O mecanismo mais importante para a homeostase do K+ é o controle da secreção de K+ no néfron distal. O objetivo deste trabalho foi avaliar em animais submetidos à depleção de K+ por sete dias, a expressão de AT1R da ATRAP e algumas vias de sinalização como as WNK1, KS-WNK1 e WNK4. Estes animais apresentaram menor ganho de peso corporal, hipertrofia renal, isostenúria, e redução da FE de Na+ e K+, com aumento de Ang II, sem alterar a aldosterona. Verificamos aumento da expressão de AT1R mais acentuado em lisado celular e o aumento de ATRAP foram iguais nas frações de lisado total, membranas total e apical. Não detectamos variação nos níveis de RNAm dessas proteínas. A depleção de K+ induziu a fosforilação de c-Src, ERK1/2 e p38, bem como aumento dos RNAm de WNK1 e WNK4, e redução do RNAm de KS-WNK1. Considerando nossos resultados, a depleção aumenta a ação da Ang II, provavelmente devido à hiperexpressão de AT1R, sem diminuir a expressão de ATRAP. A hiperexpressão de WNK1 e WNK4, associada à redução da KS-WNK1. / The most important mechanism for the K+ homeostasis on varying the content of this ion in the diet is the control of K+ secretion in the distal nephron. Since angiotensin II (Ang II) is an important modulator of K+ secretion, the aim of this study was to evaluate, in animals subjected to K+ depletion for seven days, the expression level of angiotensin type 1 receptor (AT1R) and the AT1R-associated protein (ATRAP). Moreover, it was intended to evaluate the possible activation of some signaling pathways triggered by Ang II via AT1R. We also looked for evaluate the expression of ion transporters and \'\'with no lysine kinases\'\' (WNKs) WNK1, KS-WNK1 and WNK4 in these animals, since some of the effects of angiotensin II in the distal tubular segments are mediated by these kinases. The animals subjected to K+ depletion have showed lower body weight gain, renal hypertrophy, marked polyuria, isosthenuria, and significant reduction in FE Na+ and K+, and increased plasmatic Ang II levels, without changing the aldosterone levels. We found that the expression of ATRAP and AT1R is increased in all cell fractions analyzed, with the highest rise in the AT1R in total cell lysate and ATRAP increase was not significant in the apical membrane. We did not detect changes in mRNA levels of these proteins, suggesting no changes in the transcription rate. The mRNA levels of Na+/H+ exchanger isoform 3 (NHE3) and Cl-/Formate (CFEX), abundant in proximal tubuleswere not altered as well. Regarding signaling pathways, K+ depletion induced c-Src, ERK1/2 and p38 phosphorylation, as well as a significant increase in WNK1 and WNK4 mRNA , and reduced KS- WNK1 mRNA. Considering our results, K+ depletion increases Ang II action in renal tissue, probably due to the overexpression of AT1R, and that effect is not associated to the decreased expression of ATRAP. However, the total cell lysate AT1R increasing, was greater than that of ATRAP. The overexpression of WNK1 and WNK4 associated with (to) the reduction of KS - WNK1 appears to be important for K+ secretion inhibition in K+-depleted animals. The inhibitory activity of WNK4 on ROMK channels depends on its dephosphorylation, which depends on the activation of c-Src. The activation of c-Src was evidenced by the increase in K+ -depleted animals phosphorylation.

Introdução: A técnica de doação de duplos concentrados de hemácias por aférese está disponível nos hemocentros desde 1997, quando este procedimento foi aprovado pela Food and Drug Administration (FDA). A legislação brasileira vigente segue as normas americanas para seleção de potenciais doadores de hemocomponentes por aférese e orienta que cada serviço tenha seu próprio protocolo para realizar esses procedimentos. Objetivo: Analisar o comportamento das reservas de ferro de doadores de duplos concentrados de hemácias por aférese, selecionados de acordo com as normas brasileiras vigentes a fim de auxiliar na definição de critérios seguros para seleção desses doadores. Casuística e Métodos: Foram coletadas amostras de sangue para exames de hemograma, ferro sérico, ferritina e UIBC (capacidade latente de ligação de ferro) de 75 doadores de hemácias duplas por aférese nos momentos pré-doação e quatro, cinco, seis e sete meses após a doação. A análise dos dados foi realizada com o uso do Graph Pad Prism versão 5.0. Resultados: A dosagem de ferritina pré-doação foi significativamente maior que nos meses subsequentes, mesmo após sete meses da coleta (148 ng/mL x 84,7 ng/mL x 91,2 ng/mL x 93,9 ng/mL x 112 ng/mL, p<0,0001). Não foi observada diferença significativa dos valores de hematócrito, ferro sérico e UIBC ao longo do estudo. Interessantemente, os doadores apresentaram contagem de hemoglobina na pré-doação menor que a coletada no sétimo mês após a doação de duplos concentrados de hemácias por aférese (15,3 g/dL x 15,7 g/dL , p<0.05). Os valores do volume corpuscular médio (VCM) foram significativamente menores com quatro e cinco meses após doação, comparados com os valores basais (87,67 FL x 86,74 FL, p<0,0001 e 87,67 FL x 87,27 FL, p<0,0161) e significativamente maiores com sete meses após a doação (87,67 FL x 88,14 FL, p=0,01). Foi observado aumento dos níveis de Hemoglobina corpuscular média (HCM) nos sexto (29,45 PG x 29,84 PG, p=0,0044) e sétimo meses após a doação (29,45 PG x 30,22 PG, p<0,0001), em comparação com os valores basais. Verificou-se, também, que os estoques de ferro apresentaram queda significativa após uma doação de duplos concentrados de hemácias, obtidos por aférese e que até sete meses após a doação não houve a devida recuperação dos estoques de ferro ao nível basal dos doadores em estudo. Houve, ainda, aumento dos valores da hemoglobina e do HCM e VCM a partir do sexto mês após a doação de hemácias duplas por aférese. Conclusão: Concluiu-se que, em doadores do sexo masculino de duplos concentrados de hemácias por aférese, a dosagem de ferritina deve ser realizada para melhor controle e segurança dos mesmos, e que se os valores da dosagem da ferritina forem <30 ng/dl, o doador deve ser impedido de doar; e se >30 ng/mL, recomenda-se liberar para nova doação somente após seis meses da doação anterior. Assim, novos estudos serão necessários para se adequarem as normas vigentes à população de doadores brasileiros, visando maior segurança e menor impacto da doação nos estoques de ferro do doador. / Introduction: The technique of double red cell donation by apheresis has been available in blood establishments since 1997, when this procedure was approved by the American FDA. The Brazilian legislation follows the American standards for the selection of potential donors of blood components by apheresis and advises every establishment to have their own protocol to carry out these procedures. Aim: The aim of this study was to analyze the behavior of the iron reserves of donors of double red cells concentrate by apheresis, selected in accordance with current Brazilian standards, in order to help define safer criteria for the selection of these donors. Casuistic and Methods: Blood samples were collected from 75 donors of double red blood cells by apheresis for tests of blood count, serum iron, ferritin and UIBC at the moment before donation and at four, five, six and seven months after donation. Data analysis was done using Graph Pad Prism version 5.0. Results: Pre-donation ferritin was significantly higher than in the subsequent months, even after seven months of the collection (148 x 84.7 x 91.2 x 93.9 x 112 ng/mL, p<0.0001). Interestingly, donors showed hemoglobin count at pre-donation lower than the hemoglobin collected at the seventh month after the donation of double concentrates by apheresis (15.3 x 15.7 g/dL, p<0.05). No significant difference was observed in the values of hematocrit, serum iron, UIBC (iron binding capacity) four, five, six and seven months after the donation of double concentrates by apheresis when compared to basal levels. The MCV values were significantly lower four and five months after donation, compared to basal levels (87.67 x 86.74 FL, p<0.0001 and 87.67 x 87.27 FL, p<0.0161) and significantly higher after seven months after donation (87.67 x 88.14 FL, p=0.01). We observed an increase in MHC in the sixth month (29.45 x 29.84 PG, p=0.004 PG 4) and seventh month after donation compared to basal levels (29.45 x 30.22 PG, p<0.0001). This study observed that a donation of double blood red cell concentrates obtained by apheresis caused a significant drop in iron stores that persisted even after seven months after donation. Conclusion: We also verified an increase of hemoglobin, MCV and MHC values from the sixth month after donation, compared to basal levels. Probably, both the double red cell donation by apheresis and the stimulus of erythropoiesis might have influenced the slow recovery of donors\' iron stores in this study. Thus, novel studies are necessary to adjust the current standards to the population of Brazilian donors, aiming a greater safety and lower impact of donation in the donor\'s iron storage.

Apresentamos neste trabalho um estudo do efeito da depleção do silício policristalino e da corrente de tunelamento em dispositivos com óxidos de porta finos. Utilizamos curvas características da capacitância em função da tensão de porta (C-V), para analisar a degradação causada por estes efeitos.Quanto ao efeito da depleção do silício policristalino a capacitância total na região de inversão apresenta uma redução conforme a concentração de dopantes do silício policristalino diminui. Este efeito foi observado em curvas C-V tanto de alta como de baixa freqüência, sendo esta última mais afetada. A corrente de tunelamento através do óxido de porta apresentou uma influência na largura da região de depleção no silício, que aumentou devido ao tunelamento de portadores do substrato. Como resultado, uma diminuição na capacitância do silício foi observada, fazendo a curva C-V diminuir na região de inversão. Quando considerado o efeito de depleção no silício policristalino junto com o efeito do tunelamento, observou-se que na região da porta houve um excesso de portadores, causando uma diminuição na região de depleção do silício policristalino. Neste caso a curva C-V sofreu uma maior redução, tornando-se difícil separar os dois efeitos. A curva C-V de baixa freqüência foi a mais atingida, pois como os portadores tem tempo de resposta, pode-se observar a influência da corrente de tunelamento nas cargas de inversão. Apresentamos ainda um novo método para a determinação da concentração de dopantes no substrato e no silício policristalino, através de curvas C-V de alta freqüência. Simulações numéricas bidimensionais e medidas experimentais foram utilizadas para validação do método. Os resultados obtidos indicam que o método proposto apresenta um grande potencial, tendo como principal vantagem a simplicidade de aplicação. / In this work we present the study of polysilicon depletion and the gate tunneling current effects in thin-gate oxide devices. Characteristic curves of capacitance as a function of the gate voltage (C-V) were used to analyze the degradation caused for these effects. Regarding the poly depletion effect, a reduction of the total capacitance in the inversion region was verified as the polysilicon doping concentration decreases. This effect was observed in C-V curves in high and low frequency, being the last one more affected. The gate tunneling current presented an influence on the width of the depletion silicon region, which increased due to the carriers tunneling from the substrate. As a result, a reduction in the silicon capacitance was observed, causing the C-V curve reduction in the inversion region. When the polysilicon depletion effect is considered together with the tunneling effect, it was observed that there is a carriers excess in the gate region, causing a reduction of the polysilicon depletion region width. In this case, the C-V curve suffered a larger reduction, making difficult to separate both effects. The most affected characteristic was the C-V curve at low frequency, due to existence of the carrier response time that allows observing the influence of the tunneling current in inversion charges. A new method for the determination of the doping concentration of substrate and polysilicon was also presented, through C-V curves at high frequency. Two-dimensional simulations and experimental measurements were used to validate the method. The obtained results indicate that the propose method present a higher potential, having as principal advantage the simplicity of application.

Apresentamos neste trabalho um estudo do efeito da depleção do silício policristalino e da corrente de tunelamento em dispositivos com óxidos de porta finos. Utilizamos curvas características da capacitância em função da tensão de porta (C-V), para analisar a degradação causada por estes efeitos.Quanto ao efeito da depleção do silício policristalino a capacitância total na região de inversão apresenta uma redução conforme a concentração de dopantes do silício policristalino diminui. Este efeito foi observado em curvas C-V tanto de alta como de baixa freqüência, sendo esta última mais afetada. A corrente de tunelamento através do óxido de porta apresentou uma influência na largura da região de depleção no silício, que aumentou devido ao tunelamento de portadores do substrato. Como resultado, uma diminuição na capacitância do silício foi observada, fazendo a curva C-V diminuir na região de inversão. Quando considerado o efeito de depleção no silício policristalino junto com o efeito do tunelamento, observou-se que na região da porta houve um excesso de portadores, causando uma diminuição na região de depleção do silício policristalino. Neste caso a curva C-V sofreu uma maior redução, tornando-se difícil separar os dois efeitos. A curva C-V de baixa freqüência foi a mais atingida, pois como os portadores tem tempo de resposta, pode-se observar a influência da corrente de tunelamento nas cargas de inversão. Apresentamos ainda um novo método para a determinação da concentração de dopantes no substrato e no silício policristalino, através de curvas C-V de alta freqüência. Simulações numéricas bidimensionais e medidas experimentais foram utilizadas para validação do método. Os resultados obtidos indicam que o método proposto apresenta um grande potencial, tendo como principal vantagem a simplicidade de aplicação. / In this work we present the study of polysilicon depletion and the gate tunneling current effects in thin-gate oxide devices. Characteristic curves of capacitance as a function of the gate voltage (C-V) were used to analyze the degradation caused for these effects. Regarding the poly depletion effect, a reduction of the total capacitance in the inversion region was verified as the polysilicon doping concentration decreases. This effect was observed in C-V curves in high and low frequency, being the last one more affected. The gate tunneling current presented an influence on the width of the depletion silicon region, which increased due to the carriers tunneling from the substrate. As a result, a reduction in the silicon capacitance was observed, causing the C-V curve reduction in the inversion region. When the polysilicon depletion effect is considered together with the tunneling effect, it was observed that there is a carriers excess in the gate region, causing a reduction of the polysilicon depletion region width. In this case, the C-V curve suffered a larger reduction, making difficult to separate both effects. The most affected characteristic was the C-V curve at low frequency, due to existence of the carrier response time that allows observing the influence of the tunneling current in inversion charges. A new method for the determination of the doping concentration of substrate and polysilicon was also presented, through C-V curves at high frequency. Two-dimensional simulations and experimental measurements were used to validate the method. The obtained results indicate that the propose method present a higher potential, having as principal advantage the simplicity of application.