Orientadores: Daniela Zanchet, Marcelo Knobel / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-08-03T19:11:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Vargas_JoseMarcelo_M.pdf: 9306443 bytes, checksum: 0dc4a6d8ce6115ff27fe98eb8a0010d5 (MD5) Previous issue date: 2004 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Fernando Iikawa / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-03T21:39:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gomes_PauloFreitas_M.pdf: 1146621 bytes, checksum: b7f76e8d642550fddb547a7ed86d00e3 (MD5) Previous issue date: 2004 / Resumo: Estudamos a influência de uma pressão biaxial externa sobre a estrutura de banda de poços quânticos de GaAs / AlGaAs por medidas ópticas. A aplicação de uma pressão externa é uma técnica bastante útil no estudo de efeitos da mistura das bandas em heteroestruturas, principalmente da banda de valência. A sua grande vantagem é de ter controle externo utilizando uma mesma amostra. Utilizamos técnicas de medidas de fotoluminescência e fotoluminescência de excitação. A medida da deformação (tensão) foi feita a partir do pico de luminescência da camada espessa de GaAs da própria amostra. Os poços quânticos investigados têm uma largura nominal de 107Å, onde a separação de energia entre a subbanda de buraco pesado e leve no centro da zona de Brillouin é de 12 meV. A célula de pressão utilizada aplica uma tração biaxial suficiente para deslocar as subbandas com energias maiores que essa separação. Realizamos cálculos numéricos das dispersões de energia da banda de valência utilizando o Hamiltoniano 6x6 de Luttinger-Kohn e de Bir-Pikus, para analisar os dados experimentais. Uma propriedade interessante observada nos resultados experimentais, que fora previsto nos cálculos, é o anti-cruzamento entre as subbandas nos estados fundamentais do buraco leve e pesado. O "gap" indireto também previsto teoricamente, não foi observado devido ao efeito de localização que alarga a linha de emissão e absorção da ordem da diferença de energia entre o topo da banda de valência e o centro da zona. Este trabalho abre possibilidades de realizar estudos futuros de efeitos da mudança na estrutura de bandas em poços quânticos, como por exemplo, sobre a dinâmica e formação de éxcitons, como também magneto-éxcitons. A aplicação simultânea de uma pressão biaxial e um campo magnético permite investigar o fator-g de Landé ( efeito Zeeman ) influenciado pela mistura das bandas em poços quânticos / Abstract: We have studied the influence of external biaxial stress in GaAs / AlGaAs quantum wells heteroestructures by optical measurements. For this purpose, we have used photoluminescence and excitation photoluminescence measurement techniques. Biaxial stress application is a extremelly useful technique to study the valence band mixing in heterostructures, and its greatest advantage is the external control of the sample strain.. The measurement of strain (stress) was carried out measuring the photoluminescence peak of the thick GaAs layer. The quantum wells have nominal width of L = 107 Å, and the energy difference between the heavy and light hole subband is about 12 meV, in k = 0 (center of first Brillouin zone). The pressure cell used applies a biaxial stress enough to dislocate the subbands more than 12 meV (the energy difference between the heavy and light hole subbands). We have numerically calculated the valence band energy dispersion using the Bir-Pikus and Luttinger-Kohn 6x6 hamiltonian to analyze the experimental data. An interesting property observed in the experimental data and theoretically simulation, is the anti-crossing between the heavy and light hole subband in the ground state. The indirect gap, also theoretically predicted, was not observed due the localization effect. This effect extends the emission and absorption line in amount of the energy difference between the valence band top and the center of the zone. This work opens possibilities for future studies about the effects of changes in the quantum well band structure, like dynamics and formation of excitons, also magnetic-excitons. The simultaneous application of biaxial stress and magnetic field permits to investigate the Landé g-factor (Zeeman effect) influenced by the band mixing in quantum wells / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Teresa Dib Zambon Atvars / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-03T21:54:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cossiello_RafaelDiFalco_M.pdf: 1572837 bytes, checksum: 19e63ede7b38e238cbb9b8b3d9a68b93 (MD5) Previous issue date: 2003 / Mestrado

Orientador : Rubens Caram Junior / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-08-03T22:09:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Mello_GiselaMartinelliRocha_D.pdf: 3062014 bytes, checksum: c43a5407ea775274589177805f4e9de2 (MD5) Previous issue date: 2004 / Doutorado

Orientador: Ioshiaki Doi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-04T00:10:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 OliveiraJunior_AdeiltonCavalcantede_M.pdf: 5856078 bytes, checksum: f76d5a1a9d125a37197c40f8a782b7af (MD5) Previous issue date: 2003 / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Edmundo da Silva Braga / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-04T00:36:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Mologni_JulianoFujioka_M.pdf: 4845552 bytes, checksum: cea8b9624ecbac1f1ac9281fa2e3edd4 (MD5) Previous issue date: 2004 / Resumo: Desenvolvemos e caracterizamos um processo de fabricação de microponteiras de silício utilizando plasma de radiofreqüência (RF). Foram estabelecidos processos de corrosão iônica reativa (RIE) do silício e dióxido de silício em um reator de placas paralelas utilizando SF6 e a mistura gasosa SF6/O2. Foram caracterizadas as grandezas exigidas ao processo de fabricação, tais como taxa de corrosão, seletividade, anisotropia e qualidade da superfície, e foram comparadas a outros processos. Foram analisados e caracterizados os mecanismos de corrosão do processo desenvolvido. Microponteiras de silício com diferentes razões de aspectos foram caracterizadas e fabricadas utilizando a mistura gasosa em diferentes proporções. Os melhores resultados foram obtidos utilizando-se um plasma com uma concentração de 25% de oxigênio e 75% de hexafluoreto de enxofre / Abstract: We have developed and characterized a silicon microtip fabrication process using radiofrequency (RF) plasma. Reactive Ion Etching processes of silicon and silicon dioxide in a parallel plate reactor were established using SF6 and SF6/O2 gas mixture. The parameters of the fabrication process, such as the etch rate, selectivity, anisotropy and surface quality were characterized and compared with other processes. The etching mechanisms of the developed process were analyzed and characterized. Silicon microtips with different aspect ratios were fabricated and characterized using the gaseous mixture at different concentrations. The best results were obtained using plasma comprised of 25% of oxygen and 75% of sulfur hexafluoride / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Made available in DSpace on 2014-06-12T17:42:33Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo7482_1.pdf: 7300177 bytes, checksum: 4205aa2339053a65b5c10f51536801ce (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2005 / A estabilidade de uma edificação e conseqüentemente a segurança de seus ocupantes, em uma situação de incêndio, está diretamente ligada a performance da estrutura quando submetidos a elevadas cargas térmicas. Quando uma estrutura de concreto é submetida a ação de um incêndio ocorre um processo de transferência de calor, por radiação e convecção, na superfície da estrutura. E por condução através do interior da estrutura. Do impacto do calor sobre a estrutura uma serie de processos físicos e químicos modifica substancialmente as caracteristicas mecânicas do concreto, como por exemplo, o lascamento. O lascamento pode ocorrer na forma explosiva. Este fenômeno foi observado em nossos experimentos realizados, apesar do concreto usado, em nossos experimentos, ter sido de densidade normal. O objetivo deste estudo é investigar as propriedades mecânicas residuais do concreto, dosado com materiais comum de uso no Estado de Pernambuco, quando submetido a altas temperaturas. Uma série de 250 corpos de prova foi moldada e aquecida durante 30 minutos a temperaturas de aproximadamente 450ºC e 600ºC no forno. Após os corpos de prova serem aquecidos, eles foram submetidos a dois tipos de resfriamento: a) Um lento onde o concreto foi removido do forno e deixado esfriar a temperatura ambiente; b) Um brusco onde os corpos de prova foram removidos do forno e colocados em um tanque com água por 1 hora, a fim de simular a ação dos bombeiros; c) Os corpos de prova foram também testados a quente. As temperaturas internas e superficiais dos corpos de prova foram observadas por termopares. Os resultados destas propriedades mecânicas residuais do concreto serão apresentadas e discutidas neste trabalho

Made available in DSpace on 2014-06-12T18:08:23Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo8049_1.pdf: 3676906 bytes, checksum: 64f23d14498ed3bf42d431ae9a09db65 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2002 / Propriedades estatísticas de configurações de fios metálicos de comprimento L (50, 100, 150, 250, 300 e 438 cm) e espessura z = 0,10 cm injetados em uma cavidade circular de raio R0 = 10 cm e altura z, para três diferentes geometrias de injeção, são investigadas através do uso de técnicas digitais para gravar e armazenar as distribuições de fio na célula. Os padrões geométricos são estudados como uma função do comprimento do fio, sendo que à medida que L cresce (ou seja, à medida que p = fração de ocupação da cavidade = z L / p Ro2 cresce) a estrutura torna-se progressivamente mais rígida, existindo um limite máximo de ocupação da cavidade quando p = pmax = z Lmax / p Ro2 = 0,140 ± 0,006, ou seja, quando cerca de apenas 14% da cavidade está ocupada. A relação massa(M)-tamanho(R) do sistema dentro de um círculo de raio R obedece a M(R) ~ RD, com D = 1,9 ± 0,1, no limite p = pmax. Por outro lado, o número de alças (unidades constitutivas das configurações espaciais apresentadas pelos fios amassados), na(p), escala assintoticamente como na ~ p1,8±0,2, para 0,032 £ p £ 0,140. O número de contatos entre alças cresce como naa(p) ~ p2,2±0,2 e o tamanho médio das alças, l(p), escala como p-0,50±0,15, para 0,014 £ p £ 0,14. Estudamos ainda a função distribuição n(s) de alças com área interna s. esta quantidade decai assintoticamente como s-t, com t = 1,4±0,2, ao longo de uma década de variabilidade em s. Um modelo hierárquico baseado na formação de uma cascata de alças é proposto para explicar todos os dados experimentais, inclusive os expoentes críticos. Uma relação deste problema com a transição de perda de rigidez em espuma bidimensional é discutida

Orientador: Jose Antonio Brum / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-25T14:07:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Aguiar_MariaCarolinadeOliveira_M.pdf: 2381669 bytes, checksum: b013d15f300f2b381b2c5d4cdf9c7c9c (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: O objetivo principal do nosso trabalho é estudar o processo de formação de éxcitons em poços quânticos de semicondutores. Iniciamos esta dissertação com uma discussão dos diferentes processos de espalhamento, dentre eles a formação de éxcitons, envolvidos quando um semicondutor é excitado por um pulso de laser ultracurto. Em seguida, apresentamos uma revisão de alguns resultados experimentais presentes na literatura, através dos quais fica evidente a dificuldade encontrada para se extrair das medidas realizadas informações sobre o processo de formação de éxcitons. No nosso modelo, descrevemos a formação de um éxciton como a transição de um par elétron-buraco no limiar do contínuo do éxciton para o estado excitônico fundamental via espalhamento com fônons acústicos longitudinais. Este é um processo bimolecular, caracterizado por uma taxa bimolecular de formação. Calculamos esta taxa tanto na aproximação parabólica para as dispersões das subbandas de valência como levando em consideração o acoplamento das subbandas de buraco pesado e buraco leve, que torna não-parabólicas as dispersões das subbandas de valência e do centro de massa do éxciton. Na aproximação parabólica, os resultados mostram que a maior parte dos éxcitons é formada com energia cinética em torno da energia de ligação do estado excitônico fundamental. Isto deve-se à pouca energia dos fônons que efetivamente participam do processo de formação de éxcitons. No caso não-parabólico, a contribuição não nula dos espalhamentos com troca de paridade abre mais um canal para processos que envolvem troca de spin. Apresentamos ainda nesta dissertação o estudo do processo de captura de portadores por um fio quântico na forma de T. A pequena diferença entre as energias dos estados quase-bidimensionais do contínuo e o estado ligado quase-unidimensional do fio faz com que haja uma competição entre o processo de captura e o processo de formação de éxcitons nestes sistemas / Abstract: The main goal of this work is to study the exciton formation process in semiconductor quantum wells. First, we discuss the different scattering processes, besides the exciton formation, involved when a semiconductor is excited by an ultrashort laser pulse. Next, we review the main experimental results from the literature. It shows the difficulty in extracting from the experiments the information about the exciton formation process. In our model, we describe the formation of an exciton by the transition of an electron-hole pair in the threshold of the exciton continuum to the ground exciton state through scattering with longitudinal acoustical phonons. This is a bimolecular process, caracterized by a bimolecular formation rate. We calculate this rate considering the parabolic and the non-parabolic dispersions for the valence subbands and the exciton center-of- mass. In the parabolic approximation, the results show that most of the excitons are formed with an excess of kinetic energy of the order of the exciton ground state binding energy. This is a consequence of the low energy of the phonons which effectively participate in the process. In the non-parabolic case, there is a finite probability of scattering involving the change of parity in symmetric quantum wells. This opens a channel for spin-flip transitions We also discuss the carrier capture process in T-shaped quantum wires. The small difference between the energies of the quasi-two-dimensional continuous states and the quasi-unidimensional bound state makes the exciton formation process to compete with the capture process / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: George Gershom Kleiman / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T08:39:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Chiquito_MarisaVirginiaStrurion_M.pdf: 988195 bytes, checksum: 8d028cdf730ee62c7a6a45fbaafb5e12 (MD5) Previous issue date: 1981 / Resumo: Resultados úteis na física do estado sólido, tal como a aproximação da massa efetiva para impurezas em semicondutores, são baseados na invariância translacional que há num cristal perfeito. O estado atual avançado das teorias de tais materiais foi atingido depois de muitos esforços baseados no entendimento físico de modelos simples. No caso de materiais inhomogeneos, tais como junções e interfaces vácuo-sólido, as teorias se encontram num estado mais rudimentar. O objetivo deste trabalho é o de fornecer soluções exatas a um modelo simples (uma cadeia inhomogenea de potenciais de funções delta) de junções, de modo a providenciar um teste para esquemas de aproximações que podem ser estendidos a modelos mais realistas. Realizamos um estudo exaustivo dos autoestados de tais sistemas inhomogeneos, com ênfase na explicação física dos resultados. Por exemplo, nós discutimos sistematicamente, estados localizados nas interfaces vácuo-sólido (modelo de Tamm) e sólido-óxido-sólido. No ultimo caso, demonstramos a existência de estados localizados acima da barreira do óxido cujo comportamento espacial é diferente daqueles estados localizados interfaciais convencionais. Nós apresentamos, também, soluções exatas para um potencial de alcance variável num sistema sólido-sólido / Abstract: Useful results of the physics of bulk materials, such as the effective mass approximation for impurities in semi-conductors, are based upon the translacional invariance of a perfect crystal. The present advanced state of theories of such materials was reached after much effort based upon physical understanding of simple models. In the case of inhomogeneous materials, such as junctions and sold-vacuum interfaces, theories are n a more rudimentary state. The motivation of the present work is that of providing exat solutions to a simple model (an inhomogeneous chain of delta function potentials) of junctions, in order to provide a test for - approximation schemes which report an exhaustive study of the eigenstates of such inhomogeneous systems, with emphasis upon physical explanation of the results. For example, we systematically discuss localized states of the vacuum-solid (the - Tamm models) and solid-oxide-solid interfaces. In the latter case, we demonstrate the existence of localized states above the oxide barrier whose spatial behavior is different from that of conventional localized interfacial states. We also present exact solutions for a potencial of varying range in a solid-solid system / Mestrado / Física / Mestre em Física