Devido à inconfiabilidade do modelo EM-X?, no cálculo da energia total, consideramos uma correção na densidade de carga \"muffin-tin\". Com esta correção podemos ajustar a energia total, a partir de parâmetros definidos na teoria. O objetivo deste trabalho é o estudo da curva da energia total associada ao estado excitado do sistema GaAs: AsGa, quando o átomo substitucional de As se desloca na direção . Partindo de cálculos de primeiros princípios (LARGE UNIT CELL APPROACH), reproduzimos a curva da energia total do estado fundamental. A partir dos parâmetros encontrados na correção não \"muffin-tin\" da densidade de carga, calculamos a curva do estado excitado utilizando o conceito de estado de transição de Slater. Nossos resultados mostraram que o efeito Jahn-TeIler não ocorre para defeitos tipo antisítio. Vimos também que a curva do comportamento dos autovalores com o deslocamento do átomo substitucional, está de acordo com cálculos recentes encontrados na literatura. / Since total energy calculations within the Multiple Scattering-X? model are not reliable, a non \"muffin-tin\" correction to the charge density has been considered. With this correction the total energy can be adjusted through parameters defined in the theory. The aim of this work is to study the total energy curve of the excited state of the GaAs: AsGa system when the arsenic substitutional atom is displaced in the direction. As a first step, the ground-state total energy curve obtained from first-principles calculations (LARGE UNIT CELL APPROACH) was reproduced. From the parameters found for the non \"muffin-tin\" charge density corrections, we have calculated the excited-state total energy curve by using the Slater transition-state concept. Our results show that the Jahn-Teller effect is not expected to occur for antisite-like defects. Moreover, the obtained behavior of the eigenvalues with displacement of the substitutional atom is in fairly good agreement with recent theoretical calculations found in the literature.

Foi calculado microscopicamente a seção de choque total de reação para os sistemas ANTPOT. 12 C + ANTPOT. 12 C, ANTPOT. 1-2 C+ ANTPOT. 40 Ca, ANTPOT. 12 C + ANTPOT. 90 Zr, ANTPOT. 12 C + ANTPOT. 208 Pb, ANTPOT. 40 Ca + ANTPOT. 40 Ca, ANTPOT. 40 Ca + ANTPOT. 208 Pb, ANTPOT. 90 Zr + ANTPOT. 90 Zr, ANTPOT. 90 Zr + ANTPOT. 208 Pb e ANTPOT. 208 Pb + ANTPOT. 208 Pb numa ampla faixa de energia. Foi usada a expressão WKB para a defasagem imaginária, na representação do parâmetro do impacto. A parte imaginária do potencial óptico foi construída, usando o primeiro termo da teoria de espalhamento múltiplo, incorporando na sua expressão o principio de Pauli. A inclusão da interação nuclear e coulombiana mostrou ser importante. Os resultados teóricos não se apresentam em bom acordo com os poucos dados experimentais existentes, a baixas energias. Este resultado foi atribuído a fraca absorção contida no potencial imaginário, que contém o processo de knock-out quase-livre como mecanismo dominante de reação. / The total reaction cross section of the systems 12C +12C, 12C + 40Ca, 12C + 90Zr, 12C + 208 Pb, 40Ca + 40Ca, 40Ca + 208Pb, 90Zr + 90Zr, 90 Zr + 208 Pb and 20B Pb + 208 Pb for a wide range of energies has been calculated microscopically. A WKB expression for the imaginary part of the optical potential has been constructed by using the first term of multiple scattering theory with the effect of Pauli blocking incorporated into it. The inclusion of the nuclear and Coulomb interactions is shown to be important. The theoretical results do not show very good agreement with the experimental data at lower energies. This is attributed to the weak absorption contained in the imaginary potential of the tpApB interaction, wich contained only quasi-free knock-out as the dominant reaction mechanism.

Neste trabalho estudamos a estrutura eletrônica de defeitos pontuais em diamante , os quais introduzem níveis profundos na faixa proibida deste material. Utilizamos o modelo de aglomerado molecular dentro de dois formalismos: o Método do Espalhamento Múltiplo X (MS- X), que é um método de primeiros princípios e o método \"Complete Neglect of Differential Overlap\" (CNDO/ BW), que é semi-empírico. Foi empregado um tratamento adequado para os orbitais de superfície em cada um dos dois formalismos . Foram estudados dois sistemas: o Nitrogênio substitucional e a vacância simples. Para o Nitrogênio, analisamos as possíveis distorções associadas a este centro, procurando interpretar os resultados experimentais. A vacância simples mostrou-se ser um sistema bastante semelhante à vacância simples em Silício: em ambos os casos observa - se uma distorção Jahn-Teller. O modelo adotado mostrou- se capaz de descrever satisfatoriamente as estruturas eletrônicas dos dois centros estudados, fornecendo resultados quantitativos que são comparados com a experiência . / In this work we studied the electronic structure of point defects in diamond. To do this we used the molecular cluster model within two formalisms: the first-principles X Scattered wave method MS-X ) and the semiempirical Complete Neglect of Differential Overlap (CNOO/BW) method. In each case, an adequate surface orbitals treatment was utilized. We studied the following systems: the substitutional Nitrogen and the simple neutral vacancy. For the substitutional Nitrogen. We analyzed the possible distortion related to this center trying to interprete the experimental results. For the simple neutral vacancy in diamond. The results showed to be similar to the simple Silicon vacancy picture: In both cases we observed a Jahn-Teller distortion (lowering the symmetry of the center). The adopted model showed to be able to describe satisfactorily their electronic structures, and quantitative results are given, which are compared with the experimental data.

Neste trabalho estudamos a estrutura eletrônica de defeitos pontuais em diamante , os quais introduzem níveis profundos na faixa proibida deste material. Utilizamos o modelo de aglomerado molecular dentro de dois formalismos: o Método do Espalhamento Múltiplo X (MS- X), que é um método de primeiros princípios e o método \"Complete Neglect of Differential Overlap\" (CNDO/ BW), que é semi-empírico. Foi empregado um tratamento adequado para os orbitais de superfície em cada um dos dois formalismos . Foram estudados dois sistemas: o Nitrogênio substitucional e a vacância simples. Para o Nitrogênio, analisamos as possíveis distorções associadas a este centro, procurando interpretar os resultados experimentais. A vacância simples mostrou-se ser um sistema bastante semelhante à vacância simples em Silício: em ambos os casos observa - se uma distorção Jahn-Teller. O modelo adotado mostrou- se capaz de descrever satisfatoriamente as estruturas eletrônicas dos dois centros estudados, fornecendo resultados quantitativos que são comparados com a experiência . / In this work we studied the electronic structure of point defects in diamond. To do this we used the molecular cluster model within two formalisms: the first-principles X Scattered wave method MS-X ) and the semiempirical Complete Neglect of Differential Overlap (CNOO/BW) method. In each case, an adequate surface orbitals treatment was utilized. We studied the following systems: the substitutional Nitrogen and the simple neutral vacancy. For the substitutional Nitrogen. We analyzed the possible distortion related to this center trying to interprete the experimental results. For the simple neutral vacancy in diamond. The results showed to be similar to the simple Silicon vacancy picture: In both cases we observed a Jahn-Teller distortion (lowering the symmetry of the center). The adopted model showed to be able to describe satisfactorily their electronic structures, and quantitative results are given, which are compared with the experimental data.