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Conjunto de Bases Universal para os Átomos de H até Ar.

NASCIMENTO, J. A. R. 30 September 2011 (has links)
Made available in DSpace on 2018-08-01T22:29:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 tese_5335_.pdf: 547169 bytes, checksum: 78f746df215dde50e9c567b3a85c315f (MD5) Previous issue date: 2011-09-30 / Um conjunto de bases Gaussianas Universal para os átomos de H até Ar é apresentado. A partir de uma única sequência de 17 expoentes de Gaussianas, gerada com uso do método Coordenada Geradora Hartree-Fock, subconjuntos foram escolhidos para compor as Gaussianas de cada simetria atômica de cada átomo do H até o Ar, em procedimento análogo ao usado na geração do conjunto de bases universal de de Castro e Jorge (1998). Em seguida, os expoentes com menor contribuição para a energia total Hartree-Fock (HF) foram retirados, de forma a reduzir o tamanho das bases atômicas. O conjunto de bases universal resultante foi usado para cálculo das energias totais Hartree-Fock (HF) e comparações foram feitas com resultados numérico HF. Ao U17 foram adicionadas funções de polarização e difusas extraídas respectivamente dos conjuntos DZP e ADZP e cálculos de energias totais e momentos de dipolo elétrico, para um grupo de moléculas diatômicas, foram realizados. Os resultados obtidos com o conjunto U17 aumentado foram comparados com outros resultados teóricos e experimentais.
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Estudo de modificadores quimicos e superficies modificadas para a determinação de estanho por espectrometria de absorção atomica com forno de grafite

Anjos, Aparecida Pereira dos, 1963- 22 July 2018 (has links)
Orientador: Nivaldo Baccan / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-22T04:00:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Anjos_AparecidaPereirados_D.pdf: 4904249 bytes, checksum: cb06ac4570499209e19497178e2f9827 (MD5) Previous issue date: 1997 / Doutorado
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Forças de oscilador ponderadas e tempos de vida para os espectros de Si II, Si VIII e SI IX / Bragg-Surface diffraction (BSD) : high resolution microprobe to study ion implanted semiconductors

Orloski, Renata Villela 15 September 2000 (has links)
Orientador: Antonio Gomes Trigueiros / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-27T00:42:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Orloski_RenataVillela_M.pdf: 6248271 bytes, checksum: bc3dae30d5e644fc01f9a426a52c360b (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: O objetivo principal deste trabalho é apresentar as forças de oscilador ponderadas ( gf ) e os tempos de vida para todas as transições de dipolo elétrico conhecidas experimentalmente para os íons de Si II, Si VIII e Si IX. A interpretação do cálculo destas duas grandezas é de importância fundamental por exemplo na astrofísica, pois o silício nos seus vários graus de ionização é um dos elementos mais comuns observados em espectros de absorção e emissão de fontes astrofisicas. Neste trabalho é feito para cada um dos íons uma compilação de todos os valores de energia e dos comprimentos de onda de todas as transições conhecidas experimentalmente, mediante estes valores calculamos os tempos de vida e as forças de oscilador ponderadas. Estes cálculos são realizados em uma aproximação relativística multiconfiguracional Hartree-Fock (HFR). Os parâmetros eletrostáticos foram otimizados por um procedimento de mínimos quadrados afim de produzir um melhor ajuste com valores experimentais dos níveis energéticos. Este método produz valores de gf que estão em melhor acordo com as intensidades observadas bem como tempos de vida mais próximos dos experimentais. Neste trabalho são apresentadas todas as linhas espectrais de dipolo elétrico conhecidas experimentalmente para cada um dos íons e que se resumem: -Silício uma vez ionizado, Si II, onde foram observados 146 níveis energéticos e 405 transições de dipolo elétrico na faixa de 700-9500Å; -Silício sete vezes ionizado, Si VIII, onde foram observados 73 níveis energéticos e 96 transições de dipolo elétrico na faixa de 50-1900Å e -Silício oito vezes ionizado, Si IX, onde foram observados 56 níveis energéticos e 103 transições de dipolo elétrico na faixa de 45-450Å / Abstract: The principal objective of this work is to present the weighed oscillator strengths (gf) and the lifetimes for all the eletric dipole transitions experimentally known for the íons of Si II, Si VIII VIII and Si IX. The interpretation of the calculation of these two values is for instance of fundamental importance in the astrophysics, because the silicon in your several ionization degrees is one of the most common elements observed in absorption and emission spectra of astrophysical sources. In this work it is done for each one of the ions a compilation of alI the values of energy and of wavelengths for all the transitions experimentally known, with these values we calculated the lifetimes and the weigthed oscillator strengths. These calculations are accomplished in a multiconfiguration Hartree-Fock relativistic (HFR) approach. The eletrostatic parameters were optimized by a least-square procedure in order to produce a better adjustment with experimental values of energy levels. This method produces values of gf that are in better agreement with the observed intensities as well as lifetimes closer of the experimental ones. In this work we presented all the spectral lines of electric dipole known experimentally for each one of the ions that are summarized: -Silicon one time ionized, Si II, where 146 energy levels and 405 eletric dipole transitions were observed in the range 700-9500Å; -Silicon seven times ionized, Si VIII, where 73 energy levels and 96 eletric dipole transitions were observed in the range 50-1900Å and -Silicon eight times ionized, Si IX, where 56 energy levels and 103 eletric dipole transitions were observed in the range 45-450Å / Mestrado / Física da Matéria Condensada / Mestre em Física
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Espectroscopia de Bragg em átomos frios coerentemente preparados

OLIVEIRA, Rafael Alves de 31 January 2010 (has links)
Made available in DSpace on 2014-06-12T18:08:41Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo906_1.pdf: 6688992 bytes, checksum: fadd2f162f2e46bbbd2377404fde2977 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2010 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Neste trabalho, estudamos o espectro da energia extraída de um ensemble de átomos frios de Césio coerentemente preparado, bem como o comportamento da intensidade máxima do sinal gerado nesse processo versus a dessintonia do campo responsável pela leitura da grade de coerência armazenada. Percebemos que, para baixa intensidade do campo de leitura, tais espectros apresentam uma estrutura de duplo pico com um decréscimo do sinal em torno da ressonância atômica, evidenciando a absorção do sinal gerado pelo meio. Já para altas intensidades, os espectros não apresentam tal decréscimo do sinal, mostrando que o sinal deixa de ser absorvido. Desenvolvemos um modelo simples que considera efeito de propagação em um sistema tipo para o regime de baixa intensidade do campo de leitura. Esse modelo explica qualitativamente bem os resultados obtidos experimentalmente
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Estudo espectroscópico de gases nobres medianamente ionizados

Pagan, Cesar Jose Bonjuani, 1962- 23 July 1991 (has links)
Orientador: Antonio Gomes Trigueiros / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:37:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pagan_CesarJoseBonjuani_D.pdf: 2402246 bytes, checksum: 323fa5c11c3b0ad71d9c45a5084c2d1c (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: O tema central desta tese é a espectroscopia atômica de emissão, realizada com o objetivo, em primeira instância, de classificar linhas e níveis energéticos desconhecidos de átomos mediana e altamente ionizados. Neste sentido as análises espectrais do Kr V, Kr VI, Xe IV e Ar V são apresentadas e uma quantidade de linhas e níveis são dados ao conhecimento pela primeira vez. Nesta tese descrevemos também a construção do q-pinch TP-III, construído pelo autor desta tese especialmente para servir de fonte de luz espectral. O TP-III, junto com o espectrógrafo do Ultravioleta-Vácuo também descrito aqui, formam o primeiro experimento de espectroscopia atômica de emissão de nosso país. No apêndice da tese cerca de 850 linhas são classificadas a partir do espectro obtido. Descrevemos o tubo de descarga capilar, instalado no Centro de Investigaciones Opticas - CIOp (La Plata) o qual também foi usado pelo autor para obtenção dos espectros. A tese contém uma introdução teórica onde mostra os principais conceitos de estrutura e transições atômicas (capítulo 2) e de análise espectral (capítulo 4) / Abstract: The main purpose of this Thesis is the study of the atomic emission spectroscopy, which was performed in order to classify the lines and assign the unknown energy levels of an atom in intermediate and high ionized stage. According this purpose we present the spectral analysis of Kr V, Kr VI, Xe IV and Ar V, whose results showed a number of new lines and energy levels previously unknown. In this Thesis is also presented a theta-pinch (TP-III) that was built by the author with the specific purpose to be used as a spectroscopic light source in the VUV region. The TP-III and the VUV normal incidence spectrograph constitute the first experimental set up running in Brazil for atomic emission spectroscopy. In the appendix we present about 850 lines that was classified from the obtained spectrum. We also describe the capillar discharge tube of Centro de Investigaciones Opticas (La Plata) that also was used by the author, to getting the presented spectra. This Thesis is constituted by a brief theoretical introduction to the physical concepts used to explain the atomic structure and transitions (chapter 2) and by detailed spectral analysis (chapter 4) / Doutorado / Física / Doutor em Ciências
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Pre-concentração de cobalto utlizando resina Amberlyst A-26 modificada com morfolinaditiocarbamato de amonio e determinação por espectrometria de absorção atomica

Goi, Rosemary Dias 24 July 2018 (has links)
Orientador: Solange Cadore / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-24T07:26:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Goi_RosemaryDias_M.pdf: 1512831 bytes, checksum: a11328307fce5dc8968d53d527943259 (MD5) Previous issue date: 1998 / Mestrado
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Desenvolvimento de funções de base GTO : aplicação de metodo da coordenada geradora atraves da tecnica de discretização integral otimizada

Santos, Marcelo Giordan 15 July 2018 (has links)
Orientador : Rogerio Custodio / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-15T22:43:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Santos_MarceloGiordan_M.pdf: 10370004 bytes, checksum: 7ff9b2ce7100faaa172e166f9f8c670f (MD5) Previous issue date: 1992 / Mestrado
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Espectroscopia optogalvânica de átomo alcalino em chama de hidrocarbonetos

Sosman, Lilian Pantoja 25 August 1989 (has links)
Orientador: Carlos Alberto Ferrari / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T19:32:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sosman_LilianPantoja_M.pdf: 1808336 bytes, checksum: b6f154c0c47286a70625f1a66444694f (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Caracterização por microscopia eletrônica de varredura e de força atômica de produtos da indústria do alumínio para fins de redução da rejeição e aumento da produtividade

RIZZI, Camila Amaral 31 January 2010 (has links)
Made available in DSpace on 2014-06-12T15:48:27Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo1888_1.pdf: 6354533 bytes, checksum: 841dca286e0bf02f1c0ebbcf26366d64 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2010 / Alcoa Alumínio S.A. Itapissuma / Este trabalho estudou chapas e folhas de alumínio oriundos da indústria do alumínio a fim de diminuir rejeição de produtos e aumentar a produtividade. Para tanto, primeiramente realizou-se um estudo detalhado dos motivos que causam rompimentos na etapa final de laminação de folha fina de alumínio, espessura menor que 7 μm. Nesta fase o produto já conta com alto valor agregado e este é um dos principais motivos de rejeição e perda de produtividade, na indústria sede deste trabalho. Através das microscopias óptica e eletrônica de varredura, foi possível identificar a origem dos defeitos de mais de 90% das quebras. Criou-se um banco de dados dos materiais que entram em contato com o alumínio líquido e no estado sólido nas diversas etapas que compreendem o processo de laminação de folhas finas a fim de facilitar as análises, bem como, estabeleceu-se metodologia de análise que minimiza aspectos subjetivos ligados à interpretação dos resultados. Foram coletadas e analisadas 973 amostras que sofreram rompimento no laminador acabador no ano de 2008 e selecionados e estudados 13 materiais do processo considerados críticos, uma vez que entram em contato direto com o alumínio. Os resultados evidenciam com bastante clareza os motivos de quebras, sejam eles devido a inclusões endógenas ou exógenas, permitindo, portanto, que recursos materiais, tempo e energia sejam otimizados na busca pela minimização das ocorrências de quebras. Outro motivo que gera sucata, para as indústrias de metais, refere-se à rejeição decorrente dos ensaios de propriedades mecânicas. Esta pesquisa explora a espectroscopia de força atômica, técnica oriunda da nanotecnologia, para obtenção de informações sobre propriedades mecânicas. Foi possível encontrar uma estreita relação entre dados da linha espectral e as propriedades mecânicas das amostras de ligas de alumínio analisadas. Amostras de alumínio, ligas 8011 e 3105, laminadas a frio e submetidas a distintos tratamentos térmicos tiveram suas microestruturas caracterizadas através de microscopia óptica, eletrônica de varredura e de força atômica. As composições químicas foram obtidas através de espectroscopia de emissão
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Análise de nanocompósitos poliméricos por microscopia de força atômica

Barbosa, Luiz Gustavo de Moura da Silva January 2016 (has links)
Neste trabalho, foi realizado um estudo de nanocompósitos poliméricos por microscopia de força atômica (AFM) e, complementarmente, por microscopia eletrônica de transmissão (MET). Primeiramente, dispersões contendo as cargas (grafite, argila e dióxido de titânio) foram ultrassonificadas e depositadas sobre superfícies planas para caracterização de suas morfologias por AFM. Com a mesma técnica, foram obtidas imagens de topografia e de fase dos nanocompósitos de polipropileno com grafite, argila e dióxido de titânio. Observou-se que o aumento do teor de carga no nanocompósito promove aglomeração das mesmas e diminuição no sinal de fase, e que este é alterado de acordo com a rigidez do material. Também foi realizado um mapeamento de condutividade elétrica dos nanocompósitos e os resultados mostraram que com o aumento do teor de grafite no polipropileno, ocorre um aumento no número de canais condutivos por unidade de área bem como nos valores de corrente elétrica. Ainda, foram comparadas as morfologias adotadas pelas partículas de grafite em nanocompósitos de polipropileno e poliestireno e foi observado que os aglomerados de grafite são maiores na matriz de poliestireno. / In this work, a study was conducted of polymeric nanocomposites by atomic force microscopy (AFM) and in addition, by transmission electron microscopy (TEM). First, dispersions containing fillers (graphite, clay and titanium dioxide) were ultrassonificated and deposited on flat surfaces to characterize their morphology by AFM. With same technique were obtained topography and phase images of polypropylene nanocomposites with graphite, clay and titanium dioxide. It was observed that the increasing the filler content of the nanocomposite promotes agglomeration of the same and decrease in the phase signal, that is changed according to the rigidity of the material. Was it also realized an electrical conductivity mapping of the nanocomposites and the results showed that with the increase in the graphite content on polypropylene, occurs an increasing of the number of conducting channels per area unit and of values of electric current. Furthermore, the morphology adopted by the graphite particles in polypropylene and polystyrene nanocomposites were compared and it was observed that the graphite agglomerates are larger in the polystyrene matrix.

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