ラジカル制御を用いた表面反応過程及び薄膜形成に関する研究

Description

科学研究費補助金 研究種目:基盤研究(A)(2) 課題番号:08405005 研究代表者:後藤 俊夫 研究期間:1996-1998年度

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1. http://hdl.handle.net/2237/13079

Tags

Absorption spectroscopy

Amorphous Silicon

CVD

Chemical vapor deposition

Diamond

FT-IR

FT-IRRAS

Plasma

Poly crystalline Silicon

Process

Radical

アモルファスシリコン

ダイヤモンド

プラズマ

プロセス

ラジカル

吸収分光法

多結晶シリコン

赤外半導体レ-ザ吸収分光法

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:NAGOYA/oai:ir.nul.nagoya-u.ac.jp:2237/13079
Date	03 1900
Creators	後藤, 俊夫, 河野, 明廣, 堀, 勝, 伊藤, 昌文
Source Sets	Nagoya University
Language	Japanese
Detected Language	Japanese
Type	Research Paper