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201

Propriedades ópticas e magnéticas de materiais de interesse para spintrônica

Ferreira, Ana Lucia 25 September 2012 (has links)
Resumo
202

Filmes finos de carbono amorfo hidrogenado depositados por plasma DC pulsado melhorado por confinamento eletrostático : teoria e prática

Dufrène, Solveig Maria Marleen 28 August 2013 (has links)
Neste trabalho, filmes finos de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H) foram depositados usando uma técnica simples, de baixo custo e eficiente de deposição em fase vapor assistida por plasma DC pulsado melhorada por confinamento eletrostático através de uma geometria de cátodo oco segmentado. Foram utilizados metano e acetileno como precursores gasosos. A microestrutura e a espessura dos filmes depositados foram estudados por Microscopia Eletrônico de Varredura (MEV). A composição química foi caracterizada por Espectroscopia de raios X por dispersão de energia (EDX, Energy Dispersive X-ray spectroscopy) e ERDA. A estrutura dos filmes foi investigada por Espectroscopia Raman. As propriedades mecânicas foram estudas por nanoindentação. Os filmes finos de carbono amorfo hidrogenado obtidos a 600V e 800V são homogêneos em termos de conteúdo de carbono e hidrogênio. Segundo a Espectroscopia Raman, a dureza do filme fino evolui de maneira linear com ambos a posição do pico G e a razão ID/IG e pode vir a estar associado à diminuição do tamanho de agregados grafíticos na matriz de a-C:H. Além disso, a dureza depende com as condições de trabalho como a tensão e a pressão total de trabalho. A amostra com maior dureza (14,38 GPa ± 1,44GPa) foi obtida em uma tensão de 800V e uma pressão de 15Pa. Não há mudança significativa da dureza quando a proporção de metano for variada. O uso de acetileno rendeu filmes finos com durezas menores àquelas obtidas com metano. Por fim, um modelo físico de espalhamento é proposto para avaliar a energia média de chegada dos íons carbonetos no filme fino de a-C:H como uma função dos parâmetros de processo como pressão e tensão. Esse modelo permite estabelecer uma relação entre a energia média dos íons carbonetos e a dureza dos filmes finos, e fornece uma ferramenta simples e eficaz para estimar a dureza final dos filmes finos de carbono amorfo hidrogenado, em particular os com propriedades de DLC, como uma função dos parâmetros de processo. / Submitted by Marcelo Teixeira (mvteixeira@ucs.br) on 2014-06-24T13:34:42Z No. of bitstreams: 1 Dissertacao Solveig Maria Marleen.pdf: 4177575 bytes, checksum: 704de798816b9bf50f3de459a576243c (MD5) / Made available in DSpace on 2014-06-24T13:34:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dissertacao Solveig Maria Marleen.pdf: 4177575 bytes, checksum: 704de798816b9bf50f3de459a576243c (MD5) / In this work, amorphous hydrogenated carbon (a-C:H) thin films were deposited using a simple, low cost and efficient pulsed DC - plasma-enhanced chemical vapor deposition technique improved by electrostatic confinement provided by a segmented hollow cathode arrangement. Methane and acetylene were used as gaseous precursors. The microstructure and the thickness of the deposited films were studied by Scanning Electron Microscopy. The chemical composition was characterized by Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy and Elastic Recoil Detection Analysis. The structure of the films was investigated by Raman Spectroscopy. Mechanical properties were studied by Nanoindentation. Hydrogenated amorphous carbon thin films obtained with 600V and 800V are homogenous in terms of carbon and hydrogen contents along the film. According to Raman spectra, the thin film hardness depends linearly on both G peak position and ID/IG ratio and can be associated to a diminution of clusters size in the a-C:H matrix. Moreover, the hardness linearly depends on the working conditions such as power supply voltage and total working pressure. The sample with the highest hardness (14GPa ± 1,44GPa) was obtained by a voltage of 800V and a pressure of 15Pa. There are no significant changes on hardness when the proportion of methane is varied. The use of acetylene led to thin films with hardness lower than those obtained with methane. Finally, a physical scattering model is proposed to estimate the mean ion energy of carbonaceous species arriving on a-C:H thin films as a function of processing parameters as pressure and voltage. This model allows to develop a relationship between the mean ion energy of carbonaceous species and the hardness of thin films, and provides a simple and powerful tool to estimate the final hardness of amorphous hydrogenated carbon thin films, in particular those with properties of DLC, as a function of processing parameters.
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Propriedades fisico-químicas, mecânicas e treibológicas de filmes finos de Si3N4 contendo MoS2

Trentin, Ronaldo Echer 29 August 2013 (has links)
Um dos objetivos da engenharia de superfícies, dentre outros, é combinar as propriedades físico-químicas, tribológicas e mecânicas das superfícies dos materiais visando obter propriedades específicas para esses, como, uma elevada dureza, baixo coeficiente de atrito e elevada resistência ao desgaste, associadas a características estruturais que permitam a conservação dessas propriedades em diferentes condições de trabalho através do desenvolvimento de revestimentos e/ou filmes finos. Neste trabalho foram estudados revestimentos compostos por Si3N4 e MoS2 co-depositados sobre carbono e silício através de reactive magnetron sputtering, a uma temperatura de 150°C variando o conteúdo de MoS2 nas amostras de 0, 0,1, 0,3, 0,4 e 0,6% at. Diversas técnicas para caracterização das propriedades dos sistemas foram utilizadas. As amostras também foram caracterizadas antes e após tratamento térmico a 400°C durante 24h. Os filmes apresentaram razões de composição de Si/N de 0,74 e Mo/S de 0,5, ou seja, estequiométricos, além de serem amorfos e homogêneos em perfil e conterem mínimas quantias de contaminantes. Para Si3N4 puro à temperatura ambiente obteve-se dureza de 17,1 ± 2,8 e para a amostra de Si3N4 com 0,1% at de MoS2 a dureza atingida foi de 23,5 ± 2,0, representando um aumento de 37% no valor da dureza. O processo de tratamento térmico das amostras estimulou a difusão dos elementos químicos constituintes do filme composto e pode ser associado às mudanças mecânicas e tribológicas observadas após tratamento térmico. A amostras com incorporação de MoS2 apresentaram queda de até 55% no coeficiente de atrito em relação a amostra de Si3N4 puro. / Submitted by Marcelo Teixeira (mvteixeira@ucs.br) on 2014-06-24T13:43:27Z No. of bitstreams: 1 Dissertacao Ronaldo Echer Trentin.pdf: 6935681 bytes, checksum: 1951345fe4c21ebe32f9590911f65185 (MD5) / Made available in DSpace on 2014-06-24T13:43:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dissertacao Ronaldo Echer Trentin.pdf: 6935681 bytes, checksum: 1951345fe4c21ebe32f9590911f65185 (MD5) / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / One of the purposes of surface engineering is to combine physical-chemical, tribological and mechanical properties of materials aiming high hardness, low friction coefficient and high wear resistance, associated with structural features that permit conservation of such properties under different work conditions, by means of the development of coatings and/or thin films. In this work were studied coatings composed of Si3N4 and MoS2 co-deposited on carbon and silicon by means of reactive magnetron sputtering, at a temperature of 150°C with variable contents of MoS2 in the samples of 0, 0.1, 0.3, 0.4 and 0.6 at%. Several characterization techniques were used to assess system properties. Samples were also characterized before and after thermal treatment at 400°C for 24h. The films presented compositional ratios of 0.74 for Si/N and 0.5 for Mo/S, that is, stoichiometric composition, besides being amorphous and homogeneous in profile and containing minimal amounts of contaminants. For pure Si3N4 at room temperature a hardness of 17.1 +- 2.8 GPa was obtained, and for the Si3N4 sample with 0.1 at% of MoS2 a hardness of 23,5 +- 2.0 GPa was achieved, representing an increase of 37% in hardness. The thermal treatment process of samples stimulated diffusion of chemical elements of the composed film and can be associated to changes in mechanical and tribological properties observed after such treatment. Samples with MoS2 addition presented decreases up to 55% in the friction coefficient compared to the pure Si3N4 sample.
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Obtenção e caracterização de filmes de PHB utilizando a técnica de solution blow spinning /

Sakamoto, Fabiana Carneiro. January 2013 (has links)
Orientador: José Antonio Malmonge / Banca: Adriana Campos Passanezi Sant'ana / Banca: Marcia Regina de Moura Aouada / Resumo: Membranas fibrosas de PHB foram obtidas através da técnica de fiação por sopro em solução (solution blow spinning) utilizando solução PHB/clorofórmio nas concentrações: 8%, 10% e 12% (m/v) e diferentes pressões do ar de arraste (P) tais como: 120, 140,160 e 200kPa. As taxas de injeção da solução (β) foram: 110,135 e 150μL/min. Pela análise de microscopia eletrônica de varredura (MEV) verificou-se que o diâmetro das fibras aumenta com o aumento da concentração de PHB na solução quando a taxa de injeção da solução e a pressão foram mantidas constantes. Este é o parâmetro que mais influencia a morfologia das fibras. O diâmetro médio dessas fibras variou em um intervalo de 0,5 - 1,7μm. Observou-se através da técnica de calorimetria exploratória diferencial (DSC) que houve um pequeno deslocamento dos picos referentes às temperaturas de fusão do PHB, no segundo aquecimento, para valores menores quando comparados com os picos do primeiro aquecimento em razão da degradação do PHB. Com o aumento da concentração da solução os valores das temperaturas de fusão do PHB são deslocados para valores menores. O grau de cristalinidade das membranas fibrosas aumenta ligeiramente com a diminuição da concentração, mas sem alterar sua estrutura cristalina. A porosidade mostrou ser dependente dos fatores analisados, porém a variável com maior influência é a concentração. A porosidade, também, é um bom indicador para a difusão da glicose através da membrana, mas não é determinante, já que não se pode indicar se existe interconectividade entre esses poros ou se uma manta densa é formada. Com o aumento da concentração, para uma dada pressão e vazão, há um aumento da porosidade e, conseqüentemente, da permeabilidade da glicose através da membrana que está relacionado ao aumento... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: PHB fibrous membranes were obtained by solution blow spinning technique using PHB/Chloroform solution with different concentrations such as; 8%, 10% and 12% (w/v), different air pressure (P) (120,140,160 and 200kPa) and different solution injection rate (β) (110, 135 and 150 μL/min). Evaluating scanning electron microscopy (SEM) images of PHB membranes it can observed that the diameter of the fibers increases with increasing concentration when air pressure and injection rate were kept constant. Fibers morphology is most affected by concentration. The mean diameter of these fibers obtained were in the range of 0.5 and 1.7 μm. DSC curves showed a displacement of melting temperature peak on second heating in comparison to the first heating peak due to PHB degradation. PHB membranes melting temperature decrease when solution concentration increases. Fibrous membranes cristallinity degree lightly increases when the concentration decrease, but there is no changing in the cristaline structure. All the analyzed factors affect porosity, however the concentration is the most important one. Porosity is also a good indicative of the diffusion of glucose though the membrane, although it is not determinant since it is not possible to conclude if exists interconectivity between pores. When air pressure and the solution injection rate were kept constant and concentration was increased, porosity was higher and diffusion coefficient was higher as well due to the increasing in fibers diameter. The higher permeability observed... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre
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Estudo das características física do filme diamante CVD para utilização em coletores solares /

Dornelas, Leonardo Nunes. January 2011 (has links)
Orientador: Teófilo Miguel de Souza / Banca: Celso Eduardo Tuna / Banca: Osiris Canciglieri Junior / Resumo: Visando o conforto e a economia, a ciência, hoje, desenvolve tecnologias capazes de preservar o meio ambiente, diminuindo a perda de energia no processo e na utilização dessas novas técnicas, de forma a garantir um manuseio ecologicamente correto, sem deixar de atender as necessidades do homem. Uma técnica alternativa é o aproveitamento da energia proveniente do sol, que ainda é pouco explorada, podendo ser mais utilizada em coletores solares através do uso de novos materiais. Para isso, o objetivo deste trabalho é comparar o rendimento térmico e o coeficiente global de transferência de calor de materiais como cobre, alumínio e do filme de diamante CVD sobre o silício, pois essas grandezas são essenciais para a caracterização de um bom trocador de calor. Mediante pesquisa experimental foi possível observar que o filme de diamante CVD sobre o silício, mesmo com uma camada muito fina de deposição de filme, mostrou-se mais eficiente no processo de transmissão de calor quando comparado com o cobre e o alumínio / Abstract: To ensure the comfort and economy, science now develops technologies to preserve the environment by reducing energy loss process and the use of these new techniques, to ensure an environmentally friendly handling, while meeting the needs of man. An alternative technique is the use of energy from the sun, which is not explored and may be used in most solar collectors through the use of new materials. For this, the objective is to compare the thermal efficiency and overall coefficient of heat transfer materials such as copper, aluminum and CVD diamond film on silicon, since these quantities are essential for the proper characterization of a heat exchanger. Through experimental research we observed that the CVD diamond film on silicon, even with a very thin film deposition, was more efficient for heat transfer when compared with copper and aluminum / Mestre
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Análise morfológica de filmes finos de óxido de zinco /

Rosa, Andressa Macedo. January 2013 (has links)
Orientador: José Roberto Ribeiro Bortoleto / Banca: Tersio Guilherme de Souza Cruz / Banca: Rogério Pinto Mota / O Programa de Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi da Unesp / Resumo: Neste trabalho, foram realizadas duas séries de deposição de filmes finos de ZnO crescidos sobre substrato de vidro pela técnica de RF magnetron sputtering reativo. Na primeira, investigou-se a influência da temperatura nas propriedades dos filmes crescidos no intervalo de temperatura de 50 a 250ºC. Posteriormente, na segunda série, investigou-se a evolução da dinâmica de crescimento destes filmes com o tempo através dos expoentes de escala com a finalidade de identificar os mecanismos superficiais presentes. Para isso, foram depositados filmes finos de ZnO crescidos na temperatura do substrato de 100ºC, variando o tempo de deposição de 0 a 120 min. As propriedades estruturais e ópticas dos filmes foram analisadas por difratometria de raios-X e espectroscopia no ultravioleta-viável, respectivamente. A partir disso, foi possível determinar a orientação cristalográfica, a tensão residual, o tamanho de grão, a espessura e os parâmetros ópticos dos filmes como transmitância média, energia de gap óptico e índice de refração n. As propriedades morfológicas foram investigadas pela microscopia de força atômica e eletrônica de varredura. Assim, as imagens de AFM foram usadas para determinar a rugosidade superficial, para calcular o comprimento lateral, consequentemente, encontrar o expoente de crescimento B e o expoente que define a evolução do comprimento de onda característico da superfície p. A composição química e a densidade superficial dos filmes de ZnO crescidos em diferentes temperaturas do substrato foram determinadas pela espectroscopia de retro espalhamento Rutherford / Abstract: In this workm two series of grown ZnO thin films deposition on glass substrate by reactive RF magnetron sputtering technique were performed. At first, the influence of temperature on the properties of the grown films in the temperature range from 50 to 250ºC was investigated. In the second series, the evolution of the growth dynamics of these films with the time was analyzed using scaling concepts in order to identify the superficial mechanisms. For this purpose, the grown films in the substrate temperature of 100ºC were deposited by varying the deposition time of 0 to 120 min. X-ray diffraction an ultraviolet-visible spectroscopy were employed to characterize the characterize the structural and optical properties of the films, respectively. From this crystallographic orientation, residual stress, grain size, thickness and the optical parameters of the films as average transmittance, optical band gap and refractive index n were determined. The morphological properties were investigated by atomic force and scanning electron microscopy. Thus, AFM images were used to determine the surface roughness, to calculate the lateral length and, consequently, find the growth exponent b and expoent defining the evolution characteristic wavelength of the surface p. Rutherford backccattering spectroscopy was employed to determine the chemical composition of the grown ZnO films on different substrate temperatures and its surface densisties / Mestre
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Fabricação e caracterização de filmes finos e ultrafinos de coroas de éter com azobenzeno incorporado e estudo da birrefringência fotoinduzida /

Shimizu, Flávio Makoto. January 2008 (has links)
Orientador: José Alberto Giacometti / Banca: Marystela Ferreira / Banca: Elisabeth Andreoli de Oliveira / - O Programa de Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi da Unesp / Resumo: Foram estudadas as monocamadas de Langmuir, filmes Langmuir-Blodgett (LB) e filmes finos preparados pela técnica de casting (filmes auto-sustentados) usando vários tipos de moléculas de azocoroa de éter. Os filmes foram caracterizados por espectroscopia de UV-Vis, FTIR e espalhamento Raman. O composto 29-diazocoroa de éter com dois substituinte n-octil foi a única molécula de azocoroa de éter que permitiu a preparação de filmes LB de alta qualidade e com propriedades ópticas adequadas para uso no estudo de birrefringência fotoinduzida. Nas medidas de birrefringência foram empregados os filmes preparados do composto 29-diazocoroa de éter pela técnicas LB e casting, variando-se os seguintes parâmentros experimentais: número de monocamadas do filme LB, espessura de filme auto-sustentado, intensidade da luz de excitação e temperatura. A dinâmica de formação e decaimento de birrefringência mostrou ser muito mais rápida para os filmes LB do que para os filmes auto-sustentados. As curvas experimentais da dinâmica da birrefringência fotoinduzida para os filmes LB foram ajustadas usando as equações de Debye e de Kohlrausch-Williams-Watts (KWW), enquanto que as curvas experimentais dos filmes auto-sustentados foram ajustados usando as equações de Sekkat e de KWW. Usando as constantes de tempo obtidas dos ajustes das curvas experimentais de birrefringência, foi possível calcular as energias de ativação de Arrheniu dos processos de foto orientação. Os resultados obtidos para a energia de ativação e da dinâmica de formação e decaimento das medidas de birrefringência para os diferentes filmes foram comparadas e discutidas. / Abstract: Langmuir monolayers, Langmuir-Blodgett (LB) films and thin filmes prepared by casting (auto standing films) from a series of azocrown ethers molecules were studied. Films were characterized using UV-Vis and FTIR spectroscopy and Raman scattering techniques. The compound 29-diazocrown ether with n-octyl substituent was the only azocrown ether molecule that allowed us to prepare high quality LB films having suitable optical properties for photo induced birefringence studies. On birefringence measurements using LB films and standing films of 29-diazocrown ether several experimental parameters were varied: number of monolayer of BL films, thickness of the auto standing film, excitation light intensity and temperature. It was found for the dynamics of formation and decay of the birefringence is much faster for LB films when compared with the auto standing films. The experimental curves of birefringence signals for LB films were fitted using the Debye and Kohlrausch-Williams-Watts (KWW) functions while the experimental curves for the auto standing films were fitted using the Sekkat and KWW functions. From the obtained time constants of fittings the Arrehnius activation energy and the dynamics of the formation and decay of the birefringence for the films were compared and discussed. / Mestre
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Preparação e caracterização de filmes finos supercondutores para aplicação em dispositivos eletrônicos /

Souza, Gisele Aparecida de. January 2012 (has links)
Orientador: Rafael Zadorosny / Banca: Cláudio Luiz Carvalho / Banca: Paulo Noronha Lisboa Filho / Resumo: Neste trabalho é apresentada a fabricação de um filme fino supercondutor, na forma de uma trilha supercondutora. A trilha é obtida por impressão direta do layout da trilha sobre um substrato de Si, utilizando uma impressora, do tipo jato de tinta. A solução precursora do filme é utilizada como tinta e é ejetada sobre o substrato, assumindo a forma criada no layout. Este processo de fabricação foi criado com o intuito de aplicar uma técnica de fabricação simples e barata (baixo custo) visando a obtenção de um trilha com excelente qualidade a um custo reduzido. As caracterizações morfológicas e estruturais foram realizadas para identificar e analisar o processo de impressão direta. O comportamento supercondutor do material foi verificado através da curva de R x T, em que foi obtida uma Tc de 81K, para a trilha impressa. O transporte de corrente da trilha impressa pela curva de I x V foi de 9,68 A/cm2 na temperatura de 78K / Abstract: In this work is presented the fabrication of a thin film in the form of a trail for the copper oxide superconductor of BSCCO system. The trail was produced by directly print of the layout on a Si substrate. For this a inkjet printer was used. The precursor solution was used as ink and was ejected into the substrate in such a way to design the previous layout. This manufacturing process was created in order to obtain a trail with good quality at a reduced cost (low cost) by using a simple technique. The morphological and structural characterizations were carried out to identify and analyze the process of direct printing. The superconducting behavior of the material was verified by measurements of R x T from which was obtained a Tc of 81 K. The critical current density of the material was obtained from a V x I curve which value was 9,68 A/cm2 at a temperature of 78K / Mestre
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Filmes de 'CO' obtidos por deslocamento galvânico e suas propriedades magnéticas /

Sakita, Alan Massayuki Perdizio. January 2014 (has links)
Orientador: Assis Vicente Benedetti / Co-orientador: Rodrigo Della Noce / Banca: Hercilio Gomes de Melo / Banca: Roberto Zenhei Nakazato / Resumo: Este trabalho aborda a deposição de cobalto sobre zinco utilizando a técnica de deslocamento galvânico. Inicialmente foi feito um estudo detalhado do zinco nas diversas condições em que foram depositados os filmes de cobalto. Os filmes de cobalto foram sintetizados em banhos de cloreto e sulfato com e sem glicina em pH 3 e 5 e analisados por SEM, MO, EDXS, XDR e VSM. Durante o processo de deposição foi monitorado o potencial em circuito aberto e adicionalmente foram realizadas medições de espectroscopia de impedância eletroquímica com a finalidade de elucidar os possíveis processos que ocorrem durante a deposição. Os filmes de cobalto obtidos mostram que a adição de glicina resulta numa deposição mais homogênea e sem a formação de produtos secundários como Zn5(OH)8Cl2.2H2O e Zn4(SO4)(OH)6.4H2O. A adição da glicina ainda revela uma maior evolução de hidrogênio no sistema, possivelmente relacionada à desprotonação do íon glicinato. O estudo eletroquímico do processo de deposição através de medições de potencial em circuito aberto revela maior estabilidade de potencial com a utilização de glicina no banho. O monitoramento da deposição de cobalto utilizando EIS mostra que os íons Co2+ facilitam o processo de dissolução de Zn. Com o aumento da concentração de glicina e do tempo de deposição aumenta os valores de capacitância da dupla camada elétrica e diminui a resistência à transferência de carga, sugerindo que ambas variáveis induzem o crescimento da área do eletrodo. As medidas das propriedades magnéticas mostram uma maior deposição de material metálico magnético em pH 3 em cloreto e sem a utilização de glicina, sendo que com a adição da mesma foi observado maior quantidade de cobalto metálico depositado em pH 5. Já em sulfato observa-se maior deposição de cobalto metálico na presença e ausência de glicina ambos em pH 5. / Abstract: This work comprises the cobalt deposition onto zinc by using the galvanic displacement technique. The cobalt films were prepared from chloride and sulfate baths with and without glycine, and at pH 3 and 5. The deposits were characterized by: SEM, OM, EDXS, XRD and VSM. During the deposition process, it was monitored the open circuit potential and subsequently were conducted electrochemical impedance spectroscopy (EIS) measurements in order to elucidate the possible processes that may occur during the galvanic deposition. The results showed that the glycine addition leads to a more homogeneous deposition and no byproducts, such as Zn5(OH)8Cl2.2H2O and Zn4(SO4)(OH)6.4H2O, are formed. Furthermore, the glycine addition to the bath revealed a higher hydrogen evolution during the deposition process, possibly related to the deprotonation of glycinate ion. The electrochemical study of the galvanic displacement process by measuring the open circuit potential revealed a higher potential stability when glycine was employed in the bath. The monitoring of cobalt deposition by EIS showed that the Co2+ ions facilitate the process of Zn dissolution. By increasing the glycine concentration and the deposition time, the capacitance values, related to the double electric layer, increase and the charge transfer resistance decreases, suggesting that both parameters induce an increase in the electrode area. The magnetic properties of the Co deposits, extracted from the VSM measurements, exhibited the highest saturation magnetization for the deposit obtained from chloride bath at pH 3 without the glycine addition, indicating the presence of a higher amount of metallic Co in this condition. In the case of the sulfate bath, the highest saturation magnetization was reached for the deposits obtained at pH 5 in the presence of glycine. / Mestre
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Preparação e caracterização de filmes finos do tipo 'Pb IND. 1-x-yCa IND. xSr IND.yTiO IND. 3' /

Pontes, Debora da Silva Lima. January 2008 (has links)
Orientador: Elson Longo da Silva / Banca: Sonia Maria Zanetti / Banca: Alberthmeiry Teixeira Figueiredo / O Programa de Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi da Unesp / Resumo: Neste trabalho de dissertação de mestrado foram preparadas amostras do sistema 'Pb IND. 1-x-yCa IND. xSr IND.yTiO IND. 3' (PCST) com x = 0.05, 0,15, 0,35 e y = 0,05, 0.15, 0,35, utilizando-se o método dos precursores poliméricos e, a partir desse material, produzir amostras cerâmicas e filmes finos nanoestruturados e caracterizar suas propriedades estruturais, microestruturais e elétricas. A caracterização estrutural foi realizada utilizando as técnicas de difração de raios X, espectroscopia Raman e espectroscopia na região do infravermelho. Os filmes finos foram preparados pela técnica "spin-coating" sobre substrato de 'Si/SiO IND. 2/Ti/Pt'. A temperatura de cristalização foi de 600ºC. A cristalização de todos os filmes finos e pó apresentaram estrutura do tipo perovisquita sem a presença de uma segunda fase. Foi possível obter com sucesso um sistema complexo de incorporação de dois diferentes íons '(Ca POT. 2+ e Sr POT. 2+)' no sitio A, em substituição aos íons 'Pb POT. 2+' para o sistema 'Pb IND. 1-x-yCa IND. xSr IND.yTiO IND. 3' na forma de filme fino e pó, sem a separação de fases tais como 'PbTiO IND. 3, CaTiO IND. 3, SrTiO IND. 3', ou até mesmo fase complexas como '(Pb,Sr)TiO IND. 3' ou '(Pb,Ca)TiO IND. 3'. Os sítios A localizam-se dentro de um dodecaedro '(AO IND. 12)' de doze oxigênios enquanto o sitio B no interior de um octaedro regular '(BO IND.6)' constituído de oito oxigênios. Portanto, as distorções ocorridas nestas estruturas produzem importantes mudanças e surgimento de novas propriedades elétricas que encadeiam grande interesse tecnológico e cientifico. As propriedades ferroelétricas foram fortemente influenciadas pela presença desses dois íons '(Ca POT. 2+ e Sr POT. 2+)' em substituição aos íons 'Pb POT. 2+'. Levando o sistema a uma completa ausência de natureza ferroelétrica a temperatura ambiente. / Abstract: On this master's degree dissertation samples of the system 'Pb IND. 1-x-yCa IND. xSr IND.yTiO IND. 3' (PCST) with x = 0.05, 0.15, 0.35 and y = 0.05, 0.15, 0.35 were prepared through the polymeric precursors method. From this material, ceramic samples and thin films were produced and their structure, microstructure and electrical properties were assessed. The structural characterization was done using X-ray diffraction, Raman spectroscopy and spectroscopy techniques on the infrared region. The films were prepared through the spin-coating technique on 'Si/SiO IND. 2/Ti/Pt' substrate and its crystallization temperature was 600ºC. All thin films and powder showed structure like perovskite without a second phase. A complex incorporation system of two different ions '(Ca POT. 2+ e Sr POT. 2+)' at site A was successfully achieved, replacing the 'Pb POT. 2+' ions on the 'Pb IND. 1-x-yCa IND. xSr IND.yTiO IND. 3' system as thin film and powder with no partition of phases such as 'PbTiO IND. 3, CaTiO IND. 3, SrTiO IND. 3', or even more complex ones as '(Pb,Sr)TiO IND. 3' or '(Pb,Ca)TiO IND. 3'. The sites A were found in a '(AO IND. 12)' dodecahedron of twelve oxygens, and the site B was discovered in a regular octahedron formed by eight oxygens. Therefore the distortions on these structures triggered relevant changes and new electrical properties which promote great technological and scientific interest. It is noteworthy that the ferroelectric properties were heavily influenced by the presence of these two ions '(Ca POT. 2+ e Sr POT. 2+)' replacing the 'Pb POT. 2+' ions, leading the system to an absolute absence of ferroelectric nature at room temperature. / Mestre

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