En el presente trabajo se realizó el diseño de un sistema de iluminación para un jardín usando LEDs de potencia RGB, con el objetivo de presentarlo como una opción frente a sistemas comerciales. Se incluyó el diseño del sistema y una interfaz para ser operada de manera intuitiva en un dispositivo móvil, el cual actualmente es muy usado para varias aplicaciones. El diseño realizado consta de 2 partes. La primera muestra el hardware que incluye tanto los excitadores, los LEDs y el control; y la segunda el desarrollo del software, es decir el programa cuyo fin es lograr controlar los colores, así como los efectos realizados con estos y la programación de la aplicación para el dispositivo móvil. En el primer capítulo, se definen conceptos de iluminación e iluminación de exteriores, particularmente de jardines. Luego, en el segundo capítulo se muestran las tecnologías de iluminación comúnmente usadas, centrando el estudio en las tecnologías en estado sólido, además de presentar los dispositivos móviles más usados y sus respectivos sistemas operativos. En el tercer capítulo se desarrolla el diseño planteado para cubrir los objetivos, tanto en la parte de hardware (excitadores, LEDs de potencia, etc.) como en software (desarrollo de los programas para el control y la interfaz). Finalmente, en el cuarto capítulo se presenta la implementación y funcionamiento. / Tesis

En la actualidad la iluminación arquitectónica está tomando cada vez más cabida en el mundo de la iluminación decorativa; para tal fin existen en el mercado diferentes tecnologías de iluminación. Para que una tecnología de iluminación sea eficiente debe cumplir parámetros tales como: una alta eficiencia lumínica, bajo consumo de energía y una gran durabilidad. El reto entonces está en elegir una tecnología que sea capaz de cumplir con tales requisitos para que el sistema de iluminación sea eficiente y tenga una buena performance. Es por eso que se plantea la implementación de un sistema que use tecnología de iluminación en estado sólido, es decir, usando LEDs (diodos emisores de luz) de alta potencia, más conocidos como Power LEDs. Dichos dispositivos aseguran altos índices de eficiencia, ahorro de energía y duración, constituyéndose así como la tecnología de iluminación del futuro. El objetivo entonces es el de realizar el diseño de un sistema de iluminación exterior en el edificio Mac Gregor de la Pontificia Universidad Católica del Perú (PUCP), iluminando el logo de la universidad mediante la tecnología de LEDs de potencia. El sistema completo consta de los siguientes subsistemas: subsistema de luminarias, subsistema de circuitos de excitación de los LEDs, subsistema de control (programación) y subsistema de la fuente de alimentación. La presente tesis sólo abarca el diseño de los dos primeros subsistemas, es decir, el subsistema de luminarias y el subsistema de circuitos de excitación de los LEDs de potencia. En el Capítulo 1 se trata el tema de sistemas de iluminación arquitectónica para edificios. Se ven las diferentes técnicas, estrategias y tecnologías actuales que los ingenieros de iluminación aplican en obras de iluminación en edificios modernos. En el Capítulo 2 se trata el tema de sistemas de iluminación con LEDs de potencia. Se ven las ventajas, áreas de aplicación, fabricantes actuales, ejemplos de edificios en el mundo y una teoría sobre circuitos de excitación de LEDs de potencia. En el Capítulo 3 se ve el diseño de los subsistemas mencionados y además se contempla la necesidad de incluir el subsistema de comunicación. En el Capítulo 4 se muestran los resultados del diseño en base a la implementación de un prototipo de luminaria. Se presenta también un estudio de costos y tiempos de ejecución del proyecto en general para una futura implementación. / Tesis

Neste trabalho é apresentado um estudo comparativo da resposta de diodos de Si para dosimetria de radiação gama. Os diodos investigados, crescidos pelas técnicas de fusão zonal (Fz) e Czchocralski magnético (MCz), foram processados no Instituto de Física da Universidade de Helsinki no âmbito das pesquisas e desenvolvimento de dispositivos de Si resistentes a danos de radiação segundo a colaboração RD50 do CERN (European Organization for Nuclear Research). Para estudar a resposta dosimétrica dos diodos, eles foram acoplados diretamente no modo fotovoltaico na entrada de um eletrômetro digital para medir o sinal de fotocorrente devido a incidência de raios gama provenientes de uma fonte de 60Co (Gammacell 220). O parâmetro dosimétrico usado para estudar a resposta destes dispositivos foi a carga, obtida pela integração do sinal de corrente pelo tempo de exposição, em função da dose absorvida. Estudos da influência dos procedimentos de pré-irradiação na sensibilidade e estabilidade destes diodos mostraram que a sensibilidade decresce com a dose total absorvida mas depois de uma pré-irradiação de cerca de 873 kGy, eles se tornaram mais estáveis. Efeitos dos danos de radiação eventualmente produzidos nos diodos foram monitorados mediante medidas dinâmicas de corrente e de capacitância depois de cada etapa de irradiação. Ambas as amostras exibiram boa reprodutibilidade de resposta, 2,21% (Fz) e 2,94% (MCz), obtida com 13 medidas consecutivas de 15 kGy comparadas com a equivalente dose de 195 kGy absorvida em uma única etapa de irradiação. É importante notar que estes resultados são melhores do que aqueles obtidos com dosímetros de rotina de polimetilmetacrilato (PMMA) usados em processamento por radiação. / In this work it is presented the comparative study of Si diodes response for gamma radiation dosimetry. The diodes investigated, grown by float zone (Fz) and magnetic Czchcralski (MCz) techniques, were processed at the Physics Institute of Helsinki University in the framework of the research and development of rad-hard silicon devices. To study the dosimetric response of these diodes they were connected in the photovoltaic mode to the input of a digital electrometer to measure the photocurrent signal due to the incidence of gamma-rays from a 60Co source (Gammacell 220). The dosimetric parameter utilized to study the response of these devices was the charge, obtained trough the integration of the current signals, as a function of the absorbed dose. Studies of the influence of the pre-irradiation procedures on both sensivity and stability of these diodes showed that the sensitivity decreased with the total absorbed dose but after a preirradiation of about 873 kGy they became more stable. Radiation damage effects eventually produced in the devices were monitored trough dynamic current and capacitance measurements after each irradiation step. Both samples also exhibited good response reproducibility, 2,21% (Fz) and 2,94% (MCz), obtained with 13 consecutive measurements of 15 kGy compared with the equivalent 195 kGy absorbed dose in one step of irradiation. It is important to note that these results are better than those obtained with routine polimetylmetacrilate (PMMA) dosimeters used in radiation processing dosimetry .

No presente trabalho foi estudada a resposta de diodos epitaxiais (EPI) e fusão zonal (FZ) como dosímetros on-line em tratamentos radioterápicos com feixe de fótons na faixa de megavoltagem (diodo tipo EPI)e ortovoltagem (diodos tipo EPI e FZ). Para serem usados como dosímetros os diodos foram encapsulados em sondas de polimetilmetacrilato preto (PMMA). Para as medidas da fotocorrente os dispositivos foram conectados a um eletrômetro Keithley® 6517B no modo fotovoltaico. As irradiações foram feitas com feixes de fótons de 6 e 18 MV (acelerador Siemens Primus®),6 e 15 MV (acelerador Novalis TX®) e 10, 25, 30 e 50 kV de um equipamento de Radiação X Pantak/Seifert. Nas medidas com o acelerador Siemens Primus® os diodos foram posicionados entre placas de PMMA a uma profundidade de 10,0 cm e com o acelerador Novalis TX® mantidos entre placas de água sólida a uma profundidade de 5cm. Em ambos os casos, os diodos foram centralizados em campos de radiação de 10 × 10 cm2, com distância fonte superfície (DFS) mantida fixa em 100 cm. Para as medidas com os feixes de fótons deortovoltagem os diodos foram posicionados a 50 cm do tubo em um campo de radiação circular de 8 cm de diâmetro. A linearidade com a taxa de dose foi avaliada para as energias de 6 e 15MV do acelerador Novalis TX® variando-se a taxa de dose de 100 a 600 unidades monitoras por minuto e para o feixe de 50 kV variando-se a corrente do tubo de 2 a 20 mA. Todos os dispositivos apresentaram respostas lineares com a taxa de dose e dentro das incertezas, independência da carga com a mesma. Os sinais de corrente mostraram boa repetibilidade, caracterizada por coeficientes de variação em corrente (CV) inferiores a 1,14%(megavoltagem) e 0,15%(ortovoltagem) e em carga menores que 1,84% (megavoltagem) e 1,67% (ortovoltagem). Foram obtidas curvas dose-resposta lineares com coeficientes de correlação linear melhores que 0,9999 para todos os diodos. / In the current work it was studied the performance of epitaxial (EPI) and float zone (FZ) silicon diodes as on-line dosimeters for megavoltage (EPI diode) and orthovoltage (EPI and FZ diode) photon beam radiotherapy. In order to be used as dosimeters the diodes were enclosed in black polymethylmethacrylate (PMMA) probes. The devices were then connected, on photovoltaic mode, to an electrometer Keithley® 6517B to allow measurements of the photocurrent. The irradiations were performed with 6 and 18 MV photon beams (Siemens Primus® linear accelerator), 6 and 15 MV (Novalis TX®) and 10, 25, 30 and 50 kV of a Pantak / Seifert X ray radiation device. During the measurements with the Siemens Primus® the diodes were held between PMMA plates placed at 10.0 cm depth. When using Novalis TX® the devices were held between solid water plates placed at 50 cm depth. In both casesthe diodes were centered in a radiation field of 10 x 10 cm2, with the source-to-surface distance (SSD) kept at 100 cm. In measurements with orthovoltage photon beams the diodes were placed 50.0 cm from the tube in a radiation field of 8 cm diameter. The dose-rate dependency was studied for 6 and 15 MV (varying the dose-rate from 100 to 600 monitor units per minute) and for the 50 kV beam by varying the current tube from 2 to 20 mA. All devices showed linear response with dose rate and, within uncertainties the charge collected is independent of dose rate. The current signals induced showed good instantaneous repeatability of the diodes, characterized by coefficients of variation of current (CV) smaller than 1.14% (megavoltage beams) and 0.15% for orthovoltage beams and coefficients of variation of charge (CV) smaller than 1.84% (megavoltage beams) and 1.67% (orthovoltage beams). The doseresponse curves were quite linear with linear correlation coefficients better than 0.9999 for all diodes.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Ciência e Engenharia de Materiais / Made available in DSpace on 2012-10-23T03:19:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 243255.pdf: 1163489 bytes, checksum: 602d8cb806087e8ac90bd8f6b9f1cffd (MD5) / Neste trabalho serão discutidos os processos experimentais empregados para a sistematização da preparação e caracterização de diodos de barreira Schottky. O diodo Schottky possui ampla aplicação em dispositivos e aparelhos eletrônicos, sendo peça fundamental na indústria da microeletrônica. O diodo a ser descrito é constituído de uma camada de cobalto sobre silício tipo p. Para a obtenção das camadas foi empregada a técnica de eletrodeposição potenciostática foto-excitada. O arranjo experimental utilizado é constituído de uma célula eletroquímica de três eletrodos, o eletrólito, a fonte luminosa e o potenciostato. A solução eletrolítica é composta de 104mM de sulfato de cobalto, 0,5M de sulfato de sódio e 0,5M de ácido bórico. Para realizar a foto-excitação foi empregada uma lâmpada de filamento de tungstênio com potência de 100W. Com o objetivo de estudar a influência da espessura do cobalto nas propriedades elétricas do diodo Schottky, foram depositadas seis amostras com espessuras diferentes. O comportamento das reações de oxidação e redução da solução no silício tipo p mediante foto-excitação foi observado a partir da técnica de voltametria cíclica. As propriedades elétricas do sistema Co/Si-p foram determinadas através das medidas das curvas características I/V e C/V. A morfologia da superfície do cobalto, para o estudo do crescimento dos depósitos, foi obtida a partir de medidas de microscopia de força atômica. Como técnica complementar, medidas de magnetometria de amostra vibrante foram realizadas para a caracterização magnética dos depósitos de cobalto.

Orientador: Clarissa de Almeida Olivati / Banca: Deuber Lincon da Silva Agostini / Banca: Roberto Mendonça Faria / Resumo: O diodo Schottky orgânico permite o estudo da camada ativa e de efeitos de interfaces dos contatos elétricos, além da aplicação em estudos mais avançados, como por exemplo, em células solares, transistores e diodos orgânicos emissores de luz (OLEDs). Nestes dispositivos, dentre os parâmetros chave no funcionamento dos dispositivos destaca-se os tipos de eletrodos, a morfologia e a organização da camada ativa no estado sólido. Os politiofenos por apresentarem fácil processabilidade e notáveis propriedades do estado sólido, como aumento de condutividade elétrica, possuem grande utilização como camada ativa na forma de filmes finos. Assim a técnica de Langmuir-Schaefer (LS) se destaca, pois proporciona maior organização a nível molecular e controle na espessura e uniformidade nos filmes finos de politiofeno. Dentro deste contexto, o objetivo deste trabalho foi fabricar filmes LS de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) acrescido com ácido esteárico (SA), visando uma aplicação como camada ativa em diodos Schottky orgânicos para um estudo tanto das propriedades elétricas da camada ativa quanto das diferentes interfaces através das caracterizações elétricas. Para fabricação dos filmes finos e estudos das isotermas de pressão superficial (π-A) foi utilizada uma cuba de Langmuir KSV 5000. Os eletrodos inferiores (ITO, alumínio e ouro) e superiores (alumínio e ouro) foram obtidos por evaporação térmica a vácuo. As medidas de absorção, crescimento dos filmes e morfologia foram realizadas através... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: The organic Schottky diode allows the study of the active layer and effects at interfaces of electric contacts, besides the application in advanced studies, such as solar cells, transistors and organic light emitting diodes (OLEDs). In these devices, among the key parameters of the operation of the devices, stand out the electrode types, the morphology and the active layer organization in the solid state. The polythiophenes have wide use as active layer of organic devices in the form of thin films because of their easy processability and remarkable properties in solid state, such as increased electrical conductivity. The Langmuir-Schaefer (LS) technique is highlighted because it provides molecular organization and control in the thickness and uniformity in the fabrication of polythiophene thin films. In this context, the aim of this work was to fabricate LS films of poly (3-hexylthiophene) (P3HT) mixed with stearic acid (SA), to apply as an active layer in organic Schottky diodes in order to study the electrical properties of active layers and different interfaces through electrical characterization. A Langmuir trough KSV 5000 was used to fabricate the thin films (active layers) and to realize studies of pressure isotherms (π-A). By physical vapor deposition the bottom electrodes (ITO, aluminum and gold) and top electrodes (aluminum and gold) were obtained... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre

Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Biológicas, Programa de Pós-Graduação em Neurociências, Florianópolis, 2013. / Made available in DSpace on 2013-12-06T00:22:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 319268.pdf: 10421961 bytes, checksum: b13aea4c97b83748cdd4e6f36fc89111 (MD5) Previous issue date: 2013 / A terapia por diodo emissor de luz (LEDT, do inglês Light-EmittingDiode Therapy) tem sido clinicamente utilizada como uma alternativa àterapia com laser de baixa intensidade (LLLT) no tratamento de lesõesde tecidos moles, bem como no alívio da dor. No entanto, há umacarência de dados científicos sobre os possíveis mecanismos fisiológicose moleculares responsáveis pelo efeito da LEDT no controle da dor dediferentes etiologias. Neste contexto, o presente estudo procurou avaliara ação analgésica da LEDT em modelos de nocicepção aguda e crônicaem camundongos, bem como investigar alguns dos possíveismecanismos fotobiológicos envolvidos neste efeito. Na primeira série deexperimentos os camundongos foram submetidos ao modelo de dorneuropática induzida por esmagamento do nervo isquiático (ENI). Nosétimo dia pós-operatório, depois de determinar a dose analgésica(densidade de energia em Joules), a LEDT (950 nm, 80 mW/cm2, 2,5J/cm2) foi irradiada, diariamente, durante um período de 15 dias, na pelesobre o local do esmagamento do nervo. Em comparação com o grupocontrole (ENI), a LEDT reduziu a hipersensibilidade ao estímulomecânico induzida pelo ENI, mas não acelerou a recuperação funcionalmotora nem a regeneração do nervo afetado. Na segunda série deexperimentos, os camundongos foram submetidos ao modelo de dorpós-operatória induzida por incisão plantar (IP) e tratados com a LEDT(950 nm, 80 mW/cm2 irradiância) em densidades de energia de 1 a 13J/cm2. Os resultados demonstraram que o LEDT (950 nm, 80 mW/cm2),na densidade de energia de 9 J/cm2, apresentou os efeitos maissignificativos contra a hipersensibilidade ao estímulo mecânico. Alémdisto, foi demonstrado que a atividade analgésica da LEDT envolveu (1)a ativação de receptores opioides periféricos com, ao menos em parte, aparticipação de opioides secretados por leucócitos recrutados para o sítioda lesão, (2) a ativação da via L-arginina/Óxido nítrico e, (3) a ativaçãoperiférica e central de receptores adenosinérgicos A1 e canabinoidesCB1, bem como de receptores CB2 periféricos. Na terceira e última sériede experimentos, os camundongos submetidos ao modelo da Síndromeda dor complexa regional do tipo I (SDCR-I) induzida por isquemiareperfusão(IR) da pata foram tratados com a LEDT (950 nm decomprimento de onda, 80 mW/cm2 irradiância, 9 J/cm2). Os resultadosdemonstram que a LEDT reduziu significativamente ahipersensibilidade aos estímulos mecânico e ao frio. Além disso, otratamento com a LEDT aumentou os níveis da citocina antiinflamatóriaIL-10, sem afetar os níveis das citocinas IL-1ß, TNF-a eIL-1ra; e por fim, a LEDT promoveu a redução dos níveis demarcadores do estresse oxidativo (carbonilação de proteínas eequivalentes MDA) e o restabelecimento do sistema antioxidanteenzimático (enzimas superóxido dismutase e catalase). Em conjunto,estes resultados estendem dados da literatura sobre os mecanismossubjacentes ao efeito analgésico da terapia por diodo emissor de luz(LEDT) e sugerem que esta terapia pode ser um complemento útil para otratamento da dor de diferentes etiologias.<br> / Abstract : Light-Emitting Diode Therapy (LEDT) has been clinically used as analternative to low level laser therapy (LLLT) in the treatment of softtissue injuries as well as in pain relief. Nevertheless, there is a lackscientific data on the possible physiological and molecular mechanismsresponsible for LEDT control of pain of different etiologies. In thiscontext, the present study evaluated the analgesic activity of LEDT inmouse models of acute and chronic nociception, as well as investigatedsome of the possible photobiological mechanisms involved in this effect.In the first series of tests, mice were subjected to the sciatic nerve crushmodel (SNC) of neuropathic pain. On the seventh post-operative day,after determining analgesic dose (energy density in Joules), LEDT (950nm, 80 mW/cm2, 2.5 J/cm2) was irradiated, daily for a period of 15 days,on the skin over the crush site. Compared to control (SNC) group,LEDT reduced mechanical hypersensitivity induced by SNC but failedto accelerate motor functional recovery and nerve regeneration. In thesecond round of tests, mice were subjected to the plantar incision (PI)model of postoperative pain and treated with LEDT (950 nmwavelength, 80 mW/cm2 irradiance) in energy densities of 1 through 13J/cm2. The results demonstrate that LEDT (950 nm, 80 mW/cm2) at theenergy density of 9 J/cm2 presented the most significant effects againstmechanical hypersensitivity. Analyses of its mechanisms indicated thatLEDT analgesic activity involves, (1) activation of peripheral opioidreceptors with, at least in part, the recruitment of opioid-containingleukocytes to the PI site, (2) activation of the L-arginine/NO pathwayand, (3) activation of peripheral and central adenosinergic A1 andcannabinoid CB1 receptors, as well as peripheral CB2 receptors. In thethird and last round of tests, mice were submitted to the model ofComplex Regional Pain Syndrome Type I induced by paw ischemiareperfusionand treated with LEDT (950 nm wavelength, 80 mW/cm2irradiance, 9 J/cm2). The results indicate that LEDT significantlyreduced the behavioral signs of mechanical and cold hypersensitivity. Inaddition, the treatment increased the levels of the anti-inflammatorycytokine IL-10, without affecting (IL)-1ß, TNF-a and IL-1ra levels; aswell as decreased the levels of oxidative stress markers (proteincarbonyls and MDA equivalents) and of the antioxidant enzymaticsystem (superoxide dismutase and catalase). Taken together, theseresults extend previous literature data on the mechanisms behind theanalgesic effect of Low Level Light Therapy and suggest that this LEDTmight be a useful complement to the treatment of pain of differentetiologies.

Resumo: A detecção eletrônica eficaz de corrente polarizada em spin se mantém um importante desafio na spintrônica com semicondutores. Dentre as estratégias de abordagem desse tema se destaca a utilização da detecção óptica das correntes polarizadas em spin através de dispositivos emissores de luz com estrutura diodo, denominados Spin-LED. De acordo com as regras de seleção ópticas, a eficiência da emissão de luz polarizada nesses dispositivos depende da magnetização do eletrodo ferromagnético injetor ser paralela ao eixo de quantização do poço quântico imerso no diodo formador do dispositivo. Neste trabalho é descrito e discutido o desenvolvimento de um dispositivo emissor de luz na faixa do infravermelho próximo fabricado a partir de uma heteroestrutura semicondutora do tipo GaAs/AlGaAs, cuja operação dispensa a necessidade de aplicação de um campo magnético externo. Isso foi obtido através da otimização do estado remanente de um eletrodo ferromagnético injetor com anisotropia magnética perpendicular. Os eletrodos ferromagnéticos foram desenvolvidos utilizando a técnica de pulverização catódica. Eles consistem de sistemas de multicamadas Co/Ni, Co/Pt e CoFeB/Pt, integrados à heteroestrutura semicondutora através de uma camada de MgO que atua como uma barreira túnel entre o ferromagneto e o semicondutor. Um estudo preliminar foi realizado para obter multicamadas constituídas de bicamadas formadas por Co ou CoFeB e um metal Ni ou Pt, com espessuras x e y, respectivamente, repetidas Z vezes. Esses estudos foram realizados sobre substratos de SiO2 amorfo recobertos por uma camada buffer de Pt de 20 nm de espessura. Para se obter a anisotropia magnética perpendicular foram variadas as espessuras x e y das camadas, bem como o número de repetições Z. A caracterização magnética foi realizada através de microscopia de força magnética, magnetometria de gradiente de força alternante e magnetometria SQUID. Análises de microscopia eletrônica de transmissão em seção transversal foram usadas para calibrar as espessuras e confirmar a modulação química dos depósitos nas multicamadas. Esses resultados experimentais não indicam a formação de ligas nas interfaces. Diversas espessuras da camada buffer e tipos diferentes de substratos foram usados tendo em vista a obtenção de propriedades físicas favoráveis a maior eficiência dos dispositivos Spin-LED. Dispositivos completos foram fabricados usando multicamadas Co/Pt com camadas buffer de Pt de 0,4 e 0,6 nm de espessura. Medidas de eletroluminescência revelaram que dispositivos com camada buffer de Pt com 0,4 nm de espessura apresentam uma emissão com polarização da luz de aproximadamente 1,5 %, com a aplicação de um campo magnético de 500 Oe, à temperatura de 20 K. Os dispositivos com camadas buffer de Pt com espessura de 0,6 nm não apresentaram polarização da luz, provavelmente devido à camada de Pt não estar totalmente polarizada magneticamente. Dispositivos com uma fina camada de Fe de 0,3 nm de espessura entre a camada de MgO e a camada buffer de Pt de 0,6 nm exibiram anisotropia perperpendicular ao plano e apresentam uma polarização da luz de 3,5 % sem a aplicação de campo magnético externo, à temperatura de 20 K, mostrando a possibilidade de se fabricar dispositivos Spin-LED sem a aplicação de um campo magnético externo. Os resultados deste trabalho mostram também que, além dos dispositivos Spin-LED, dispositivos como o VCSEL (Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers) podem ser desenvolvidos, abrindo um leque para outras aplicações tecnológicas.

Resumo

Made available in DSpace on 2016-06-02T20:16:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 1737.pdf: 4171241 bytes, checksum: 8db4ae863172cce0df519cd880fe4ede (MD5) Previous issue date: 2007-02-27 / Financiadora de Estudos e Projetos / In this work, we have investigated spin polarization effects in asymmetric ntype resonant tunneling diodes (RTDs). When subjected to an external magnetic field parallel to the tunnel current, the Zeeman effect leads to the spin splitting of confined levels in the structure. The spin-dependent carrier injection on the asymmetric diode was investigated by measuring the left-and right-circularly polarized light emission intensities from the quantum well (QW) and contact layers as a function of the applied voltage. Under illumination, we observed distinct peaks in the current-voltage characteristics associated to the resonant tunneling of photoinduced holes and electrons through confined levels in the QW. The optical polarization and the spin splitting of the QW emission present a strong dependence on both the laser excitation intensity and the applied bias voltage. Depending on the laser excitation conditions, we have observed a signal inversion of the circular polarization from the QW. We have also evidenced the formation of a spin polarized two dimensional electron gas in the ntype contact. The results show that non-magnetic n-type RTDs can be used as voltagecontrolled spin filters for the development of spintronic devices. / Neste trabalho, estudamos os efeitos de polarização de spin em diodos de tunelamento resssonante (RTDs) assimétricos tipo n. Quando sujeitos a um campo magnético externo paralelo a corrente de tunelamento, o efeito Zeeman leva a um spin-splitting dos níveis confinados na estrutura. A injeção de portadores dependentes de spin em diodos assimétricos foi investigada através de medidas das intensidades de luz circularmente polarizada à direita e à esquerda do poço quântico (QW) em função da voltagem aplicada. Sob iluminação, observamos diferentes picos característicos na curva corrente-voltagem associados ao tunelamento ressonante de buracos foto-induzidos e elétrons através dos níveis confinados no QW. A polarização ótica e o spin-splitting da emissão do QW apresentam forte dependência com a intensidade de excitação do laser e com a voltagem aplicada. Dependendo das condições de excitação do laser, temos observado uma inversão no sinal da polarização circular do QW. Temos também evidenciado a formação da polarização de spin do gás bidimensional de elétrons no contato tipo n. Os resultados mostram que RTDs tipo n nãomagnéticos podem ser usados como filtros de spin controlados pela voltagem para o desenvolvimento de dispositivos spintrônicos.