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Efeitos de campo magnético dependente da posição em monocamadas e bicamadas de grafeno

Tavares, Iolanda Mariano January 2014 (has links)
TAVARES, Iolanda Mariano. Efeitos de campo magnético dependente da posição em monocamadas e bicamadas de grafeno. 2014. 61 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2014. / Submitted by Edvander Pires (edvanderpires@gmail.com) on 2014-08-29T20:03:29Z No. of bitstreams: 1 2014_dis_imtavares.pdf: 1789813 bytes, checksum: 19e9d8c74c0070b3688df783186393c0 (MD5) / Approved for entry into archive by Edvander Pires(edvanderpires@gmail.com) on 2014-08-29T20:26:50Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2014_dis_imtavares.pdf: 1789813 bytes, checksum: 19e9d8c74c0070b3688df783186393c0 (MD5) / Made available in DSpace on 2014-08-29T20:26:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2014_dis_imtavares.pdf: 1789813 bytes, checksum: 19e9d8c74c0070b3688df783186393c0 (MD5) Previous issue date: 2014 / Nos últimos anos o grafeno tem se mostrado um interessante objeto de investigação para cientistas ao redor do mundo, tanto pelas suas características peculiares bem como suas propriedades eletrônicas. Muitas pesquisas já foram realizadas com o intuito de desvendar esse ainda recém descoberto alótropo do carbono, já tendo rendido um prêmio Nobel em 2010. Aqui serão abordadas algumas dessas características do grafeno focando em suas propriedades estruturais de rede e também suas propriedades eletrônicas. Será estudada a interação dos férmions de Dirac, partículas relativísticas sem massa, sob a ação de um campo magnético externo em uma e duas camadas de grafeno, com base na teoria de Dirac para baixas energias e no modelo de aproximação tight-binding, comprovando equivalência entre os dois modelos. Escrevendo o Hamiltoniano para uma folha de grafeno configura-se um problema de autovalor, sendo possível obter a dispersão das bandas de energias do material e os chamados níveis de Landau, estes últimos originados pela preseça de um campo magnético perpendicular ao plano de interação. Em seguida esses mesmos passos serão realizados para o sistema de bicamada. Em adição, serão apresentados aqui os efeitos de um campo magnético dependente da posição, a fim de serem escritos os níveis de Landau. Este trabalho irá demonstrar assim, que um dos fatores que fazem o grafeno tão atrativo para pesquisa é justamente a interação de partículas neste material.
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Propriedades Eletrônicas de Dispositivos MOS Baseados em SiC

Oliveira, Erlania Lima de January 2005 (has links)
OLIVEIRA, Erlania Lima de. Propriedades Eletrônicas de Dispositivos MOS Baseados em SiC. 2005. 95 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2005. / Submitted by Edvander Pires (edvanderpires@gmail.com) on 2015-05-07T17:23:34Z No. of bitstreams: 1 2005_dis_eloliveira.pdf: 1943111 bytes, checksum: 4c7f59af1ab6ffe6fa88b03b1c341459 (MD5) / Approved for entry into archive by Edvander Pires(edvanderpires@gmail.com) on 2015-05-07T17:24:15Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2005_dis_eloliveira.pdf: 1943111 bytes, checksum: 4c7f59af1ab6ffe6fa88b03b1c341459 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-05-07T17:24:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2005_dis_eloliveira.pdf: 1943111 bytes, checksum: 4c7f59af1ab6ffe6fa88b03b1c341459 (MD5) Previous issue date: 2005 / O carbeto de silício (SiC) é considerado um material promissor para aplicações que demandam altas potências, altas freqüências, e para funcionamento em temperaturas elevadas e ambientes quimicamente hostis, condições nas quais as atuais tecnologias baseadas em Si e GaAs não oferecem performances satisfatórias. Esta versatilidade deve-se a características notáveis como grande gap de energia, alta mobilidade eletrônica, alta condutividade térmica, altos campos de ruptura dielétrica, estabilidade e resistência mecânica. Além disso, o SiC pode ser crescido em mais de 200 politipos envolvendo três estruturas cristalinas: cúbica (zincoblenda), hexagonal (wurtizita) e romboédrica. A vantagem mais significativa do SiC sobre outros semicondutores de gap largo é a capacidade de se crescer SiO2 termicamente, similar a do Si. Infelizmente, dispositivos baseados em SiC não podem competir com tecnologias baseadas em Si nas áreas de baixo custo, densidade funcional e temperaturas moderadas. Embora a tecnologia do SiC esteja evoluindo rapidamente, há ainda vários problemas a serem resolvidos como crescimento cristalino em larga escala, minimização de defeitos e otimização da performance dos dispositivos. A finalidade deste trabalho é desenvolver ferramentas teóricas e computacionais para a investigação das propriedades elétricas e eletrônicas de capacitores MOS baseados em SiC. O modelo físico utilizado baseia-se na solução das equações acopladas de Poisson e Schrödinger. Embora o modelo descrito seja geral o suficiente para ser aplicado em dispositivos mais complexos e geometrias tridimensionais, optou-se por um modelamento unidimensional, uma vez que os fenômenos físicos que regem o funcionamento básico de dispositivos MOSFET's podem ser perfeitamente capturados pelo modelamento unidimensional de capacitores MOS.
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Efeitos optoeletrônicos em copolímeros do fluoreno.

Silva, Márcio Marques da January 2014 (has links)
Programa de Pós-Graduação em Ciências – Física de Materiais. Departamento de Física, Instituto de Ciências Exatas e Biológicas, Universidade Federal de Ouro Preto. / Submitted by Oliveira Flávia (flavia@sisbin.ufop.br) on 2014-10-20T19:29:36Z No. of bitstreams: 1 DISSERTAÇÃO_EfeitosOptoeletrônicosCopolímeros.pdf: 3815571 bytes, checksum: b72e568a35fb4cb80d7f52a4e2d603e6 (MD5) / Approved for entry into archive by Gracilene Carvalho (gracilene@sisbin.ufop.br) on 2014-11-18T14:48:24Z (GMT) No. of bitstreams: 1 DISSERTAÇÃO_EfeitosOptoeletrônicosCopolímeros.pdf: 3815571 bytes, checksum: b72e568a35fb4cb80d7f52a4e2d603e6 (MD5) / Made available in DSpace on 2014-11-18T14:48:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DISSERTAÇÃO_EfeitosOptoeletrônicosCopolímeros.pdf: 3815571 bytes, checksum: b72e568a35fb4cb80d7f52a4e2d603e6 (MD5) Previous issue date: 2014 / Nesta dissertação de mestrado foram realizadas caracterizações ópticas, elétricas e estruturais de dois copolímeros do fluoreno a partir de cálculos baseados na Teoria do Funcional da Densidade (DFT) e semi-empíricos. As estruturas eletrônica, molecular, e a relação conformacional com algumas propriedades optoeletrônicas e espectroscópicas dos copolímeros baseados em fluoreno, poli[(9,9-dioctil-2,7-divinilenofluorenileno)-alt-co-(2-metoxi-5-(2-etilexiloxi)-1,4-fenileno)] e poli[(9,9-diexilfluorenil-2,7-diil)-alt-co-(2-metoxi-5-2-etilexiloxi-1,4-fenileno)], renomeados CF108 e CF136 respectivamente, foram analisadas iniciando por estruturas constituídas por uma unidade monomérica, e então expandidas até onze unidades. Tal procedimento foi realizado para investigar como o crescimento das cadeias oligoméricas (e consequente aumento da conjugação) influencia os espectros UV-Vis e as energias dos orbitais de fronteira, onde foram observados deslocamentos batocrômicos dos espectros e um decréscimo linear da diferença energética dos orbitais HOMO-LUMO. As distribuições HOMO e LUMO, energia total, momento de dipolo total foram investigados para cada molécula e fazem parte da caracterização optoeletrônica, onde uma análise detalhada das excitações do espectro de absorção eletrônico calculado teoricamente dos sistemas citados acima foi realizada, e verificou-se as transições envolvidas nos estados excitados característicos. A caracterização estrutural para os dois sistemas consistiu em analisar os efeitos da inclusão do grupo funcional vinil entre o fluoreno do monômero da molécula CF108, bem como o feito da variação dos ângulos diédros nas propriedades optoeletrônicas de ambos os sistemas. Observa-se que o vinil parece contribuir para a estabilidade energética do primeiro sistema supracitado em relação ao segundo. A magnitude do momento de dipolo total dos oligômeros CF136, em geral, é menor em comparação com os correspondentes do outro material. Contudo, as informações concernentes as correlações expostas acima tem papel central para a caracterização e otimização das propriedades de sistemas conjugados, o que pode ser denominado engenharia molecular. ______________________________________________________________________
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Estrutura eletrônica e propriedades magneto ópticas dos pontos quânticos de dissulfeto de molibdênio

Dias, Alexandre Cavalheiro 15 July 2016 (has links)
Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Instituto de Física, Programa de Pós-Graduação em Física, 2016. / Submitted by Fernanda Percia França (fernandafranca@bce.unb.br) on 2016-08-16T11:22:56Z No. of bitstreams: 1 2016_AlexandreCavalheiroDias.pdf: 8738859 bytes, checksum: e48f26fc263ba97c0a1ee2c71d971459 (MD5) / Approved for entry into archive by Raquel Viana(raquelviana@bce.unb.br) on 2016-08-25T20:48:19Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2016_AlexandreCavalheiroDias.pdf: 8738859 bytes, checksum: e48f26fc263ba97c0a1ee2c71d971459 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-08-25T20:48:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2016_AlexandreCavalheiroDias.pdf: 8738859 bytes, checksum: e48f26fc263ba97c0a1ee2c71d971459 (MD5) / Monocamadas de Dicalcogenetos de metais de transição (DCMT) possuem um gap direto na região de espectro visível, ideal para aplicação em optoeletrônica. A monocamada do bulk bidimensional de DCMT com geometria infinita exibe um forte confinamento unidimensional de portadores de carga, mas preserva a dispersão do tipo bulk no plano 2D. Em contraste, o ponto quântico (PQ) de DCMT é restrito nas três dimensões, as quais apresentam propriedades ópticas e eletrônicas ajustáveis ao tamanho, além das notáveis características relacionadas aos graus de liberdade do spin e do vale herdados dos materiais bidimensionais do tipo bulk. Assim PQs de DCMT são promissores blocos de construção em sistemas integrados de informação quântica, spintrônica e optoeletrônica. Nós obtivemos a energia efetiva do efeito Zeeman (EEZ) e o espectro de absorção magneto-óptico em PQs circulares de monocamadas de DCMT sujeitos a um campo magnético perpendicular fora do plano, mais especificamente o MoS2. Em contraste, a monocamada do bulk bidimensional de DCMT, os níveis de energia nos PQs de DCMT apresentam dependência não linear com o campo magnético aplicado. Conforme o aumento do campo magnético, os níveis evoluem de energias atômicas degeneradas no vale para níveis de Landau com quebra de simetria inverso temporal (SIT). Nós calculamos que a energia Zeeman do vale, a qual mede a separação entre os níveis de energia nos vales K e K', mostra uma dependência linear com o campo magnético, e seu sinal pode ser invertido através da mudança de direção do campo magnético aplicado. Notavelmente, a energia Zeeman no vale é robusta em relação ao tamanho do PQ. Além disso, nós também prevemos o espectro de absorção magneto-óptico em PQs de DCMT sob luz circularmente polarizada (CP) e luz linearmente polarizada (LP). Para luz CP, nós observamos um espectro de absorção com seleção do vale pela polarização, conforme mostrado na monocamada do bulk bidimensional. Entretanto, diferente da monocamada, a qual possui um espectro de absorção com freqüências fixas, tanto a intensidade como a freqüência de absorção podem ser ajustadas através da geometria do PQ em conjunto com o campo magnético. Além disso, para luz LP, nós achamos a absorção óptica dependente do spin mas sem a polarização do vale. _________________________________________________________________________________________________ ABSTRACT / Transition metal dichalcogenide (TMDC) monolayers have a direct band gap in the visible region of the spectrum, ideal for optoelectronic applications. The 2D monolayer bulk TMDCs with infinite geometry exhibit strong carrier confinement in one dimension but preserve the bulklike dispersion in the 2D plane. In contrast, a TMDC quantum dot (QD) is restricted in three dimensions which presents size tunable electronic and optical properties in addition to the remarkable characteristics related to spin-valley degree of freedom inherited from its 2D bulk materials. Thus TMDCs QDs are promising building blocks in integrated quantum information, spintronic and optoelectronic systems. We report effective valley Zeeman energy and magnetooptical absorption in monolayer TMDC circular QDs subject to an out-of-plane magnetic field, more specifically for MoS2 . In contrast to 2D monolayer bulk TMDCs, energy levels in the TMDC QDs display nonlinear dependence on applied magnetic field. As the magnetic field increases from zero, they evolve from valley degenerate atomic energy levels into time-reversal symmetry broken Landau levels. We find that the valley Zeeman energy, which measures the splitting between energy levels in K- and K’- valleys, shows a linear dependence on magnetic field and its sign can be reversed by changing the direction of applied magnetic field. Remarkably, the valley Zeeman energy is robust against dot size. Besides, we also predict the magneto-optical absorption spectra in TMDC QDs under both the circularly polarized (CP) and linearly polarized (LP) light fields. For the CP light, we observe an absorption spectrum with valley selected polarization, as reported in the 2D monolayer bulk. However, unlike the 2D monolayer bulk in which the absorption spectrum having a fixed frequency, both the intensity and frequency of the absorption can be tuned by the dot geometry in addition to by a magnetic field. Furthermore, for the LP light, we find the spin dependent but valley unpolarized optical absorption.
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Interações intra e intermoleculares do ácido úsnico com solventes e lipídios

NADVORNY, Daniela 25 July 2014 (has links)
Submitted by Isaac Francisco de Souza Dias (isaac.souzadias@ufpe.br) on 2016-07-20T18:00:28Z No. of bitstreams: 2 license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) Defesa_correcao_corr_Bosco_15_03_2016.pdf: 4061675 bytes, checksum: 8743227197edae9f7c05175b6e7b5dc7 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-07-20T18:00:28Z (GMT). No. of bitstreams: 2 license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) Defesa_correcao_corr_Bosco_15_03_2016.pdf: 4061675 bytes, checksum: 8743227197edae9f7c05175b6e7b5dc7 (MD5) Previous issue date: 2014-07-25 / FACEPE / O ácido úsnico (AU) é um metabólito secundário encontrado em diversas espécies de liquens, organismos resultantes da simbiose entre algas e fungos. Este composto tem sido amplamente estudado devido as suas propriedades farmacológicas observadas in vitro, tais como atividade antimicrobiana, antimicótica e antitumoral. Apesar de exibir potencial medicinal, sua hepatotoxicidade tem limitado sua utilização em estudos em vivo. Isto se deve, principalmente, pelo seu caráter hidrofóbico, fato que remete a necessicade de uso de outros solventes diferentes da água. Para contornar o problema de toxicidade, lipossomas formados por lipídios como DPPC e DOPC tem sido empregados com sucesso. Neste trabalho, o AU foi estudado por métodos computacionais de estrutura eletrônica e de dinâmica molecular para acessar informações sobre sua estrutura, estados de desprotonação e interação com solventes e com lipídios. Dentre as diversas estruturas propostas na literatura, nossos resultados indicaram uma mais estável, a qual denominamos AU-enol. Com relação aos solventes analisados a água e o DMSO praticamente não interagem com o AU. Por outro lado, o metanol apresentou um melhor perfil de formação de camadas de solvatação e maior tempo de vida médio de interação com o AU neutro que os demais solventes analisados (H2O e DMSO). A água interage de maneira levemente maior, enquanto o metanol e o DMSO praticamente não modificam suas interações com a forma desprotonada do AU (AUiônico) quando comparados com a forma neutra. Quando o AUiônico interage com os lipídios DPPC e DOPC observam-se nestes uma transição de fase lamelar para não-lamelar. / Usnic acid (UA) is a secondary metabolite found in many lichens, composite organisms comprised by the symbiotic association of fungus and algae or cyanobacteria. In vitro studies have reported a number of pharmacological properties of UA, such as antibacterial, antimycotic and antineoplasic. Despite its therapeutic potential, hepatotoxicity has limited its use. To overcome this problem, liposomes have been used to deliver UA to specific targets. In this work, electronic structure and molecular dynamics calculations were performed to address the tautomeric state of UA and its interactions with different solvents (water, methanol and DMSO) and lipids. Our results indicate that, from the many reported structures in the literature, the enolic form is the most stable. Moreover, the neutral form of UA is not soluble in water and DMSO. This is in agreement with the fact that UA assumes a deprotonated form in water and moderately high dielectric solvents. This anionic form of UA was verified to promote a lamellar to nonlamellar transition in DPPC and DOPC membranes, revealing the initial steps underlying the mechanism for the formation of UA-containing liposomes.
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Acoplamento gama -X em heteroestruturas

Resende, Ximenes Rocha 18 December 1995 (has links)
Orientador: Jose Antonio Brum / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-20T22:01:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Resende_XimenesRocha_M.pdf: 2188818 bytes, checksum: 081e5c734241d1fd7bfb5f31ef4960fd (MD5) Previous issue date: 1995 / Resumo: Neste trabalho, estendemos o formalismo de Massa Efetiva e Função Envelope aplicado ao cálculo de heteroestruturas para incluir acoplamento entre vales de pontos distintos da zona de Brillouin. Em particular , estudamos a simetria do acoplamento G -X e aplicamos o formalismo desenvolvido ao problema de Excitons confinados em poços quânticos G -X acoplados. analisamos a transição sistema direto/sistema indireto mediada por um campo elétrico externo e calculamos, em função deste campo, alguns parâmetros que são importantes para a dinâmica excitônica neste materiais: massa efetiva perpendicular à interface, dispersão de estados, força de oscilador / Abstract: In this work we have extended the Effective Mass and Envelope Function approximation applied to heterostructures to address the problem of mixing among different valleys in the Brillouin zone. We have studied specifically the symmetry of G -X mixing and we applied the developed model to treat confined excitons in coupled G - X quantum wells. We analyzed the transition between direct and indirect system assisted by an external electric field and calculated some parameters, as a function of this field, that are important to excitonic dynamics: effective mass perpendicular to interfaces, dispersion of states, oscillator strength / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Estudo da estrutura eletrônica de copolímeros de polianilina

Giro, Ronaldo 22 July 2000 (has links)
Orientador: Douglas Soares Galvão / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-26T17:19:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Giro_Ronaldo_M.pdf: 1590723 bytes, checksum: 2115e6890faa325129b58cd2cff2548c (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: Os polímeros condutores (PC) constituem uma nova classe de materiais com propriedades incomuns. PC são intrinsicamente isolantes elétricos, mas quando submetidos à dopagem química, sua condutividade varia muitas ordens de magnitude. Alguns desses materiais apresentam uma transição para o regime metálico bem definida. Após muitos anos de investigações teórica e experimental, alguns mecanismos relacionados à condutividade desses materiais ainda não são muito bem entendidos e uma condição ideal para se produzir novos e melhores materiais da classe dos polímeros condutores ainda não foi obtida. Neste trabalho nós investigamos as propriedades eletrônicas e conformacionais de oligômeros da PAN (polianilina), PPS (polifenilenosulfeto) e de copolímeros formados pela combinação da PAN com o PPS, como o PPSA (polifenilenosulfideamina). Nós investigamos as estruturas conformacionais da PAN, PPS e PPSA nos estados neutros e carregados ( ±1, ±2) usando o método semi-empírico PM3 (Parametric Method 3). Nós caracterizamos a extensão e as geometrias dos defeitos conformacionais (polarons e bipolarons) e sua estabilidade relativa. Nós também investigamos o efeito da desordem na estrutura eletrônica dos copolímeros formados pelas ligas binárias e ternárias. Neste estudo nós utilizamos o método do NFC (Negative Factor Counting) acoplado com o método de Hückel . Nossos resultados mostraram que é possível obter copolímeros com propriedades condutivas melhores que os polímeros puros, contudo, a expectativa de obtenção de compostos metálicos não nos parece possível / Abstract: Conducting polymers (CP) constitute a new class of materials wih unusual properties. CP are intrinsically electric insulators but upon chemical doping their conductivity can vary many orders of magnitude with some of them presenting a well defined transition to metallic regime. In spite of many years of theoretical and experimental work some mechanisms related to their conductivity are not well understood and na ideal "recipe" to produce new and better compounds has not be obtained. In this work we have investigated the electronic and conformational properties of oligomers of PAN (polyaniline), PPS (polyphenylenesulfide) and the copolymers formed by combining them PPSA (polyphenylene sulfide-phenyleneamine). We have investigated the conformational structures of PAN, PPS and PPSA in their ground and charged states ( ±1, ±2) using the weel-known PM3 (Parametric Method 3) method. We have characterized the conformation and extension of geometric defects (polarons and bipolarons) and their relative stability. We have also investigated the rule played by desorder in the electronic behavior of these binary and ternary alloys. We have used the NFC (Negative Factor Counting) copled to the Hückel method. Our results show that it is possible to obtain good conductive copolymers but the expected metallic regime is unlikely to occur / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Aplicação de métodos semiempíricos ao estudo da estrutura eletrônica de compostos bioativos

Espirito Santo, Larissa Lima do 17 August 2001 (has links)
Orientador: Douglas Soares Galvão / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-01T15:12:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 EspiritoSanto_LarissaLimado_D.pdf: 1007225 bytes, checksum: 21fa1fa977bf1b1d148fcf9547492830 (MD5) Previous issue date: 2001 / Resumo: Na primeira parte desse trabalho apresentamos estudos de estrutura-atividade realizados em uma série de compostos com atividade biológica anticancerígena (derivados do lapachol, da talidomida e das mitomicinas). As caracterizações geométrica e eletrônica desses compostos foram obtidas através de métodos de mecânica molecular e de métodos semiempíricos. Foi possível correlacionar a resposta biológica dos compostos analisados com alguns índices eletrônicos. Em particular, empregamos com êxito uma nova metodologia desenvolvida para tratar o problema da correlação estrutura geométrica com atividade biológica, denominada Metodologia de Índices Eletrônicos. Em uma segunda parte desse trabalho avaliamos a estabilidade genética de seqüências de repetições de nucleotídeos presentes em regiões do DNA, através do método de mecânica molecular AMBER. Concluímos que seqüências formadas por bases ordenadas (microssatélites) possuíam uma estabilidade energética menor do que seqüências formadas por bases distribuídas aleatoriamente sobre a cadeia de DNA / Abstract: In a first part of this work we present structure-activity studies in a compound series with anti-cancer biological activity (derived from lapachol, thalidomide and mitomycins). The geometric and electronic characterizations of these compounds had been gotten through semiempirical and molecular mechanics methods. We could relate the biological response for analyzed compounds with some electronic index. In particular we successfully used a recently developed methodology to study the correlation between geometric structure and biological activity, called Electronic Index Methodology. In a second part of this work we evaluated the genetic stability of replicated sequences of nucleotides found in DNA regions through the method of molecular mechanics AMBER. We found that sequences formed by repeated base pairs have worse genetic stability when compared against random sequences of DNA / Doutorado / Física / Doutora em Ciências
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Estudo da estrutura eletrônica de ligas NiCu por espectroscopia de elétrons excitados por raio-X

Barbieri, Paulo Fernando 15 May 2002 (has links)
Orientador: Richard Landers / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-08-02T18:06:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Barbieri_PauloFernando_M.pdf: 3423247 bytes, checksum: 55d30fb56df903e485b1524aced9668b (MD5) Previous issue date: 2002 / Resumo: Neste trabalho propomos a estudar a estrutura eletrônica de ligas Ni1-xCux em diversas concentrações (0 £ x £ 1) usando espectroscopia de elétrons de fotoemissão (XPS) e elétrons Auger (XAES). O principal objetivo é verificar a transferência de carga entre Cu e Ni quando estes elementos formam as ligas. O trabalho consistiu em medir e comparar as energias de caroço dos níveis 2p3/2 do Cu e do Ni, em metal puro e nas ligas, e também as energias dos elétrons Auger L3M45M45 do Cu. O estudo foi baseado em um modelo teórico, indicando que os deslocamentos de energia dos picos de caroço e dos picos Auger, são consequência da mudança do números de estados ocupados na banda e da mudança do nível de Fermi. Os resultados foram analisados e discutidos usando um terceiro elemento, o Au, para formar liga em baixa concentração com o Ni e com o Cu. As conclusões encontradas para a estrutura eletrônica do Cu, indicaram que ele não muda para as concentrações maiores ou igual a 35%, dentro do erro experimental, possuindo aproximadamente uma mesma energia de Fermi nas ligas e no metal puro. Para as concentrações de 15 e 10% de Cu nas ligas, os resultados indicam que o Cu tem uma diminuição do nível de Fermi na liga em relação ao metal puro. Para o Ni, as informações de sua estrutura eletrônica necessitaram do auxílio de cálculos atômicos. Os resultados obtidos indicam uma pequena redistribuição interna das cargas de valência do Ni onde frações de elétrons identificados como sp passam a ocupar estados d quando diminuimos a concentração de Ni. Através dos resultados foi estimado que o nível de Fermi do Cu é maior que o do Ni na ordem de 0,3 eV. Por fim, concluiu-se que a transferência de elétron entre o Cu e o Ni deve ser menor que 0,1 elétron / Abstract: In this work we propose to study the electronic structure of Ni1-xC ux alloys with various concentration (0 £ x £ 1) using photoemission (XPS) and Auger electron spectroscopy (XAES).The main objective is to verify the charge transfer between the Cu and Ni atoms, when these elements form alloys. We measured and compared core level energies (2p3/2) of Cu and Ni, in the pure metals and the alloys, and also energies of the Auger electrons L3M45M45 of Cu. The theoretical model used, correlated the energy shifts of core peaks and Augers peaks to Fermi energy and changes in the ocuppation of valence states. "Auxiliary" alloys contaning low concentrations of Au with Ni and Cu were also used in our tests for charge transfer. The results for Cu showed almost no change in its electronic structure, also we observed that within our experimental error the Fermi level was the same for the alloys as for pure Cu up to 35% of Cu in alloys. For smaller concentration, the results show that Fermi level decrease in alloy in relation to pure Cu in order 0.3 eV. For Ni, our results showed that an internal redistribution of electrons in the valence band with transfer from sp states to d states, when we decrease Ni concentration. To quantify this redistribution we used atomic calculations, which indicate that the redistribution was of the order of tenths of an electron / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Estrutura eletrônica de folhas de grafeno onduladas

Melo, Bruno Max de Souza 27 March 2017 (has links)
Submitted by Biblioteca do Instituto de Física (bif@ndc.uff.br) on 2017-03-27T20:32:00Z No. of bitstreams: 2 license_rdf: 0 bytes, checksum: d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e (MD5) dissertacaoBruno.pdf: 5566949 bytes, checksum: 1e1f5772bfc6a49b733fadfe610fee70 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-03-27T20:32:00Z (GMT). No. of bitstreams: 2 license_rdf: 0 bytes, checksum: d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e (MD5) dissertacaoBruno.pdf: 5566949 bytes, checksum: 1e1f5772bfc6a49b733fadfe610fee70 (MD5) / Existe um grande interesse por mecanismos que permitam a abertura e o controle de gaps na estrutura de bandas do grafeno, pois essa característica é fundamental para aplicações deste material na eletrônica. Diversas maneiras de se alcan car este objetivo já foram propostas, por em, em muitos casos, problemas relacionados com a presença de desordens como impurezas e defeitos de bordas (caso das nanofitas de grafeno) prejudicam seriamente a mobilidade eletrônica no grafeno. Mecanismos que não introduzam estes tipos de problema na estrutura de bandas do grafeno, como deformações no plano e também corrugações na folha de grafeno tem atraído forte atenção dos pesquisadores. Tais propostas são denominadas "band gap engineering" e/ou "strain engineering". Nosso estudo analisa criticamente como se modifica a estrutura de bandas na presen ca de um campo de deformações e também na presença de ondulações. Para isso, calculamos a estrutura de bandas de folhas de grafeno onduladas usando o modelo de ligações fortes, o limite contínuo de baixas energias (hamiltoniano de Dirac) e comparamos com resultados de c alculos de primeiros princípios (density functional theory, DFT). Os cálculos foram feitos para ondulações de comprimentos de onda longo e curto, sendo que, para as primeiras foram ainda estudadas as situações com e sem relaxação in-plane dos átomos na célula unitária. Além disso calculamos a estrutura de bandas de folhas de grafeno submetidas a uma deformação no plano da folha. Concluímos que para deformações suaves e no plano da folha o modelo de ligações fortes reproduz com grande precisão os resultados de DFT, enquanto que a teoria de perturbação usando o limite contínuo (hamiltoniano de Dirac) funciona apenas qualitativamente. Para deformações com grandes curvaturas o modelo de ligações fortes deixa de ser eficiente. / There is a great interest in nding methods that allow for opening and tuning gaps in the band structure of graphene, since this is a fundamental feature for applications of graphene in electronics. Several attempts of achieving this goal have already been proposed in the literature. However in most of the proposals problems appear due to the presence of disorder, such as impurities, edge roughness (as is the case of graphene nanoribbons) that seriously a ect the electronic mobility in graphene. Mechanisms that not introduce these kind of problems in the band structure of graphene such as in plane deformations and corrugations in the graphene sheet, have attracted great attention. Such suggestions are called band gap and/or strain engineering. Our study critically analyzes how the band structure changes in the presence of a deformation eld and in the presence of ripples. For this purpose, we calculate the band structure of rippled graphene sheets using the tight-binding model, its low energy continuum limit (Dirac hamiltonian) and compare with DFT results. We analyze two regimes: long and short wavelength ripples. For the former we study the cases with and without in-plane relaxation of the atoms in the unit cell. Besides, we study graphene sheets with only in-plane deformations. We conclude that for smooth deformations (with small curvatures) the tight-binding approximation reproduces with great accuracy the DFT results, while the low energy efective Hamiltonian gives only good qualitative results. For strong deformations (large curvatures) the tightbinding approach is no longer eficient.

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