstarrungsprozess wird durch ein Zweiphasen-Stefan-Problem mit durch Konvektion und Lorentzkräfte getriebener Strömung beschrieben. Der freie Rand wird als Graph formuliert. Das Kontrollziel besteht in der Ansteuerung eines gewünschten Verlaufs des freien Randes. Als Kontrollgrößen dient die Temperatur auf der Wand des Schmelztiegels und/oder wandnahe oder verteilte Lorentzkräfte. Das Kontrollziel wird durch Minimierung eines geeigneten Kosten-Funktionals erreicht. Das daraus resultierende Minimierungsproblem wird mit einem Adjungierten-Ansatz gelöst. Anhand numerischer Experimente mit Aluminium und Gallium-Arsenid Schmelzen wird gezeigt, das das vorgestellte Verfahren gut funktioniert.

Bei der Kristallzüchtung insbesondere von Halbleitern hat die Form des freien Randes (dem Interface zwischen fester und flüssiger Phase) einen starken Einfluss auf die Qualität des Kristalls. Die Dissertation befasst sich mit der Optimalsteuerung der Form und des Verlaufs des freien Randes. Als Vorlage für die in der Arbeit betrachteten Modellkonfigurationen dient das VGF-Verfahren (Vertical Gradient Freeze). Der Erstarrungsprozess wird durch ein Zweiphasen-Stefan-Problem mit durch Konvektion und Lorentzkräfte getriebener Strömung beschrieben. Der freie Rand wird als Graph formuliert. Das Kontrollziel besteht in der Ansteuerung eines gewünschten Verlaufs des freien Randes. Als Kontrollgrößen dient die Temperatur auf der Wand des Schmelztiegels und/oder wandnahe oder verteilte Lorentzkräfte. Das Kontrollziel wird durch Minimierung eines geeigneten Kosten-Funktionals erreicht. Das daraus resultierende Minimierungsproblem wird mit einem Adjungierten-Ansatz gelöst. Anhand numerischer Experimente mit Aluminium und Gallium-Arsenid Schmelzen wird gezeigt, das das vorgestellte Verfahren gut funktioniert.