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Porous Ultra Low-k Material Integration Through An Extended Dual Damascene Approach: Pre-/ Post-CMP Curing ComparisonCalvo, Jesús, Koch, Johannes, Thrun, Xaver, Seidel, Robert, Uhlig, Benjamin 22 July 2016 (has links) (PDF)
Integration of dielectrics with increased porosity is required to reduce the capacitance of interconnects. However, the conventional dual damascene integration approach is causing negative effects to these materials avoiding their immediate implementation. A post-CMP curing approach could solve some of these issues. However, materials with porogens being stable at temperatures of the barrier-seed deposition process are not common, hindering this approach. Here, we report on an extended dual-damascene integration approach which permits post-CMP curing.
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Low-k SiCxNy Etch-Stop/Diffusion Barrier Films for Back-End Interconnect ApplicationsLeu, Jihperng, Tu, H.E., Chang, W.Y., Chang, C.Y., Chen, Y.C., Chen, W.C., Zhou, H.Y. 22 July 2016 (has links) (PDF)
Lower k and low-leakage silicon carbonitride (SiCxNy ) films were fabricated using single precursor by using radio-frequency (RF) plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). We explored precursors with (1) cyclic-carbon-containing structures, (2) higher C/Si ratio, (3) multiple vinyl groups, as well as (4) the incorporation of porogen for developing low-k SiCxNy films as etch-stop/diffusion barrier (ES/DB) layer for copper interconnects in this study. SiCxNy films with k values between 3.0 and 3.5 were fabricated at T≦ 200 o C, and k~4.0-4.5 at 300-400 °C. Precursors with vinyl groups yielded SiCxNy films with low leakage, excellent optical transmittance and high mechanical strength due to the formation of cross-linked Si-(CH2)n-Si linkages.
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Charge storage in electret polymers: mechanisms, characterization and applicationsMellinger, Axel January 2004 (has links)
Electrets are materials capable of storing oriented dipoles or an electric surplus charge for long periods of time. The term "electret" was coined by Oliver Heaviside in analogy to the well-known word "magnet". Initially regarded as a mere scientific curiosity, electrets became increasingly imporant for applications during the second half of the 20th century. The most famous example is the electret condenser microphone, developed in 1962 by Sessler and West. Today, these devices are produced in annual quantities of more than 1 billion, and have become indispensable in modern communications technology.
Even though space-charge electrets are widely used in transducer applications, relatively little was known about the microscopic mechanisms of charge storage. It was generally accepted that the surplus charges are stored in some form of physical or chemical traps. However, trap depths of less than 2 eV, obtained via thermally stimulated discharge experiments, conflicted with the observed lifetimes (extrapolations of experimental data yielded more than 100000 years). Using a combination of photostimulated discharge spectroscopy and simultaneous depth-profiling of the space-charge density, the present work shows for the first time that at least part of the space charge in, e.g., polytetrafluoroethylene, polypropylene and polyethylene terephthalate is stored in traps with depths of up to 6 eV, indicating major local structural changes. Based on this information, more efficient charge-storing materials could be developed in the future.
The new experimental results could only be obtained after several techniques for characterizing the electrical, electromechanical and electrical properties of electrets had been enhanced with in situ capability. For instance, real-time information on space-charge depth-profiles were obtained by subjecting a polymer film to short laser-induced heat pulses. The high data acquisition speed of this technique also allowed the three-dimensional mapping of polarization and space-charge distributions.
A highly active field of research is the development of piezoelectric sensor films from electret polymer foams. These materials store charges on the inner surfaces of the voids after having been subjected to a corona discharge, and exhibit piezoelectric properties far superior to those of traditional ferroelectric polymers. By means of dielectric resonance spectroscopy, polypropylene foams (presently the most widely used ferroelectret) were studied with respect to their thermal and UV stability. Their limited thermal stability renders them unsuitable for applications above 50 °C. Using a solvent-based foaming technique, we found an alternative material based on amorphous Teflon® AF, which exhibits a stable piezoelectric coefficient of 600 pC/N at temperatures up to 120 °C. / Elektrete sind Materialien, welche orientierte elektrische Dipole oder eine elektrische Überschussladung über längere Zeit speichern können. Der Begriff wurde 1885 von Oliver Heaviside in Anlehnung an das Wort "Magnet"
eingeführt. Zunächst nur als wissenschaftliche Kuriosität betrachtet, wurden sie seit Mitte des 20. Jahrhunderts in zunehmendem Maße für technische Anwendungen interessant. Als bekanntestes Beispiel sei hier das 1962 von Sessler und West entwickelte Elektret-Kondensator-Mikrofon erwähnt, welches in jährlichen Stückzahlen von mehr als 1 Milliarde hergestellt wird und aus der modernen Kommunikationstechnik nicht mehr wegzudenken ist.
Trotz der weit verbreiteten Anwendungen in der Sensorik war bisher nur wenig über die mikroskopischen Mechanismen der Ladungsspeicherung bekannt. Allgemein wird davon ausgegangen, dass die Überschussladungen in physikalischen oder chemischen Haftstellen gespeichert sind. Bisherige Experimente zur thermisch stimulierten Entladung ergaben Bindungsenergien unterhalb von 2 eV, was im Widerspruch zu den beobachteten Lebensdauern (extrapoliert wurden Werte von mehr als 100000 Jahren) steht. Mittels photostimulierter Entladung sowie simultaner Messung des Ladungsprofils konnte nun für eine Reihe wichtiger Elektret-Polymere (darunter das unter dem Handelsnamen Teflon® bekannte Polytetrafluorethylen, Polypropylen und Polyethylenterephthalat) erstmals gezeigt werden, dass zumindest ein Teil der Ladungen in tiefen Haftstellen von bis zu 6 eV gespeichert wird, was auf eine tiefgreifende lokale Strukturänderung hinweist. Ausgehend von dieser Information könnten in Zukunft Materialien mit verbesserter Ladungsspeicherung gezielt entwickelt werden.
Die neuen Messungen waren erst möglich, nachdem mehrere Verfahren zur Bestimmung elektrischer, elektromechanischer und mechanischer Eigenschaften von Elektreten für einen In Situ-Einsatz weiterentwickelt wurden. So konnten z. B. durch Anregung von kurzen Wärmepulsen in der Polymerfolie Informationen über das Tiefenprofil der Raumladung in Echtzeit gewonnen werden. Die schnelle Abtastung ermöglichte darüber hinaus die dreidimensionale Kartierung von Polarisationsprofilen und Raumladungen.
Ein zur Zeit sehr aktives Forschungsgebiet ist die Entwicklung piezoelektrischer Sensorfolien aus geschäumten Elektret-Polymeren. Nach elektrischer Aufladung in einer Korona-Entladung werden Ladungen an der Innenseite der Gasbläschen gespeichert, wodurch das Material piezoelektrische Eigenschaften erhält, welche deutlich besser sind als die der herkömmlichen ferroelektrischen Polymere. Für die bisher gebräuchlichen Polypropylenschäume wurde neben der Temperaturstabilität mittels dielektrischer Resonanzspektroskopie auch das Verhalten unter UV-Bestrahlung untersucht. Aufgrund ihrer beschränkten thermischen Stabilität sind diese Schäume nicht für Anwendungen oberhalb von 50 °C geeignet. Mittels eines Lösungsmittel-basierten Schäumungsverfahrens wurde ein alternativer Werkstoff auf der Basis von amorphem Teflon® AF entwickelt, welcher einen stabilen piezoelektrischen Koeffizienten von 600 pC/N bei Temperaturen von bis zu 120 °C aufweist.
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CMOS-Prozessintegration von epitaktischen Selten-Erden-Oxiden als high-K-Dielektrika auf SOI-SubstratenGottlob, Heinrich Dieter Bernd January 2007 (has links)
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2007
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Metal gate development for nano-CMOS technologiesEfavi, Johnson Kwame January 2007 (has links)
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2007
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CMOS-Prozessintegration von epitaktischen Selten-Erden-Oxiden als High-K-Dielektrika auf SOI-Substraten /Gottlob, Heinrich Dieter Bernd, January 2008 (has links)
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2007.
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Electrical investigations on praseodymium oxide aluminum oxynitride containing metal insulator semiconductor stacks and on metal ferroelectric insulator semiconductor structures consisting of poly(vinylidene fluoride trifluoroethylene) /Henkel, Karsten. January 2009 (has links)
Zugl.: Cottbus, Techn. University, Diss., 2009.
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Zeitaufgelöste Analyse der Wechselwirkung von ultrakurz- gepulster Laserstrahlung mit DielektrikaHorn, Alexander. January 2003 (has links) (PDF)
Techn. Hochsch., Diss., 2003--Aachen.
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Analýza složené soustavy s různým podílem plniva / Analysis of composite with different proportion of fillerBrož, Přemysl January 2008 (has links)
This work consider with monitoring components of komplex permittivity at frequency section of electro-insulation material in process of wetting by dielectric relaxation spectroscopy.
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Modifikace elektroizolačního laku mletou slídou / Modification of electroinsulating varnish with ground micaDrápal, Aleš January 2009 (has links)
This master's thesis focuses on composite systems based on varnish combined with different filler ratios of micronized mica. The aim is to analyse impact of the filler on dielectric properties of the varnish, i.e. relative permittivity and loss factor as functions of frequency as well as charging and discharging currents as functions of time. Dielectric mixture formulas are applied on relative permittivity values. Calculated and measured values are compared.
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