Orientador: Roberto Luzzi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T08:48:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sampaio_AntonioJosedaCosta_D.pdf: 2605293 bytes, checksum: 1a6b273715fb19378c33c661469f64dd (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: Sérias dificuldades surgem quando estudamos sistemas que se encontram longe do equilíbrio termodinâmico, principalmente porque sabemos ser completamente inaplicáveis às Teorias Lineares (Resposta Linear de Kubo, etc.). Nós discutimos neste trabalho a reação de um plasma fotoexcitado num semicondutor polar de Gap direto e, conjuntamente, fazemos uma análise completa sobre a cinética de relaxação deste sistema, isto é, como o sistema evolui para o equilíbrio termodinâmico. Usamos o método estatístico de não-equilíbrio proposto por Zubarev para a matriz densidade r(t). A partir deste construímos a função Resposta dada em termos de funções de Green Termodinâmicas, cujas soluções estão acopladas ao conjunto de equações de Transporte não-lineares que descrevem a evolução do fenômeno irreversível que ocorre no sistema. Os resultados teóricos são comparados com os dados fornecidos pela experiência, obtidas com a espectroscopia ótica ultra-rápida com resolução temporal para o CdSe e o GaAs e os resultados da comparação estão em excelente arranjo. Discutimos o espectro que determina um plasma no CdSe e também discutimos os vários canais de relaxação relevante para o GaAs. Mostramos que o estudo teórico e numérico proporciona uma boa descrição dos mecanismos de perda de energia que são considerados para esta espécie de sistemas / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Mario Eusebio Foglio / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T13:18:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Vasconcelos_Jose_D.pdf: 2618041 bytes, checksum: 890703962cdbbceba8f6e01c13afbeb5 (MD5) Previous issue date: 1977 / Resumo: Inspirados inicialmente num artigo de Freyne, conseguimos desenvolver um modelo teórico suficientemente geral, que nos permite estudar diversas das propriedades magnetoelásticas das Terras Raras. Empregamos este modelo, principalmente para o estudo de algumas propriedades do Disprósio e Érbio. Numa experiência realizada por Rhyne et al constatou-se uma mudança de fase magnética do Disprósio, com campo magnético crítico de 74 köe, a uma temperatura de 4,2 K. Nosso modelo descreve corretamente esta mudança de fase. Estudamos ainda o comportamento do campo magnético crítico com a temperatura. Segundo nos é dado conhecer, nenhum dos modelos teóricos existentes, dão conta deste comportamento do Disprósio a baixas temperaturas. Incluimos também em nosso modelo uma generalização de parte de um formalismo desenvolvido por Nagamiya, com o intuito de estudarmos o comportamento da constante elástica C33 na região de ordenamento magnético do Érbio, nas vizinhanças da temperatura de Néel. Nosso resultado concorda muito bem com os valores experimentais. Esta é também a primeira tentativa teôrica de estudar o comportamento de uma constante elástica de de uma terra rara numa região de ordenamento magnético / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Claudio Santos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T00:30:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Jardim_RenatodeFigueiredo_M.pdf: 2151391 bytes, checksum: 5c35a8f94f6b1481d5b2bf9aa82f160b (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: No presente trabalho são discutidos métodos experimentais utilizados para a determinação de resistividade elétrica em metais. O método convencional (método das quatro pontas ou potenciométrico) é discutido rapidamente, sendo dada maior atenção aos métodos indutivos: o método da amostra girante, o método da impedância mútua e, particularmente, o método da contra corrente. Este é estudado sob novo aspecto, não desprezando o comportamento magnético do metal, e estendido para amostras que apresentam geometria tipo cilindro circular oco em duas situações distintas: alimentação da bobina primária por fonte de corrente e por fonte de tensão. Para avaliar este procedimento são construídos três sistemas de bobinas distintos e medidas de resistividade elétrica, à temperatura ambiente e à temperatura de nitrogênio líquido, são efetuadas em amostras de nióbio purificado pelo processo eletrolítico em sais fundidos, de cobre, de alumínio, de latão e de bronze. Estes resultados são comparados com medidas efetuadas pelo método convencional, apresentando concordância dentro de erro máximo de 5% / Abstract: Not informed / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Stephenson Caticha Ellis / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T06:53:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 PortugalPostigo_RembertoJose_M.pdf: 3689329 bytes, checksum: b8c02fdea8eb1f616c8f874585f68792 (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: A sensibilidade S da medida de parâmetros de rede por meio da Difração múltipla ( D.M. ) de raios-X ( S. Caticha Ellis, Japan J. Appl. Phys. (1975), 14, 603-611 ) é dada por: S = 1/( gtanf cos2q1 ), onde g = /a, q1 o ângulo de Bragg para a reflexão primária, e f o ângulo formado pelo vetor reciproco H da reflexão secundária; com o plano de incidência quando H está em posição de reflexão: Pares de Reflexões múltiplas com S alto foram escolhidos e o valor do parâmetro a calculado a partir da diferença angular azimutal entre cada par. Para mono-cristais de Germânio, CuKa1 e reflexão primária ( 222 ), foram escolhidos os seguintes pares de picos : (135') ( 315' ), ( 5'13 ) ( 5'31 ), ( 11'7 ) ( 1'17 ) e ( 711' ) ( 71'1 ) todos eles verificam; 1 ) o ângulo f é o mais pequeno dando então o maior valor de S. 2 ) A separação angular da posição dos picos para cada um destes pares é de aproximadamente 0,22°, que pode ser medida diretamente. 3 ) Os quatro pares envolvem só reflexões fracas. Assim. sendo, deslocamentos dos picos devido a interações dinâmicas não são levadas em conta. O experimento foi realizado usando um gerador microfoco ajustado para se ter um foco pontual de raios-X de 50 x 50 mm, monocromatizados por um cristal curvo de quartzo ( 101'1 ). A separação angular de cada par de reflexões foi medida girando o cristal com uma velocidade de 0,003 °/min com um erro de aproximadamente 10-5 °/min. São apresentados resultados para um cristal perfeito e para um imperfeito / Abstract: The sensitivity s of the measurement of lattice parameter by means of multiple diffraction ( MD ) of X-rays ( S. Caticha-Ellis, Jap, J. App1. Phys. ( 1975 ), 14, 603-611 ) is given by S = 1/( gtanf cos2q1 ), where g = /a, q1 is the Bragg angle for the primary reflection and f is the angle formed by the RELV H of the secondary reflection with the plane of incidence when H is in a reflecting position. Pairs of MD reflections with high S were chosen and the value of the parameter a calculated from the azimutal angle difference within each pair. For Ge single crystals, CuKa1 and primary reflection 222, the following four pairs were chosen: ( 135' ) ( 315' ), ( 5'13 ) ( 5'31 ), ( 11'7 ) ( 1'17 ) and ( 711' ) ( 71'1 ). All of them verify: 1 ) the angle f is the lowest thus giving the highest S. 2 ) The angular separation of the peak positions for the each of these pairs is about 0,22 degree so that it can be measured directly. 3 ) The four pairs involve only weak reflections so that the peak-shift due to dynamical interactions need not be considered. The experiments were performed by using a microfocus 50 x 50 mm point source of X-rays monochromatized by a curved quartz ( 1011 ) crystal. The angular separation of each pair of reflections was measured by rotat.ing the crystal at a speed of 0,003 deg/min with an error of about 10-5 deg/min. Results for perfect and imperfect crystals are reported. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Reiko Sato Turtelli / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T10:04:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Knobel_Marcelo_D.pdf: 10017236 bytes, checksum: 05529c313d080afa0564c25333e4d03d (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Neste trabalho são realizados estudos de diversas propriedades magnéticas e estruturais no processo de desenvolvimento da microestrutura nanocristalina formada a partir de uma liga amorfa de composição Fe73.5CU1Nb3Si13.5B9.Após tratamentos térmicos específicos, formam-se cristais nanométricos imersos em uma matriz amorfa, que são os responsáveis pelas excelentes propriedades magnéticas que esses materiais apresentam. O processo de cristalização é analisado utilizando as seguintes técnicas: Espectroscopía Mõssbauer, difração de raios-x, relaxação da permeabilidade magnética, magnetostrição, curvas de histerese, permeabilidade inicial, campo de pinning e temperatura de Curie. É verificado que a formação dos cristais nanométricos influencia drasticamente os graus de liberdade dos defeitos presentes na estrutura amorfa, ocorrendo um quase completo desaparecimento do fenômeno de relaxação magnética nesses materiais. Tal fato pode ser verificado separando a contribuição das duas componentes estruturais, utilizando os resultados obtidos através de Espectroscopía Mõssbauer. A análise dos espectros Mõssbauer fornece ainda a evolução composicional e a estrutura dos cristais formados. Tais resultados, em conjunto com os dados obtidos das linhas de difração de raios-x, fornecem uma visão completa da microestrutura desses novos materiais. Através das medidas magnéticas macroscópicas comprovam-se as excelentes propriedades magnéticas dos materiais nanocristalinos. Dessas investigações é verificado que o estado nanocristalino final é dependente do grau de desordem topológica da fita amorfa inicial. Para um estudo mais sistemático desse efeito, são desenvolvidas técnicas indiretas para a caracterização da estrutura amorfa. Como resultado final, é verificado que a permeabilidade do material nanocristalino depende fortemente da taxa de resfriamento na qual a amostra amorfa foi produzida / Abstract: In this work, several magnetic and structural investigations have been performed during the development of a nanocrystalline state from an amorphous ribbon of nominal composition Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9. After specific thermal treatments, the material consist on nanometer sized crystallites embedded in an amorphous matrix, which are responsible for the excellent magnetic properties achieved. The crystallization process is analyzed using the following techniques: Mõssbauer spectroscopy, x-ray diffraction, magnetic aftereffect, hysteresis loops, initial permeability , pinning field, magnetostriction, Curie temperature. It is observed that the formation of the nanocrystals influences drastically the degree of freedom of the defects present in the amorphous phase, occurring an almost complete suppression of relaxation effects in these materials. This fact can be verified separating the contribution of the two structural phases using the results obtained from Mossbauer spectroscopy. The analysis of Mõssbauer spectra gives also information about compositional evolution and structure of the crystal1ine grains. This results, in addition with data extracted from x-ray diffraction, offer a complete view of the microstructure of these new materials. From macroscopic magnetic measurements the excellent soft magnetic properties are verified. It is observed that the final nanocrystal1ine state is dependent on the degree of topological disorder of the initial amorphous ribbons. In order to perform a systematic study concerning this point, several methods to characterize the amorphous structure are developed. As a final result it is observed that the magnetic permeability is highly dependent on the quenching rate at which the amorphous ribbons are produced. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Gunther Zerweck / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T21:09:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lima_OscarFerreirade_M.pdf: 1736388 bytes, checksum: c2add3e0ff9b34264feddea558bfb3ec (MD5) Previous issue date: 1977 / Resumo: Medidas de curvas de magnetização e susceptibilidade diferencial em pequenos lupos de histerese ( Hc1 < H < Hc2 ) foram efetuadas, em amostras cilindricas de monocristal de Nb, para três estados diferentes de deformação plástica ( e = 0.0, 0.05, 0.12 ), em temperaturas entre 3.0 e 6.0 K. Gráficos da distribuição interna de campo são obtidos a partir das curvas de susceptibilidade diferencial. A influência da "história magnética" ( maneira de estabelecer o campo externo ) foi observada, produzindo variacões de até 4 vezes no valor da força de pinning volumétrica. Também confirmamos a influência da deformação plástica no aumento da força de pinning / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Zoraide P. Arguello / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T22:33:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Moraes_JoaoCarlosSilos_M.pdf: 22587275 bytes, checksum: a8c2e85021cc6bcc26d1474bc93307a5 (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: O presente trabalho desenvolve todo procedimento a ser seguido para a confecção de espelhos para laser de CO2 de baixa potência. O material utilizado como substrato é o Germânio. Os filmes finos evaporados neste substrato para obtenção das propriedades óticas (Reflexão e Transmissão) imposta pelo Laser projetado foram Sulfeto de Zinco (dielétrico) e Alumínio (metálico). Na parte de orientação de monocristais é desenvolvido uma técnica de agilização do método de Laue de retrocesso, através da utilização de microcomputador / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Olegario Ferreira / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-18T02:44:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bertoli_StelamarisRolla_M.pdf: 1216481 bytes, checksum: 78b8e3236e48d99a1877235a85074a9c (MD5) Previous issue date: 1984 / Resumo: Alguns compostos de terras raras de Ce e Sm apresentam, por efeitos externos como pressão e temperatura, ou internos, como introdução de íons substitucionais, duas configurações eletrônicas com probabilidade de ocupação comparáveis. A esse fenômeno denomina-se de valência intermediária (V.I.). Propriedades físicas como suscetibilidade magnética, expansão térmica, calor específico, constante elástica podem ter seu comportamento alterado devido à V.I. Estudamos a contribuição da valência intermediaria no comportamento elástico do composto policristalino CePd3. Medimos as constantes elásticas longitudinal e transversal de CePd3 e LaPd3 (composto de referência) no intervalo de temperatura entre 4,2 e 300 K, através de técnicas de ultra-som, empregando o método de superposição de ecos. Calculamos o módulo de elasticidade dos compostos e a sua variação. Propomos um modelo simples de dois níveis incluindo a valência intermediária onde a hibridização e simulada por uma temperatura efetiva TS incluída na função de partição. Escrevemos a função de partição para CePd3 e LaPd3, derivamos e encontramos a variação do módulo de elasticidade em função da temperatura. Os dados teóricos e experimentais são comparados através de ajuste numérico empregando o método de mínimos quadrados onde obtemos parâmetros como variação de energia, parâmetro de Gruneisen e temperatura TS / Abstract: In rare earth systems involving Ce and Sm, the 4fn5dx6s2 (where x = 0 or 1) and the 4fn-15dx+16s2 configurations are energetically found to be near each other and can be inverted by externally applied or internally generated constraints. The external constraints are usually pressure and/or temperature and the internal one is due to the substitution of trivalent rare earth ion, or a transition-metal ion of higher valence, into the host lattice. An interesting aspect of valence change is the nonintegral valence state, which has the special name of Interconfiguration Fluctuation (ICF) . Physical properties like magnetic susceptibility, thermal expansion and elastic constant may change due to ICF. We studied the contribution of ICF in the bulk modulus of polycrystalline CePd3. We measured the longitudinal and transverse elastic constants of CePd3 and LaPd3 (reference compound) between 4,2 K and 300 K by ultrasonic techniques, using the pulse superposition method. We calculated the bulk modulus of the compounds and its respective variation. We proposed a simple model of two levels, containing ICF, where the hybridization was simulated by an effective temperature TS, introduced in the partition function. We calculated also the compound partition functions, whose derivatives give the bulk modulus variation as a function of the temperature. The theoretical and experimental results were fitted by the least square method, and the energy variation, Gruneisen parameter and TS were obtained. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Francisco das Chagas Marques / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-19T02:57:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 VilcarromeroLopez_Johnny_M.pdf: 1889568 bytes, checksum: 8f7a693ebe33e866d6a0f90785fe9f7c (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: No presente trabalho apresentamos um estudo sobre ligas amorfas de germânio-nitrogênio hidrogenadas (a-GeNx:H). Os filmes foram preparados pela técnica de rf-reactive sputtering, com um alvo de germânio ultra puro em dois diferentes tipos de atmosferas: i) Argônio + Amônia, e ii) Argônio + Nitrogênio + Hidrogênio ou Deutério. As propriedades ópticas e estruturais dos filmes dependem dos parâmetros de deposição utilizados. No que se refere à banda proibida óptica podem ser obtidos valores numa faixa de 1 a 3 eV mudando apenas o Bias (tensão de autopolarização da rf). Outro parâmetro que também foi estudado e influencia bastante nas propriedades do material foi a temperatura de crescimento do substrato. Da análise dos espectros por transmissão no infravermelho obtivemos que as bandas de absorção associadas às vibrações dos elementos do composto ligados ao hidrogênio são mudadas quando é usado deutério em lugar de hidrogênio. Este efeito é usado para distinguir as bandas relacionadas às ligações com o hidrogênio das ligações com outros átomos. O espectro obtido para os filmes a-GeNx:H depositados na faixa de temperatura de 150 ºC a 300 ºC mostra bandas de absorção características das vibrações Ge-N, Ge-H, N-H e N-H2. Nos filmes de a-GeNx:D as bandas ligadas ao hidrogênio são substituídas pelas bandas Ge-D, N-D e N-D2 nas quais as freqüências de vibração são mudadas para posições de baixa energia. A mudança de freqüências é consistente com o fator da raiz quadrada da razão das massas atômicas do D- e H-. Também foi observada uma mudança na posição destas bandas de absorção especificamente na vibração Ge-H, quando incorporamos maior quantidade de nitrogênio na rede de Ge. Os filmes preparados em temperatura ambiente mostram contaminação atmosférica espontânea, que tende a se saturar depois de alguns meses. Várias bandas de absorção surgem na faixa de 2700-3800 cm-1 e 1400-1650 cm-1. Para designar estas bandas de absorção, uma análise sistemática foi executada usando a evolução dos espectros de infravermelho como função do tempo de exposição à atmosfera. Um estudo de medidas de stress intrínseco como função de alguns parâmetros de deposição (bias e temperatura de crescimento do substrato), foi realizado nos filmes de a-GeNx:H. Também determinamos o coeficiente de dilatação térmica e o módulo de Young em função da concentração de nitrogênio nas ligas / Abstract: In this work we report optical and structural properties of hydrogenated germanium nitrogen alloys (a-GeNx:H). These films were prepared by the rf-reactive sputtering technique, using a crystalline germanium target in Argon + Ammonia or Argon + Nitrogen + Hydrogen (or Deuterium) atmosphere. Its properties are strongly dependent on the deposition parameters. The band gap ranges from approximately 1 eV to 3 eV by just changing the applied power. The deposition temperature also plays an important role in its structural properties. Deuterium was used to replace the hydrogen in the films in order to distinguish the infrared absorption bands related to the vibrations of the alloy elements bonded to hydrogen. The spectrum obtained for a-GeNx:H deposited in the 150 ºC to 300 ºC range shows absorption bands characteristic of Ge-N, Ge-H, N-H, N-H2 vibrations. In the a-GeNx:D films the hydrogen atoms are replaced by deuterium atoms and the corresponding Ge-D, N-D, and N-D2 absorption bands are shifted to lower energy .The shifting of frequencies are consistent with the D to H-atom mass ratio factor. A shifting of the bands associated with hydrogen as the nitrogen concentration changes has also been observed. The films prepared at room temperature show spontaneous atmospheric contamination, which tends to saturate after a few months. Several absorption bands appear in the 2700-3800 cm-1 range and at 1400-1650 cm-1. In order to assign those absorption bands, a systematic analysis has been performed using the evolution of the infrared spectra as the atmosphere exposing time increases. Stress measurements were performed in samples prepared in different deposition conditions. The thermal expansion coefficient and the Young modulus as a function of nitrogen concentration was also measured. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Jorge Ivan Cisneros / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-19T02:58:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_JoseHumbertoDiasda_D.pdf: 2688741 bytes, checksum: 81cfc920d056bf2b4500e094dd735a33 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Filmes de antimoneto de gálio amorfo foram preparados em um sistema de evaporação flash especialmente construído. O controle dos parâmetros de evaporação permitiu a obtenção de amostras de diferentes composições, inclusive estequiométricas. As propriedades físicas dos materiais foram analisadas usando as espectros copias óptica, de foto-elétrons, de perda de energia por elétrons, de absorção no infravermelho e espalhamento Raman, além de difratometria de raios-X e medidas de condutividade elétrica. Por influência das diferenças composicionais as amostras apresentaram modificações na borda de absorção e na condutividade elétrica. O afastamento da estequiometria nas amostras de GaSb foi analisado com base nos resultados obtidos, os quais evidenciaram a existência de desordem química no material. Neste caso a desordem química é representada principalmente por ligações "erradas" entre elementos da mesma espécie e por sítios atômicos com coordenação diferente de quatro. Tratamentos térmicos seqüenciais primeiramente induziram variações detectáveis na borda de absorção, nas bandas vibracionais e nos espectros Raman do GaSb amorfo. As variações observadas são compatíveis com o ordenamento da estrutura do material a nível dos primeiros vizinhos dos sítios atômicos. Tratamentos a temperaturas iguais ou superiores a 210°C provocaram a cristalização parcial do material, conforme se constata através dos difratogramas de raios-X. A partir dos resultados experimentais propusemos um mecanismo de cristalização, baseado na segregação de excessos de antimônio para fora das regiões cristalizadas, e na posterior acumulação do excesso de antimônio nas regiões amorfas intersticiais. As propriedades físicas do material amorfo altamente desbalanceado e as propriedades do material estequiométrico apresentam fortes semelhanças, em decorrência do fato de que a matriz amorfa que permanece no material parcialmente cristalizado apresenta defeitos estruturais semelhantes aos existentes nos materiais desbalanceados. Os modelos de estrutura eletrônica existentes são utilizados na análise deste problema / Abstract: Amorphous gallium antimonide films were deposited in a specially designed flash evaporation system. The control of the evaporation parameters allowed us to obtain samples with various compositions. including the stoichiometric ones. The physical properties of the material were analyzed using optical spectroscopy, photoelectron spectroscopy. X-ray diffractometry. electrical conductivity. Raman scattering. infrared absorption and electron energy loss measurements. In samples with different compositions. the optical absorption edge and the DC electrical conductivity were modified. The departure from stoichiometry in GaSb films is analyzed on the basis of these results which can be used as an evidence of the chemical disorder. This kind of disorder is represented here by either wrong bonds or sites with different coordination. Thermal annealing with a sequence of increasing temperatures first induced detectable variations in the optical absorption edge and in the vibrational properties of the amorphous GaSb. These variations are compatible with the GaSb local ordering and were observed by Raman scattering and infrared absorption spectra. The annealing at higher temperatures allowed the crystallization of the material confirmed by X-Ray diffraction. From these experimental results a crystallization mechanism based on the segregation of Sb excess coming from the crystallized regions toward the amorphous tissue is proposed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências