SAMMANFATTNING  Bakgrund och syfte: I takt med att medellivslängden ökar, ökar även antalet människor som insjuknar i cancer och tumörsjukdomar. Idag finns flera behandlingsalternativ mot dessa tillstånd men de leder till biverkningar som kan försämra livskvaliteten för en patient. Protonstrålning användes första gången 1957 och är en behandlingsmetod som skonar frisk vävnad kring tumören vilket resulterar i färre biverkningar. Forskning har bedrivits kring den tekniska funktionen vid protonstrålning men den är begränsad när det kommer till människors upplevda livskvalitet efter genomgången behandling. Syftet var att undersöka hur patienter som behandlats med protonstrålning för sjukdomar i huvud- och nackregionen upplevde sin sjukdom, behandling med protonstrålning samt sin hälsa och livskvalitet efter behandlingen.   Metod: Studien genomfördes med kvalitativ metod och intervjuer via telefon genomfördes för att samla data. Antal deltagare i studien var åtta. För att analysera data användes innehållsanalys.    Resultat: Fyra kategorier skapades: sjukdomen påverkar livskvaliteten negativt, skiftande upplevelser av protonstrålning, förbättrad livskvalitet till följd av protonstrålning och hälsa.  Upplevelsen av livskvalitet såg olika ut för samtliga deltagare i studien. Däremot var upplevelsen av sjukdom, protonstrålning, livskvalitet och hälsa god för majoriteten av deltagarna trots behandling med protonstrålning.     Slutsats: Behandling med protonstrålning skonar frisk vävnad från att drabbas av strålning vilket denna studies resultat tyder på genom att deltagarna inte redovisade någon stor negativ påverkan på livskvaliteten.

Bakgrund: Varje år insjuknar 300 barn i cancer varav cirka 30% av dessa diagnostiseras med hjärntumör. Protonstrålning har sedan 2015 varit ett bra behandlingsalternativ för att minska seneffekterna av strålningen. I dagsläget görs all protonstrålning i Uppsala. Barn med cancer vill vara delaktiga i sin vård och behandling och ålderanpassad information är då viktigt. Syfte: Att beskriva barnsjuksköterskans erfarenhet av att förbereda barn med hjärntumör inför protonstrålning på annan ort. Metod: Sju stycken kvalitativa intervjuer genomfördes med sjuksköterskor. Insamlat material analyserades med kvalitativ innehållsanalys (Elo och Kyngäs 2008). Resultat: Resultatet presenterar tre kategorier: Att nå barnet beskriver vikten av att ha barnet i fokus och anpassa informationen utifrån individen. Att möta utmaningar belyser tidens betydelse för hur förberedelserna blir, att det upplevdes som svårare att förbereda barn när det utförs på annan ort. Att inge trygghet beskriver sjuksköterskans roll att vara en trygg punkt för familjen samt att se till hela familjen. Konklusion: Konklusionen av studien är att barnsjuksköterskorna är medvetna om vikten av att göra barn delaktiga i förberedelser för att främja hälsa samt att tidens påverkan spelar in när sjuksköterskan ska förbereda och nå fram till barnet. / Background: Every year, 300 children are diagnosed with cancer, of which about 30% are diagnosed with brain tumor. Proton radiation therapy has been a good treatment alternative since 2015 to reduce the late effects of radiation. At the moment, all proton radiation therapy in Sweden is carried out in Uppsala. Children with cancer want to participate in their care and treatment and age-appropriate information is therefore important. Purpose: To describe the pediatric nurse's experience in preparing children with brain tumors for proton radiation therapy in another location. Method: Seven qualitative interviews were conducted with nurses. Collected material was analyzed with qualitative content analysis (Elo & Kyngäs, 2008). Result: The result presents three categories: Reaching the child describes the importance of having the child in focus and adapting the information based on the individual. Facing challenges highlights the importance of time and how it affects the preparations, it was perceived as more difficult to prepare children getting treatment in another location. Providing security describes the nurse's role to be a safe point for the family and to look after the whole family. Conclusion: The conclusion of the study is that the pediatric nurses are aware of the importance of children’s’ participation in their preparation, to promote health and that time plays an influential role in the preparation and the nurse’s ability to connect with the children.

GaN-HEMTs (Gallium Nitride-based High Electron Mobility Transistors) have, thanks to the large band gap of GaN, electrical properties that are suitable for applications of high electrical voltages, high currents, and fast switching. The large band gap also gives GaN-HEMTs a high resistance to radiation. In this degree project, the effects of 2 MeV proton irradiation of GaN-HEMTs constructed on both silicon carbide and silicon substrates are investigated. 20 transistors per substrate were irradiated in the particle accelerator 5 MV NEC Pelletron in the Ångström laboratory at Uppsala University. These transistors were exposed to radiation doses in the range of 10^11 to 10^15 protons/cm^2. The analysis shows that both transistors on silicon, as well as silicon carbide, are unaffected by proton irradiation up to a dose of 10^14 protons/cm^2. GaN-on-Si transistors show less influence of radiation than GaN-on-SiC transistors. The capacitances between gate and drain as well as drain and source for both GaN-on-SiC and GaN-on-Si HEMTs show hysteresis as a function of forward and backward gate voltage sweeps for the radiation dose of 10^15 protons/cm^2. / GaN-HEMTs (Galliumnitridbaserade High Electron Mobility Transistors) har tack vare det stora bandgapet i GaN goda elektriska egenskaper som lämpar sig för höga elektriska spänningar, höga strömmar och snabb växling mellan av- och på-tillstånd. Det stora bandgapet ger även GaN-HEMTs ett stort motstånd mot strålning.I detta examensarbete undersöks effekterna av 2 MeV protonbestrålning av GaN-HEMTs. Dessa HEMTs är konstruerade på både kiselkarbid- och kiselsubstrat.20 transistorer per transistorsubstrat bestrålades i partikelacceleratorn 5 MV NEC Pelletron i Ångströmslaboratoriet vid Uppsala Universitet. Dessa transistorer utsattes för strålningsdoser inom intervallet 10^11 till 10^15 protoner/cm^2. Resultaten visar att både tranisistorer på kisel såsom kiselkarbid är opåverkade av strålning upp till en dos av 10^14 protoner/cm^2. GaN-på-Si-transistorer visar en mindre påverkan av protonstrålning än GaN-på-SiC-transistorer. Ytterligare uppstod hysteresis för kapacitanser mellan gate och drain och mellan gate och source som en funktion av fram- och bakriktad gate-spänning efter en strålningsdos av 10^15 protoner/cm^2.