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The purpose of this study was to examine athletic and academic identity and athletic and academic motivation in DIII student-athletes. An additional purpose of the study was to explore the extent to which identity and motivation variables could predict GPA. This study also qualitatively explored students’ perceptions of their success, identity and motivation. Using Expectancy-Value and Identity theories as a theoretical framework, participants (n = 358) were administered an online survey that included AAIS and SAMSAQ scales along with open-ended qualitative questions. Quantitative data were used to conduct confirmatory factor analyses, bivariate correlations, hierarchical multiple regression, and multivariate analyses of variance. Qualitative analyses were used to extract major themes from the data, and a Mixed Methods analysis was used to analyze quantitative and qualitative data in a side-by-side comparison.

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Les matériaux semiconducteurs jouent aujourd'hui un grand rôle dans les dispositifs électroniques et optoélectroniques. En particulier, qu'il s'agisse des télécommunications par voies Hertziennes ou Microondes, sur Terre ou en liaison avec des satellites, ou encore de radars ou de gestion de l'énergie, les semiconducteurs à grande largeur de bande interdite (dits 'Grands Gaps') s'avèrent particulièrement intéressants pour la génération de puissance. Si on compare les différentes propriétés électriques du Nitrure de Gallium et du Carbure de Silicium (SiC) avec celles du Silicium et de l'Arséniure de Gallium (GaAs) on voit immédiatement que des champs électriques critiques élevés en raison de leur grande énergie de bande interdite combinés à des grandes vitesses de saturation pour les électrons impliquent de grandes potentialités en termes de puissance et de fréquence de fonctionnement. Malgré la quasi-absence de substrat natif, l'élaboration du matériau GaN a énormément progressé suite à l'engouement provoqué par la réalisation et la commercialisation de diodes électroluminescentes et de lasers dans le domaine visible. Le recours à l'hétéro-épitaxie associé à une sensibilité relativement faible aux défauts tels les dislocations traversantes, a permis le développement des dispositifs. Un avantage pour GaN est également de pouvoir construire des hétérojonctions parfaites avec des alliages de la famille des nitrures d'éléments III comme AlGaN, InGaN, etc... Pour la génération de puissance à hautes fréquences, le transistor à électrons de haute mobilité HEMT (dit encore HFET, TEGFET ou MODFET) basé sur l'hétérojonction AlGaN/GaN s'est rapidement imposé par rapport au MESFET GaN, ou encore par rapport transistor bipolaire GaN. Dans ce mémoire, après une description de mon parcours dans la recherche, depuis la thèse jusqu'à ce jour, sont présentées les principales composantes d'une structure HEMT AlGaN/GaN ainsi que leur influence sur le comportement des composants. Une attention particulière est portée aux couches tampons et à l'influence de leur qualité structurale sur l'isolation électrique et sur la mobilité dans le gaz bidimensionnel d'électrons confiné à l'interface AlGaN/GaN. Ces propriétés seront mises en relation avec les caractéristiques de sortie Ids(Vds,Vgs) des transistors réalisés sur des structures élaborées par Epitaxie par Jets Moléculaires sur différents types de substrats (Silicium, SiC et Tremplins GaN sur Saphir). On montrera également tout l'intérêt de passer d'une stratégie d'isolation électrique reposant sur le piégeage des électrons par les dislocations à un mode d'isolation basé sur l'incorporation d'impuretés compensant le dopage résiduel de type n dans la couche tampon GaN. Après avoir donné les perspectives liées à ces études, ce document présentera un nouveau projet de recherche sur le développement de dispositifs électroniques à transport vertical à base d'hétérostructures Al(Ga)N/GaN intégrées dans des nanostructures. Enfin, après le rappel des autres activités connexes à mon travail de recherche, ce document se termine par la liste de mes publications et communications accompagnée d'une sélection de publications.

Dans l'environnement, la levure doit faire face à des conditions variées qui nécessitent une adaptation rapide du métabolisme cellulaire. Une des premières réponses est l'inhibition de la transcription par l'ARN polymérase III (Pol III). La protéine Maf1, le seul régulateur de la machinerie de la Pol III chez Saccharomyces cerevisiae (Sc), est conservée au cours de l'évolution. Les protéines Maf1 des Eucaryotes contiennent deux domaines A et BC phylogénétiquement conservés. Ce travail de thèse a cherché à identifier le rôle de ces domaines dans la fonction de la protéine ScMaf1. J'ai construit une banque de mutants de Maf1, identifié les changements dans leurs séquences ainsi que leurs phénotypes. En utilisant la technique du double-hybride, j'ai montré que les domaines A et BC interagissent physiquement et que l'extrémité N-terminale de 34 acides aminés du domaine A est le fragment minimal nécessaire à cette interaction. Grâce à un crible génétique, j'ai mis en évidence que les mutations du domaine BC (D250E et V260D-N344I) permettent de restaurer l'activité de Maf1 mutée dans le domaine A (K35E). Cette restauration est observable pour le phénotype, la répression efficace de la transcription par la Pol III, le niveau de phosphorylation et la localisation cellulaire de Maf1. La technique du double-hybride m'a permis aussi de montrer que la mutation K35E inactive partiellement l'interaction entre les domaines de Maf1 qui est restaurée par les mutations suppresseurs D250E et V260D-N344I. Les résultats permettent de conclure que : « la répression de la transcription par la Pol III requiert l'interaction physique des domaines de Maf1 ».

<p>Inbjuden av Gustaf III, den franska teaterdekoratören, konstnären och arkitekten Louis Jean Desprez, i Sverige 1784-1804, förnyade teaterdekorationen på Operan. Genom att analysera Desprez’ teaterdekorationer med inspiration från de abstrakta konstnärerna Mondrian, Malevich och Rothko, utvecklar uppsatsen ett nytt tolkningssystem som tillsammans med traditionell tolkning innebär en djupare tolkningsmetod. Detta visar att Desprez’ teaterdekorationer var viktiga för Gustaf III:s kulturpolitik</p> / <p>Invited by king Gustaf III, the French artist stage painter Louis Jean Desprez, in Sweden 1784-1804, renewed Opera stage painting.Lillemor Erlander1Inspired by abstract artists Mondrian, Malevich and Rothko, in analyzing the stage painting of Desprez, this paper develops a new system of interpretation which together with traditional interpretation signifies a new deeper method of interpretation. This shows that the stage painting of Desprez was of importance to the cultural policy of Gustaf III.</p>

The morphology evolution of high-temperature grown AlN nucleation layers on (111) silicon has been studied using atomic force microscopy (AFM). The structure and morphology of subsequently grown GaN film were characterized by optical microscopy, scanning electron microscopy, x-ray diffraction, and photoluminescence measurement. It was found that a thicker AlN buffer layer resulted in a higher crystalline quality of subsequently grown GaN films. The GaN with a thicker buffer layer has a narrower PL peak. Cracks were found in the GaN film which might be due to the formation of amorphous SiNx at the AlN and Si interface. / Singapore-MIT Alliance (SMA)

AlN nucleation layers are being investigated for growth of GaN on Si. The microstructures of high-temperature AlN nucleation layers grown by MOCVD on Si (111) substrates with trimethylaluminium pre-treatments have been studied using atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). The AFM results show that with TMA pre-treatments, AlN grows in a pseudo-2-dimensional mode because the lateral growth rate of AlN is increased, and the wetting property of the AlN on silicon is improved. Also, no amorphous SiNx layer was observed at the interface with TMA pre-treatments and AlN films with good epitaxial crystalline quality were obtained. Transmission electron diffraction patterns revealed that the AlN and Si have the crystallographic orientation relationship AlN [0001]║Si[111] and AlN[11 2 0] ║Si[110]. High resolution transmission electron microscopy indicates a 5:4 lattice matching relationship for AlN and Si along the Si [110] direction. Based on this observation, a lattice matching model is proposed. / Singapore-MIT Alliance (SMA)

This paper presents a new technique for the monolithic heterogeneous integration of compound semiconductor devices with silicon integrated circuits, and establishes the theoretical foundation for a key element of the process, tailored magnetic attraction and retention. It is shown how a patterned thin film of hard magnetic material can be used to engineer the attraction between the film and nanopills covered with a soft magnetic material. With a suitable choice of pattern, it is anticipated that it will be possible to achieve complete filling of recesses in the surface of fully-processed integrated circuit wafers, preparatory to subsequent processing to fabricate the nanopills into heterostructure devices integrated monolithically with the pre-existing electronics. / Singapore-MIT Alliance (SMA)

The periodic silane burst technique was employed during metalorganic chemical vapor deposition of epitaxial GaN on AlN buffer layers grown on Si (111). Periodic silicon delta doping during growth of both the AlN and GaN layers led to growth of GaN films with decreased tensile stresses and decreased threading dislocation densities, as well as films with improved quality as indicated by x-ray diffraction, micro-Raman spectroscopy, atomic force microscopy, and transmission electron microscopy. The possible mechanism of the reduction of tensile stress and the dislocation density is discussed in the paper. / Singapore-MIT Alliance (SMA)