SOARES, E. L. Regeneração "in vitro", estudos histológicos e transformação genética da momoneira (Ricinus communis). 2009. 77 f. Dissertação (Mestrado em Agronomia/Fitotecnia) - Centro de Ciências Agrárias, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2009. / Submitted by Francisco Lacerda (lacerda@ufc.br) on 2014-07-02T19:17:49Z No. of bitstreams: 1 2009_dis_elsoares.pdf: 3374159 bytes, checksum: efb8876cd60eca8158d94430cbc8e870 (MD5) / Approved for entry into archive by José Jairo Viana de Sousa(jairo@ufc.br) on 2014-07-02T20:00:26Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2009_dis_elsoares.pdf: 3374159 bytes, checksum: efb8876cd60eca8158d94430cbc8e870 (MD5) / Made available in DSpace on 2014-07-02T20:00:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2009_dis_elsoares.pdf: 3374159 bytes, checksum: efb8876cd60eca8158d94430cbc8e870 (MD5) Previous issue date: 2009 / Castor bean (Ricinus communis) is an oilseed crop with considerable economic value because of the composition of its oil seed. However, there are some constraints in your use for human and animal food because of the presence of toxic and allergenic proteins. This problem could be solved or reduced through genetic engineering. However, this crop is recalcitrant to tissue culture techniques, thus limiting the formation of transformed plants, and the protocols existing are not well established. The aim of this work was to test the applicability of the regeneration protocol which has been published for the Nordestina cultivar; to determine the regeneration way and to verify trough histochemical techniques, the transformed cells around the meristem. For this purpose, embryo axes were cultured on Murashig and Skoog (MS) medium supplemented with thiadiazuron (TDZ) (0,1; 0,5; 1,0; 2,0; 5,0 e 10,0 mg.L-1). Between the TDZ concentrations tested, 0,1 mg.L-1 presented the better results after 56 days of incubation with 7,42 shoots per explant. Gibberellic acid (GA3) (0,1 mg.L-1) and indole-3-butyric acid (1,0 mg.L-1) were used for elongation and rooting, respectively, of the shoots obtained, however, in the concentrations used, any effect was evidenced. Histological analysis revealed that the shoots were formed by pre existing or neo formed meristems indicating direct organogenesis. Transformed cells were viewed at least in the second cellular layer. Analysis for stable gus expression showed gus expression 19 days after bombardment. In the histological analysis transformed cells in process of division were observed. In conclusion the Nordestina cultivar formed multiple shoots on medium supplemented with TDZ and this protocol of regeneration was compatible with a protocol for biolistic-mediated transformation. / A mamoneira (Ricinus communis) é uma oleaginosa com valor econômico considerável devido à composição do óleo de suas sementes. No entanto, há algumas limitações no seu uso para alimentação humana e animal devido à presença de proteínas tóxicas e alergênicas, as quais podem ser solucionadas ou minimizadas através da engenharia genética. Contudo, essa cultura é recalcitrante para técnicas de cultura de tecidos limitando a geração de plantas transformadas e os protocolos existentes não são bem estabelecidos. O objetivo desse trabalho foi avaliar a aplicabilidade de um protocolo de regeneração existente na literatura à cultivar Nordestina; determinar a via de regeneração e avaliar, através de técnicas histoquímicas, as células transformadas por biobalística em torno do meristema. Para este propósito, eixos embrionários foram cultivados em meio Murashig and Skoog (MS) suplementado com concentrações crescentes de tidiazuron (TDZ) (0,1; 0,5; 1,0; 2,0; 5,0 e 10,0 mg.L-1). Observou-se que entre as concentrações de TDZ avaliadas a que apresentou a melhor resposta foi 0,1 mg.L-1, apresentando, em média, após 56 dias de incubação,7,42 partes aéreas por explante. Ácido giberélico (0,1 mg.L-1) e ácido-indol-3 butírico (1,0 mg.L-1) foram utilizados na tentativa de alongar e promover o enraizamento, respectivamente, das partes aéreas obtidas, contudo, nas concentrações utilizadas, não evidenciou-se nenhum efeito com estes reguladores de crescimento. Análises histológicas revelaram que as partes aéreas foram formadas de meristemas pré-existentes e neo-formados indicando organogênese direta. Observaram-se células transformadas pelo menos até a segunda camada celular. Análises da expressão estável do gene gus mostraram expressão do mesmo, 19 dias após o bombardeamento. Nas análises histológicas foram observadas células transformadas em divisão. Como conclusão a cultivar Nordestina foi capaz de formar múltiplas partes aéreas em meio contendo TDZ e este protocolo de regeneração foi compatível com um protocolo de transformação por biobalística.

Conselho Nacional de Desenvolvimento CientÃfico e TecnolÃgico / A mamoneira (Ricinus communis) à uma oleaginosa com valor econÃmico considerÃvel devido à composiÃÃo do Ãleo de suas sementes. No entanto, hà algumas limitaÃÃes no seu uso para alimentaÃÃo humana e animal devido à presenÃa de proteÃnas tÃxicas e alergÃnicas, as quais podem ser solucionadas ou minimizadas atravÃs da engenharia genÃtica. Contudo, essa cultura à recalcitrante para tÃcnicas de cultura de tecidos limitando a geraÃÃo de plantas transformadas e os protocolos existentes nÃo sÃo bem estabelecidos. O objetivo desse trabalho foi avaliar a aplicabilidade de um protocolo de regeneraÃÃo existente na literatura à cultivar Nordestina; determinar a via de regeneraÃÃo e avaliar, atravÃs de tÃcnicas histoquÃmicas, as cÃlulas transformadas por biobalÃstica em torno do meristema. Para este propÃsito, eixos embrionÃrios foram cultivados em meio Murashig and Skoog (MS) suplementado com concentraÃÃes crescentes de tidiazuron (TDZ) (0,1; 0,5; 1,0; 2,0; 5,0 e 10,0 mg.L-1). Observou-se que entre as concentraÃÃes de TDZ avaliadas a que apresentou a melhor resposta foi 0,1 mg.L-1, apresentando, em mÃdia, apÃs 56 dias de incubaÃÃo,7,42 partes aÃreas por explante. Ãcido giberÃlico (0,1 mg.L-1) e Ãcido-indol-3 butÃrico (1,0 mg.L-1) foram utilizados na tentativa de alongar e promover o enraizamento, respectivamente, das partes aÃreas obtidas, contudo, nas concentraÃÃes utilizadas, nÃo evidenciou-se nenhum efeito com estes reguladores de crescimento. AnÃlises histolÃgicas revelaram que as partes aÃreas foram formadas de meristemas prÃ-existentes e neo-formados indicando organogÃnese direta. Observaram-se cÃlulas transformadas pelo menos atà a segunda camada celular. AnÃlises da expressÃo estÃvel do gene gus mostraram expressÃo do mesmo, 19 dias apÃs o bombardeamento. Nas anÃlises histolÃgicas foram observadas cÃlulas transformadas em divisÃo. Como conclusÃo a cultivar Nordestina foi capaz de formar mÃltiplas partes aÃreas em meio contendo TDZ e este protocolo de regeneraÃÃo foi compatÃvel com um protocolo de transformaÃÃo por biobalÃstica / Castor bean (Ricinus communis) is an oilseed crop with considerable economic value because of the composition of its oil seed. However, there are some constraints in your use for human and animal food because of the presence of toxic and allergenic proteins. This problem could be solved or reduced through genetic engineering. However, this crop is recalcitrant to tissue culture techniques, thus limiting the formation of transformed plants, and the protocols existing are not well established. The aim of this work was to test the applicability of the regeneration protocol which has been published for the Nordestina cultivar; to determine the regeneration way and to verify trough histochemical techniques, the transformed cells around the meristem. For this purpose, embryo axes were cultured on Murashig and Skoog (MS) medium supplemented with thiadiazuron (TDZ) (0,1; 0,5; 1,0; 2,0; 5,0 e 10,0 mg.L-1). Between the TDZ concentrations tested, 0,1 mg.L-1 presented the better results after 56 days of incubation with 7,42 shoots per explant. Gibberellic acid (GA3) (0,1 mg.L-1) and indole-3-butyric acid (1,0 mg.L-1) were used for elongation and rooting, respectively, of the shoots obtained, however, in the concentrations used, any effect was evidenced. Histological analysis revealed that the shoots were formed by pre existing or neo formed meristems indicating direct organogenesis. Transformed cells were viewed at least in the second cellular layer. Analysis for stable gus expression showed gus expression 19 days after bombardment. In the histological analysis transformed cells in process of division were observed. In conclusion the Nordestina cultivar formed multiple shoots on medium supplemented with TDZ and this protocol of regeneration was compatible with a protocol for biolistic-mediated transformation

Quando dirigimos nossa atenção ao deslocamento e rearranjo dos átomos de um alvo submetido à irradiação com feixe de Íons energéticos, designamos o fenômeno como Mistura Por Feixe De Íons, ou abreviadamente, IM ( do inglês "Ion Beam Mixing" ). O progresso na compreensão dos mecanismos do IM tem sido dificultado pela falta de procedimentos padronizados para a obtenção das amostras e análise dos resultados experimentais. Por outro lado, são raros os estudos sistemáticos da fenomenologia do IM em diferentes sistemas. No presente trabalho sugerimos procedimentos seguros para o estabelecimento de uma base fenomenológica mais sólida para o IM discutindo o significado, as incertezas e a relevância das grandezas físicas comumente empregadas no seu estudo. A seguir, são apresentados resultados referentes à interdifusão e formação de fases do sistema Fej Al discutindo seu significado com base em modelos propostos para os mecanismos do IM. / When the primary interest is the atomic rearrangement of a target submitted to ion beam irradiation, the phenomenon is termed Ion Beam Mixing (IM). The lack of common · procedures in producing samples and analysing experimental results has difficulted the progress in the comprehension of the basic mechanisms involved. On the other hand, systematic studies on the IM phenomenon in different systems are scarce. In the present work we suggest safe procedures to establish a more reliable basis for the IM phenomenology by discussing the role played by the physical parameters usually employed in its study. Finally, experimental results concerning the interdiffusion and phase formation in the Fe/ Al system are presented and discussed on the basis of the model mechanisms proposed to understand IM.

Quando dirigimos nossa atenção ao deslocamento e rearranjo dos átomos de um alvo submetido à irradiação com feixe de Íons energéticos, designamos o fenômeno como Mistura Por Feixe De Íons, ou abreviadamente, IM ( do inglês "Ion Beam Mixing" ). O progresso na compreensão dos mecanismos do IM tem sido dificultado pela falta de procedimentos padronizados para a obtenção das amostras e análise dos resultados experimentais. Por outro lado, são raros os estudos sistemáticos da fenomenologia do IM em diferentes sistemas. No presente trabalho sugerimos procedimentos seguros para o estabelecimento de uma base fenomenológica mais sólida para o IM discutindo o significado, as incertezas e a relevância das grandezas físicas comumente empregadas no seu estudo. A seguir, são apresentados resultados referentes à interdifusão e formação de fases do sistema Fej Al discutindo seu significado com base em modelos propostos para os mecanismos do IM. / When the primary interest is the atomic rearrangement of a target submitted to ion beam irradiation, the phenomenon is termed Ion Beam Mixing (IM). The lack of common · procedures in producing samples and analysing experimental results has difficulted the progress in the comprehension of the basic mechanisms involved. On the other hand, systematic studies on the IM phenomenon in different systems are scarce. In the present work we suggest safe procedures to establish a more reliable basis for the IM phenomenology by discussing the role played by the physical parameters usually employed in its study. Finally, experimental results concerning the interdiffusion and phase formation in the Fe/ Al system are presented and discussed on the basis of the model mechanisms proposed to understand IM.

Quando dirigimos nossa atenção ao deslocamento e rearranjo dos átomos de um alvo submetido à irradiação com feixe de Íons energéticos, designamos o fenômeno como Mistura Por Feixe De Íons, ou abreviadamente, IM ( do inglês "Ion Beam Mixing" ). O progresso na compreensão dos mecanismos do IM tem sido dificultado pela falta de procedimentos padronizados para a obtenção das amostras e análise dos resultados experimentais. Por outro lado, são raros os estudos sistemáticos da fenomenologia do IM em diferentes sistemas. No presente trabalho sugerimos procedimentos seguros para o estabelecimento de uma base fenomenológica mais sólida para o IM discutindo o significado, as incertezas e a relevância das grandezas físicas comumente empregadas no seu estudo. A seguir, são apresentados resultados referentes à interdifusão e formação de fases do sistema Fej Al discutindo seu significado com base em modelos propostos para os mecanismos do IM. / When the primary interest is the atomic rearrangement of a target submitted to ion beam irradiation, the phenomenon is termed Ion Beam Mixing (IM). The lack of common · procedures in producing samples and analysing experimental results has difficulted the progress in the comprehension of the basic mechanisms involved. On the other hand, systematic studies on the IM phenomenon in different systems are scarce. In the present work we suggest safe procedures to establish a more reliable basis for the IM phenomenology by discussing the role played by the physical parameters usually employed in its study. Finally, experimental results concerning the interdiffusion and phase formation in the Fe/ Al system are presented and discussed on the basis of the model mechanisms proposed to understand IM.

[pt] Nesta tese de doutoramento apresentamos a técnica de microscopia de feixe duplo (MEV e FIB) como uma ferramenta modificadora das propriedades físico-química dos semicondutores orgânicos, a qual pode ser eficaz para alterar e controlar a mobilidade dos portadores de carga nestes materiais semicondutores. Neste caso, filmes finos e dispositivos orgânicos, principalmente à base de tiofeno, foram bombardeados com diferentes doses de íons de Ga com objetivo de induzir modificações na estrutura polimérica a partir das diversas interações entre o íon e o polímero. As propriedades dos filmes finos e dos dispositivos bombardeados foram caracterizadas através das técnicas de UV-Vis, Espectroscopia Raman e CELIV, as quais indicaram a existência de dois regimes de comportamentos governados pela dose de íons empregada. Técnicas avançadas de microscopia eletrônica indicaram a formação de uma estrutura tipo grafítica, em torno de 50 nm da superfície do bombardeamento, decorrente da interação entre os íons de gálio e a camada polimérica. A possibilidade de construir dispositivos orgânicos intercalados com camadas grafíticas pode ser explorada de forma a construir arquiteturas mais eficientes, explorando a alta resolução espacial que a técnica FIB proporciona. / [en] In this doctoral thesis we presented the dual-beam microscopy (SEM and FIB) technique as a modifier tool of physicochemical properties of the organic semiconductors, which it can be effective to change and control the charge carrier mobility into these semiconductor materials. In this case, organic devices and thin films, especially at thiophene base, were bombarded with different Ga ion doses in order to induce modification in the polymeric structure from the various interactions between the ion and the polymer. The bombarded thin films and devices properties were characterized by UV-Vis, Raman spectroscopy and CELIV techniques, which indicated the existence of two behavior regimes governed by the ion dose employed. Advanced electron microscopy techniques indicated the formation of a graphitic structure, around 50 nm from the surface bombardment, resulting of the interaction between the gallium ions and the polymer layer. The possibility to fabricate organic devices interspersed with graphitic layers can be exploited in order to construct more efficient architectures, using the high spatial resolution of the FIB technique.

A isolação elétrica de estruturas semicondutoras de InP e GaAs através de bombardeamento com íons foi estudada. Amostras de InP semi-isolante e tipo-p foram implantadas com íons P+ para produzir excesso de átomos de fósforo na ordem de 0,1%. Recozimento em ambiente de argônio no intervalo de temperatura de 400ºC a 600ºC e tempo de 30s foram feitos em sistema de tratamento térmico rápido. Medidas de efeito Hall com temperatura variável (12-300K) foram usadas para a caracterização elétrica. Uma alta concentração de portadores livres negativos foi observada. A existência destes elétrons foi atribuída a criação de anti-sítios PIn com energia acima do mínimo da banda de condução. A dependência da resistência de folha de camadas δ tipo-p de GaAs com a dose irradiada de íons de He+ foi investigada. A dose de limiar (Dth) para isolação elétrica depende da energia dos íons implantados e da concentração inicial da camada condutiva. A estabilidade térmica da isolação aumenta com o aumento da dose de irradiação e depende da razão entre a concentração de armadilhas criadas durante o bombardeamento e a concentração inicial de portadores livres. A isolação observada foi atribuída principalmente a introdução de anti-sítios AsGa e defeitos relacionados. A máxima estabilidade térmica para camadas δ tipo-p em GaAs foi de 550ºC, para doses maiores do que 10Dth. Os resultados deste trabalho podem ser usados para isolação de diferentes dispositivos discretos e integrados de InP e GaAs. / Electrical isolation of InP and GaAs structures by ion bombardment was studied. Semi-insulating and p-type InP were implanted with P+ ions to produce an excess of phosphorous atoms in the order of 0.1 at. %. Subsequent annealing in Ar ambient in the temperature interval 400ºC – 600ºC were performed for 30s in rapid thermal annealing system. Room temperature and variable temperature (12-300 K) Hall-effect measurements have been used for electrical characterization. A large amount of negative free carriers have been observed after the thermal treatments. These electrons are contributed to the creation of PIn anti-site with energy level above the minimum of the conduction band. The dose dependence of sheet resistance of p-type δ-doped GaAs structures irradiated by He+ ions was investigated. It was found that the threshold dose (Dth) for electrical isolation of the structures was determined by the energy of ions and by the concentration of initial doping. The thermal stability of isolation rises as the irradiation dose increases and is dependent on the ratio of trap centers concentration, created during the bombardment, to the initial concentration of free carriers. The isolation was attributed mainly to the introduction of AsGa anti-site related defects. The maximum thermal stability for p-type δ conductive layers in GaAs was of 550 0C for doses higher than 10 Dth. The results of this work can be used for isolation of different InP and GaAs discrete and integrated devices.

Analisam-se as instabilidades eletrostáticas ocasiona das pela injeção de um feixe de íons num plasma magnetizado, in finito, homogé- neo e sem colisões, como um possível mecanismo de aquecimento do plasma. A direção do feixe é suposta formar um ângulo arbitrário com relação ao campo magnético. As razões de cres cimento das instabilidades são calculadas para diversas freqbencias naturais de oscilação do plasma, discutindo-se as restrições que essas instabilidades impõem ao ingulo de injeção e i densidade do feixe. Para freqbencias próximas i freqbencia hibri da inferior, analisam-se os modos íon-íon transversal ao campo e a instabilidade das duas correntes modificada. Para freqüencias na região da fregüéncia acústica iOnica, consideram-se quatro ca sos limites do modo íon-acústico, com distintas características. Estuda-se também um modo íon-acústico modificado, cujas ondas, para parãmetros adequadamente escolhidos, possuem velocidade de fase comparável a das ondas acústicas lentas. As equações dos momenta da teoria quasilinear são usa das para o cálculo da variação temporal do momentum e da energia térmica de cada componente do plasma, na presença das instabili dades. Os Tons do plasma são aquecidos pela maior parte das on das, excessões feitas is instabilidades no modo das duas correntes modificado e is instabilidades em um dos modos íon-acústicos. / Electrostatic instabilities excited by an energetic ion beam injected at an arbitrary angle with respect to the magnetic field in a infinite,homogeneous, collisionless plasma are examined as a possible plasma heating mechanism. The instability growth rates are calculated for several natural oscillation frequencies of the plasma, and threshold conditions on the angle of injection and on the beam density are derived for the instabilities. For frequencies near the lower-hybrid frequency, the cross-field ion-ion mode and the modified two-stream instability are analized. When the frequency is Glose to the ion-acoustic frequency, four limiting cases of the ion-acoustic mode, with distinct characteristics, are considered. A modified ion-acoustic mode, which propagates with a phase velocity comparable to the phase velocity of the slow acoustic waves, for appropriately chosen parameters, is also derived. The quasilinear moment equations are used to calculate the time evolution of the momentum and the thermal energy of each plasma component in the presence of the instabilities. The background ions are heated by most of the instabilities, exceptions being the modified two-stream mode and one of the ion-acoustic modes.

Analisam-se as instabilidades eletrostáticas ocasiona das pela injeção de um feixe de íons num plasma magnetizado, in finito, homogé- neo e sem colisões, como um possível mecanismo de aquecimento do plasma. A direção do feixe é suposta formar um ângulo arbitrário com relação ao campo magnético. As razões de cres cimento das instabilidades são calculadas para diversas freqbencias naturais de oscilação do plasma, discutindo-se as restrições que essas instabilidades impõem ao ingulo de injeção e i densidade do feixe. Para freqbencias próximas i freqbencia hibri da inferior, analisam-se os modos íon-íon transversal ao campo e a instabilidade das duas correntes modificada. Para freqüencias na região da fregüéncia acústica iOnica, consideram-se quatro ca sos limites do modo íon-acústico, com distintas características. Estuda-se também um modo íon-acústico modificado, cujas ondas, para parãmetros adequadamente escolhidos, possuem velocidade de fase comparável a das ondas acústicas lentas. As equações dos momenta da teoria quasilinear são usa das para o cálculo da variação temporal do momentum e da energia térmica de cada componente do plasma, na presença das instabili dades. Os Tons do plasma são aquecidos pela maior parte das on das, excessões feitas is instabilidades no modo das duas correntes modificado e is instabilidades em um dos modos íon-acústicos. / Electrostatic instabilities excited by an energetic ion beam injected at an arbitrary angle with respect to the magnetic field in a infinite,homogeneous, collisionless plasma are examined as a possible plasma heating mechanism. The instability growth rates are calculated for several natural oscillation frequencies of the plasma, and threshold conditions on the angle of injection and on the beam density are derived for the instabilities. For frequencies near the lower-hybrid frequency, the cross-field ion-ion mode and the modified two-stream instability are analized. When the frequency is Glose to the ion-acoustic frequency, four limiting cases of the ion-acoustic mode, with distinct characteristics, are considered. A modified ion-acoustic mode, which propagates with a phase velocity comparable to the phase velocity of the slow acoustic waves, for appropriately chosen parameters, is also derived. The quasilinear moment equations are used to calculate the time evolution of the momentum and the thermal energy of each plasma component in the presence of the instabilities. The background ions are heated by most of the instabilities, exceptions being the modified two-stream mode and one of the ion-acoustic modes.

A isolação elétrica de estruturas semicondutoras de InP e GaAs através de bombardeamento com íons foi estudada. Amostras de InP semi-isolante e tipo-p foram implantadas com íons P+ para produzir excesso de átomos de fósforo na ordem de 0,1%. Recozimento em ambiente de argônio no intervalo de temperatura de 400ºC a 600ºC e tempo de 30s foram feitos em sistema de tratamento térmico rápido. Medidas de efeito Hall com temperatura variável (12-300K) foram usadas para a caracterização elétrica. Uma alta concentração de portadores livres negativos foi observada. A existência destes elétrons foi atribuída a criação de anti-sítios PIn com energia acima do mínimo da banda de condução. A dependência da resistência de folha de camadas δ tipo-p de GaAs com a dose irradiada de íons de He+ foi investigada. A dose de limiar (Dth) para isolação elétrica depende da energia dos íons implantados e da concentração inicial da camada condutiva. A estabilidade térmica da isolação aumenta com o aumento da dose de irradiação e depende da razão entre a concentração de armadilhas criadas durante o bombardeamento e a concentração inicial de portadores livres. A isolação observada foi atribuída principalmente a introdução de anti-sítios AsGa e defeitos relacionados. A máxima estabilidade térmica para camadas δ tipo-p em GaAs foi de 550ºC, para doses maiores do que 10Dth. Os resultados deste trabalho podem ser usados para isolação de diferentes dispositivos discretos e integrados de InP e GaAs. / Electrical isolation of InP and GaAs structures by ion bombardment was studied. Semi-insulating and p-type InP were implanted with P+ ions to produce an excess of phosphorous atoms in the order of 0.1 at. %. Subsequent annealing in Ar ambient in the temperature interval 400ºC – 600ºC were performed for 30s in rapid thermal annealing system. Room temperature and variable temperature (12-300 K) Hall-effect measurements have been used for electrical characterization. A large amount of negative free carriers have been observed after the thermal treatments. These electrons are contributed to the creation of PIn anti-site with energy level above the minimum of the conduction band. The dose dependence of sheet resistance of p-type δ-doped GaAs structures irradiated by He+ ions was investigated. It was found that the threshold dose (Dth) for electrical isolation of the structures was determined by the energy of ions and by the concentration of initial doping. The thermal stability of isolation rises as the irradiation dose increases and is dependent on the ratio of trap centers concentration, created during the bombardment, to the initial concentration of free carriers. The isolation was attributed mainly to the introduction of AsGa anti-site related defects. The maximum thermal stability for p-type δ conductive layers in GaAs was of 550 0C for doses higher than 10 Dth. The results of this work can be used for isolation of different InP and GaAs discrete and integrated devices.