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Einfluss von reversibler epitaktischer Verspannung auf die elektronischen Eigenschaften supraleitender DünnschichtenTrommler, Sascha 06 August 2014 (has links) (PDF)
Eine Methode zur Variation der interatomaren Abstände eröffnet die epitaktische Abscheidung dünner Schichten. Dabei führt die Wahl eines geeigneten Substrates zu Spannungen in der Schichtebene. Im Gegensatz zu hydrostatischen Druckexperimenten an Massivproben ist die dadurch erzeugte biaxiale Verspannung des Kristallgitters von der Art der Probenherstellung abhängig und kann anschließend nicht mehr variiert werden. Werden für verschiedene Verspannungszustände das Substrat und die Präparationsparameter angepasst, beeinflusst dies gleichzeitig das Schichtwachstum. Aus den daraus resultierenden Schichteigenschaften lässt sich der Einfluss der Gitterdeformation nur schwer separieren, was die Vergleichbarkeit von verschiedenen Verspannungszuständen stark einschränkt. Aus diesem Grund konzentrieren sich bisherige Untersuchungen zur Dehnungsempfindlichkeit von supraleitenden Dünnschichten zumeist auf die phänomenologische Beschreibung der Ergebnisse, da sie nur schwer mit der Verspannung in Korrelation zu setzen sind.
Da dieses Problem mit herkömmlichen Verfahren nicht zu lösen ist, werden in dieser Arbeit neue Verspannungstechniken auf supraleitende Dünnschichten angewendet und im Besonderen mit dem Fokus auf Fe-basierte Supraleiter untersucht. Zum einen kommen dazu piezoelektrische Substrate zum Einsatz, die eine biaxiale Verspannung der darauf abgeschiedenen Dünnschicht ermöglichen, indem die Gitterparameter des Substrates durch ein elektrisches Feld verändert werden. Zum anderen wird auf Grundlage flexibler Substrate mittels eines Biegeversuchs eine uniaxiale Gitterdeformation von Dünnschichten realisiert.
Zusammenfassend wird in dieser Arbeit die Anwendung der dynamischen Verspannung auf supraleitende Schichten für zwei wichtige Materialklassen demonstriert: die Kupferoxid-basierten Supraleiter und die Eisen-basierten Supraleiter. In beiden Fällen konnte ein epitaktisches Wachstum durch gezielte Anpassung der Pufferarchitektur erreicht werden. Im Fall der piezoelektrischen Substrate wurde der vollständige Übertrag der Verspannung in die Schicht nachgewiesen und die Temperaturabhängigkeit der induzierten Dehnung über verschiedene Verfahren ermittelt. Auf dieser Grundlage konnte die Dehnungsempfindlichkeit der supraleitenden Übergangstemperatur, die bisher nur durch statisch verspannte Schichten zugänglich war, näher untersucht werden. Zusätzlich erlaubte der Ansatz die Analyse der Vortexdynamik sowie des oberen kritischen Feldes. Es konnte materialübergreifend gezeigt werden, dass sich die Dehnungsempfindlichkeit der charakteristischen Übergangsfelder einheitlich beschreiben und sich dabei der Vortex-Glas-Flüssigkeits Übergang mit der Aktivierungsenergie korrelieren lässt.
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Einfluss von reversibler epitaktischer Verspannung auf die elektronischen Eigenschaften supraleitender DünnschichtenTrommler, Sascha 22 July 2014 (has links)
Eine Methode zur Variation der interatomaren Abstände eröffnet die epitaktische Abscheidung dünner Schichten. Dabei führt die Wahl eines geeigneten Substrates zu Spannungen in der Schichtebene. Im Gegensatz zu hydrostatischen Druckexperimenten an Massivproben ist die dadurch erzeugte biaxiale Verspannung des Kristallgitters von der Art der Probenherstellung abhängig und kann anschließend nicht mehr variiert werden. Werden für verschiedene Verspannungszustände das Substrat und die Präparationsparameter angepasst, beeinflusst dies gleichzeitig das Schichtwachstum. Aus den daraus resultierenden Schichteigenschaften lässt sich der Einfluss der Gitterdeformation nur schwer separieren, was die Vergleichbarkeit von verschiedenen Verspannungszuständen stark einschränkt. Aus diesem Grund konzentrieren sich bisherige Untersuchungen zur Dehnungsempfindlichkeit von supraleitenden Dünnschichten zumeist auf die phänomenologische Beschreibung der Ergebnisse, da sie nur schwer mit der Verspannung in Korrelation zu setzen sind.
Da dieses Problem mit herkömmlichen Verfahren nicht zu lösen ist, werden in dieser Arbeit neue Verspannungstechniken auf supraleitende Dünnschichten angewendet und im Besonderen mit dem Fokus auf Fe-basierte Supraleiter untersucht. Zum einen kommen dazu piezoelektrische Substrate zum Einsatz, die eine biaxiale Verspannung der darauf abgeschiedenen Dünnschicht ermöglichen, indem die Gitterparameter des Substrates durch ein elektrisches Feld verändert werden. Zum anderen wird auf Grundlage flexibler Substrate mittels eines Biegeversuchs eine uniaxiale Gitterdeformation von Dünnschichten realisiert.
Zusammenfassend wird in dieser Arbeit die Anwendung der dynamischen Verspannung auf supraleitende Schichten für zwei wichtige Materialklassen demonstriert: die Kupferoxid-basierten Supraleiter und die Eisen-basierten Supraleiter. In beiden Fällen konnte ein epitaktisches Wachstum durch gezielte Anpassung der Pufferarchitektur erreicht werden. Im Fall der piezoelektrischen Substrate wurde der vollständige Übertrag der Verspannung in die Schicht nachgewiesen und die Temperaturabhängigkeit der induzierten Dehnung über verschiedene Verfahren ermittelt. Auf dieser Grundlage konnte die Dehnungsempfindlichkeit der supraleitenden Übergangstemperatur, die bisher nur durch statisch verspannte Schichten zugänglich war, näher untersucht werden. Zusätzlich erlaubte der Ansatz die Analyse der Vortexdynamik sowie des oberen kritischen Feldes. Es konnte materialübergreifend gezeigt werden, dass sich die Dehnungsempfindlichkeit der charakteristischen Übergangsfelder einheitlich beschreiben und sich dabei der Vortex-Glas-Flüssigkeits Übergang mit der Aktivierungsenergie korrelieren lässt.:1 Einleitung 1
2 Grundlagen 5
2.1 Supraleitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.2 Wachstum dünner Schichten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.3 Methoden der Gitterverspannung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.4 Dynamische Gitterverspannung von Dünnschichten . . . . . . . . . . . 13
2.4.1 Piezoelektrischer Effekt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.4.2 Ferroelektrische Keramiken . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.4.3 PMN-28%PT als Dünnschicht Substrat . . . . . . . . . . . . . . 18
2.4.4 Verknüpfung von epitaktischer Verspannung und Druck . . . . . 19
3 Experimentelles 21
3.1 Gepulste Laserdeposition - PLD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.2 Analysemethoden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.2.1 Hochenergetische Elektronenbeugung (RHEED) . . . . . . . . . 23
3.2.2 Atomkraftmikroskopie (AFM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.2.3 Röntgendiffraktometrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.2.4 Elektrische Transportmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.3 (La,Sr)2CuO4 Dünnschichten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.3.1 Eigenschaften von (La,Sr)2CuO4 Dünnschichten . . . . . . . . . 33
3.3.2 Epitaktisches Wachstum auf Einkristallen . . . . . . . . . . . . 35
3.3.3 LSCO Dünnschichten auf PMN-PT . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.4 Ba(Fe,Co)2As2 Dünnschichten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3.4.1 Eigenschaften von Ba(Fe,Co)2As2 Dünnschichten . . . . . . . . 44
3.4.2 Epitaktisches Wachstum auf Einkristallen . . . . . . . . . . . . 47
3.4.3 Ba122 Dünnschichten auf PMN-PT . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4 Ergebnisse und Diskussion 55
4.1 Dynamische Verspannung von supraleitenden Dünnschichten . . . . . . 55
4.1.1 Dehnungsübertrag in die Schicht . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
4.1.2 LSCO Dünnschichten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
4.1.3 Ba122 Dünnschichten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4.2 Präparation von BaFe1;8Co0;2As2 auf flexiblen Substraten . . . . . . . . 96
4.2.1 Herstellung und Analyse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
4.2.2 Einfluss leitfähiger Barriereschichten . . . . . . . . . . . . . . . 103
4.2.3 Kritische Stromdichte und Anisotropie . . . . . . . . . . . . . . 109
III
Inhaltsverzeichnis
4.2.4 Biegeversuch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
5 Zusammenfassung und Ausblick 117
Literaturverzeichnis I
Publikationsliste XXIII
Danksagung XXV
Erklärung der Urheberschaft XXVII
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