Thesis (M.S.)--University of Texas at El Paso, 2007. / Title from title screen. Vita. CD-ROM. Includes bibliographical references. Also available online.

Thesis (Ph.D.)--University of Missouri-Columbia, 2006. / The entire dissertation/thesis text is included in the research.pdf file; the official abstract appears in the short.pdf file (which also appears in the research.pdf); a non-technical general description, or public abstract, appears in the public.pdf file. Title from title screen of research.pdf file (viewed on May 1, 2009) Vita. Includes bibliographical references.

Thesis (M.E.)--University of Canterbury, 2008. / Typescript (photocopy). "3rd January 2008." Includes bibliographical references (p. 120-126). Also available via the World Wide Web.

Thesis (M.S.)--University of Nevada, Reno, 2007. / "December 2007." Includes bibliographical references (leaves 67-69). Online version available on the World Wide Web.

Thesis (M. S.)--Mechanical Engineering, Georgia Institute of Technology, 2009. / Committee Chair: Rosen, David W.; Committee Member: Das, Suman; Committee Member: Grover, Martha A.

Thesis (M.S.)--Brigham Young University. Dept. of Chemistry and Biochemistry, 2006. / Includes bibliographical references.

Thesis (Ph. D.)--University of Texas at Austin, 2007. / Vita. Includes bibliographical references.

This dissertation reports the fabrication and characterization of integrated micro sensors consisting of magnetostrictive 500 μm long cantilevers or bridges and conducting interrogation elements. The thin films are fabricated by sputter deposition of NiFe doped with B and Mo and their magnetic properties are optimized by field annealing resulting in a coercivity of 2.4 Oe. An alternating current applied to the interrogation elements magnetizes the magnetostrictive structures, and their longitudinal resonant frequency is detected as an impedance change of the interrogation elements. The significance of using magnetostrictive micro beams is the high resonant frequency of the longitudinal vibration compared to transverse vibration, which can be exploited to develop sensors of high sensitivity.

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Le domaine des MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) est en pleine expansion, et plusieurs types de dispositifs requièrent des solutions d'isolation thermique efficace. Les solutions actuelles ne sont soit pas assez performantes, ou alors limitent les procédés de fabrication. Il existe donc un besoin pour une solution d'isolation thermique efficace et compatible avec les techniques actuelles de microfabrication sur silicium.Le silicium poreux est un candidat de choix, puisque sa conductivité thermique est inférieure de deux à trois ordres de grandeur à celle du silicium cristallin massif. De plus, ce matériau est fabriqué à partir des gaufres de silicium couramment utilisées pour la fabrication des MEMS, ce qui le rend a priori compatible avec les procédés de microfabrication standards. Finalement, il est possible de contrôler la localisation des zones porosifiées, facilitant son intégration dans des dispositifs. La fabrication du silicium poreux nécessite par contre quelques équipements et procédés bien spécifiques. Ce mémoire présente le développement et la mise en oeuvre, à l'Université de Sherbrooke, des équipements et procédés indispensables à la porosification du silicium et son intégration dans les procédés de microfabrication. Les équipements et procédés ont été choisis en ciblant l'application d'isolation thermique dans les MEMS. Plus précisément, un banc de porosification du silicium complet a été installé, avec plusieurs cellules d'anodisation et un générateur contrôlable. Ensuite ce système a été testé et calibré, et les procédés de base ont été mis au point, à savoir la porosification en elle-même, le séchage du matériau et sa stabilisation structurale. Des méthodes de caractérisation de la porosité et la vitesse de porosification ont été également été implémentées. Deux types de masques, pour la porosification localisée, ont également été développées [i.e. développés] : le premier est formé d'une couche de Si[indice inférieur 3]N[indice inférieur 4] LPCVD (Low Pressure Chemical Vapour Deposition) et le deuxième d'une couche de Si[indice inférieur 3]N[indice inférieur 4] PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) et d'une couche d'or. Finalement, la photolithographie sur silicium poreux a été étudiée. Ainsi, une méthode de photolithographie à base de résine solide, sous forme de film, a été élaborée. Cette méthode constitue une alternative intéressante aux photorésines classiques, dont l'utilisation pose des problèmes de compatibilité avec le silicium poreux. Cette résine a été utilisée comme résine de soulèvement et masque de gravure plasma, et a donné de bons résultats, malgré quelques problèmes d'adhérence. Des essais préliminaires de gravure plasma ont également été menés et ont donné des résultats plutôt prometteurs, avec notamment un taux de gravure deux à trois fois supérieur à celui du silicium. Ainsi, à l'issue de ces travaux de maîtrise, les équipements et procédés nécessaires à la fabrication et l'intégration du silicium poreux dans les MEMS, pour les applications à moyenne température, ont été implémentées [i.e. implémentés].