Cette thèse porte sur l'étude des chalcogénures de bore sous conditions extrêmes. Après un bref examen de la littérature (Chapitre I) sur le bore et ses composés sous haute pression (HP), la partie expérimentale (Chapitre II) donne une description des appareils HP utilisés dans ce travail de thèse. Les techniques d'analyses employées sont décrites ainsi que les grands principes des calculs théoriques ab initio utilisés. La partie suivante est consacrée à β-B2O3 et r-BS. Le chapitre III présente les résultats de diffraction X in situ à HP et les mesures de phonons (Raman et IR) de β-B2O3 à température ambiante. Les données expérimentales ont été examinées et complétées par des calculs ab initio. Avec le jeu de données obtenues, les descriptions complètes des modifications sous pression de la structure de β-B2O3 et du comportement des phonons en compression à température ambiante ont été faites. Le chapitre IV présente les résultats de diffraction X in situ à HP et de spectroscopie vibrationnelle sur r-BS à température ambiante. En combinaison avec les calculs théoriques, la structure et la nature des phonons de r-BS sur une large plage de pression à température ambiante sont décrites. En outre, la formation d'une nouvelle phase HP métastable de BS est présentée et sa structure probable ainsi que son équation d’état sont discutés. Le chapitre V concerne la première étude in situ de diffraction X sous HP-HT du système B-Se. Selon les résultats de diffraction X et des mesures Raman effectuées sur les échantillons récupérés, un nouveau composé a été synthétisé. Ce composé est métastable à l’ambiante. Sa composition chimique et sa structure probable sont discutées. / This thesis deals with the study of the boron chalcogenides under extreme conditions. After a short review of boron and boron compounds under extreme conditions (Chapter I), the experimental part (Chapter II) provides a brief description of the high-pressure devices used in this PhD work. The employed analytical techniques are described as well as the main principles of the performed ab initio theoretical calculations. The following part is devoted to our experimental and theoretical studies of β-B2O3 and r-BS. Chapter III presents the results of in situ high pressure XRD and phonon measurements (Raman and IR) of β-B2O3 at room temperature. The experimental data were considered and completed with results of ab initio calculations. Based on the total obtained dataset the complete description of β-B2O3 structure change and phonon behavior under compression at room temperature are detailled. Chapter IV contains the results of in situ high pressure XRD and vibrational spectroscopy studies on r-BS at room temperature. In combination with results of theoretical calculations the structure and phonon nature of r-BS in a wide pressure range at ambient temperature are described. Also, the formation of a new metastable high-pressure phase of BS is described and its probable structure and EoS are discussed. The last part (Chapter V) concerns the primary in situ XRD HP-HT studies in B-Se system. Based on the results of XRD and Raman measurements of the recovered samples, a new compound was synthesized. This compound was found to be metastable at ambient conditions. Its probable chemical composition and structure are discussed.

La thèse de Giovanni BETTI BENEVENTI portes sur la caractérisation électrique et la modélisationphysique de dispositifs de mémoire non-volatile à changement de phase. Cette thèse a été effectuée dans le cadre d'une cotutelle avec l'Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia (Italie).Le manuscrit en anglais comporte quatre chapitres précédés d'une introduction et terminés par uneconclusion générale.Le premier chapitre présent un résumé concernant l'état de l'art des mémoires a changement de phase. Le deuxième chapitre est consacré aux résultats de caractérisation matériau et électrique obtenus sur déposition blanket et dispositifs de mémoire à changement de phase (PCM) basées sur le nouveau matériau GeTe dopé carbone (GeTeC).Le chapitre trois s'intéresse à l'implémentation et à la caractérisation expérimentale d'un setup demesure de bruit a basse fréquence sur dispositifs électroniques a deux terminaux développé auxlaboratoires de l'Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia en Italie.Enfin, dans le dernier chapitre est présentée une analyse rigoureuse de l'effet d'auto-chauffage Joulesur la caractéristique I-V des mémoires a changement de phase intégrant le matériau dans la phase polycristalline.

La thèse de Giovanni BETTI BENEVENTI portes sur la caractérisation électrique et la modélisationphysique de dispositifs de mémoire non-volatile à changement de phase. Cette thèse a été effectuée dans le cadre d’une cotutelle avec l’Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia (Italie).Le manuscrit en anglais comporte quatre chapitres précédés d’une introduction et terminés par uneconclusion générale.Le premier chapitre présent un résumé concernant l’état de l’art des mémoires a changement de phase. Le deuxième chapitre est consacré aux résultats de caractérisation matériau et électrique obtenus sur déposition blanket et dispositifs de mémoire à changement de phase (PCM) basées sur le nouveau matériau GeTe dopé carbone (GeTeC).Le chapitre trois s’intéresse à l’implémentation et à la caractérisation expérimentale d’un setup demesure de bruit a basse fréquence sur dispositifs électroniques a deux terminaux développé auxlaboratoires de l’Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia en Italie.Enfin, dans le dernier chapitre est présentée une analyse rigoureuse de l’effet d’auto-chauffage Joulesur la caractéristique I-V des mémoires a changement de phase intégrant le matériau dans la phase polycristalline. / Within this Ph.D. thesis work new topics in the field of Non-Volatile Memories technologies have been investigated, with special emphasis on the study of novel materials to be integrated in Phase-Change Memory (PCM) devices, namely:(a) Investigation of new phase-change materialsWe have fabricated PCM devices integrating a novel chalcogenide material: Carbon-doped GeTe (or simply, GeTeC). We have shown that C doping leads to very good data retention performances: PCM cells integrating GeTeC10% can guarantee a 10 years fail temperature of about 127°C, compared to the 85°C of GST. Furthermore, C doping reduces also fail time dispersion. Then our analysis has pointed out the reduction of both RESET current and power for increasing carbon content. In particular, GeTeC10% PCM devices yield about a 30% of RESET current reduction in comparison to GST and GeTe ones, corresponding to about 50% of RESET energy decrease.Then, resistance window and programming time of GeTeC devices are comparable to those of GST.(b) Advanced electrical characterization techniquesWe have implemented, characterized and modeled a measurement setup for low-frequency noise characterization on two-terminal semiconductor devices.(c) Modeling for comprehension of physical phenomenaWe have studied the impact of Self-induced Joule-Heating (SJH) effect on the I-V characteristics of fcc polycrystalline-GST-based PCM cells in the memory readout region. The investigation has been carried out by means of electrical characterization and electro-thermal simulations.