Orientadores: Nelson de Jesus Parada, Luiz Guimarães Ferreira / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-09-11T20:47:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Guimaraes_PauloSergio_M.pdf: 1070343 bytes, checksum: f462fafec9646955c97aca1a7890bb36 (MD5) Previous issue date: 1976 / Resumo: É feita unta revisão da teoria da emissão radiativa devida a pares doador-aceitador em semicondutores, juntamente com uma análise dos diversos parâmetros que entram no cálculo da variação da intensidade da emissão com a distancia do par. É proposto um modelo para o cálculo de níveis de impureza, além de serem obtidas aproximações mais realistas para a seção de choque de captura e para a probabilidade de transição radiativa do par / Abstract: A revised theory of the radiative emission due to donor-aceptor pairs in semiconductors, along with tha analysis of the various parameters which enter into the calculation of the variation of intensity of emission with the pair distance, is worked out. A model to calculate tha impurity states is proposed, more realistic approximations for the pair capture cross-section and for the radiative transition probability have been used. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Tese de doutoramento. Engenharia Química e Biológica. Faculdade de Engenharia. Universidade do Porto, Biotempo - Consultoria em Biotecnologia, Lda.. 2007

LEITE FILHO, Raimundo Valmir. Impurezas Magnéticas em Ferromagnetos de Ising com Campo Transverso. 2005. 109 f. Tese (Doutorado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2005. / Submitted by Edvander Pires (edvanderpires@gmail.com) on 2015-06-23T18:17:55Z No. of bitstreams: 1 2005_tese_rvleitefilho.pdf: 656815 bytes, checksum: af381150f33bff4b9142c5eeef4e117b (MD5) / Approved for entry into archive by Edvander Pires(edvanderpires@gmail.com) on 2015-06-23T21:06:49Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2005_tese_rvleitefilho.pdf: 656815 bytes, checksum: af381150f33bff4b9142c5eeef4e117b (MD5) / Made available in DSpace on 2015-06-23T21:06:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2005_tese_rvleitefilho.pdf: 656815 bytes, checksum: af381150f33bff4b9142c5eeef4e117b (MD5) Previous issue date: 2005 / A Green function formalism is used to calculate the spectrum of excitations associated with magnetic impurities implanted in a ferromagnetic thin film described by the transverse Ising model. Using the equations of motion method, explicit expressions for the Green function are determined for a ferromagnetic without impurities. The Green’s functions for a ferromagnetic film containing impurities are obtained through Dyson equation. We consider only the “defect” modes that appear below the bulk band of the pure material. In order to assess the influence of the position of the impurities in the film on the excitations spectra, we consider three different geometrical arrangement for the impurities: impurities line perpendicular to the surface film, four impurities in a plane paralel to the surface, and four impurities in a plane perpendicular to the surfaces of the film. We obtain results for the frequencies localized modes as a function of the exchange parameter between two impurities neighborings, of the exchange parameter between the impurities and their neighborings, and the effective field parameter at the impurities. / O formalismo de funções de Green é usado para calcular o espectro de excitações associados a impurezas magnéticas implantadas em um filme ferromagnético descrito pelo modelo de Ising com campo transverso. Através do método da equação de movimento expressões explícitas para as funções de Green são determinadas para um ferromagneto sem impurezas. A função de Green para um filme ferromagnético contendo impurezas é obtida através da equação de Dyson. O espectro de ondas de spin relativo ás impurezas é obtido para freqüências abaixo do limite inferior da banda de volume para um material puro. Com o objetivo de avaliar a influência da posição das impurezas no filme no espectro de excitações, consideramos três diferentes disposições geométricas para as impurezas: linha de impurezas perpendicular á superfície do filme, quatro impurezas em um plano paralelo `as superfícies e quatro impurezas em um plano perpendicular `as superfícies do filme. Obtemos resultados para a freqüência dos modos localizados como função do parâmetro de troca entre duas impurezas vizinhas, do parâmetro de troca entre as impurezas e seus vizinhos e do parâmetro de campo efetivo nas impurezas.

Orientadores: Luiz E. Oliveira, Gerald Weber / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-12T00:11:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Carneiro_GleisedasNeves_M.pdf: 2136562 bytes, checksum: 372c303ced682ba4b1486d2ff2a65e87 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: O estudo de impurezas rasas em heteroestruturas, tais como poços quânticos e superardes, tem sido de contínuo interesse nos últimos anos. Comparações bem sucedidas entre resultados experimentais [e.g. fotoluminescência: N. N. Ledentsov et al., Appl. Phys. A 54, 261 (1992)] e cálculos teóricos [L. E. Oliveira and G. D. Mahan, Phys. Rev. B 47, 2406 (1993)] constituem uma forte motivação para um estudo teórico mais profundo. Apresentamos um cálculo variacional das energias de ligação de doadores rasos em um poço quântico de GaAs-Ga1-xAlxAs. As energias e funções de onda variacionais associadas ao estado fundamental (tipo 1s) bem como alguns estados excitados (tipo 2s, 2px,y, 2pz, 3s, 3px,y e 3pz) são obtidos em função da posição da impureza dentro do poço. A densidade de estados de impureza, os elementos de matriz para a transição intradoadores e o espectro de absorção no infravermelho são calculados para alguns destes estados e comparados com trabalhos teóricos [ S. Fraizzoli, F. Bassani, and R. Buczko, Phys. Rev. B 41,5096 (1990)] e experimentais [N. C. Jarosik et al., Phys. Rev. Lett. 54, 1283 (1985)] anteriores / Abstract: The study of shallow impurities in semiconductor heterostructures, such as quantum wells and superlattices, has been of continuous interest over the last years. Successful comparisons between experimental results [e.g. photoluminescence: N. N. Ledentsov et al., Appl. Phys. A 54, 261 (1992)] and theoretical calculations [L. E. Oliveira and G. D. Mahan, Phys. Rev. B 47, 2406 (1993)] constitute a strong motivation for an in-depth theoretical study. We present a variational calculation of the binding energies of shallow donors in a GaAs-AlGaAs quantum well. The energies and variational wave functions associated to the ground state (1s-like) as well as some excited states (2s, 2px,y, 2pz, 3s, 3px,y and 3pz-like) are obtained as functions of the position of the impurity (zi) in the well. The density of impurity states, intra-donor transition strengths and the infrared absorption spectra are calculated for some of these excited states and results compared with previous theoretical [ S. Fraizzoli, F. Bassani, and R. Buczko, Phys. Rev. B 41, 5096 (1990)] and experimental work [N. C. Jarosik et al., Phys. Rev. Lett. 54, 1283 (1985)] / Mestrado / Física / Mestre em Física

Tese de mestrado. Engenharia Química e Biológica. Universidade do Porto. Faculdade de Engenharia. 2010

Submitted by Marcele Costal de Castro (costalcastro@gmail.com) on 2017-10-11T17:01:56Z No. of bitstreams: 1 LEONEL MATHRY CARVALHO M.pdf: 4959457 bytes, checksum: 2e177dbed7d103f8b43486cdd30f26c7 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-10-11T17:01:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 LEONEL MATHRY CARVALHO M.pdf: 4959457 bytes, checksum: 2e177dbed7d103f8b43486cdd30f26c7 (MD5) Previous issue date: 1992-12 / O Brasil é o maior produtor mundial de berilo (3BeO.Al203.6Si02) e começou recentemente a produção de compostos de berílio em uma usina piloto na cidade de Governador Valadares (MG - Brasil). O objetivo deste trabalho é o desenvolvimento de metodologia para determinação de impurezas a nível de traços e macro constituintes na faixa de dezenas de % para auxiliar o controle analítico do processo de produção da usina, bem como a caracterização de compostos de berílio. Foram desenvolvidas duas técnicas distintas para separação de impurezas e purificação de compostos de berílio. A primeira, utilizando a complexação com EDTA, separou e reduziu algumas impurezas a níveis menores que 1 ug/ml. A segunda utilizou resina quelante (Chelex -100), chegando-se a uma eficiência de separação entre 75-97%, conforme o elemento separado. Padrão de alta pureza de óxido de berílio foi obtido a partir da purificação de Be(OH)2. A verificação de impurezas por fluorescência de RX apresentou somente traços de Cu e Si, < 1 % Fe e Mn, Zn, Ca, Al, Na e S foram completamente retirados. O teor de berílio foi determinado por espectroscopia de emissão em plasma de argônio - DCP e comparado com método gravimétrico clássico como BeO. Os resultados foram concordantes (49,2 +/- 0,2 % e 48,3 +/- 0,1 % respectivamente) para intervalo de confiança de 95 %. Um método gravimétrico de baixa temperatura para determinação de berílio foi também estudado utilizando oxina e forno de microondas para obtenção do composto gravimétrico. Um total de 24 elementos incluindo macro e micro constituintes foram determinados por espectroscopia de emissão em plasma e/ou métodos espectrofotométricos. A separação de Be/B foi estudada usando resina aniônica forte em meio de polialcóois. Um estudo mais detalhado das condições de equilíbrio é necessário. Este trabalho foi realizado no Laboratório de Análise Mineral (LAM) da Comissão Nacional de Energia Nuclear - RJ. / Brazil is the greatest world producer of beryl (3BeO.Al203.6Si02) and has recently begun to produce beryllium compounds by means of a pilot plant constructed at Governador Valadares city (MG - Brazil). The aim of this work was the determination of trace level impurities and macro constituents in the tenth % range to support analytical control process of plant production and characterization of beryllium compounds. The impurities separations and purification process was developed by two steps procedure. The first one using EDTA complexation has separated and reduced some impurities to less than 1 u.g/ml level. In the second one it was used a chelating resin (Chelex 100) and the separation efficiency was about 75 - 97 % related with the element tested. High pure beryllium oxide standard was obtained from purification of Be(OH)2. The RX fluorescence presented only traces of Cu and Si, < 1 % Fe and Mn, Zn, Ca, Al, Na and S were completely removed. The beryllium content was determined by direct atomic emission spectroscopy in argon plasma (DCP) and compared with classic gravimetric method as BeO. The results were in agreement (49,2+/-0,2 %and 48,3+/-0,l % respectively) between 95 % of confidence. A low temperature gravimetric method for beryllium determination was also studied using Oxine with microwave furnace. A total of 24 elements including macro and trace level were determined by DCP and/or spectrophotometric methods. The Be/B separation was studied using anionic resin in poyalcohols medium. A more detailed study of equilibrium conditions is necessary. This work was realized at Laboratório de Análise Mineral (LAM) of Comissão Nacional de Energia Nuclear - RJ (CNEN).

Made available in DSpace on 2014-06-12T23:16:10Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo8647_1.pdf: 8160673 bytes, checksum: 12d10551e46fdf8c96294a4c26e0dfdc (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2008 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / A sensibilização da resposta termoluminescente (TL) do quartzo natural foi muito estudada visando a datação arqueológica e a dosimetria retrospectiva. Embora a curva de emissão TL do quartzo apresente vários picos, apenas a sensibilização do pico que ocorre a aproximadamente 100°C foi investigada em profundidade. Trabalhos recentes mostraram que a sensibilização TL do pico a 300°C ocorre apenas quando altas doses de radiação gama são administradas em cristais naturais cujas concentrações relativas de impurezas Li/Al e Li/OH são elevadas. Observou-se também que a sensibilização depende da intensidade de dose utilizada. Entretanto, poucas medidas foram realizadas no intervalo que antecede 50 kGy. Além disso, não foi esclarecido como os tratamentos térmicos podem influenciar a sensibilidade TL do quartzo. Portanto, o objetivo deste trabalho é estudar a sensibilização da resposta TL do quartzo natural por tratamentos térmicos e altas doses de radiação gama. Para isto, foram extraídos cinqüenta e cinco discos com 6x1 mm2 de um bloco procedente de Solonópole (CE). Os discos foram separados em seis lotes de acordo com a proximidade da resposta TL entre 160°C e 320°C. Um dos lotes foi submetido à doses de radiação (60Co) a partir de 2 kGy, chegando a uma dose acumulada de 50 kGy. Outros três lotes foram inicialmente tratados a 500°C, 800°C e 1000°C e posteriormente irradiados com duas doses de 25 kGy. As curvas de emissão e as curvas de calibração, para dose-teste de 0,1 a 30 mGy, foram obtidas após cada procedimento de sensibilização. Amostras retangulares de 10x10 mm2 foram utilizadas para caracterizar os defeitos pontuais relacionados às impurezas de Al e OH em função dos procedimentos de sensibilização. O centro [AlO4]° foi caracterizado por espectroscopia no UV-VIS e os centros [AlO4/H+]°, [H4O4]° e Li-OH, por espectroscopia infravermelho. Como resultado, foi observado que o material em sua condição natural apresenta um pico a 325°C, mas este possui baixa intensidade TL. Os tratamentos térmicos não sensibilizam o pico a 300°C, o que ocorre somente após a administração de doses acima de 2 kGy. Utilizando apenas altas doses, observou-se que a sensibilidade TL aumenta até 15 kGy. Acima desta dose, a sensibilidade TL praticamente não se modifica. Observou-se que a concentração do centro [AlO4]°, que atua como centro de recombinação, aumenta em função da dose acumulada, mesmo para doses acima de 15 kGy. Portanto, concluiu-se que a estabilização da sensibilidade TL está relacionada à quantidade de armadilhas de elétrons. Por outro lado, observou-se que o íon Li+ é dissociado do centro Li-OH por irradiação e tratamentos térmicos. Verificou-se ainda que para doses acumuladas acima de 15 kGy, acompanhadas de três tratamentos a 400°C, o centro Li-OH não se restitui por completo. Desta forma, foi sugerido que os íons Li+ formam armadilhas competidoras. O aumento da concentração de armadilhas competidoras pode explicar a estabilização da sensibilidade TL acima de 15 kGy. Verificou-se que o procedimento de sensibilização mais adequado para este cristal envolve um tratamento a 1000°C, dose de 25 kGy e três tratamentos térmicos a 400°C

Neste trabalho foi estudado e aplicado o método de correção de gap eletrônico LDA-1/2, para o semicondutor silício, contendo defeitos ou impurezas magnéticas. O grande motivador para o uso desse método é seu baixo custo computacional, o que abre possibilidades para o uso em sistemas grandes, condição fundamental para se obter bons resultados nos cálculos de defeitos. Dado que o método LDA-1/2, em sua forma atual, não é capaz de calcular energias totais, uma metologia desenvolvida por Rinke et al., Phys. Rev. Lett, v. 102, p. 026402, 2009, a qual utilizava o método de correção de gap GW, foi adaptada. Essa metodologia consiste basicamente na separação das energias de formação em duas contribuições, afinidades eletrônicas, calculadas pelo método LDA-1/2, e energias de relaxação, calculadas pelo método usual LDA. Foram realizados cálculos ab initio em supercélulas de silício com 65 e 217 átomos, contendo um defeito de silício intersticial em quatro geometrias diferentes. Os dois principais problemas em cálculos de defeitos foram abordados, ou seja, o problema da interação do defeito com sua imagem, devido ao método de supercélulas (efeito de tamanho) e o problema de subestimação do gap eletrônico, pela DFT. As afinidades eletrônicas, calculadas utilizando-se o método LDA-1/2, via procedimento LUE-VBM (desenvolvido nesse trabalho), aumentaram em torno de 0,8 eV, em relação aos resultados LDA, levando as energias de formação a um excelente acordo com os resultados experimentais. Na segunda parte do trabalho, a metologia desenvolvida para os defeitos em silício foi aplicada no cálculo das propriedades da impureza magnética manganês em silício. Tal material possui características ferromagnéticas à temperatura ambiente, sendo um dos principais candidatos para construção de dispositivos spintrônicos. Os cálculos foram realizados em supercélulas com 64 e 216 átomos de silício, contendo um átomo de manganês intersticial ou substitucional, utilizando-se o método GGA-1/2. Foram obtidos primeiramente os níveis de transição de carga, os quais mostraram bom acordo com resultados experimentais obtidos da literatura. Além disso, até onde sabemos esses são os primeiros resultados teóricos para esses níveis, onde foi aplicado um método de correção de gap. Foram obtidas também as energias de formação da impureza magnética manganês em silício. Observou-se que a impureza intersticial possui menor energia de formação, sendo os estados de carga 2+ e 1+ os mais estáveis, para os casos intersticial e substitucional, respectivamente. O método GGA-1/2 aumenta a energia de formação, de forma não uniforme com os estados de carga. Além disso, prevê que os estados d do Mn são mais localizados. O método GGA prevê que os sistemas com 65 ou 64 átomos têm características meio-metálicas. Já o método GGA-1/2 concorda com o GGA em todos os casos exceto para a impureza substitucional, onde a característica prevista é o estado metálico.

Este trabalho tem como objetivo investigar a concentração de impurezas radioativas gama emissoras presentes nas soluções dos radiofármacos produzidos no Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares - IPEN em São Paulo. Para que este radiofármaco possa ser utilizado adequadamente, sua qualidade deve ser avaliada de acordo com os procedimentos estabelecidos de acordo com os \"Requisitos Gerais para a Competência de Laboratórios de Teste e Calibração\", ISO / IEC 17025: 2005 e pelas \"Boas Práticas de Fabricação\" (BPF), controladas pela ANVISA (Agência Nacional de Vigilância Sanitária), no Brasil. Para determinar a atividade, dos radiofármacos das impurezas gama emissoras, foi utilizado um espectrômetro gama de alta resolução em duas distâncias fonte-detector; uma de 18 cm e outra de 1,7 cm. Para a distância de 18 cm, o espectrômetro HPGe foi calibrado com energias gama entre 81 kev e 1408 kev, medindo ampolas seladas de 60Co, 133Ba, 137Cs e 152Eu, padronizadas no Laboratório de Metrologia Nuclear (LMN) do IPEN. Para impurezas com baixas atividades, utilizou a distância fontedetector de 1,7 cm. A esta distância, o efeito soma em cascata é muito elevado, tornando difícil a medição das ampolas de calibração padrão, com isso, a curva de eficiência do espectrômetro foi obtida por um código de simulação de Monte Carlo, desenvolvido no IPEN. Neste código, todos os detalhes do sistema de detecção são modelados e as curvas de resposta para raios X e raios gama são calculadas pelo código de transporte de radiação MCNPX. Os espectros gama foram analisados pelo programa Alpino, que aplica o método de integração numérica da área sob os fotopicos de absorção total. Para as impurezas gama emissoras não detectadas visualmente, os limites de detecção foram calculados a partir da taxa de contagem de fundo, sob a área do pico de interesse. As soluções radioativas analisadas foram 67Ga,99Mo, 99mTc, 111In, 131I, 153Sm, 177Lu e 201Tl. Os resultados da relação entre a atividade do radionuclídeo em análise e as impurezas identificadas apresentaram acordo com os certificados de análise dos fabricantes, assim como, com as especificações da ANVISA. / This work aims to investigate the concentration of radioactive impurities gamma emitters in the radiopharmaceutical solutions produced at Nuclear and Energy Research Institute -IPEN in São Paulo, So that this radiopharmaceutical may be used properly, its quality should be evaluated in accordance with the procedures established by quality control agencies, such as \"General Requirements for the Competence of Testing and Calibration Laboratories\", ISO/IEC 17025:2005 and the \"Good Laboratory Practice\" (GLP), controlled by ANVISA (National Agency Health Surveillance), in Brazil, requiring a confirmation of the values of impurities related at the certificates supplied by the manufacturers. To determine the activity, a high resolution gamma spectrometer were used in two source-detector distances. One was 18 cm and the other 1.7 cm. For the 18 cm distance, the high pure germanium spectrometer was calibrated in the energy range between 81 keV and 1408 keV by measuring sealed ampoules of 60Co, 133Ba, 137Cs and 152Eu, standardized at the Nuclear Metrology Laboratory (NML) of IPEN. For lower activity of the impurities, the distance source-detector of 1.7 cm was assumed. However, as at this distance, the sum coincidence effect is very high, making the measurement of the standard calibration ampoules difficult, the spectrometer efficiency curve was obtained by a Monte Carlo simulation code, developed at IPEN. In this code, all details of the detection system are modeled and the response curves for x-rays and gamma rays are calculated by the MCNPX radiation transport code. The gamma spectra were analyzed by Alpino code, which applies the method of numeric peak integration of the area under the photopeaks. For gamma emitter impurities, not visually detected, the decision threshold and the detection limits were calculated from the background count rate, under the peak area. The radiopharmaceutical solutions analyzed were 67Ga,99Mo, 99mTc, 111In, 131I, 153Sm, 177Lu and 201Tl. The results of impurities ratio for analyzed solutions are in accordance with the manufacturers´ certificate and with the ANVISA.

Este trabalho tem como objetivo desenvolver uma técnica de calculo que permita diagonalizar Hamiltonianos de mais de uma impureza e adaptá-la ao calculo de suas propriedades termodinamicas. Esta técnica é uma extensão do método de grupo de renormalização, originalmente desenvolvido por Wilson para calcular propriedades termodinâmicas do modelo Kondo de uma impureza. O procedimento baseia-se na discretização logarítmica da banda de condução do metal hospedeiro, definida por um parâmetro de discretização &#923, que permite que se projete o Hamiltoniano em uma base quântica finita, na qual o mesmo possa ser diagonalizado numericamente. O tempo do custo computacional do calculo diminui exponencialmente à medida que &#923 cresce, tornando melhor trabalharmos com valores grandes de &#923. O grande problema em usarmos &#923 grande e que aparecem oscilações nas curvas das propriedades termodinâmicas. Neste trabalho apresentamos o método generalizado que elimina essas oscilações. Inicialmente, testamos o método no modelo de Anderson sem correlação de uma impureza para o cálculo da suscetibilidade magnética do sistema, com resultado satisfatório. Na seqüência, para verificar a potencialidade do método, diagonalizamos o Hamiltoniano de Falicov, Kimball e Ramirez (sem spin) do modelo de duas impurezas e calculamos a suscetibilidade de carga da impureza. A motivação para esse cálculo e a equivalência existente entre o Hamiltoniano de Vigman e Finkelshtein e o Hamiltoniano Kondo, para o modelo de uma impureza. No caso de duas impurezas o nosso calculo demonstra que a interação RKKY destrói essa equivalência, ainda que qualitativamente as curvas da suscetibilidade de carga neste modelo reproduzam as de suscetibilidade magnética do modelo Kondo. / This thesis develops an extension of the numerical renormalization - group method. The extended procedure is capable of computing the temperature dependence of the magnetic susceptibility for two-impurity models of dilute magnetic alloys. The renormalization-group approach was devised by Wilson to calculate the thermodynamical properties for the one-impurity Kondo model. The numerical procedure is based on a logarithmic discretization of the conduction band of the metallic host, which is defined by a dimensionless parameter &#923 &#62 1, equal to the ratio of two sucessive discrete energies. Once the conduction Hamiltonian is discretized, the model Hamiltonian reduces to a discrete series that can be diagonalized numerically. The computational cost of the diagonalization diminishes exponentially with 1/ ln &#923, which makes it attractive to work with large &#923. unfortunately, the thermodynamical averages computed with Wilson\'s original version of the numerical renormalization group method and large &#923, computed as function of the temperature, display artificial oscilations with period ln &#923 and amplitude proportional to e-&#9602/ln&#923. By contrast, the generalized procedure in this work produces thermal dependences that converge so rapidly to the continuum (&#923 + 1) limit that curves computed with &#923=10 are virtually identical with those calculated with &#923=3 in the original procedure. As an illustration, we have diagonalized a two-impurity version of the (spinless) Falicov-Kimball-Ramirez Hamiltonian and calculated its charge susceptibility. This application was motivated by the well-established equivalence between the single-impurity (spinless) Vigman-Finkelshtein and Kondo models. In the case of two impurities, our work shows tha the RKKY interaction destroys the equivalence between the two models. Nonetheless, the charge susceptibility curves for the two-impurity Falicov-Kimball-Ramirez model show the qualitative features of the magnetic susceptibility for the two-impurity Kondo model.