Los sistemas de iluminación son desarrollos que permiten al hombre visualizar de una mejor forma a los objetos desde un punto de vista artístico y funcional. Estos sistemas tienen un amplio campo de aplicación en nuestra vida diaria. Están referidos al proceso en el cual la iluminación forma parte del diseño del objeto usando dispositivos capaces de satisfacer el tipo, calidad y color de luz que se requiere. Dado que en el Perú los sistemas de iluminación cumplen una gran importancia como elemento que forma parte del diseño de espacios públicos y comerciales, es necesario enfrentar el problema de la iluminación conociendo las características de ella. Por esto se plantea la utilización de una nueva tecnología como el LED (Light-Emitting Diode) de potencia en el desarrollo de sistemas de iluminación aprovechando las características que este dispositivo trae. La presente tesis consiste en el rediseño e implementación de un sistema de iluminación aplicado a un display1 publicitario de una superficie de 25x25cm2. Uno de los objetivos es mejorar la iluminación mediante la aplicación de la nueva tecnología, el LED RGB (Red Green Blue) que permite obtener un color determinado, rojo, verde y azul; además de variar su intensidad de brillo. Con el uso de lentes convergentes es posible mezclar los colores primarios para obtener los colores secundarios; amarillos, cian y magenta; y el color blanco. El siguiente documento se encuentra dividido en cuatro capítulos principales; el primero de ellos explica la importancia de la iluminación publicitaria en espacios publicitarios. El segundo capítulo brinda información sobre la evolución de los sistemas de iluminación convencionales hasta llegar a la tecnología LED. El tercer capítulo muestra las consideraciones para el rediseño e implementación del sistema, los componentes elegidos, así como los cálculos y criterios de selección. El último capítulo menciona los resultados obtenidos, análisis de costo y conclusiones finales. Al final del documento se muestra las recomendaciones, sobre el rendimiento del sistema de iluminación y como mejorarlo, las referencias utilizadas y en la sección de anexos hojas de datos de los componentes utilizados. / Tesis

Debido al acelerado desarrollo de los semiconductores, en los últimos 15 años, se ha logrado dejar de usar a los LEDs como simplemente fuentes de señalización en diversas aplicaciones minúsculas, por ejemplo en los muy conocidos displays de 7 segmentos o como puntos brillantes en los teclados y circuitos electrónicos, para pasar con fuerza al ámbito de la iluminación. Es así, como grandes empresas internacionales han fijado su interés en el desarrollo y afianzamiento en el mercado de los llamados LEDs de potencia o alto brillo, dado que, como su nombre lo indica, han llegado a multiplicar su capacidad de generar luz y mejorar su eficiencia luminosa hasta el punto de competir y superar otros tipos tradicionales de fuentes de iluminación. Es por estas razones, que el objetivo de este trabajo de tesis es diseñar un sistema de iluminación usando LEDs de potencia RGB para espacios publicitarios de tamaño pequeño, ya que el ámbito de la publicidad es un mercado donde se permite aplicar todo el potencial de una nueva tecnología de iluminación multicolor. / Tesis

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas, Programa de Pós-Graduação em Química, Florianópolis, 2018. / A química vem contribuindo significativamente para o desenvolvimento de diversos dispositivos eletrônicos baseados em compostos orgânicos e inorgânicos nos últimos anos. Dentre eles, os diodos orgânicos emissores de luz (OLEDs) se destacam. Estes dispositivos podem ser flexíveis e transparentes, diferentes dos demais dispositivos existentes. Além disso, eles têm alta resistência ao stress mecânico e baixo consumo de energia em relação aos atuais displays e fontes de iluminação disponíveis no mercado. O baixo consumo energético, entre outras coisas, levou muitos grupos de pesquisa a buscar novas aplicações para os mesmos. Os OLEDs baseados em cobre vêm ganhando espaço nas últimas duas décadas. Esse metal possui propriedades interessantes e são abundantes na crosta terrestre em comparação com os metais utilizados atualmente, como irídio e platina, o que reduz os custos de fabricação dos dispositivos. Este trabalho apresenta a síntese e caracterização experimental de quatro novos complexos de cobre(I) com ligantes fosfina e derivados da 1,10-fenantrolina contendo os grupos tiadiazol e selenodiazol. Os compostos foram caracterizados por diversas técnicas instrumentais de espectroscopia de IR, UV-Vis, fotoluminescência, espectrometria de massas, análise elementar de CHN e difratometria de raios-X. Os valores de tempo de vida e rendimento quântico em solução e filme foram obtidos e indicam que a adição dos grupos tiadiazol e selenodiazol alteram significativamente a emissão do complexo. Cálculos de TDDFT e SOC-TDDFT permitiram a atribuição das transições eletrônicas, o cálculo dos elementos de matriz do acoplamento spin-órbita e da diferença de energia entre os estados singleto e tripleto. As análises experimentais e teóricas conduziram a uma proposta de mecanismo de emissão dos complexos. Por último, um dispositivo OLED que ainda em fase de otimização é apresentado e se mostra comparável aos existentes atualmente. / Abstract : Chemistry has been contributing to the development of various electronic devices based on organic and inorganic compounds in recent years. Among them, organic light emitting diodes (OLEDs) stand out. These devices can be flexible and transparent, different from the other existing devices. In addition, they have high resistance to mechanical stress and low power consumption compared to the current displays and lighting sources available in the market. The low energy consumption, among other things, led many research groups in search of new applications for them. OLEDs based on copper have been gaining attention over the past two decades. This metal has interesting properties and is abundant in the earth's crust in comparison with the currently used metals, such as iridium and platinum, which reduces the manufacturing costs of the devices. This work presents a synthesis and experimental characterization of four new copper (I) complexes with phosphine ligands and 1,10-phenanthroline derivatives containing the thiadiazole and selenodiazole groups. The compounds were characterized by several instrumental techniques as IR spectroscopy, UV-Vis, photoluminescence, mass spectrometry, elemental analysis of CHN and X-ray diffraction. Life time and quantum yield values in a solution and film are obtained and indicate that the addition of the thiadiazole and selenodiazole groups significantly change the emission of the complex. TDDFT and SOC-TDDFT calculations allowed the assignment of electronic transitions, calculation of spin-orbit coupling matrix elements, and energy difference between singleton and triplet states. The experimental and theoretical analyzes led to a proposal for the mechanism of emission of the complexes. Finally, an OLED device that is still in the stage of optimization is presented and is comparable to those currently available.

Made available in DSpace on 2014-06-12T18:08:16Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo8046_1.pdf: 4893217 bytes, checksum: e2df81286116a32cf3dc7d5eee7c0673 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2002 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Estudamos as instabilidades dos lasers semicondutores por meio de realimentação ótica. Usamos lasers de diodo "SDL-5401-G1", operando no comprimento de onda de 850nm. Um espelho localizado a uma distância de 50cm a 5m do laser produziu a realimentação. Foram tomadas séries temporais dos pulsos do laser de diodo operando em regime caótico, identificando-se dois regimes encontrados na literatura: um deles é a flutuação de baixa freqüência e o outro é o chamado colapso de coerência. A partir destas séries temporais foram extraídos mapas de retorno do próximo máximo dos pulsos, com as características de caos determinístico. Os resultados experimentais são comparados com as soluções numéricas das equações de Lang-Kobayashi

Orientador: Navin B. Patel / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-19T02:51:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sachs_AntoniodeCampos_M.pdf: 1361291 bytes, checksum: e76ae664844efe126d1b3d33b82aafc1 (MD5) Previous issue date: 1978 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: ALberto Martins Jorge / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-20T01:10:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Teani_CarlosRobertoNegrao_M.pdf: 4259412 bytes, checksum: 0eda9011e034c147f249114ec81b71b9 (MD5) Previous issue date: 1995 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

A busca de melhores características elétricas, acompanhada de crescentes evoluções tecnológicas e novos materiais passivantes para junções semicondutoras vem sendo bastante pesquisados nas últimas décadas. Existem dois tipos de passivação: por filmes finos ou por filmes espessos. No primeiro caso são realizadas deposições de óxido de silício, carbeto de silício, nitreto de silício, enquanto que no segundo caso faz-se uso de materiais como borrachas de silicone ou vidros. A escolha entre filme fino e filme espesso está relacionada diretamente ao custo/benefício e as características do dispositivo final. Na indústria de semicondutores de potência opta-se pelos filmes espessos devido às grandes dimensões dos dipositivos e ao custo do processo empregado nas linhas de produção. Os passivantes mais utilizados em semicondutores de potência são borrachas de silicone e vidros. Os vidros inorgânicos são mais estáveis a temperaturas elevadas do que as borrachas de silicone. Neste trabalho procuramos desenvolver e controlar um processo de passivação a vidro em junções semicondutoras de dispositivos de potência para que seja usado numa linha de produção de diodos retificadores de alta estabilidade. Existem diferentes tipos de vidros para esta aplicação como os vidros de Al-Pb-B-Si e os vidros de Zn-B-Si. No presente trabalho foi realizada uma comparação entre a influência da composição química dos vidros, a granulometria do pó (frita) deste vidro, com a tensão de ruptura e corrente de fuga dos diodos levando em conta o rendimento do processo. Observou-se que fritas de vidro de Al-Pb-B-Si com granulometrias mais finas resultam em tensões de ruptura maiores com um rendimento de produção de até 33% superior aos demais casos. As correntes de fuga , à temperatura ambiente, para fritas de vidro de Zn-B-Si e Al-Pb-B-Si com diferentes granulometrias, se mostrou pràticamente a mesma. / The search for better electrical properties, new passivating materials for semiconductors junctions and the process of obtaining those ones have being studied intensively in the latest decades. There are two types of passivation layers: thick film and thin film. The first one is obtained by the deposition of silicon oxides, silicon nitride or silicon carbide, while in the second one is obtained through the application of silicon rubber or glass over the exposed juntion. The decision of using one or another depends on cost/benefit and desired electrical properties of the devices. In the semiconductor power industry the thick films are frequently used because the devices dimensions are large and the cost of these processes are cheaper than those of thin films. Silicon rubber and glass are widely used by this industry. The silicon rubbers are materials that show temperature resistance up to 2000C. The inorganic glasses are more stables at high temperatures. In this work we developed a process of glass passivation for power semiconductors devices, controlled this process and it is in use in a production line of a semiconductor power device industry. There are a few glasses for this application where the two more widely used are Al-B-Pb-Si glass and Zn-B-Si glass. In this work it was compared the influence of the glass chemical composition as well as frit grain size of the glass, over the breakdown voltage and leakage current of the devices. It was observed that glasses of Al-B-Pb-Si with smaller grain size gave better values of breakdown voltage with a production yield bigger up to 33%. It was obtained leakage current values of the same magnitude, at ambient temperature, for both kinds of glasses with different grain sizes and composition.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. / Made available in DSpace on 2013-07-16T02:54:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 212990.pdf: 3577371 bytes, checksum: a7367cb0c49ce51f4529e9c669c4e634 (MD5) / Este trabalho propõe um novo método para reduzir o conteúdo harmônico na entrada das pontes retificadoras trifásicas a diodos, por meio da utilização de uma interface composta de uma meia ponte com comando complementar utilizando capacitores em paralelo com os interruptores. Princípio de funcionamento, análise teórica, metodologia e exemplo de projeto são realizados, visando implementar um protótipo de laboratório de uma potência de 10 kW. Resultados experimentais são apresentados e discutidos, validando o estudo realizado. Apontam-se as contribuições e as possibilidades de continuidade do trabalho.

Orientador: Edmundo da Silva Braga / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-21T20:37:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Alves_MarcoAntonioRobert_D.pdf: 7758526 bytes, checksum: b2a31335f2dbdf4b681b0c730113d5ff (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: Filmes finos de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H) foram obtidos através .da técnica de deposição química a partir da fase de vapor assistida por plasma de RF (RFPECVD). Os filmes foram depositados em um reator de placas paralelas utilizando como fonte do gás o metano (CH4) e a mistura gasosa metano/tetrafluoreto de carbono (CHJCF4).Os filmes de a-C:H foram depositados sobre o substrato de silício visando a fabricação das heteroestruturas metal/a-C:H/silício. A caracterização elétrica dos dispositivos foi realizada levantando as características corrente-tensão (1 x V) e capacitância-tensão (C x V). Observou-se que as heteroestruturas têm propriedades retificadoras, ou seja, se comportam como um diodo de heterojunção ou diodo MIS (metal/isolador/ semicondutor) / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientadores: Evandro Conforti, Marek Osinski / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-22T11:58:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Leal_AntonioAndrade_D.pdf: 8063861 bytes, checksum: 2b4259cd6d8a16557482afd54970146e (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Neste trabalho são elaborados modelos teóricos que visam permitir a análise, compreensão e prevenção d auto-aquecimento em lasers de emissão superficial com cavidade vertical (VCSELs). Um modelo teórico incorporando o efeito da profundidade de penetração do campo nos espelhos é desenvolvido. Este formalismo é usado no estudo do comportamento de limiar de oscilação do laser e do efeito exercido sobre o mesmo pela temperatura de meio ativo. São desenvolvidos modelos simples para o cálculo da resistência térmica de VCSELs de emissão pelo topo, empregando o conceito de condutividade térmica efetiva. Também, apresenta-se um método de cálculo de resistência térmica de VCSELs, no qual o fluxo anisotrópico de calor no interior de cada camada componente da estrutura do laser é considerado / Abstract: In this work, models were developed aiming to allow the analysis, understanding and prevention of self-heating in vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (VCSELs). A model, including the effect of the field penetration depth in the mirror, was developed. This approach was used to study the threshold behavior and the influence of active region temperature on it. Simple approaches to calculate the thermal resistance of top emitting VCSELs were developed using the concept of effective thermal conductivity. Also, a method to calculate the thermal resistance of VCSELs, in which the anisotropic heat flux inside each layer is considered, is presented. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica